JPS5861476A - 光フアイバ測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、少くとも１個のオプティカルファイバを媒介
として、測定用電子装置Ｅに接続された変換器Ｇを具備
し、磁界、電流、位置および種々の機械量ン測定するだ
めのファイバ光学的測定装置に関する。Ｋ換器は磁区形
成用孔性材料を用いた磁気光学変調器を備えている。

先行技術、ｆｆ１ｌち当該分野の公知技術は磁区の操作
法と＆区のプ゛Ｌ学的検知法とから成り立っている（参
照、例えは概論的論文「磁気バブル−髪１だに出現した
新しい記憶技術」、Ａ、Ｈ，Ｂｏｂｅｃｋ他；Ｐｒｏｃ
ｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ工ｎｎｙ、、６’５巻、
８号、１９７５／４８月、および［ある透明な磁気酸化
物Ｊ　、　ｉ＋、ｃ。

Ｓｈｅｒｗｏｏｄ他、Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　Ａｐｐｌｉ
ｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、６０巻、２号、１９５９年２月
）。更にオプティカルファイバを用いて磁界ヲ測定する
ことも公知である（参照、例えは米国特許出願ｂｌ　、
Ｎ。

１５２．７２４　）。しかしながら上記技術のいずれも
オプティカルファイバを用いて高い′１４ｆで微小砧界
強度ン測定することは可能でなかった。しかしながら本
発明において、この問題は解決されたのである。それぞ
れの側面に、好ましくは干渉型の光学フィルタン備えた
、磁区型磁気光学ｉＴｈ器を含むファイバ光学式変換器
構造によって、磁区画像の非常に小さな変化もオプティ
カルファイバ！用いて高い再生度で検知することができ
る。

本発明による測定装置の特徴とする所は、変換器Ｇは少
くとも２４ｒＩｌの光学フィルタを具備し、その中少く
とも１つのフィルタは磁気光学変調器の一方の側の光線
路に配置され、少くとも１つの他のフィルタはその変調
器の反対側における光線路に配置されていることであり
、更に電子測定装置Ｅは相異る放射スペクトル！もつ少
くとも３個の光源を具備し、これらは光源の１つからの
光が他の光源からの光に比べて一層大きな程度に変換器
に吸収されるように、かつ他の光源からの光は変換器か
ら反射されるように、しかしながら磁気光学的変調器は
このような後述した光源の１つからの光をその他の光源
からの光に比し一段と大きな程度に変調するように変調
器内のフィルタに関し選ばれていることであり、更に又
電子測定装置Ｅは、光導体に光学的に接続された検知器
からの信号から、ファイバ光学系の減衰と反射を変化す
るために補償しなから殊気光学的変り度を計算する計算
装置ン具備していることである。

本発明は添付の図面において例として示されており、第
１図は磁界を測定するだめの元ファイバ測定システムを
示している。変換器に含まれる成分は第２図に一層畦細
に示されており、スペクトル曲線は第３図に示されてい
る。第４図は変換器における光線路ン要約するものであ
り、第５図はスペクトル特性を示している。第６図はフ
ィルタの透過特性ｌ示し、また第７図はスペクトル関係
曲＃を示している。第８図は電流の横切る、導体の廻り
の磁界が猿状鉄心内にいかに集束されるかｔ示し、第９
図は電流の横切る所望の形状のコイルが変換器内に磁界
を発生するためにまた如何に使用され得るかを示してい
る。第１０図は第１図る変換器構造を用いて集積される
１個以上の電流回路を示している。

第１図は磁界Ｂ１に測定するための光７アイパ測定系を
示している。連続的なＪＷＡ序で、スイッチ１はそれぞ
れ中心波長λ１．λ２およびλ３の周辺の光！放出する
発光ダイオードあるいはレーデダイオード２，３．４の
開閉な行う。光源からの発光スペクトルがお互に重畳し
ないように１光学フィルタ５．６および７は夫々各光源
と、光の結合する光ファイバ８．９および１０との間で
夫々配列されている。枝１１と１２を媒介として光は透
明な光検知器１３まで通過し、この光検知器の出力信号
は増幅器１４により増幅され、差分発生器１５と調整器
１６を経て、光源１から３までからの光強度を駒整する
ために使用される。透明な光検知器１３Ｙ通過する光は
、磁界集束器１８．レンズ１９．２個の干渉フィルタ２
０．２４．２個の偏光子２１と２３、磁気光学材料２２
、光吸収器２５および永久磁石２６ン具備する変換器へ
ファイバ１７により導光される。干渉フィルタ２０゜２
４により反射され光フアイバ１７内に戻った光は、枝１
２と光ファイバ２７を媒介として光検知器２８に進んで
行く。検知器２８からの信号はスイッチ２９により適当
な順序で増幅器と標本化および保持回路（サンプル・ア
ンド・ホールド）３０．３ｉ、３２に結合されるが、こ
れは光源２゜３および４が夫々スイッチを入れられると
きに光検知器２８に違する先の強度の値を貯蔵するため
である。標本化・保持回路３０から３２までからの出力
信号はプロセッサ３３に供給されるが、このプロセッサ
はこれらの信号から、測定計器３４の札示１′る釦」足
伽を計算するものである。

変換器本体に含まれる構成部品は−レンズは例外である
が一＃！２図により畦細に示されている・磁気光学材料
は光学的磁区が発生するように選ばれた強磁性物１ｋ２
２１）の薄膜をもった基板２２ａから集成されている。

このような物質の種別の一５ｉ１８′に例はオルソフエ
ライ）　（ＲＦｅ０３Ｊで、鼓にＲは右土類型金＾を表
わ丁ものとする。磁気的に異方性であり、したがって磁
区構造が薄い層の中でおこるような性質を持って合成さ
れる被数の物質が存在する。変換器の応用のために物質
を選択する場合、ファイバオプティックスと接続して正
規に発生する波長において大きなファラデ回転が所豫さ
れる（例えばＦ’ｅＢＯ３：λ−Ｑ、５ｐｍにおいて４
　Ｘ　１０３度／龜、Ｙ工Ｇ：オー１．１ａｍにおいて
１．５　×１０’度バーＧｄ工Ｇ：λ−１，１５＊ｍ［
おいて１０３度／龜）が、またそれは余り高い光吸収ン
もたないことがｍましい（λ−０，５μｍにおいて１ｉ
’ｅＢＯ３１００ｒａｍ−”であり、λ−１，１μｍに
おいてＹ工Ｇ　７　ｃｍ−”　）。できるたけ小さな温
度依存性を得るためには、物質は第２の波長間隔におい
て吸収端を打ってはならないが、之に反して同時にンア
ラヂｈ転の温度依存性は最／Ｊ％でなけれはならない。

更に物質は、印加される外部磁界において磁区の大きさ
Ｉｌｃ関し温度値′存性が低いレベルに維持されるよう
に選はれるべきである。磁気光学変調器の合成温度依存
性は、温度依存のバイアス磁界を使用することにより禍
償することができ、この磁界は例えは温度依存性の永久
磁石２６を用いて得ることができる。この磁石は磁性材
料工ｎｃｌｏｚ（インドックス）から製造することがで
きる。庵２２ｔ）に垂直な、十分に境界の限定された磁
界を得るためには、変換器のファイバ側に磁界集束レン
ズ１８が配列される。

ｊｗ　２２　ｂ　ＶＣおける磁区の創出したファラデ回
転を検知するために、２個の偏光Ｎｌ２１と２３がある
。これらはろる磁区の形式（一方向に励起された）によ
り発生する偏光回転が僅かの光透過を与えるが、他方之
に反して他の磁区の形式（反対方向に励起された）は高
い光透過ン与えるように、相互ｒ（関して回転される。

ある磁区の形式は可変の外部磁界のために他の形式を犠
牲にして増大するから、光学系２１．２２と２３を通る
光透過はこのように変化されるであろう。

光ファイバ１Ｔによって高ｙｎ１度で光透過のこれらの
変化を検知し得るために、干渉フィルタ２０と２４によ
り実施される波長の多Ｘｉ換が使用される。これ以前の
光学的測定技術は第６図のスペクトル曲線の助はケかり
て説明することができる。

６個の光源２．３および４は発光スペクトル３５゜３６
および３７ン発生する。透過スペクトル３８゜３９およ
び４０をもったフィルタ５，６および７は、相異なる波
長領域　λ０．λ２．λ３において光フアイバ糸に結合
される光が重畳スペクトル曲線たないことン保証する。

透明なフォトダイオード１３は、相異る波長領域におけ
る光エネルヤの値が相互に関して一定の関係に維持され
ることを保証している。透過−！４１　Ｙ４つ変換器に
おける干渉フィルタ２０は波長領域λ１　ｒｃおいて光
を反射するが、これが可変のファイバ減衰を補償する場
合に使用される。透過曲線４２をもつ変換器の干渉フィ
ルタ２４は波長領域λ２において光を反射テるが、これ
は２１．２２および２３を通る光透過をＩｔ算するのに
使用される。干渉フィルタ２４を通って透過され波長領
域λ３にある光は層２５内で吸収される。したがって、
波長領域λ３において、光検知器２８は光学系における
反射から発てる光のみを受光する。したがって波長領域
λ３における光は可変の反射を補償するのに使用される
。

第４図は変換器の光線路を要約したものである。

波長λ１．λ２およびλ３をもった入力元は、点４３に
おいて干渉フィルタ２ｏにより分割され、波長λ２とλ
３を、もつ透過非偏光信号と波長λｌンもった反射１Ｊ
号とにり化−ｆる。偏光子２１において光（工４４にお
い°Ｃ面耐偏光され、変調器２２において偏光面は通過
した磁区形式に依存して二方向４５に回転さｎる。この
元が偏光子２３ン４６において通過した」−合に、−偏
光方向をもった光は消滅されるであろうし、４７におけ
る干渉フィルタ２４においてはしたがって他の偏光方向
からの光成分のみが反射さスＬ、丹び偏光子２３　（４
ｔｉ’に゛おいて）、変調器２２　（４５’において）
および偏光子２１　（４４’において）を通過して測定
情報ケ史［検出器２８に移動するであろう。波長λ８ン
もって４７１ｒＣおいて干渉フィルタ２４ン透過した九
は４８において検出器２８により吸収される。

偏光板２１と２３が二色性であるならば、また吸収器２
５が反射器で置き換えられるならば、干渉フィルタ２０
と２４を省略することもできる。

こｎは第５図によるスペクトル特性ン使用することを前
提とするものである。数字４９．５０．と５１はセン？
！′ｃ到運する光に関するスペクトルを表わす。数字５
２はｍ個光方向ＸＫおける偏光子２１と２３に関する吸
収スペクトル′（Ｉｌ−表わし、数字５３は別の偏光方
向７における吸収スペクトル関係わす。第５図によれは
、λ□は吸収されるでめろうしく光学系における反射の
補償に使用される〕、λ２は偏光されるであろうしくｋ
区の状態ン測定するのに使用さｎるノ、またλ３は透過
さｎるであろう。吸収器２５が反射器により置換された
場合には、λ２はしたがって反射され、第４図ン参照し
℃説明されるように、偏光系により二度影４１を受ける
であろうし、之に反してλ３は影ｊ１１ｆｔ受けないで
反射され、したがって光学系の減＆ｔ’補償するのに使
用することができる。

七ンプの温度依存性Ｙ−Ｍ償するために、流度検知フィ
ルタ５４を、第２図の干渉フィルタ２ｏと２４の間のど
こかに挿入することができる。第６図は、吸収端がλ２
＠域内で得られるように、このフィルタの透過特性５５
がいかに配列することができるかン示し又いる。温度の
上昇はこの吸収端の位ｋを一層長い波長の方へ（ｂ　５
　ａ−ｓｓｂ）１ｉｈか丁であろうし、これによってλ
２における光は−〜大きな１四まで吸収されるであろう
。これはうし学系２１．２２および２３のために温度と
共ｔこ増力１．ｌ−，４’る透過を面接に補償するのに
使用することか′ｔきる。その代りに２１かり２３まで
か温度とともに減少１−る込論ヲ得るならば、５６によ
る吸収端ｔもつフィルタＹ使用することができる。

フィルタは一定の元の特ａＳＯに関し厚さと材料を適当
ｅ（辿択することにより相異る温度係数に苅して特別あ
つらえとすることかできよう。

入換器に崗する温度の効果を光学的に補償する代９Ｉ／
Ｌこれは電子的に行うことができるもので、その場合亥
換器の温度を測定しなければならない。

このことは測定用光学系（第１図）にフィルタ５９と元
導体６０をもった附加的な光源５８および亥換器本体ｒ
ｃ飴加的な光学フ１ルタ５１を導入することにより最も
簡単に行われるものである。

この糸に関するスペクトル関係は８７図に示されている
。数字６１はフィルタ５９ンｍ逸した後の光源５Ｂから
の九のスペクトル分布を表わすもので、１字ら２はフィ
ルタ５７の透過スペクトル関係わしている。透過スペク
トル６２が温度とともに変化する場合には、温度に依存
する光の速度は波長領域λ３ＶＣおいて受信されるであ
ろう。以下のパラメータはその場合計算装置３３におい
て引き出される、即ちファイバ糸の減衰、ファイバ系の
反射、変換器の温度、および磁界の大きさ。

光学的磁区の検出には之まで磁性材料におけるファラデ
効果がオリ用されて米た。磁区検出のための代りの技術
は２２１１の表面を強磁性流体で核種する可能性であり
、と九によって磁区形式と磁区壁に依存する光減衰が強
磁性流体層内で得られるように、磁区の相異る磁化方向
が強磁性流体内の磁性粒子の方向を決定することになる
。このような減衰の変化な測定するためには偏光しない
光か偏光した光のいずれかが使用され得るもので、偏光
子２１と２３、もしくは２３だけがしたがって冗長なも
のとなる。

温度に一致したオフセット磁界が必要でなければ、もし
くはバブルのような特殊な形式の磁区の特性が必要でな
ければ、磁石２６は必すしも必要でない。磁気バブルの
ａ区ｔオＵ用するならは、ストライプ磁区なバブル磁区
に分解するのに必要な磁界より大きく、かつバブルコラ
プス磁界より小サナバイアス磁界が必要となる。バブル
コラプス磁界が温度増加とともに減少するから、磁石２
６からのオフセット磁界も亦温胤と増加とともに減少し
なけれはならす、これは永久磁石１ｎｅＬｏｘ　Ｋとっ
て材料！−当に選択することにより達成される。

バブル形式の磁区に関して動作することの利点のあるも
のは減少したヒステリシスと大きな相対透過の変化とで
ある。バブルでない磁性＃膜２２ｂの一部を通るすべて
の光が消滅するように偏光子２１と２３とが回転される
ならば、偏光子２３の後の光学信号はＤ”ｓｉｎ″＃に
比例するであろう。鼓にＤはバブルの直径であり、０は
バブル！通過した光の偏光方向と偏光子２３の偏光方向
との間の角度である。例えはＹｌ　、　４ＧｄＯ、６Ｂ
ｉＰｅ３　、６Ｇａ１　、２０１Ｂにおいて、２１から
２３までの糸？Ｉｌ−通る光の透過は、バイアス磁界に
６００ｅ　（エールステッド）を使用すると仮定すると
、０と２００ｅの間で変換器の外側の外部磁界の変化に
関して因子５だけ変化することができる。

磁界Ｂが電流工により発生されるならば、第１図による
測定装置はまた電流測定にも使用−「ることかできる。

したがって第８図は、電流の通過する導体６６の廻９の
磁界Ｂが如何にして磁界変換器６４を挿入するために空
隙が与えられている環状鉄心６５内に集束されるかを示
している。数字１Ｔは変換器６４を測定装置６３１に接
続する光ファイバである◎ファイバ１１を空隙に挿入す
るために、接層方向に触れている開口が環状鉄心６５内
に与えられている。／ｙ＋望の構成の電流の通過するコ
イル６１は勿論、第９図に示されている変換器内の磁界
を発止するのに同様に使用することができる。第８図お
よび第９図のように外部回路ｌ用＾て磁界を発生する代
りに、これは第２図のセンサ構造を用いて集極される少
くとも１個のある。第°１１図において電流ループ６９
は磁気光学変調器２２と同一平面内で加えられており、
したがって電流工は磁界Ｈ工により、その方向に依゛存
してバイアス磁石２６により発生する磁界いては多くの
平行電流路が使われているが、それを通って電流工が同
じく一つの方向虻伝導される。

これは第１２ｂ図による磁界の分布に導かれるが、この
図は電流工と磁区の大きさとの間の十分に限界ン決めた
（明確な）依存性を与えるものである。

光学系の透過機能に対して伝導路の配置ン目的に合わせ
て作ることにより電流工と検知器の光との間ｔ／ｃ厘線
釣線的関係られる。

ｅ後に第１図にか＼る測定系に対し機械量を測定する可
能性ン述べねばならないがこれはセンナ６４における磁
界が磁石６８に対する距離ｘＫより変調される第１０図
により例証される。

上記１々の解説による装置は、特許請求の範囲内で多様
に変化することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁界測定用の元ファイバ測定システム
の説明図を示す。第２図はレンズを除いた変換器本体の
部分構成図である。第３図はスペクトル曲線であり、第
４図は変換器における光線路を要約したものである。Ｍ
５図は成長領域λｌ。 λ２．λ３における透過スペクトル特性を示す。第６図
はフィルタの透過特性χ示し、第７図は附加光源と附加
光学フィルタを導入した場合のスペクトル関係曲線を示
す。′ｓ８図は電流の通過する導体の廻りの磁界が壌状
鉄心内に集束される方法馨示し、第９図は電流の横切る
所望の形状のコイルが変換器内に磁界音発生するために
如何に使用されるかを示す。第１０図は第１図にが＼る
測定系される少くとも１個の回路で磁界を発生するだめ
の説明図である。 Ｂ・・・磁界　　　　　　１．２９・・・スイッテ２〜
４・・・ダイヌード　　　　２０，２４・・・干渉フィ
ルタ５〜７・・光学フィルタ　　２１．２３・・・伽元
子８〜１０・・・光ファイバ　　２２・・・磁気光学材
料１３・・・光検知器　　　　　２５・・・光吸収器１
４・・・増幅器　　　　　　２６・・Ｘ久磁石１５・・
・差分発生鮨　　　　２８・・・光検知器１６・・・シ
ミ食器　　　　　　　３０〜３２・・・橡本化・１７．
２７・・・光ファイバ　　　　　　保持回路Ｅ・・・電
子測定装置　　　　３３・・・プロセッサ１Ｂ・・・磁
界集束器　　　　３４・・・測定計器１９・・・レンズ 代理人　浅　村　　　時 外４名 Ｆｌ６．７ Ｆｌ５．３ Ｊ Ｆｌ（ｙ　５ 亀 Ｆｌ（ｙ　６ Ｆｌ（ｉ、　？

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）少くとも１個の光ファイバ（１７）’＆介して電
   子測定装置（Ｅｌに接続される変換器（Ｇｌ　ｙｘ　Ａ
   備し、該変換器は磁区発生用磁性材料（２２ｂ）ｖ有す
   る磁気光学変調器（２２））ｒ具備し２１、磁界、電流
   、位置および種々の機械量￥１′測定するための光フア
   イバ８ＩＩ］定装置において、 該変換器（Ｇ）は少くとも２個の光学フィルタを備え、
   そのうち少くとも一方のフィルタ（２０および／又は２
   １）は磁気光学変調器（２２）の一方の側の光路に位置
   し、かつ少くとも他方のフィルタ（２４および／又は２
   ３）は変調器（２２）の反対側の光路に位置し、更に該
   電子測定装置（Ｅｌは相異る発光スペクトルをもつ少く
   とも３個の光源（２〜４）Ｙ具備し、該光源の一つから
   の光が他の光源からの光よりも極めて大きな範囲で該変
   換器に吸収され、該他の光源からの光は該変換器から反
   射され、しかも磁気光学変調器が後述光源の１つからの
   光を変調する際にその他の光源からの光を変ｖＩ４丁名
   より一層大きな範囲で変調するように前記光源は前記変
   換器（Ｇｌ内のフィルタに対して選択され、かつまた電
   子測定装置（Ｅｌは光導体（１７）［光学的に結合した
   検出器の信号から、光フアイバ系における減衰と反射′
   ？：変化するだめの補償を以て磁気光学変調度ン計算す
   るだめの計算装置を具備してなることを特徴とする光フ
   アイバ測定装置。 （２）　　該変換器（Ｇｌは光路に装着されたフィルタ
   （５４又は５７）を備え、このフィルタは光源の波長領
   域（５０又は６１）の一つ以内に温度依存性減衰を有し
   、それによって光変調器の温度依存性が補償されること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光フアイバ測
   定装置。 （３）温度依存性の減衰ンもった上記フィルタが上記波
   長領域に吸収端を有し、かつ温度依存性が、温度により
   誘起された上記吸収端の波長転移により得られることを
   特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光ファイバ浬１
   定装置。 （４）他の光源と異なる発光スペクトル（６１）Ｖもつ
   第４の光源（５８）が、変換器の温度を検知するために
   使用され、かつ第４の光源の波長領域において変換器馨
   通過する光が他の波長領域における光よりも一層大きな
   温度依存性を有するように温度依存性の減衰をもつ上記
   フィルタが選択されかつ位置されることヶ％徴と丁・る
   特許請求の範囲第２項記載の光フアイバ測定装置。 （５）上記フィルタの少くとも一つが干渉型であり、お
   よび／または少くとも二個がダイクロイック偏光器であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光フア
   イバ測定装置。 （６）発光半導体層に相異るバンドギャップをもつ半導
   体ダイオードを選択し、かつ光源と光フアイバ系（６０
   ，８〜１０）との間に干渉フィルタ（５９，５〜７）を
   設置することにより上記波長分離が得られることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の光ファイバ＃ＡＩ」
   定装置。 （７）光源間の光強度の差を補償するために、変換器（
   Ｇ）　Ｋ達する前に光源からの光が測定されることｔ特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光フアイバ測定装
   置。 （８）光導体（１７）の光路内の透明なフォトダイオー
   ドを用いて、またはビームスプリッタと分岐を介して光
   導体（１７）から結合された光を検知する従来の光検出
   器を用いて、上記測定が実施されることな特徴とする特
   許請求の範囲第７項記載の光フアイバ測定装置。 （９）上記磁気光学変調器（２２）は形成された磁区を
   有する異方性磁気層（２２１））を具備し、これらの磁
   区はいずれか一つな選択すべき二つの方向に、その層か
   ら外＠にもしくは層に向って内に磁化されるものであり
   、また磁界は、その層に垂直な成分を有し、さらＫこの
   磁界成分の大きさの変化によって、上記磁界成分に対し
   それぞれ平行におよび逆平行に磁化される磁区の間の可
   変量の関係がひきおこされること！特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光フアイバ測定装置。 ａ〔外部磁界に平行および逆平行である磁化を有し磁区
   間の上記可変量の関係は、２つの光偏光器によって光学
   的に検知され、一方の偏光器（２１）は磁気光学変調器
   （２２）の一方の側の光線路に位置し、他方の偏光器（
   ２３）は変調器（２２）の他の側の光線路に位置し、か
   つ偏光器の偏光の方向は、ファラデ効果によって磁区に
   より惹起される偏光回転を検知するために、相互に関係
   して回転されることン特徴とする特許請求の範囲第９項
   記載の光フアイバ測定装置。 ａＱ　少くとも１個の永久磁石（２６）が、磁気光学変
   調器の表面に垂直なバイアス函界！得るために変換器内
   に位置することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の光フアイバ測定装置。 ０）　磁気変調器（２２）が、少くとも一つの電流が磁
   界！発生するところの磁気回路の空隙に配置されること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光フアイバ測
   定装置〇 〇Ｊ　　電気コイル（６９）が変調器（２２）の表面に
   加えられ、それによって変調器の層（”２２　ｂ　）に
   垂直な、コイル電流の発生する磁界が光学的に検知可能
   な信号な発生することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の光フアイバ測定装置。 （１４）　　電気導体（ＴＯ）が磁気変調器（２２）の
   表面に加えられており、それによって導体を通過する電
   流に依存する磁界分布が、変調器の磁気およ光学的特性
   をｆ脚するための変ｐ！器を介して得られることを１！
   ！ｆｇとする特許請求の範囲第１項記載の光フアイバ測
   定装置Ｏ ａＳ　　ａ気光学変調器（２２）が空間を移動し得る一
   個以上の永久磁石（６８）忙より影＄Ｖ受ける如く配列
   されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
   フアイバ測定装置。 ａＱ　　磁気変調器（２２ｔ））の表面が強磁性流体の
   層を具備していることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の元ファイバ測定装ｆｆ。