JPS5868923A - 結晶薄膜の製造方法 - Google Patents
結晶薄膜の製造方法Info
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- JPS5868923A JPS5868923A JP16695081A JP16695081A JPS5868923A JP S5868923 A JPS5868923 A JP S5868923A JP 16695081 A JP16695081 A JP 16695081A JP 16695081 A JP16695081 A JP 16695081A JP S5868923 A JPS5868923 A JP S5868923A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質体及び金属上に半導体等の結晶薄ａｔ製
造する方法に関するものである。
造する方法に関するものである。
結晶ｆＩＢ換を得る方法としては、従来、液相成長法、
化学気相ｇ−＆法、蒸着法（スパッタ法等が知られてい
るが、前記いずれの方法においても袖結晶を用−て、こ
の掴鮎。晶に千夛結晶博＃４を成長させるものであった
。却ち、良好な結晶％膜を得るためには、１基板として
単結晶基板を用い、かつ成長させようとする結晶の格子
定数と前記基板の単結晶の格子定数を一致せしめなけれ
ばならなかった。
化学気相ｇ−＆法、蒸着法（スパッタ法等が知られてい
るが、前記いずれの方法においても袖結晶を用−て、こ
の掴鮎。晶に千夛結晶博＃４を成長させるものであった
。却ち、良好な結晶％膜を得るためには、１基板として
単結晶基板を用い、かつ成長させようとする結晶の格子
定数と前記基板の単結晶の格子定数を一致せしめなけれ
ばならなかった。
しかしながら、ガラス叫の非晶置体基板上に挾質の結晶
薄膜を成長させうろことが５’ｆ能であれは、低コスト
の太陽電池、大面積のディスプレイパネル等が製造町舵
となるのは明かでるる。
薄膜を成長させうろことが５’ｆ能であれは、低コスト
の太陽電池、大面積のディスプレイパネル等が製造町舵
となるのは明かでるる。
このような非晶質体上に結晶薄膜を成長させる方法とし
て、学俯帷誌、Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ ｅ
ｔｔｅ ｒ第３７ＩＩ！ｆ１第４５４負（１９８０＃−
） に、非晶質体であるガラス基板嵌曲に、胸勘１〜４
ｐｍで深さ１１００ｎの陶を形ｈｘ、Ｌ、この基板上に
ケイ素を化学気相法によυ被着させ、次いで赤面に故化
ａｔ生成させ、ヒータによ、６１ａｏｏ°Ｃに１０〜２
０ 秒間加熱して、ケイ基の結晶薄膜を倚る方法が開示
さ、れている。しかしなかも、この方法によれば％ （
１）結晶薄膜を得るために４、仮着したケイ素の上にさ
らＫｌ！！ｉ２化膜を形成しなくて社ならない）（２）
結晶化させるには１３００℃もの高温が必蕾である、な
どの欠点があった。
て、学俯帷誌、Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ ｅ
ｔｔｅ ｒ第３７ＩＩ！ｆ１第４５４負（１９８０＃−
） に、非晶質体であるガラス基板嵌曲に、胸勘１〜４
ｐｍで深さ１１００ｎの陶を形ｈｘ、Ｌ、この基板上に
ケイ素を化学気相法によυ被着させ、次いで赤面に故化
ａｔ生成させ、ヒータによ、６１ａｏｏ°Ｃに１０〜２
０ 秒間加熱して、ケイ基の結晶薄膜を倚る方法が開示
さ、れている。しかしなかも、この方法によれば％ （
１）結晶薄膜を得るために４、仮着したケイ素の上にさ
らＫｌ！！ｉ２化膜を形成しなくて社ならない）（２）
結晶化させるには１３００℃もの高温が必蕾である、な
どの欠点があった。
本発明はこのような欠点のない結晶薄層の製造方法を提
供することを目的とする。即ち、敵化換の形成を必資と
せず、δらには１ｌＩ６＆ｉにおける熱処理が工費であ
り、フつ良好な＃３島博農を非晶質体等の上に侍る方法
を提供することを目的とするＯした云って、本発明によ
る結晶薄膜の＃！造方法Ｕ、非晶實体または金Ｊ１１４
基板上に、結晶原料と前記結晶Ｊ１７Ｌ科と共晶又は化
合物となる薫風より鮎姦を析出６せた一合、前耐基板向
に平行に優先的にる周期的凹凸ｔ’−紀基板上に配置し
、次にこの基板上に前記金属を薄層状に溶着させ、前記
金−と結晶原料より結晶を析出させることを特徴とする
ものである。
供することを目的とする。即ち、敵化換の形成を必資と
せず、δらには１ｌＩ６＆ｉにおける熱処理が工費であ
り、フつ良好な＃３島博農を非晶質体等の上に侍る方法
を提供することを目的とするＯした云って、本発明によ
る結晶薄膜の＃！造方法Ｕ、非晶實体または金Ｊ１１４
基板上に、結晶原料と前記結晶Ｊ１７Ｌ科と共晶又は化
合物となる薫風より鮎姦を析出６せた一合、前耐基板向
に平行に優先的にる周期的凹凸ｔ’−紀基板上に配置し
、次にこの基板上に前記金属を薄層状に溶着させ、前記
金−と結晶原料より結晶を析出させることを特徴とする
ものである。
また、本発明による第２の結晶薄膜の製造方法は、非晶
質体ま九は金属基板上に、結晶原料と。
質体ま九は金属基板上に、結晶原料と。
前記結晶原料と共晶又は化合物となる金輌よシ結晶を析
出させ九場合、前記基板面に平行に優先的に成長する結
晶向の結晶軸と同じ回転対称性を有する周期的凹凸を、
前記基板上に被着させる金輌ｍに形成し、次いで、前記
金属と結晶原料より結晶を析出させることを％叡とする
ものである。
出させ九場合、前記基板面に平行に優先的に成長する結
晶向の結晶軸と同じ回転対称性を有する周期的凹凸を、
前記基板上に被着させる金輌ｍに形成し、次いで、前記
金属と結晶原料より結晶を析出させることを％叡とする
ものである。
本発明によれは１従来の方法と異なシ、欧化朕を形成せ
しめる必賛がなくなり、象には尚温の熱処理を要さない
と頁う利点がある。
しめる必賛がなくなり、象には尚温の熱処理を要さない
と頁う利点がある。
本発明を史に評しく説明する。
本発明によれば、まず、非晶質基板るるいはこの基板に
金輌をａ着したもののＡｉｌ ％ｒ２全２金輌上周期的
凹凸を形成せしめる。この周期的凹凸は金属及び結晶原
料よ抄前記基板上に結晶町出させ九−合、平行に優先的
に成長する結晶向の結晶軸と同じ１転対称性を有するも
のである。すなわ。ち、非晶ｌｊＬあるいは金Ｍ基板上
に良質の結晶薄膜さらには単結晶搏膜を成長させるため
に紘、人工的に一結晶方位を螢列させることが必嶽であ
る。たとえは、蒸着法等によりガラス基板上にケイ基の
半導体を被着させた場合、基板ＯＡ度が５００〜６００
℃ 以上では、基板面の影曽により特定の結晶圓が基板
に平行ＫＩ！ｉ、長することが知られているが、鮎５品
性の良好な結晶薄膜を得るためにはもう一つの結晶軸を
他の方法により配列すればよい。本発明において、この
もう一つの結晶軸の配列を基板面に平行に配列する結晶
向を基板に垂直方向から見た一合の回転対称性と岡じ対
称性を有する周期的凹凸により行うものでろる。
金輌をａ着したもののＡｉｌ ％ｒ２全２金輌上周期的
凹凸を形成せしめる。この周期的凹凸は金属及び結晶原
料よ抄前記基板上に結晶町出させ九−合、平行に優先的
に成長する結晶向の結晶軸と同じ１転対称性を有するも
のである。すなわ。ち、非晶ｌｊＬあるいは金Ｍ基板上
に良質の結晶薄膜さらには単結晶搏膜を成長させるため
に紘、人工的に一結晶方位を螢列させることが必嶽であ
る。たとえは、蒸着法等によりガラス基板上にケイ基の
半導体を被着させた場合、基板ＯＡ度が５００〜６００
℃ 以上では、基板面の影曽により特定の結晶圓が基板
に平行ＫＩ！ｉ、長することが知られているが、鮎５品
性の良好な結晶薄膜を得るためにはもう一つの結晶軸を
他の方法により配列すればよい。本発明において、この
もう一つの結晶軸の配列を基板面に平行に配列する結晶
向を基板に垂直方向から見た一合の回転対称性と岡じ対
称性を有する周期的凹凸により行うものでろる。
前記周期的凹凸は、本＠明のｗＪｌの発明においては非
晶質または金属基板に直接形奴し、その上に、結晶原料
と溶融合飯を形成する金為を４Ｉｋ層させる。−万、本
発明の第２の発明においては、丼晶負体等ｏ２１ｆＩｍ
上に金属を被層させ、この金輌上に周期的凹凸を形成す
る。
晶質または金属基板に直接形奴し、その上に、結晶原料
と溶融合飯を形成する金為を４Ｉｋ層させる。−万、本
発明の第２の発明においては、丼晶負体等ｏ２１ｆＩｍ
上に金属を被層させ、この金輌上に周期的凹凸を形成す
る。
このような周期的凹凸のピッチは１０ｐｍ以下であるの
が好ましく、最も好ｊしくけｌｐｍ以下である。１０μ
ｍｔ−勉えると良好な結晶が成長しにくいからである。
が好ましく、最も好ｊしくけｌｐｍ以下である。１０μ
ｍｔ−勉えると良好な結晶が成長しにくいからである。
このような結晶原料は基本的には金属と共晶しまたは化
合物を形成し、結晶を析出せしめるものでわれにいかな
るものでもよい。たとえば、５ｉｓＧ・、史には化合物
半導体であるＧａＡｓＸ（ｊａＰ、 ＩｎＰ。
合物を形成し、結晶を析出せしめるものでわれにいかな
るものでもよい。たとえば、５ｉｓＧ・、史には化合物
半導体であるＧａＡｓＸ（ｊａＰ、 ＩｎＰ。
ＧａＡｉＰ ％であることができる。
また前記金−も基本的に限定されるものではない。すな
わち、前記結晶材料と共晶ないし化合物の形より結晶を
析出するものであればいかなるものでもよい。たとえば
、人ｎ、 ＡｇＸＡｌ、 Ｐｔ、 Ｐｄ、 Ｇａ。
わち、前記結晶材料と共晶ないし化合物の形より結晶を
析出するものであればいかなるものでもよい。たとえば
、人ｎ、 ＡｇＸＡｌ、 Ｐｔ、 Ｐｄ、 Ｇａ。
Ｉ亀、Ｐｂ等であることができる。
この金属の被着厚は好ましくは数６＾以上であるのがよ
い。
い。
非結晶体基板としては、たとえはガラス、８ｉ３Ｎ４
などの非晶質体てらってもよく、またステンレス等の雀
＾材料であ□ることもできる。′また、本発明による第
１および第２の発明にお、いて、基板と金槁層との１−
に、結晶原料よ〕成る層を眩けることが好ましい。この
層ｔ−ｑ在させることにより、住じる結晶漣換の均一性
が向上する。
などの非晶質体てらってもよく、またステンレス等の雀
＾材料であ□ることもできる。′また、本発明による第
１および第２の発明にお、いて、基板と金槁層との１−
に、結晶原料よ〕成る層を眩けることが好ましい。この
層ｔ−ｑ在させることにより、住じる結晶漣換の均一性
が向上する。
次に本発明によれは前記金属お。よび結晶材料よ）ハム
を析出させるものであるが、この具体的方法は限足され
るもので社なく、たとえば、蒸着法、スパッタ法、化学
気相法を用いることができる。
を析出させるものであるが、この具体的方法は限足され
るもので社なく、たとえば、蒸着法、スパッタ法、化学
気相法を用いることができる。
この際、基板温度を共晶１Ｍ度付近あるいはそれ以上、
または化合物生地温に付近めるいはそれ以上に保持する
ことによシ、所望の帖＾が析出する。
または化合物生地温に付近めるいはそれ以上に保持する
ことによシ、所望の帖＾が析出する。
実施例１
第１図は不発ゆＪによりシリコン結晶を石共ガラス基板
上に成長させた実施例である。平向−Ｊｈ叡１上に金楓
鳩３・としてＡｕを用いて、Ｓｉ−、Ａｕ 溶融合金
よりケイ素を析出させると基板面に対しく１１１）閣が
搬先的に成長し正三角ルの結晶粒が発生する。そこで第
１図（ａｌ）に示す８勘的臼凸２を石英基＆１上に作表
した。このようなフレ状はたとえは次のようにして作製
することかでさる。、６Ａガラス基、ｉｌｌ上にレジス
ト（たとえはシプレー社ｈｚ１３５０Ｊ）、を動弁し、
次にた六えはＨｅ−Ｃｄ レーザ等からのレーザ元を
重畳干渉させた状態で上記レジストにグレーティングを
ｊ１元する。次に基＆１を６０°回鴨し、同様に重畳干
渉させたレーザ九を照射し前記グレーティングに東ねて
もう一つのグレーティングを膳光し、塊像処理を行うと
＠ｉ図Ｃ＆）に示すパターンがレジストに形成される。
上に成長させた実施例である。平向−Ｊｈ叡１上に金楓
鳩３・としてＡｕを用いて、Ｓｉ−、Ａｕ 溶融合金
よりケイ素を析出させると基板面に対しく１１１）閣が
搬先的に成長し正三角ルの結晶粒が発生する。そこで第
１図（ａｌ）に示す８勘的臼凸２を石英基＆１上に作表
した。このようなフレ状はたとえは次のようにして作製
することかでさる。、６Ａガラス基、ｉｌｌ上にレジス
ト（たとえはシプレー社ｈｚ１３５０Ｊ）、を動弁し、
次にた六えはＨｅ−Ｃｄ レーザ等からのレーザ元を
重畳干渉させた状態で上記レジストにグレーティングを
ｊ１元する。次に基＆１を６０°回鴨し、同様に重畳干
渉させたレーザ九を照射し前記グレーティングに東ねて
もう一つのグレーティングを膳光し、塊像処理を行うと
＠ｉ図Ｃ＆）に示すパターンがレジストに形成される。
前記レジストをマスクにリアクティブスパッタエツチン
グ法等で石英ガラス基板１をエツチングすると所望の形
状が得られる。
グ法等で石英ガラス基板１をエツチングすると所望の形
状が得られる。
次に前記基板１を真空蒸着製置内に入れ、真空に排気し
た後、Ａｕを蒸発させ、前記基板ｌｔ上に厚さ、０．１
ｐｍのＡｕ膜３を被着さ゛せる、＃ＰＪ１図（ｂ）。
た後、Ａｕを蒸発させ、前記基板ｌｔ上に厚さ、０．１
ｐｍのＡｕ膜３を被着さ゛せる、＃ＰＪ１図（ｂ）。
次に基＆１を３８００に加熱し、絖いてＳｉを蒸発させ
、′ｔ７Ｊｌ記基板１に被着させ′る。被着したＳｔは
順次Ａｕと反応し、ある黴度で俗躯合金を形成する。蒸
着の進行によプ遇刺の８１は基板ｉ上ζ析出しはじめる
が、基板１上にへ勘的な凹凸２があるため、これらの接
置を受け、方位のそろった輌晶滓展ｉとなる（第１図（
Ｃ））。前記実施例において基板１とＡｕ展３の間にめ
らがじめケイ１ｇＪＩＬさ１００Ａ機度蒸着しておくと
、ｋｈ晶−湯層の均一性が向上した。さらに、前ｍｃケ
イ素をイオングレーティングすると、より効果のあるこ
とがわかった。
、′ｔ７Ｊｌ記基板１に被着させ′る。被着したＳｔは
順次Ａｕと反応し、ある黴度で俗躯合金を形成する。蒸
着の進行によプ遇刺の８１は基板ｉ上ζ析出しはじめる
が、基板１上にへ勘的な凹凸２があるため、これらの接
置を受け、方位のそろった輌晶滓展ｉとなる（第１図（
Ｃ））。前記実施例において基板１とＡｕ展３の間にめ
らがじめケイ１ｇＪＩＬさ１００Ａ機度蒸着しておくと
、ｋｈ晶−湯層の均一性が向上した。さらに、前ｍｃケ
イ素をイオングレーティングすると、より効果のあるこ
とがわかった。
電子回折で−べたＩ＆ｉ朱、前記ケイ本結晶製４Ｌ基＆
１に平行に（１１１）面が配向した単結晶１１Ｍであっ
た。なお、５は多結晶薄膜を示す。
１に平行に（１１１）面が配向した単結晶１１Ｍであっ
た。なお、５は多結晶薄膜を示す。
実施例２
第２図は本発明の他の実施例である。石英ガラス基板１
上［７！ｉｊＬさ０．ＩＰｍ杉夏０Ａｕ良３を急動し次
に前記実施例と同様に周期的凹凸を有するレジストを前
記基板ｌ上に形成する。削配レジストをマスクにスパッ
タエツチングによりＡｕ Ｔｈ ３ ｔエツチングし周
期的凹凸２をＡｕＪ１４３上に形成する（第２図（ａ）
）。次にｂｉｊ記基板基板１空蒸着装置内に入れ、併気
した談３８０℃程度に加熱しケイ素を蒸盾すると、基板
１上にケイ累の卑和晶薄膜４が、侍られた（第２図（ｂ
））２゜ ｔえ前記実施例では、周期的凹凸２を形成する手段とし
て、グレーティングの２重電光を行ったが、同様な１ｇ
１転対称性を有大る図形であればよく、普通のホトリン
グ２フイに一用するマスクを使う方法でも良い。
上［７！ｉｊＬさ０．ＩＰｍ杉夏０Ａｕ良３を急動し次
に前記実施例と同様に周期的凹凸を有するレジストを前
記基板ｌ上に形成する。削配レジストをマスクにスパッ
タエツチングによりＡｕ Ｔｈ ３ ｔエツチングし周
期的凹凸２をＡｕＪ１４３上に形成する（第２図（ａ）
）。次にｂｉｊ記基板基板１空蒸着装置内に入れ、併気
した談３８０℃程度に加熱しケイ素を蒸盾すると、基板
１上にケイ累の卑和晶薄膜４が、侍られた（第２図（ｂ
））２゜ ｔえ前記実施例では、周期的凹凸２を形成する手段とし
て、グレーティングの２重電光を行ったが、同様な１ｇ
１転対称性を有大る図形であればよく、普通のホトリン
グ２フイに一用するマスクを使う方法でも良い。
以上ａｌｔＱｌｌたよりに本発明祉結晶涼科と金属よ）
結晶を析出させるとともに、結晶方位の制御を平−基板
上に結晶を析出させた場合の結晶の対称性フ゛−じパタ
ーンを有する基板上の周期的凹凸また社基板上に被着さ
せた金）Ｉｆ４７ｍＩＣ設けられた周期的凹凸によ）行
うため、非晶質基＆あるいは金鵬基板上毎も良−の半導
体結晶薄膜が、低温でしかも速い成−＆速度で表造で・
きる。このため、本発明は、安価な太陰電池や大型のパ
ネルディスプレイ等の製造に有効である。
結晶を析出させるとともに、結晶方位の制御を平−基板
上に結晶を析出させた場合の結晶の対称性フ゛−じパタ
ーンを有する基板上の周期的凹凸また社基板上に被着さ
せた金）Ｉｆ４７ｍＩＣ設けられた周期的凹凸によ）行
うため、非晶質基＆あるいは金鵬基板上毎も良−の半導
体結晶薄膜が、低温でしかも速い成−＆速度で表造で・
きる。このため、本発明は、安価な太陰電池や大型のパ
ネルディスプレイ等の製造に有効である。
第１図社基板上に周期的凹凸を配置して帖晶淋展を得る
本発明の詳細な説明するための図で、（ａ）は基板の正
面図、（ｂ） ＣＣ）はＩＩＩＴ囲図である。 第２図は平面基板上にＪん期的凹凸を有するＡｕ膜を配
置して結晶Ｕ候を得る不妬明の他の実１１４１ ％の説
明図である。 １・−・石英ガラス基板、２・・・絢期的凹凸、３・・
・Ａｕ膜、４・・−結晶褥腺、°５・・・多結晶薄膜。 出１人代理人 南 宮 正 李 第１Ｆ！！Ｊ （１）） （Ｃ） 第６２図 （しっ ｌ ＼
本発明の詳細な説明するための図で、（ａ）は基板の正
面図、（ｂ） ＣＣ）はＩＩＩＴ囲図である。 第２図は平面基板上にＪん期的凹凸を有するＡｕ膜を配
置して結晶Ｕ候を得る不妬明の他の実１１４１ ％の説
明図である。 １・−・石英ガラス基板、２・・・絢期的凹凸、３・・
・Ａｕ膜、４・・−結晶褥腺、°５・・・多結晶薄膜。 出１人代理人 南 宮 正 李 第１Ｆ！！Ｊ （１）） （Ｃ） 第６２図 （しっ ｌ ＼
Claims (2)
- （１）非晶質体または金属の基板上に、結晶原料と前記
結晶原料と共晶又は化合物となる金塊材料よ多結晶を析
出させた場合、前記基板面に平行に★先約に成長する結
晶面の結晶軸と同じ同転対称性を有する周期的凹凸を基
数上に配直し、次に上記基板上に金−を薄膜状に被着さ
せ、削配金−と結晶原料、より結晶を析出させることを
特徴とする結晶薄膜の製造方法。 - （２）非晶質体または金纏の基板上に結晶原料と、上配
粘晶拒料と共晶又は化合物となる金ｊｌｌ科よ多結晶を
析出させた場合、基板面に平材に後外的にｈＩｔ、−＆
する結晶面の結晶軸と同じ回転対称性を七する周期的凹
凸を平ｒＭＪ丞板上に板層させる金属層に形成し、次に
前ｉ己金楓と結晶原料より結晶を析出させることｔや稙
とする結晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16695081A JPS5868923A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 結晶薄膜の製造方法 |
| US06/434,536 US4534820A (en) | 1981-10-19 | 1982-10-15 | Method for manufacturing crystalline film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16695081A JPS5868923A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 結晶薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868923A true JPS5868923A (ja) | 1983-04-25 |
Family
ID=15840630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16695081A Pending JPS5868923A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 結晶薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868923A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5895933A (en) * | 1993-06-25 | 1999-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for its preparation |
| US5942768A (en) * | 1994-10-07 | 1999-08-24 | Semionductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having improved crystal orientation |
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| JP2000089250A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Sony Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法 |
| JP2000111943A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Sony Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法 |
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-
1981
- 1981-10-19 JP JP16695081A patent/JPS5868923A/ja active Pending
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