JPS586134A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS586134A JPS586134A JP10483581A JP10483581A JPS586134A JP S586134 A JPS586134 A JP S586134A JP 10483581 A JP10483581 A JP 10483581A JP 10483581 A JP10483581 A JP 10483581A JP S586134 A JPS586134 A JP S586134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- electrode
- gas
- porous material
- substrate wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本尭明＃ｉ、半導体装置製造用に使われている平行平ｇ
ｉｉｔドライエッチｙダ装置Ｋかかわゐもので。
ｉｉｔドライエッチｙダ装置Ｋかかわゐもので。
基ＩＮウェハーを均一にエツチングす為プラズアエツチ
シダ装置を提供せんとするものであ１゜通常、平行平板
諏ドライエツチング装置にお−では、エッチ／／ＭｉＸ
＃翼を第１１のように１エツｆｙ／１１＠−１１１Ｎ１
１１３＊ｂ送入り、１１１１１−１、Ｓの両電極間に、
キーからメガヘルツの範■の基局腋を印加し、プラズマ
を一生させてエツチングしてｖｈ為。
シダ装置を提供せんとするものであ１゜通常、平行平板
諏ドライエツチング装置にお−では、エッチ／／ＭｉＸ
＃翼を第１１のように１エツｆｙ／１１＠−１１１Ｎ１
１１３＊ｂ送入り、１１１１１−１、Ｓの両電極間に、
キーからメガヘルツの範■の基局腋を印加し、プラズマ
を一生させてエツチングしてｖｈ為。
しかし、この万代〒韓、電＠間で均一なプラズマ―Ｗを
得るこｔけ困−〒ｈ・、基板ウェハーを均一にエツナｙ
／ｖき１ｋかうｔ、これは、電＠闘にガスが均一に分散
され亀ｖｈ究めに、プラズマ―［が不均一となりてＬＡ
＊、ｃ・闘■韓、−１闘腸＠、Ｚ９ｆＶダ＊ｘｔ、ｓ目
線印加電圧等変化させても解決で゛きず、ａ＜Ｋウニ八
−を一時に何枚ｔ＠ｌす４Ａ９＋Ｉ４プ”ｔＦｉ、 大
１ｍＫ’＆ｈｌＬ Ｘツ苧ｙダの不均一性は大暑＜１＊
、聞電であ０＊。
得るこｔけ困−〒ｈ・、基板ウェハーを均一にエツナｙ
／ｖき１ｋかうｔ、これは、電＠闘にガスが均一に分散
され亀ｖｈ究めに、プラズマ―［が不均一となりてＬＡ
＊、ｃ・闘■韓、−１闘腸＠、Ｚ９ｆＶダ＊ｘｔ、ｓ目
線印加電圧等変化させても解決で゛きず、ａ＜Ｋウニ八
−を一時に何枚ｔ＠ｌす４Ａ９＋Ｉ４プ”ｔＦｉ、 大
１ｍＫ’＆ｈｌＬ Ｘツ苧ｙダの不均一性は大暑＜１＊
、聞電であ０＊。
菖５ＩＩＩは、この部間を解決しようと考案され究会知
の１施策であ為、これは、會工＾−と対向す為電極側の
中心部１１２１Ｅｌ−ム−３を霞は１部分的な場所＊５
ｍ−５−ｓからエッチシダガスを送入す為方法であ為が
、電極間をエッチシダガスが絢−ＫｉｌｌｆＬｔｌＡ＊
めと、１ラズｗ ９４／ ＩＩＦ ルｆｊｋ Ｋ ＃＊
電極の中心部と外１１部が異な為大め、この方法でｘ
？ ＋ ｙダすゐと、基＠會エバーのエツナｙダ遣Ｗけ
、電極中心部と外周部で大きな差が殆生すＪ）１゜１１
食ガスの流路４エツチングすゐごと異なゐので、ウニへ
−間、バッチ間でエツチングの速Ｗ、均−性の再現性が
得られなかった。
の１施策であ為、これは、會工＾−と対向す為電極側の
中心部１１２１Ｅｌ−ム−３を霞は１部分的な場所＊５
ｍ−５−ｓからエッチシダガスを送入す為方法であ為が
、電極間をエッチシダガスが絢−ＫｉｌｌｆＬｔｌＡ＊
めと、１ラズｗ ９４／ ＩＩＦ ルｆｊｋ Ｋ ＃＊
電極の中心部と外１１部が異な為大め、この方法でｘ
？ ＋ ｙダすゐと、基＠會エバーのエツナｙダ遣Ｗけ
、電極中心部と外周部で大きな差が殆生すＪ）１゜１１
食ガスの流路４エツチングすゐごと異なゐので、ウニへ
−間、バッチ間でエツチングの速Ｗ、均−性の再現性が
得られなかった。
本発明は、第３図−１′のように、基板ｄニー−と対向
する側の電極を、微細な均一の通気穴を有ｆ為ボー９ス
材を使用し、エツチングガスカＸ＃′ｉ。
する側の電極を、微細な均一の通気穴を有ｆ為ボー９ス
材を使用し、エツチングガスカＸ＃′ｉ。
このポーラス材電極を通して送入すゐことにより。
上記しｔ問題を解決した。
本発明によれば、エツチングガスＦｉ、基黴ウェハーと
対向すゐポーラス材電極から常時７レツシエガスの状態
で均一に基板ウェハー表面に供給されｘ＊Ｔｏ、プラズ
マエツチング中ラジカルＩＩ［は一定に保つことがてき
、均一なエツチングが、Ｆ！現性良くて１する。
対向すゐポーラス材電極から常時７レツシエガスの状態
で均一に基板ウェハー表面に供給されｘ＊Ｔｏ、プラズ
マエツチング中ラジカルＩＩ［は一定に保つことがてき
、均一なエツチングが、Ｆ！現性良くて１する。
本−明で使用す為エツチングガスけ、ａｙ４゜（ｔｌＦ
、、ＣＣ７４等反応性エツチング以外、キャ讐アガスと
してムｒ 、 １ｇ 、璽雪等のガスを使用しても、電
極から送入する前にエツチングガスと均一に温合されて
いれば、エツチングの均一性は変化しな込。
、、ＣＣ７４等反応性エツチング以外、キャ讐アガスと
してムｒ 、 １ｇ 、璽雪等のガスを使用しても、電
極から送入する前にエツチングガスと均一に温合されて
いれば、エツチングの均一性は変化しな込。
本発明のポーラス電極針としては、導伝性材料で、エツ
チングガスと反応し１に％／ｈ黴細大を有す１屯のであ
れば使用可能であり１例をあげ為と１本発明では、粉末
焼結ステンレス、粉末圧力ｇｍカーボン、表面をアルギ
ナ処理した粉末焼結アル２を使用して、良い結果を得た
。
チングガスと反応し１に％／ｈ黴細大を有す１屯のであ
れば使用可能であり１例をあげ為と１本発明では、粉末
焼結ステンレス、粉末圧力ｇｍカーボン、表面をアルギ
ナ処理した粉末焼結アル２を使用して、良い結果を得た
。
以上の１うに本発明は、平行平ｌ［ｍドライエツチング
装置において、基板ウェハーと対向す１偶の電極が、徽
細な通気穴を有すゐポーラス社から匠り、このポーラス
絆電極にエツチングガスを通過させて、均一な、再現性
の良いプラズマエツチングをおこなうことを可能にした
１ラズマエツチング装置である。
装置において、基板ウェハーと対向す１偶の電極が、徽
細な通気穴を有すゐポーラス社から匠り、このポーラス
絆電極にエツチングガスを通過させて、均一な、再現性
の良いプラズマエツチングをおこなうことを可能にした
１ラズマエツチング装置である。
第１図は、従来のエッチｙｆ装曾の断面構造図で、１．
２は電ｌｉ％ ３はエツチングガス送入口。 ４ｔｊエツチングする基板ウェハ−１Ｓは真空引金排気
口である。 第２図ム、Ｂは、第１図を改良した公知のエツチング装
置電極部の断面図で、ｇｉａｏム、Ｂとも１ 、２Ｆｉ
電極、３＃′ｉエッチｙダガス送入口、４＃ｉエツチン
グ基板ウエハーであ為。 第３図は１本発明のエッチｙダ装置の断面構造図で、１
電１の電極の１部でガス送入もかねるポーラス材電極、
２＃ｉ基板ウェハー側電極％３はポーラス材電極を通過
するエツチングガス流１１４基板ウェハー、５ｉｊ真空
引き排気口、６エツチングガス送入口、？＃／ｉプラズ
マエツチング宣である。 以 上 出願人 株式会社鍬訪精工舎 代理人 弁理士 最 上 務
２は電ｌｉ％ ３はエツチングガス送入口。 ４ｔｊエツチングする基板ウェハ−１Ｓは真空引金排気
口である。 第２図ム、Ｂは、第１図を改良した公知のエツチング装
置電極部の断面図で、ｇｉａｏム、Ｂとも１ 、２Ｆｉ
電極、３＃′ｉエッチｙダガス送入口、４＃ｉエツチン
グ基板ウエハーであ為。 第３図は１本発明のエッチｙダ装置の断面構造図で、１
電１の電極の１部でガス送入もかねるポーラス材電極、
２＃ｉ基板ウェハー側電極％３はポーラス材電極を通過
するエツチングガス流１１４基板ウェハー、５ｉｊ真空
引き排気口、６エツチングガス送入口、？＃／ｉプラズ
マエツチング宣である。 以 上 出願人 株式会社鍬訪精工舎 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (1)
- 半導体装置製造用平行平１Ｎ！ｌドライエッチｙダ銀置
において、基板ウニ＾−と対向する側の電極が、徽Ｓｔ
過気大を有するポーラス材からな０゜このポーラス虻電
極にエッチシダガスを通過させて、プラズマエッチｙダ
をおこなうことを特徴とす為プラズマエッチｙ／＠装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10483581A JPS586134A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10483581A JPS586134A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586134A true JPS586134A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14391418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10483581A Pending JPS586134A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0364215A2 (en) * | 1988-10-11 | 1990-04-18 | Anelva Corporation | Plasma etching apparatus |
| WO2003001558A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma treating apparatus |
| US7138034B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode member used in a plasma treating apparatus |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP10483581A patent/JPS586134A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0364215A2 (en) * | 1988-10-11 | 1990-04-18 | Anelva Corporation | Plasma etching apparatus |
| WO2003001558A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma treating apparatus |
| US7138034B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode member used in a plasma treating apparatus |
| DE10296978B4 (de) * | 2001-06-25 | 2010-03-04 | Krosaki Harima Corporation, Kitakyushu | Elektrodenteil für eine Plasmabehandlungsvorrichtung, Plasmabehandlungsvorrichtung und Plasmabehandlungsverfahren |
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