JPS586540A - ビデオデイスク用静電容量検出回路 - Google Patents
ビデオデイスク用静電容量検出回路Info
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- JPS586540A JPS586540A JP10384381A JP10384381A JPS586540A JP S586540 A JPS586540 A JP S586540A JP 10384381 A JP10384381 A JP 10384381A JP 10384381 A JP10384381 A JP 10384381A JP S586540 A JPS586540 A JP S586540A
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- resonator
- coupling
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- oscillator
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は容量変換形のビデオディスクプレーヤにおける
静電容量検出器に関し、その目的とするところは復調出
力信号のキャリアノイズ比（Ｃ／Ｎ比）及び信号雑音比
＜Ｓ／Ｎ比）の向上した静電容量検出器の回路を提供す
るにある。
静電容量検出器に関し、その目的とするところは復調出
力信号のキャリアノイズ比（Ｃ／Ｎ比）及び信号雑音比
＜Ｓ／Ｎ比）の向上した静電容量検出器の回路を提供す
るにある。
先ず、容量変換形のビデオディスクプレーヤにおける静
電容量検出器（以下レゾネータと称す）について説明す
ると、基本回路を示す第１図において（１）＃：１−Ｕ
ＨＦ帯の固定発振器で約９１５ＭＨ２の信号を出力し、
インダクタンス（２）から誘導結合によって信号を取シ
出す。（３）は結合コイルでインダクタンス（２）と結
合し、かつ、共振インダクタンス（４）にＵＨＦ発振信
号を伝達する働きをする。（５）はレゾネータの重要な
部分であるディスクスタイラス共振器である。（８）は
可変容量ダイオードでＡＦＣ信号を端子（６）よ多入力
して共振器の共振周波数を調整する。（７）はチ冒−ク
コイルで高周波アイソレージ曹ンの働きをする。（９）
はストレー容量、翰はビデオディスクに記録された容量
であシ、通常ストレー容量（９）は０．５ＰＦで一定で
あシ、容量ａ〔は１０”−’ＰＦ単位の容量変化を示す
。αυは共振インダクタンス（４）に結合している検出
コイル、０３はＡＭ検波ダイオード、α漕、０４はその
平滑回路用のコンデンサ、抵抗である。翰はＦＭ検波・
増幅器である。
電容量検出器（以下レゾネータと称す）について説明す
ると、基本回路を示す第１図において（１）＃：１−Ｕ
ＨＦ帯の固定発振器で約９１５ＭＨ２の信号を出力し、
インダクタンス（２）から誘導結合によって信号を取シ
出す。（３）は結合コイルでインダクタンス（２）と結
合し、かつ、共振インダクタンス（４）にＵＨＦ発振信
号を伝達する働きをする。（５）はレゾネータの重要な
部分であるディスクスタイラス共振器である。（８）は
可変容量ダイオードでＡＦＣ信号を端子（６）よ多入力
して共振器の共振周波数を調整する。（７）はチ冒−ク
コイルで高周波アイソレージ曹ンの働きをする。（９）
はストレー容量、翰はビデオディスクに記録された容量
であシ、通常ストレー容量（９）は０．５ＰＦで一定で
あシ、容量ａ〔は１０”−’ＰＦ単位の容量変化を示す
。αυは共振インダクタンス（４）に結合している検出
コイル、０３はＡＭ検波ダイオード、α漕、０４はその
平滑回路用のコンデンサ、抵抗である。翰はＦＭ検波・
増幅器である。
第２図を用いて詳細にこの回路の動作を説明する。容量
変換型のビデオディスクプレーヤはディスクの容量を検
出してその検出容量に比例するＡＭ変調されたＵＨＦ信
号を作る。次に、ＡＭ変調信号をＡＭ検波してキャリア
を除去し、検出容量に比例した信号を得る。この信号は
ビデオディスクにビデオ信号をＦＭ変調し、それを容量
変化に変換したものであるから、ＦＭ検波するならばデ
ィスクに記録されている情報を取シ出すことが出来る。
変換型のビデオディスクプレーヤはディスクの容量を検
出してその検出容量に比例するＡＭ変調されたＵＨＦ信
号を作る。次に、ＡＭ変調信号をＡＭ検波してキャリア
を除去し、検出容量に比例した信号を得る。この信号は
ビデオディスクにビデオ信号をＦＭ変調し、それを容量
変化に変換したものであるから、ＦＭ検波するならばデ
ィスクに記録されている情報を取シ出すことが出来る。
このレゾネータの重要カ部分は（５）のディスクスタイ
ラス共振器（５）であるが、第２図に示すように固定発
振器（１）のＵＨＦ帯の発振周波数Ｆ０よシ予めずらせ
た共振特性（４）を持たせている。この共振特性（４）
のスロープ部分に発振周波数Ｆ０ が来ることになる。
ラス共振器（５）であるが、第２図に示すように固定発
振器（１）のＵＨＦ帯の発振周波数Ｆ０よシ予めずらせ
た共振特性（４）を持たせている。この共振特性（４）
のスロープ部分に発振周波数Ｆ０ が来ることになる。
前述のディスクに記録された容量ａＱの焚化分がこの共
振特性囚を情報に応じて変化させるので共振特性−のご
とく変化する。従って、結合コイル（３）から伝達され
る発振周波数信号Ｆｏ のディスクスタイラス共振器（
５）に生じる強さく振幅）は変化し、振幅変調された信
号が共振インダクタンス（４）内に流れる。このＡＭ変
調信号が第２図に公す（Ｂ）である。このＡＭ変調信号
０３）は共振インダクタンス（４）に結合している検出
コイル（１１）に伝達され、さらにダイオード０りとコ
ンデンサａ謙及び抵抗Ｉの平滑回路によってＡＭ検波さ
れ、第２図に示す（Ｏの出力信号を得る。その次にＦＭ
検波番増幅器ａＱによってＦＭ検波され、端子ａｎには
再生ビデオ信号が出力される。
振特性囚を情報に応じて変化させるので共振特性−のご
とく変化する。従って、結合コイル（３）から伝達され
る発振周波数信号Ｆｏ のディスクスタイラス共振器（
５）に生じる強さく振幅）は変化し、振幅変調された信
号が共振インダクタンス（４）内に流れる。このＡＭ変
調信号が第２図に公す（Ｂ）である。このＡＭ変調信号
０３）は共振インダクタンス（４）に結合している検出
コイル（１１）に伝達され、さらにダイオード０りとコ
ンデンサａ謙及び抵抗Ｉの平滑回路によってＡＭ検波さ
れ、第２図に示す（Ｏの出力信号を得る。その次にＦＭ
検波番増幅器ａＱによってＦＭ検波され、端子ａｎには
再生ビデオ信号が出力される。
この時のＡＦＣの働きは、ディスクスタイラス共振器（
５）の共振特性囚の中心値とＵＨＦ発振周波数ＦｏＯ差
を所定の値にコントロールするものである。さらに、検
出レベルが適切でないと、この差の周波数を変えて再生
信号が歪まない範囲でコントロールする一種のＡＧＣの
働き本合わせて持りている。即ち、再生レベルが低いと
この差の周波数を小さくすれば検出レベルは上昇するし
、再生レベルが高いとその逆になるようにすれば良い訳
である。
５）の共振特性囚の中心値とＵＨＦ発振周波数ＦｏＯ差
を所定の値にコントロールするものである。さらに、検
出レベルが適切でないと、この差の周波数を変えて再生
信号が歪まない範囲でコントロールする一種のＡＧＣの
働き本合わせて持りている。即ち、再生レベルが低いと
この差の周波数を小さくすれば検出レベルは上昇するし
、再生レベルが高いとその逆になるようにすれば良い訳
である。
かかるレゾネータの性能は、端子な９における再生信号
り）のキャリア参ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）カニ高いこと、
および、端子ａηにおける信号・雑音比（Ｓ／Ｎ比）が
高いことが要求され、このためにディスクスタイラス共
振器（５）のＱをあけて検出感度を向上させることと、
ＵＨＦ発振信号のＣ／Ｎ自体を曳くすることが考えられ
る。
り）のキャリア参ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）カニ高いこと、
および、端子ａηにおける信号・雑音比（Ｓ／Ｎ比）が
高いことが要求され、このためにディスクスタイラス共
振器（５）のＱをあけて検出感度を向上させることと、
ＵＨＦ発振信号のＣ／Ｎ自体を曳くすることが考えられ
る。
ソコで、従来のレゾネータについて第１図ト同一番号で
示すものは同じ働きをするものとして第３図を用いて説
明する。
示すものは同じ働きをするものとして第３図を用いて説
明する。
翰は外囲シャーシを示す金属筐体でその中に主な回路が
組立てられている。外囲シャーシ翰は２分されて固定発
振器（１１とディスクスタイラス共振器（５）とを構成
し、固定発振器（１）の内には、トランジスタ（ハ）と
帰還用コンデンサ（財）、コンデンサ（ハ）とインダク
タンス（２）とで前述の９１５ＭＨｚの周波数で発振す
るものである。また、ディスクスタイラス共振器（５）
には、ＡＦＣ電圧が端子（６）に印加され、可変容量ダ
イオード（８）の容量を適切な値に制御し、可変容量ダ
イオード（８）とコンデンサ＠と共振インダクタンス（
４）とディスクに記録された容量α・とストレー容量（
９）とで共振特性が決定される。
組立てられている。外囲シャーシ翰は２分されて固定発
振器（１１とディスクスタイラス共振器（５）とを構成
し、固定発振器（１）の内には、トランジスタ（ハ）と
帰還用コンデンサ（財）、コンデンサ（ハ）とインダク
タンス（２）とで前述の９１５ＭＨｚの周波数で発振す
るものである。また、ディスクスタイラス共振器（５）
には、ＡＦＣ電圧が端子（６）に印加され、可変容量ダ
イオード（８）の容量を適切な値に制御し、可変容量ダ
イオード（８）とコンデンサ＠と共振インダクタンス（
４）とディスクに記録された容量α・とストレー容量（
９）とで共振特性が決定される。
固定発振器（１）のインダクタンス（２）に誘起した発
振周波数信号はシールド板（５）に設けられた穴Ｑυを
貫通した結合コイル（３）を介して共振インダクタンス
（４）に供給され、共振インダクタンス（４）の一端（
１９にはディスクから検出され値が変化する容量ａ〔と
ストレゾ容量（９）とが接続されておシ、ディスクスタ
イラス共振器（５）の共振周波数が前述のごとく変化し
、それによって結合コイル任υに生じたＡＭ変調を受け
た信号をダイオードａ３によってＡＭ検波する。
振周波数信号はシールド板（５）に設けられた穴Ｑυを
貫通した結合コイル（３）を介して共振インダクタンス
（４）に供給され、共振インダクタンス（４）の一端（
１９にはディスクから検出され値が変化する容量ａ〔と
ストレゾ容量（９）とが接続されておシ、ディスクスタ
イラス共振器（５）の共振周波数が前述のごとく変化し
、それによって結合コイル任υに生じたＡＭ変調を受け
た信号をダイオードａ３によってＡＭ検波する。
Ｃ／ＮおよびＳ／Ｎを向上させるために、従来の回路で
は結合コイル（３）に直列に結合コンデンサ（ハ）を入
れ、その共振周波数を固定発振器（１）の発振周波数の
近辺に設定させる場合もあシ、この場合、結合コイル（
３）と結合コンデンサ（ハ）との共振周波数では結合が
強くなるのでインダクタンス（２）、結合コイル（３）
、共振インダクタンス（４）を相互に離すことができ、
そのためディスクスタイラス共振器（５）の共振周波数
では粗結合になり、ディスクスタイラス共振器（５）の
Ｑの増加が計れ、その結果Ｃ／ＮおよびＳ／Ｎが向上す
る。
は結合コイル（３）に直列に結合コンデンサ（ハ）を入
れ、その共振周波数を固定発振器（１）の発振周波数の
近辺に設定させる場合もあシ、この場合、結合コイル（
３）と結合コンデンサ（ハ）との共振周波数では結合が
強くなるのでインダクタンス（２）、結合コイル（３）
、共振インダクタンス（４）を相互に離すことができ、
そのためディスクスタイラス共振器（５）の共振周波数
では粗結合になり、ディスクスタイラス共振器（５）の
Ｑの増加が計れ、その結果Ｃ／ＮおよびＳ／Ｎが向上す
る。
しかしながら、上述の従来例では、Ｃ／Ｎの目標値であ
る一６０ｄＢ、Ｓ／Ｎの目標値である一４０ｄＢを満足
せず、実験結果によると結合コイル（３）だけのもので
はＣ／Ｎが一５５ｄＢ、Ｓ／Ｎが一３６ｄＢでＴｏシ、
また、結合コイル（３）と結合コンデンサとを直列に接
続したものではＣ／Ｎが一５８ｄＢ。
る一６０ｄＢ、Ｓ／Ｎの目標値である一４０ｄＢを満足
せず、実験結果によると結合コイル（３）だけのもので
はＣ／Ｎが一５５ｄＢ、Ｓ／Ｎが一３６ｄＢでＴｏシ、
また、結合コイル（３）と結合コンデンサとを直列に接
続したものではＣ／Ｎが一５８ｄＢ。
Ｓ／Ｎが一３９ｄＢであシ、このような値では満足でき
るものでなく、安定した鮮明な画倫が得られない欠点が
あった。
るものでなく、安定した鮮明な画倫が得られない欠点が
あった。
本発明は上記の欠点を簡単な構造によって解消したもの
であシ、その実施例を第５図、第６図によって説明する
。
であシ、その実施例を第５図、第６図によって説明する
。
構造的には結合コイル（３）と結合コンデンサ（ホ）と
の結合ループを固定発振器（１）に移し、合わせて、結
合用窓部（ハ）をシールド板■に設け、ディスクスタイ
ラス共振器（５）の共振インダクタンス（４）との誘導
結合を結合コイル（３）及び固定発振器（１）のインダ
クタンス（２）とで同時に行うことを特徴とし、又、電
気的には、インダクタンス（２）と帰還用コンデンサ＠
とトランジスタ（ハ）とコンデンサ（ハ）とで発振する
固定発振器（１）の固有発振周波数を９１５ＭＨｚよシ
４０〜６０ＭＨｚ低い周波数に設定し、結合用コイル（
３）と結合コンデンサ（ホ）との結合ループの共振周波
数を９１５ＭＨｚよυ１〜２ＭＨｚ低い周波数に設定し
、両者が誘導結合することによって９１５ＭＨｚ に固
定発振器（１）の発振周波数Ｆｏが決定されるようにし
たことである。
の結合ループを固定発振器（１）に移し、合わせて、結
合用窓部（ハ）をシールド板■に設け、ディスクスタイ
ラス共振器（５）の共振インダクタンス（４）との誘導
結合を結合コイル（３）及び固定発振器（１）のインダ
クタンス（２）とで同時に行うことを特徴とし、又、電
気的には、インダクタンス（２）と帰還用コンデンサ＠
とトランジスタ（ハ）とコンデンサ（ハ）とで発振する
固定発振器（１）の固有発振周波数を９１５ＭＨｚよシ
４０〜６０ＭＨｚ低い周波数に設定し、結合用コイル（
３）と結合コンデンサ（ホ）との結合ループの共振周波
数を９１５ＭＨｚよυ１〜２ＭＨｚ低い周波数に設定し
、両者が誘導結合することによって９１５ＭＨｚ に固
定発振器（１）の発振周波数Ｆｏが決定されるようにし
たことである。
先ず、固定発振器（１）について説明すると、Ｑの高い
共振回路で発振させてＣ／Ｎの良い発振信号を得ること
をねらい、トランジスタ（ハ）が付加された固有発振を
する共振回路側では、トランジスタ（ハ）自体が負荷と
なってＱの高い発振社得にくく、結合コイル（３）と結
合コンデンサ（ホ）からなる結合ループを固定発振器（
１）側のキャビティに入れたものはそれ自体でＱの高い
回路となシ、固定発振器（１）のインダクタンスと結合
コイル（３）とを誘導結合させてチーエン現象を利用し
、結合ループの共振周波数で発振周波数を支配的に決定
するようにすればＱの高い共振回路によるＣ／Ｎの高い
発振が可能となる。
共振回路で発振させてＣ／Ｎの良い発振信号を得ること
をねらい、トランジスタ（ハ）が付加された固有発振を
する共振回路側では、トランジスタ（ハ）自体が負荷と
なってＱの高い発振社得にくく、結合コイル（３）と結
合コンデンサ（ホ）からなる結合ループを固定発振器（
１）側のキャビティに入れたものはそれ自体でＱの高い
回路となシ、固定発振器（１）のインダクタンスと結合
コイル（３）とを誘導結合させてチーエン現象を利用し
、結合ループの共振周波数で発振周波数を支配的に決定
するようにすればＱの高い共振回路によるＣ／Ｎの高い
発振が可能となる。
次に、結合コイル（３）の発生する電磁、波とインダク
タンス（２）の発生する電磁波とが同時に結合用窓部（
至）を通して共振インダクタンス（４）に結合し、ＵＨ
Ｆ帯の発振信号をディスクスタイラス共振器（５）に生
じる。これによりて固定発振器（１）が発生する維音が
、共振インダクタンス（４）に結合した所で減少する効
果が得られる。この効果はチーエン現象によって出来る
ものであって、インダクタンス（２）側に流れる電流と
結合コイル（３）側に流れる電流との位相差が、発振周
波数Ｆｏに対しそれぞれの固有共振周波数が低い場合１
８０相違することを利用している。そして、前述のごと
くトランジスタ（ハ）側のＱは結合コイル（３）側のＱ
よシ低いためそれぞれの回路ループ内のＳ／Ｎを比較す
ると、結合コイル（３）側のＳ／Ｎは帯域が狭いのでノ
イズレベルは低く、Ｓ／Ｎが良いと考えられる。よって
共振インダクタンス（４）に対し結合度が結合コイル（
３）側の方がインダクタンス（２）より大きい場合、共
振インダクタンス（４）への発振周波数信号Ｆｏのレベ
ルは位相差が１８０°相違することによる減少があシ、
大きいものではないが、しかし、ノイズレベルには、よ
り一層の相殺効果を発揮してＳ／Ｎの向上が出来るもの
と推察される。
タンス（２）の発生する電磁波とが同時に結合用窓部（
至）を通して共振インダクタンス（４）に結合し、ＵＨ
Ｆ帯の発振信号をディスクスタイラス共振器（５）に生
じる。これによりて固定発振器（１）が発生する維音が
、共振インダクタンス（４）に結合した所で減少する効
果が得られる。この効果はチーエン現象によって出来る
ものであって、インダクタンス（２）側に流れる電流と
結合コイル（３）側に流れる電流との位相差が、発振周
波数Ｆｏに対しそれぞれの固有共振周波数が低い場合１
８０相違することを利用している。そして、前述のごと
くトランジスタ（ハ）側のＱは結合コイル（３）側のＱ
よシ低いためそれぞれの回路ループ内のＳ／Ｎを比較す
ると、結合コイル（３）側のＳ／Ｎは帯域が狭いのでノ
イズレベルは低く、Ｓ／Ｎが良いと考えられる。よって
共振インダクタンス（４）に対し結合度が結合コイル（
３）側の方がインダクタンス（２）より大きい場合、共
振インダクタンス（４）への発振周波数信号Ｆｏのレベ
ルは位相差が１８０°相違することによる減少があシ、
大きいものではないが、しかし、ノイズレベルには、よ
り一層の相殺効果を発揮してＳ／Ｎの向上が出来るもの
と推察される。
現実に実験した結果、インダクタンス（２）を一層結合
用窓部（至）の方向へ近づけると、発振周波数信号Ｆ・
のレベルは段々低下していくが、それ以上にノイズレベ
ルは減少することが確聞で惠た。
用窓部（至）の方向へ近づけると、発振周波数信号Ｆ・
のレベルは段々低下していくが、それ以上にノイズレベ
ルは減少することが確聞で惠た。
共振インダクタンス（４）における発振周波数信号Ｆａ
のレベル低下は、検出感度の低下をもたらし、また、
インダクタンス（２）と結合コイル（３）との密結合は
発振周波数をインダクタンス（２）側の低い周波数へ引
込んでしまうチーエン現象の持つ固有の性質があるため
に、インダクタンス（２）、および、結合ループの位置
関係は実用的に適切表配置に設定せねばならない。
のレベル低下は、検出感度の低下をもたらし、また、
インダクタンス（２）と結合コイル（３）との密結合は
発振周波数をインダクタンス（２）側の低い周波数へ引
込んでしまうチーエン現象の持つ固有の性質があるため
に、インダクタンス（２）、および、結合ループの位置
関係は実用的に適切表配置に設定せねばならない。
第６図に於て、本発明を実装化した実施例を説明する。
外囲シャーシ園内にシールド板匈を設け、電気素子を主
に配置するプリント基板（至）とビデオディスクの容量
検出用スタイラスが接続される端子（至）を主に設ける
ための、プリント基板Ｇυを組み合わせて主たる構成と
し、結合コイル（３）は固定コンデンサＣ１，（２ＰＦ
程度）のリード足を利用し、一端をシールド板（５）の
側面に接続し、他端はシールド板（５）の側面に取シ付
けた無容量に近い中継端子（ハ）上に半田付しそこから
０．５〜２ＰＦ程度のトリマーコンデンサ（ロ）を直列
に接続し、トリマーコンデンサ（ロ）を介して接地して
いる。とのトリマーコンデンサ（財）は発振周波数Ｆ（
＋ の微調整を容易にするものである。また、結合コイ
ル（３）は結合用窓部（至）とインダクタンス（２）と
の間に配置され、結合コイル（３）と共振インダクタン
ス（４）とが結合用窓部（至）を通して結合されると共
に、インダクタンス（２）は結合用窓部（ハ）を通して
共振インダクタンス（４）に結合するような位置に配置
される。
に配置するプリント基板（至）とビデオディスクの容量
検出用スタイラスが接続される端子（至）を主に設ける
ための、プリント基板Ｇυを組み合わせて主たる構成と
し、結合コイル（３）は固定コンデンサＣ１，（２ＰＦ
程度）のリード足を利用し、一端をシールド板（５）の
側面に接続し、他端はシールド板（５）の側面に取シ付
けた無容量に近い中継端子（ハ）上に半田付しそこから
０．５〜２ＰＦ程度のトリマーコンデンサ（ロ）を直列
に接続し、トリマーコンデンサ（ロ）を介して接地して
いる。とのトリマーコンデンサ（財）は発振周波数Ｆ（
＋ の微調整を容易にするものである。また、結合コイ
ル（３）は結合用窓部（至）とインダクタンス（２）と
の間に配置され、結合コイル（３）と共振インダクタン
ス（４）とが結合用窓部（至）を通して結合されると共
に、インダクタンス（２）は結合用窓部（ハ）を通して
共振インダクタンス（４）に結合するような位置に配置
される。
この配置では、明らかに共振インダクタンス（４）に対
し電磁結合度はインダクタンス（２）に比べ結合コイル
（３）の方が強いことが推察でき、実験による測定値は
Ｃ／Ｎが一６８ｄＢ、Ｓ／Ｎが一５８ｄＢと大幅にＣ／
Ｎ及びＳ／Ｎが改善された。
し電磁結合度はインダクタンス（２）に比べ結合コイル
（３）の方が強いことが推察でき、実験による測定値は
Ｃ／Ｎが一６８ｄＢ、Ｓ／Ｎが一５８ｄＢと大幅にＣ／
Ｎ及びＳ／Ｎが改善された。
軟土のように本発明では発振器の固有発振周波数を大幅
に低く設定し、所定の発振周波数信号を得る丸めにその
近傍よシやや低い固有の共振周波数を持つインダクタン
スとコンデンサとの結合ループを近接させるとともに、
ディスクスタイラス共振器に対しては固定発振器と結合
ループとの１８０°位相の異なる信号を同時に結合させ
てＵＨＦ帯の発振信号を伝達させ、Ｃ／Ｎ及びＳ／Ｎの
喪いビデオディスクプレーヤ用の静電容量検出器を実現
できる等のきわめて大きな効果を奏する。
に低く設定し、所定の発振周波数信号を得る丸めにその
近傍よシやや低い固有の共振周波数を持つインダクタン
スとコンデンサとの結合ループを近接させるとともに、
ディスクスタイラス共振器に対しては固定発振器と結合
ループとの１８０°位相の異なる信号を同時に結合させ
てＵＨＦ帯の発振信号を伝達させ、Ｃ／Ｎ及びＳ／Ｎの
喪いビデオディスクプレーヤ用の静電容量検出器を実現
できる等のきわめて大きな効果を奏する。
なお、固定発振器よシ８／Ｎの良好な信号を取り出すた
めのやシ方は、単にビデオディスク用静電容量検出器に
のみ適用されるものではないことは明らかであシ、例え
ば、シグナルゼネレータに於ても有効に働き、これも本
発明に含まれることは明らかである。
めのやシ方は、単にビデオディスク用静電容量検出器に
のみ適用されるものではないことは明らかであシ、例え
ば、シグナルゼネレータに於ても有効に働き、これも本
発明に含まれることは明らかである。
第１図はビデオディスク用静電容量検出回路の基本回路
を示す回路図、第２図は第１図の説明に用いる説明図、
第３図は従来のビデオディスク用静電容量検出回路を示
す回路図、第４図は本発明による実施例を示す回路図、
第５図は第４図に示す実施例の実装状態を示す透視図で
ある。 （１）固定発振器 （２）インダクタンス （３）結合インダクタンス （４）共振インダクタンス （５）ディスクスタイラス共振器 （８）可変容量ダイオード （９）ストレー容量 ａｌ ビデオディスクに記録された容量αＤ 検出コ
イル Ｑり ダイオード 翰 外囲シャーシ ＠、（財）、（ハ）コンデンサ （２） トランジスタ 翰 結合コンデンサ ＠ シールド板 （至）結合用窓部 （至） スタイラスコンタクト （至）固定コンデンサ （ロ） トリマーコンデンサ （至）中継端子 第２図
を示す回路図、第２図は第１図の説明に用いる説明図、
第３図は従来のビデオディスク用静電容量検出回路を示
す回路図、第４図は本発明による実施例を示す回路図、
第５図は第４図に示す実施例の実装状態を示す透視図で
ある。 （１）固定発振器 （２）インダクタンス （３）結合インダクタンス （４）共振インダクタンス （５）ディスクスタイラス共振器 （８）可変容量ダイオード （９）ストレー容量 ａｌ ビデオディスクに記録された容量αＤ 検出コ
イル Ｑり ダイオード 翰 外囲シャーシ ＠、（財）、（ハ）コンデンサ （２） トランジスタ 翰 結合コンデンサ ＠ シールド板 （至）結合用窓部 （至） スタイラスコンタクト （至）固定コンデンサ （ロ） トリマーコンデンサ （至）中継端子 第２図
Claims (3)
- （１） ビデオディスクの容量変化に対応して共振周
波数を変化させるディスクスタイラス共振器と、所定の
周波数Ｆ、で発振する固定発振器と、コイルとコンデン
サとからなる結合ループと、前記ディスクスタイ２ス共
振器からの信号を検波する検波回路とで構成し、前記固
定発振器の能動素子に接続された共振器・路の固有共振
周波数Ｆ、と前記結合ループの固有共振周波数Ｆ！と前
記所定の周波数Ｆｏ との関係をＦ＊ ＜ｐ’ｓ ＜
Ｆ。 に設定し、前記固定発振器の共振回路と前記結合ループ
とを誘導結合させて、前記固定発振器を所定の周波数Ｆ
ｏ で発振させると共に、前記ディスクスタイラス共振
器へ前記固定発振器の共振回路と前記結合ループとから
誘導結合によって発振信号を伝達することを特徴とする
ビデオディスク用静電容量検出回路。 - （２）結合ループのＱを固定発振器の能動素子に接続さ
れた共振回路のＱよル大きい値に設定し、ディスクスタ
イラス共振器への結合度を該同定発振器の共振回路よシ
該結合ループの方が大きいことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のビデオディスク用静電容量検出回路。 - （３）固定発振器が発振する所定の周波数を約９１５Ｍ
Ｈｚ とし、結合ループの固有共振周波数を該所定の周
波数よシやや低い周波数とし、前記固定発振器の共振回
路の固有共振周波数を前記所定の周波数より約４０〜６
０ＭＨｚ低い周波数とし、前記結合ループの固有共振周
波数の調整によシ前記固定発振器が発振する前記所定の
周波数を調整することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のビデオディスク用静電容量検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10384381A JPS586540A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | ビデオデイスク用静電容量検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10384381A JPS586540A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | ビデオデイスク用静電容量検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586540A true JPS586540A (ja) | 1983-01-14 |
Family
ID=14364706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10384381A Pending JPS586540A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | ビデオデイスク用静電容量検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586540A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201789A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-06 | Toyota Motor Corp | 梱包用木材表面処理防錆方法及び防錆剤 |
| JPH02306173A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック共振形静電センサ装置 |
| JPH0371054A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-26 | Murata Mfg Co Ltd | 静電センサ装置 |
| JPH044268U (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10384381A patent/JPS586540A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201789A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-06 | Toyota Motor Corp | 梱包用木材表面処理防錆方法及び防錆剤 |
| JPH0344152B2 (ja) * | 1985-03-01 | 1991-07-05 | Toyota Jidosha Kk | |
| JPH02306173A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック共振形静電センサ装置 |
| JPH0371054A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-26 | Murata Mfg Co Ltd | 静電センサ装置 |
| JPH044268U (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 |
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