JPS58622B2 - 感ガス素子 - Google Patents
感ガス素子Info
- Publication number
- JPS58622B2 JPS58622B2 JP53052361A JP5236178A JPS58622B2 JP S58622 B2 JPS58622 B2 JP S58622B2 JP 53052361 A JP53052361 A JP 53052361A JP 5236178 A JP5236178 A JP 5236178A JP S58622 B2 JPS58622 B2 JP S58622B2
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- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sensitivity
- sensitive
- present
- sensitive element
- Prior art date
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、選択性に優れた感ガス素子に関する。
酸化物半導体表面にガスが接触すると、酸化物。
半導体の表面の比抵抗が変化することを利用した感ガス
素子が知られている。
素子が知られている。
例えば、N型半導性を示すZnO,SnO2,Fe2O
3等に還元性ガスが接触すると抵抗値は減少し、また酸
化性ガスが接触すると、抵抗値は増加する。
3等に還元性ガスが接触すると抵抗値は減少し、また酸
化性ガスが接触すると、抵抗値は増加する。
またP型半導性を示す酸化物半導体においては抵抗値の
増減が逆の間係を示す。
増減が逆の間係を示す。
上記のごとき酸化物半導体において、各種ガスとの反応
性すなわち選択性は、半導体表面温度、表面電子レベル
の構造、気孔率および気孔の大きさ等により決まるが、
一般には酸化物半導体のみでは感ガス素子として感度が
小さく、選択性も十分とは言えない。
性すなわち選択性は、半導体表面温度、表面電子レベル
の構造、気孔率および気孔の大きさ等により決まるが、
一般には酸化物半導体のみでは感ガス素子として感度が
小さく、選択性も十分とは言えない。
そこで酸化物半導体にPt、Pdなどの触媒を添加含有
せしめ感度を上げる事が試みられている。
せしめ感度を上げる事が試みられている。
この場合、素子温度を選択することにより、ある程度の
選択性を得ることができる。
選択性を得ることができる。
例えばPtをガス感応体に添加したものでは、イソブタ
ンガスに対しては感度が高く、水素ガス、一酸化炭素ガ
スに対してはあまり反応しない。
ンガスに対しては感度が高く、水素ガス、一酸化炭素ガ
スに対してはあまり反応しない。
一方Pdを添加した場合には、イソブタンガス、水素ガ
ス、一酸化炭素ガスに対して共に大きな感度を示す。
ス、一酸化炭素ガスに対して共に大きな感度を示す。
しかしながら両者ともエチルアルコールガスなどのアル
コール系ガスに対しても大きな感度を示す。
コール系ガスに対しても大きな感度を示す。
従って上記の如き素子においては、特に一般家庭では、
食物、整髪料、化粧品などにより発生するアルコール系
ガスに対しても、LPGガスと同様に感応し実用上大き
な問題点となっていた。
食物、整髪料、化粧品などにより発生するアルコール系
ガスに対しても、LPGガスと同様に感応し実用上大き
な問題点となっていた。
本発明は上記の点に鑑みアルコール系ガスに対して感応
することなく、イソブタンガスに対して高い感度を有す
る信頼性の高いLPG用感ガス素子を提供することを目
的とする。
することなく、イソブタンガスに対して高い感度を有す
る信頼性の高いLPG用感ガス素子を提供することを目
的とする。
本発明は、一対の電極と、この電極間に設けられた酸化
亜鉛系半導体からなる感応体と、0.005〜8重量%
のPt及びモル比でこのPtの1.5〜30倍のPを含
み、かつこのガス感応体表面に設けられた触媒層とを備
えた感ガス素子である。
亜鉛系半導体からなる感応体と、0.005〜8重量%
のPt及びモル比でこのPtの1.5〜30倍のPを含
み、かつこのガス感応体表面に設けられた触媒層とを備
えた感ガス素子である。
なお本発明においてPtの添加量を0.005〜8重量
%としたのは、0.005重量%未満ではイソブタンガ
スに対する感度が小さくなり、また8重量%を越えると
アルコールガスに対しても感応し易くなるためである。
%としたのは、0.005重量%未満ではイソブタンガ
スに対する感度が小さくなり、また8重量%を越えると
アルコールガスに対しても感応し易くなるためである。
またPの添加量をPtの添加量に対しモル比で1.5〜
30倍としたのは、1.5倍未満では、イソブタンガス
に対する感度とアルコール系ガスに対する感度とに顕著
な差が表れずイソブタンガスに対する感度も小さくなり
、また30倍を越えるとイソブタンガスなどのLPGに
対する感度が小さくなるためである。
30倍としたのは、1.5倍未満では、イソブタンガス
に対する感度とアルコール系ガスに対する感度とに顕著
な差が表れずイソブタンガスに対する感度も小さくなり
、また30倍を越えるとイソブタンガスなどのLPGに
対する感度が小さくなるためである。
また本発明において酸化亜鉛系半導体は、酸化亜鉛単体
および酸化亜鉛を主成分として副成分が添加されてなる
酸化物半導体である。
および酸化亜鉛を主成分として副成分が添加されてなる
酸化物半導体である。
副成分としては例えばCr2O3等各種のものが用いら
れる。
れる。
いずれの場合も上記組成の触媒層を設けることにより同
様の効果を得ることができる。
様の効果を得ることができる。
以下本発明を構造例により詳細に説明する。
まず本発明に係る感ガス素子は例えば第1図に断面的に
示すごとく、筒状絶縁基体1外周面に一対の電極2を有
し、前記筒状絶縁基体1および電極2を被覆するように
酸化亜鉛系半導体からなるガス感応体3が設けられてい
る。
示すごとく、筒状絶縁基体1外周面に一対の電極2を有
し、前記筒状絶縁基体1および電極2を被覆するように
酸化亜鉛系半導体からなるガス感応体3が設けられてい
る。
さらに前記ガス感応体3表面には所定量のPtおよびP
を含むシリカ・アルミナからなる触媒層4が設けられて
いる。
を含むシリカ・アルミナからなる触媒層4が設けられて
いる。
また前記のように構成された感ガス素子は例えば第2図
に斜視的に示す如くピン足足に組立てられる。
に斜視的に示す如くピン足足に組立てられる。
なお、第2図中5はリード線6は絶縁板を7はヒーター
を示す。
を示す。
ヒーター7はガス感応体の感度を向上させるために設け
られたものであり、必要に応じ適宜設けることができる
。
られたものであり、必要に応じ適宜設けることができる
。
なお触媒層4はガス感応体3表面を必ずしも全面的に被
覆していなくともよい。
覆していなくともよい。
また上記においては触媒層の担体としてシリカ・アルミ
ナを用いたが、他に適宜選択してもよく、さらに担体を
用いない場合も同様の効果が得られる。
ナを用いたが、他に適宜選択してもよく、さらに担体を
用いない場合も同様の効果が得られる。
本発明に係る感ガス素子は例えば以下の如く製造される
。
。
例えば酸化亜鉛系半導体としてZnOCr2O3系を用
いる場合、ZnOおよびCr2O3粉末を所定組成比で
秤取し、混合したのち水またはバインダーを加えペース
ト状とし、第1図に示すごとく一対の電極2を設けた絶
縁基板1に塗布し乾燥後800〜1100℃で焼成しガ
ス感応体を形成する。
いる場合、ZnOおよびCr2O3粉末を所定組成比で
秤取し、混合したのち水またはバインダーを加えペース
ト状とし、第1図に示すごとく一対の電極2を設けた絶
縁基板1に塗布し乾燥後800〜1100℃で焼成しガ
ス感応体を形成する。
一方、触媒層は例えばH2PtCl6・6H2OとH3
PO4NH4H2PO4を加えて適当なpHの水溶液を
作り、本発明の組成範囲内となるように混合し、これを
担体としてのシリカ・アルミナ粉末を加え泥漿とする。
PO4NH4H2PO4を加えて適当なpHの水溶液を
作り、本発明の組成範囲内となるように混合し、これを
担体としてのシリカ・アルミナ粉末を加え泥漿とする。
この泥漿をよく混合、乾燥した後、300℃〜1000
℃で焼成し、粉砕し微粉末とする。
℃で焼成し、粉砕し微粉末とする。
この微粉末に水と適当なバインダーを加えペースト状と
した後、前記ガス感応体表面に塗布、乾燥し300〜1
000℃で焼成して本発明に係る感ガス素子が得られる
。
した後、前記ガス感応体表面に塗布、乾燥し300〜1
000℃で焼成して本発明に係る感ガス素子が得られる
。
次に上記の如き本発明に係る感ガス素子の諸特性を測定
し、第3図および第4図に示す。
し、第3図および第4図に示す。
第3図は本発明に係る感ガス素子におけるPtおよびP
の添加量に対する0、2vo1%のイソブタンガスに対
する感度を示す。
の添加量に対する0、2vo1%のイソブタンガスに対
する感度を示す。
なお感度は空気中における抵抗値ROとガス中における
抵抗値Rgとの比をRo/Rgとして示したものであり
、その値が大きい程ガス検出が容易である。
抵抗値Rgとの比をRo/Rgとして示したものであり
、その値が大きい程ガス検出が容易である。
また第4図は0.2vo1%のアルコールガスに対する
感度Ro/Rgを示す。
感度Ro/Rgを示す。
第3図および第4図から明らかな如く触媒層におけるP
t、Pの添加量が本発明範囲内ではイソブタンガスに対
し優れた感度を示し、アルコールガスには、はとんど感
応しない。
t、Pの添加量が本発明範囲内ではイソブタンガスに対
し優れた感度を示し、アルコールガスには、はとんど感
応しない。
次に触媒を用いない場合、Pのみを含む触媒層を用いた
場合、Ptのみを含む触媒層を用いた場合および本発明
の如く、PおよびPtを含む触媒層を用いた場合の感ガ
ス素子について、0.2vo1%の各種ガスに対する感
度Ro/Rgを測定し、第1表に示す。
場合、Ptのみを含む触媒層を用いた場合および本発明
の如く、PおよびPtを含む触媒層を用いた場合の感ガ
ス素子について、0.2vo1%の各種ガスに対する感
度Ro/Rgを測定し、第1表に示す。
この結果第1表から明らかな如く、無触媒の場合、全搬
的に感度が低くイソブタンガスよりもアルコールガスに
対する感度が高いものとなっている。
的に感度が低くイソブタンガスよりもアルコールガスに
対する感度が高いものとなっている。
またPのみあるいはPtのみを含む触媒層を用いた場合
も同様の傾向を示し、イソブタンガスのみを検出するこ
とは困難であった。
も同様の傾向を示し、イソブタンガスのみを検出するこ
とは困難であった。
これに対し本発明に係る感ガス素子ではイソブタンガス
のみに対し優れた感度を示し、他のガスに対してはほと
んど感度が変らず選択性に優れたものと言える。
のみに対し優れた感度を示し、他のガスに対してはほと
んど感度が変らず選択性に優れたものと言える。
このように本発明において優れた選択性を示す原因は明
らかではないが、PtとPとが混合されるため反応性が
高く、触媒層の製造工程で添加されたPtとPの少なく
とも一部が化合物化されているためと考えられる。
らかではないが、PtとPとが混合されるため反応性が
高く、触媒層の製造工程で添加されたPtとPの少なく
とも一部が化合物化されているためと考えられる。
また上記実施例においてはガス感応体さしてZnO−C
r2O3系半導体を用いたが、必要に応じ他の酸化亜鉛
系半導体を用いても同様の効果を有することは言うまで
もない。
r2O3系半導体を用いたが、必要に応じ他の酸化亜鉛
系半導体を用いても同様の効果を有することは言うまで
もない。
さらに本発明においては触媒層とガス感応体とが分離さ
れているため製造が容易である上、経時特性にも優れる
という利点を有する。
れているため製造が容易である上、経時特性にも優れる
という利点を有する。
なおPtおよびPをガス感応体中に混合した場合も選択
性の点においては従来のものに比べ向上するものと思わ
れる。
性の点においては従来のものに比べ向上するものと思わ
れる。
以上の如く本発明に係を感ガス素子を用いることにより
、イソブタンガスのみに対し高い感度を有するため、L
PG用感ガス素子として実用上極めて有効なものと言え
る。
、イソブタンガスのみに対し高い感度を有するため、L
PG用感ガス素子として実用上極めて有効なものと言え
る。
第1図は本発明に係る感ガス素子の構成例を示す断面図
、第2図は本発明に係る感ガス素子を用いる装置例を示
す斜視図、第3図および第4図は本発明に係る感ガス素
子の特性例を示す曲線図。 3・・・・・・ガス感応体、4・・・・・・触媒層。
、第2図は本発明に係る感ガス素子を用いる装置例を示
す斜視図、第3図および第4図は本発明に係る感ガス素
子の特性例を示す曲線図。 3・・・・・・ガス感応体、4・・・・・・触媒層。
Claims (1)
- 1 一対の電極と、この電極間に設けられた酸化亜鉛系
半導体からなるガス感応体と、0.005〜8重量%の
Pt及びモル比でこのPtの1.5〜30倍のPを含み
、かつこのガス感応体表面に設けられた触媒層とを具備
したことを特徴とする感ガス素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53052361A JPS58622B2 (ja) | 1978-05-02 | 1978-05-02 | 感ガス素子 |
| US06/033,251 US4242303A (en) | 1978-05-02 | 1979-04-25 | Gas detecting element |
| CA000326589A CA1118494A (en) | 1978-05-02 | 1979-04-30 | Gas detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53052361A JPS58622B2 (ja) | 1978-05-02 | 1978-05-02 | 感ガス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54145192A JPS54145192A (en) | 1979-11-13 |
| JPS58622B2 true JPS58622B2 (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=12912657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53052361A Expired JPS58622B2 (ja) | 1978-05-02 | 1978-05-02 | 感ガス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58622B2 (ja) |
-
1978
- 1978-05-02 JP JP53052361A patent/JPS58622B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54145192A (en) | 1979-11-13 |
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