JPS5868219A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの検査方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの検査方法Info
- Publication number
- JPS5868219A JPS5868219A JP16760181A JP16760181A JPS5868219A JP S5868219 A JPS5868219 A JP S5868219A JP 16760181 A JP16760181 A JP 16760181A JP 16760181 A JP16760181 A JP 16760181A JP S5868219 A JPS5868219 A JP S5868219A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- head
- thin film
- type thin
- effect type
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/455—Arrangements for functional testing of heads; Measuring arrangements for heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下ＭＲヘッ
ドという）の検査方法に関するものである。
ドという）の検査方法に関するものである。
ＭＲヘッドの製作は次の様な工程で行なわれる。
高透磁率磁性体基板上に蒸着、スパッタ、メッキ等咳よ
る薄膜形成と７オ） ＩＪングラフイ技術等の加工法を
用いて、ＭＲ素子、リード部、絶縁膜。
る薄膜形成と７オ） ＩＪングラフイ技術等の加工法を
用いて、ＭＲ素子、リード部、絶縁膜。
バイアス用高抗磁性膜、シールド用高透磁率膜を所望の
パターンに形成しウェハーを作成する前半工程と、前記
ウェハーをチップ単位に切断しヘッド先端ギャップ部の
研摩によって所望のＭＲ素子中まで研摩する後半工程で
ある。
パターンに形成しウェハーを作成する前半工程と、前記
ウェハーをチップ単位に切断しヘッド先端ギャップ部の
研摩によって所望のＭＲ素子中まで研摩する後半工程で
ある。
この様にして製作されたＭＲヘッドの性能、特性評価の
方法として次の２種がある。
方法として次の２種がある。
■ 一様外部磁界に対するＭＲ素子抵抗変化特性の評価
。
。
■ 所定の信号を記録する磁気記録媒体に対するＭＲヘ
ッドの再生出力の測定評価を行なうことによる、ヘッド
とテープの接触状態、ヘッド端面の形状状態、及びヘッ
ド総合特性の評価。
ッドの再生出力の測定評価を行なうことによる、ヘッド
とテープの接触状態、ヘッド端面の形状状態、及びヘッ
ド総合特性の評価。
ここで上記■の特性評価をＭＲヘッドウエノ・一段階で
行なうことが、ＭＲヘッドのトラック数が増大するにつ
れて益々重要となる。ところが上記■の特性評価を行な
う際において、ＭＲヘッドが磁気シールドを具備しない
ものであれば一様外部磁界を印加して容易にその評価を
行なうことができるのであるが、近年では第１図に示す
如（ＭＲヘッドには分解能向上の為にシールド用高透磁
率膜がＭＲ素子部の片側又は両側に形成されている。
行なうことが、ＭＲヘッドのトラック数が増大するにつ
れて益々重要となる。ところが上記■の特性評価を行な
う際において、ＭＲヘッドが磁気シールドを具備しない
ものであれば一様外部磁界を印加して容易にその評価を
行なうことができるのであるが、近年では第１図に示す
如（ＭＲヘッドには分解能向上の為にシールド用高透磁
率膜がＭＲ素子部の片側又は両側に形成されている。
同図で１は磁気シールド用高透磁率磁性体、２はＭＲ素
子、３は導体部、４はバイアス用高抗磁性膜、５は磁気
シールド用高透磁率磁性体、６は絶縁膜、矢印は磁束の
流れを示す。この様なヘッドに一様外部磁界を印加した
場合ＭＲ素子部よりも上記シールド用高透磁率膜５の方
に磁束が流入しＭＲ素子部へは磁界が有効に印加されず
、上記■の特性評価は困難であった。
子、３は導体部、４はバイアス用高抗磁性膜、５は磁気
シールド用高透磁率磁性体、６は絶縁膜、矢印は磁束の
流れを示す。この様なヘッドに一様外部磁界を印加した
場合ＭＲ素子部よりも上記シールド用高透磁率膜５の方
に磁束が流入しＭＲ素子部へは磁界が有効に印加されず
、上記■の特性評価は困難であった。
しかしＭＲヘッドにおいて、積層膜数の多さの為に或い
はＭＲ素子部の形成条件等によって、各素子の抵抗変化
率の差、ヒステリシス現象、バラクハウゼンジャンプ現
象は多く発生するので、ヘッドウェハ一段階で素子の良
・不良を検査することは重要な課題である。
はＭＲ素子部の形成条件等によって、各素子の抵抗変化
率の差、ヒステリシス現象、バラクハウゼンジャンプ現
象は多く発生するので、ヘッドウェハ一段階で素子の良
・不良を検査することは重要な課題である。
本発明はシールド用高透磁率膜を具備する高分解能のＭ
Ｒヘッドにおいて、ヘッドウェハー段階での素子特性評
価を可能ならしめる検査方法を提供することを目的とす
る。
Ｒヘッドにおいて、ヘッドウェハー段階での素子特性評
価を可能ならしめる検査方法を提供することを目的とす
る。
以下、本発明に係る検査方法の一実施例を図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第２図はＭＲヘッドの片側シールド５に電流を流しこの
シールド５で生起した磁界によってＭＲ素子の特性評価
を行なう装置の構成図を示す。７はパルス電流源であっ
てシールド５にパルス波形の電流を供給する。第３図に
そのパルス波形を示す。前記シールド５はパーマロイ等
からなり、例えば巾約１００μｍ１膜厚数ｐ１長さ数箇
であれば抵抗値は１００〜２００程度となる。ＭＲ素子
に有効な磁界を印加するために前記シールド５に直流又
は交流電流を流した場合、シールド５の上記抵抗によっ
て発熱が生じ、該シールド５又はシールド５に接続され
るリード部が破損する可能性があるので前記の如くシー
ルド５へはパルス波形の電流を供給する、前記シールド
５へ供給する電流ＩＡはシンクロスコープ８の横軸に入
力される。一方セ（スミ流Ｉｓが通電されるＭＲ素子の
両端に発生する抵抗変化に伴なう電圧は増巾器９にて増
巾されシンクロスコープ８の縦軸に入力される。この時
シンクロスコープ８にはＭＲ素子２に一様磁界を供給し
た時と同等のＭＲ素子２の抵抗変化特性曲線が得られる
ものである。
シールド５で生起した磁界によってＭＲ素子の特性評価
を行なう装置の構成図を示す。７はパルス電流源であっ
てシールド５にパルス波形の電流を供給する。第３図に
そのパルス波形を示す。前記シールド５はパーマロイ等
からなり、例えば巾約１００μｍ１膜厚数ｐ１長さ数箇
であれば抵抗値は１００〜２００程度となる。ＭＲ素子
に有効な磁界を印加するために前記シールド５に直流又
は交流電流を流した場合、シールド５の上記抵抗によっ
て発熱が生じ、該シールド５又はシールド５に接続され
るリード部が破損する可能性があるので前記の如くシー
ルド５へはパルス波形の電流を供給する、前記シールド
５へ供給する電流ＩＡはシンクロスコープ８の横軸に入
力される。一方セ（スミ流Ｉｓが通電されるＭＲ素子の
両端に発生する抵抗変化に伴なう電圧は増巾器９にて増
巾されシンクロスコープ８の縦軸に入力される。この時
シンクロスコープ８にはＭＲ素子２に一様磁界を供給し
た時と同等のＭＲ素子２の抵抗変化特性曲線が得られる
ものである。
以上の様に本発明によればシールド用高透磁率膜を具備
するＭＲヘッドにおいて、シールドを有効に利用するこ
とによって、特別な装置を付加せずともＭＲ素子特性の
測定を容易に、しかも精度良く行なうことができる。
するＭＲヘッドにおいて、シールドを有効に利用するこ
とによって、特別な装置を付加せずともＭＲ素子特性の
測定を容易に、しかも精度良く行なうことができる。
第１図はＭＲヘッドの一部側面断面図、第２図は本発明
に係る検査方法を用いた装置の一実施例の構成図、第３
図はシールドに通電するパルス電流波形図を示す。図中
、ｌ：磁気シールド用高透磁率磁性体、２：ＭＲ素子、
３：導体部、４：バイアス用高抗磁性膜、５：磁気シー
ルド用高透磁率磁性体、６：絶縁膜、７：パルス電流源
、８ニシンクロスコープ、９：増巾器。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 枦 ３閲
に係る検査方法を用いた装置の一実施例の構成図、第３
図はシールドに通電するパルス電流波形図を示す。図中
、ｌ：磁気シールド用高透磁率磁性体、２：ＭＲ素子、
３：導体部、４：バイアス用高抗磁性膜、５：磁気シー
ルド用高透磁率磁性体、６：絶縁膜、７：パルス電流源
、８ニシンクロスコープ、９：増巾器。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 枦 ３閲
Claims (1)
- １、磁気抵抗効果型素子と、該素子の片側又は両側に設
けられるバイアス印加用高抗磁力膜と、高透磁率磁性体
からなる磁気シールド層とを具備する薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記磁気シールド層にパルス電流を印加し、該
パルス電流によって生起する磁界を前記磁気抵抗効果型
素子にて検知することにより前記磁気抵抗効果型素子の
特性を検査したことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16760181A JPS5868219A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16760181A JPS5868219A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868219A true JPS5868219A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15852787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16760181A Pending JPS5868219A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868219A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456877U (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-15 | ||
| US6633459B2 (en) * | 2000-06-20 | 2003-10-14 | Seagate Technology Llc | Functional recording-head on-slider lap monitor |
| US7249406B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-07-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method to detect magnetic pole defects in perpendicular recording heads at wafer level |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP16760181A patent/JPS5868219A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456877U (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-15 | ||
| US6633459B2 (en) * | 2000-06-20 | 2003-10-14 | Seagate Technology Llc | Functional recording-head on-slider lap monitor |
| US7249406B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-07-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method to detect magnetic pole defects in perpendicular recording heads at wafer level |
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