CN210537246U - 一种包含低介电损耗层的复合吸波结构 - Google Patents
一种包含低介电损耗层的复合吸波结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，包括吸波材料层、低介电损耗层，所述吸波材料层一侧贴合有双面胶层，所述双面胶层另一侧与低介电损耗层贴合在一起，所述低介电损耗层的另一侧贴合双面胶层，所述双面胶层外侧贴合一层离型膜。通过设置不同厚度的低介电损耗层可以调整吸波材料层与电磁干扰源之间的间距，使其对电磁干扰辐射的吸收和衰减达到最佳效果。此外，当低介电损耗层介于高频高速集成电路与吸波材料层之间时，可使吸波材料层对电路阻抗和信号传输的影响降至很低，同时还可以提供额外的绝缘保护。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子功能材料领域，特别涉及一种包含低介电损耗层的复合吸波结构。
背景技术
随着电子行业的发展，电子器件中电磁辐射与干扰问题日益突出。特别是在高速高频信号传输领域，面临的考验尤其严峻。电子产品中产生的有害电磁波，会干扰周围的其它电子设备，使其无法正常工作；同时也有可能会对人体健康造成不同程度的危害。因此，研发能够抑制电磁干扰辐射的吸波材料，已经成为材料领域的热门课题。吸波材料是指能够有效吸收入射电磁波并使其衰减的一类材料，它通过不同的损耗机制将入射电磁波转化成热能或者其它能量形式以达到吸波的目的。吸波材料中，贴片型吸波材料厚度薄，使用方便，对于降低电磁辐射、防止电磁干扰有很好的效果，比较适合应用在电子产品中。但现有技术中，贴片型吸波材料仍存在结构简单，吸收效率降低的问题，无法满足高频高速传输电路中抗电磁干扰的要求。因此，需要对现有吸波材料作改进。
发明内容
本实用新型提供一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，以解决上述背景技术中提出的结构单一、不能满足高频高速传输电路中抗电磁干扰的问题。
本实用新型采用的技术方案是：一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，包括吸波材料层、低介电损耗层，所述吸波材料层一侧贴合有双面胶层，所述双面胶层另一侧与低介电损耗层贴合在一起，所述低介电损耗层的另一侧贴合双面胶层，所述双面胶层外侧贴合一层离型膜。
进一步的，所述吸波材料层为磁性吸波材料、介电型吸波材料或电阻型吸波材料中的一种。
进一步的，所述低介电损耗层的材质为聚硅氧烷类、聚酰亚胺类、聚四氟乙烯类有机化合物的一种。
进一步的，所述低介电损耗层的介电常数Dk值＜3（1KHz），损耗角正切Df值＜0.005（1KHz）。
进一步的，所述低介电损耗层的厚度范围为0.1mm~5mm。
由于运用上述技术方案，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：通过设置不同厚度的低介电损耗层可以调整吸波材料层与电磁干扰源之间的间距，使其对电磁干扰辐射的吸收和衰减达到最佳效果。此外，当低介电损耗层介于高频高速集成电路与吸波材料层之间时，可使吸波材料层对电路阻抗和信号传输的影响降至很低，同时还可以提供额外的绝缘保护。
附图说明
附图1是本实用新型一种包含低介电损耗层的复合吸波结构示意图。
图中：1、吸波材料层，2、双面胶层，3、低介电损耗层，4、双面胶层，5、离型膜。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参见图1，一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，包括吸波材料层1、低介电损耗层3，所述吸波材料层1一侧贴合有双面胶层2，所述双面胶层2另一侧与低介电损耗层3贴合在一起，所述低介电损耗层3的另一侧贴合双面胶层4，所述双面胶层外侧贴合一层离型膜5。所述吸波材料层1为磁性吸波材料、介电型吸波材料或电阻型吸波材料中的一种。所述低介电损耗层3的材质为聚硅氧烷类、聚酰亚胺类、聚四氟乙烯类有机化合物的一种。所述低介电损耗层3的介电常数Dk值＜3，损耗角正切Df值＜0.005。所述低介电损耗层3的厚度范围为0.1mm~5mm。
本实用新型的有益效果是：通过设置不同厚度的低介电损耗层可以调整吸波材料层与电磁干扰源之间的间距，使其对电磁干扰辐射的吸收和衰减达到最佳效果。此外，当低介电损耗层介于高频高速集成电路与吸波材料层之间时，可使吸波材料层对电路阻抗和信号传输的影响降至很低，同时还可以提供额外的绝缘保护。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：包括吸波材料层1、低介电损耗层3，所述吸波材料层1一侧贴合有双面胶层2，所述双面胶层2另一侧与低介电损耗层3贴合在一起，所述低介电损耗层3的另一侧贴合双面胶层4，所述双面胶层外侧贴合一层离型膜5。
2.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述吸波材料层1为磁性吸波材料、介电型吸波材料或电阻型吸波材料中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述低介电损耗层3的材质为聚硅氧烷类、聚酰亚胺类、聚四氟乙烯类有机化合物的一种。
4.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述低介电损耗层3的介电常数Dk值＜3，损耗角正切Df值＜0.005。
5.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述低介电损耗层3的厚度范围为0.1mm~5mm。
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