JPS5858750A - フイルムキヤリヤおよび半導体素子を接続したフイルムキヤリヤ - Google Patents

フイルムキヤリヤおよび半導体素子を接続したフイルムキヤリヤ

Info

Publication number
JPS5858750A
JPS5858750A JP56158398A JP15839881A JPS5858750A JP S5858750 A JPS5858750 A JP S5858750A JP 56158398 A JP56158398 A JP 56158398A JP 15839881 A JP15839881 A JP 15839881A JP S5858750 A JPS5858750 A JP S5858750A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
film
semiconductor element
lead
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56158398A
Other languages
English (en)
Inventor
Manabu Bonshihara
學 盆子原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP56158398A priority Critical patent/JPS5858750A/ja
Publication of JPS5858750A publication Critical patent/JPS5858750A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフィルムキャリヤおよび半導体素子を接続した
フィルムキャリヤに@−fるn従来、ケースとICの接
続はワイヤボンディングによってなされてきたが、この
ワイヤボンディングは不貞的に一点一点の接続法である
ため、接萩の自励化が進んだ現任においてもIC組立工
程の中で大きな割合を占め組立コスト低減の大きなポイ
ントとなっている。史icl、81化に%I、nlc端
子数が多くなるとこの問題は更に重要になると共に、ワ
イヤボンディングの加工精度がテップの多端子化にとも
ない求められる寸法精度について行かれなくなってきて
いる。この問題の解決の一方法としてフィルムキャリヤ
方式が注目されてきている。
従来、フィルムキャリヤ牛導体装置の組立ては、あらか
じめフィルムキャリヤの外部端子となるべき端子部が#
1ぼ均一に配列されたリード部を、これに対応して拘−
に配列された電極層子を有するパッケージ端子や基板−
子に熱圧層法などで接続していた。しかしながらこのフ
ィルムキャリヤ牛導体装置を多ビン型にする場合、一般
に多ビン型半導体装置を搭載するパッケージはモリブデ
ン・マンガンやタングステンなどの焼結金属を配線層と
してお夛、かつメタライズ層は薄いために、導通抵抗が
極めて大き(なや、フィルムキャリヤ型牛導体装置が本
来有している電気特性を発揮できないO これらの欠点を改良するため不出−人はさきに%願昭5
6−25823号によりエリアアレイ外部届子を有する
フィルムキャリヤにつき出願した。
すなわち第1図に示すようにフィルムキャリヤ1の中央
部には半導体素子2の取付けのため開孔部7が設けられ
ている。リード部/に接触する端子用の導体金属膜は開
孔部の外側に1列でなく2列に設けられ、それぞれリー
ドを辿して中央の開孔部のリードフィンガー全形成して
いる。また導体金属膜にはリードビンの挿入孔があけら
れている。たとえば中央の開孔部に近い位置にリードビ
ン挿入孔5′を持つ導体金属膜5があジリード3′を通
しリードフィンガーCにつながジ、また開孔部よシ遠い
位置にビン挿入孔4′を持つ導体金属M4があジリード
3を通してリードフィンガー6につながっている。以下
同様圧して各方向共に2列に導体金属膜が形成されてお
plそのためリードビン間隔がとり易くなると共に、リ
ードの抵抗もすくなくすることができ実装の小型化に有
利となっているOまた16はガイドビン用の開孔である
第2図は上記フィルムキャリヤの一部断面図を示す図に
おいて21は絶縁フィルム、7は半導体素子取付用開孔
部、6は素子接続用のリードフィンガーである。リード
ビン用開孔部が断面に41固あられれている−)列につ
き説明する。すなわち半導体素子取付用の開孔部7に対
し対称に絶縁フィルム21に内[K9.9’外@に8.
.8’の開孔部がリード部/の径より大きく設けられそ
の上の導体金MIlu22にはリード部/の径に近い開
孔部4A′。
4“′、5′、5#が設けられている。この場合4個づ
つの開孔部は同じ大きさである。
第3図は第2図のフィルムキャリヤを使った半導体装置
の組立#T面図である。フイルムキャリャYの開孔部の
リードフィンガー6には半導体素子2が接続される。こ
のフィルムキャリヤはステムに設けられたリードビン1
2 、12’ 、 13 、13’のそれぞれに挿入さ
れ、銀ペーストや早出のような導体接着剤15により導
体金属膜と接続される0このとき絶縁フィルムの開孔が
比較的に大きいので導体金属膜の下面にも接着剤が付増
し強固に固定される。また半導体素子はgfc着剤14
によりステム11に固定され、その後表面は樹脂17に
より保護されると製品は完成し、前記したような問題点
は大いに改善できた。
しかるに絶縁フィルムは肩磯物フィルムで熱膨張係数が
大きく温度変化に対し伸縮する。またリードビンもQ、
5ny5程度の細い−が使われると共にパターンも細か
く複雑になってきているのでステムに固定されているリ
ードビンに痛子部の開孔部を合せて挿入することVまむ
ずかしく作業工数を増大させると共にリードビンの変形
や導体金属族の損傷を来すおそれが大である。本発明は
以上の問題点に対処してなされたもので、エリアアレイ
外部端子を有するフィルムキャリヤを使用して半導体装
置を組立てるにあたり、パッケージと端子ずれの補正を
フィルムキャリヤにて行なイ接続を容易ならしめたフィ
ルムキャリヤおよび半導体素子な接続したフィルムキャ
リヤを提供するにある。
すなわち本編1の発明の要旨は、絶縁フィルムのほぼ中
央部に半導体素子取付用の開孔部を有し・該開孔部の外
周には該開孔部から距離のことなる位′vM、Vc榎畝
のリードピン用の開孔部を備え、該開孔部の上に配置さ
れた導体金IT4dはリードピン用の開孔部を有し自己
−を通して上記半導体素子取付用開孔部に突出しリード
フィンガーを形成し、上記リードピン用に設けられた導
体金属族の開孔部の大きさがそのFの絶縁フィルム開孔
部の大きさより小さく、かつ半導体素子取付用の開孔部
から遠く離れるに従い太きくなっていることを特徴とす
るフィルムキャリヤにある。
また本編2の発明の要旨は、絶縁フィルムのは    
 1ぼ中央部に半導体素子取付用の開孔部を有し、該開
孔部の外周には該開孔部から距離のことなる位置に41
数のリードピン用の開孔部を鋪え、該開孔部の上に配置
された導体金属膜はリードピン用の開孔部を有し、配線
を通して上記半導体素子取付用開孔部に突出しリードフ
ィンガーを形成し、上記υフドビン用に設けられた導体
金属膜の開孔部の大きさがその下の絶縁フィルムの開孔
部の大きさより小さく、かつ導体金属族の開孔部および
絶縁フィルムの開孔部の大きさが半導体素子取付用の開
孔部から遠く離れるに従い大さくなっていることt−特
徴とするフィルムキャリヤにある。
また本編3の発明の要旨は、絶線フィルムのほぼ中央部
に半導体素子取付用の開孔部を有し、該開孔部の外周に
は該開孔部から彫版のことなる位tK俵数のリードピン
用の開孔部全・−見、該開孔部の上に配置された導体金
属族はリードピン用の開孔部を有し配線を通して上記半
導体素子取付用開孔部に突出し半導体素子取付用のリー
ドフィンガーを形成し、上記リードピン用に設9アられ
た導体金s4膜の開孔部の大きさがその下の絶縁フィル
ムの開孔部の大きさより小さく、かつ牛4俸素子増付用
開孔部から遠く離れるに従い大きくなっているフィルム
キャリヤに半導体素子を接続したことを特徴とする半導
体素子を接続したフィルムキャリヤにある。
また本編4の発明の要旨は、絶縁フィルムの#ユぼ中央
部に半導体素子取付用の開孔部を有し、該開孔部の外周
には該開孔部から距離のことなる位置に俵数のリードピ
ン用の開孔部を備え、該開孔部の土に配置された導体金
属族はリードピン用の開孔部を有し配線全通して上記牛
得体素子取付用開孔部に突出し半導体素子取付用のリー
ドフィンガーを形成し、上記リードピン用に設けられた
導体金属膜の開孔部の大きさがその下の絶縁フィルムの
開孔部の大きさより小さく、かつ#4座金属膜の開孔部
および絶縁フィルムの開孔部の大きさが半導体素子取付
用の開孔部から遠く離れるに従い大きくなっているフィ
ルキャリヤに半導体素子を接続したことを特徴とする半
導体素子を接続したフィルムキャリヤにある0 以丁図面を参照し本発明の詳細な説明 第4図は本絹1の発明の一実施例Vζよるフィルムキャ
リヤの断面図である。図において21はフィルムキャリ
ヤの絶縁フィルム、22は絶縁フィルム上の導体金1i
膜、27は半導体素子潅付用の絶縁フィルムに設けられ
た開孔部、26はリードフィンガー、29.29’、2
8.28’は絶縁フィルムに設けられたリードピン用の
開孔部で29.29’iよ半導体素子取付用の開孔部に
近い開孔部、28.28’は遠い開孔部であ乞。第4図
の絶縁フィルムの開孔部の大きさは何れもリードピンの
直径に対し十分大きくとられており、この場合大きさは
遠近による差はなく一定である0これに対し導体金M膜
のリードピン用開孔部25.25’、24.14’のう
ち内側の25.25’は外側の24.24’より小さく
すなわち半導体素子取付用開孔部からAく離れた開孔部
根太きく設けられている。このように形成されたフィル
ムキャリヤを使って半導体装置を形成する場合につき説
明する。第5図は渠4図の本絹1の発明の−Xs例のフ
ィルムキャリヤヲ菱用して組立てた半導体装置の断面図
である。図において23はステムでフィルムキャリヤの
開孔部に応じた位置に約0.5111戸のり−ドピン3
2.32’、33゜33′が固定設置されている。また
半導体素子取付位置に対応するステム表面には素子が入
る凹部30が形成されている。組立てに先立ち縞3図に
よるフィルムキャリヤの素子取付部に牛導坏累子2をと
シつける。組立にあたっては第1図に示したようなガイ
トビ/16を基準WCしてリードピンにフィルムキャリ
ヤの開孔部を挿入するのが普通であるが、従来のリード
ビ/に近い径の開孔部が設けられているときは前にのべ
たとおりフィルムキャリヤの熱膨張による変形によりリ
ードビ/と開孔部の位置がずれ、そのだめ組立が困難で
あったが、第41の不編1の発明の実施日Qてよるフィ
ルムキャリアでは絶縁フィルムの開孔部は28.28’
、29.29′共にリードピンに対し十分大きく設定さ
れているので位置ずれは十分吸収できる。また導体金属
膜の開孔部は24.>25 、24’) 25’の関係
、すなわち半導体索子琳付用開孔部27より遠く離れ・
るに従い大きく設けられ、位置ずれの大きい部分が大き
いため規定寸法のリードビ/に対しフィルムキャリヤの
開孔部の位置ずれは十分吸収できり−ドビンに容易[フ
ィルムキャリヤの開孔部を挿入することができる。
すなわち25の開孔部は素子取付部27に近いため開孔
部に対する位置の変位はすくなくり−ドビン33の径に
近い小さな開孔部でも挿入が可能である。ところが24
の導体金属11I、8は遠くはな扛ているため変位は大
きいが開孔部が大きいので神人出米4第5図ではリード
ピン32が4体金tS=24の開孔部の右側によってい
るが仲人されておシ開孔部は接着剤35により強固tc
侭dされている。すなわちフィルムキャリヤが膨漫又f
′i収縮により開孔部の位置ずれが生じても本発明では
変位に応じて開孔部が大きくされているので開孔部の範
囲内で調整可能である。また左1.jJのリードピン3
3’ 、 32’  についても右側と同じ理由により
組立が容易にできる〇 なお本実施例によるフィルムキャリヤの絶縁フィルムの
開孔部は何れも同じ大きさであるが1QJれも導体金属
膜の開孔部より大きくなっているのでリードピンの挿入
にあたっては位置ずれは十分吸収できると共に、導体金
属族の開孔部より大きいことは接層にあたり接着剤が導
体金属膜の裏面にも付着するので導体金属膜の両面とリ
ードピンは開孔部で一体化され良好な接続ができる。
第6図は本絹2の発明の一実施例によるフィルムキャリ
ヤの断面図である。図においてフィルムキャリヤの絶縁
フィルム21には第4図の場合と同様中心部に半導体素
子取付用開孔部27と該開孔部の内側よりリードピン用
の開孔部29’、28“および29”、 28”が設け
られておシ、第1の発明とことなりその大きさは28”
〉29Nおよび28″〉29′の関係になっている。す
なわちIe縁フィルムの開孔部も素子取付開孔部よ!1
1遠くなるに従い大きく設けである。また導体金属族は
第1の発明と同じ<24“)25’お↓び24#) 2
 s///の関係に形成されている0 しかも図面にも示されているように倒れの開孔部におい
ても絶縁フィルムの開孔部の方が導体金属膜の開孔部よ
り大きくあけられている。
このような構成によるときはフィルムキャリヤの膨張、
収縮によるリードビンとフィルムキャリヤの開孔部の位
置ずれによる組立て不能は防ぐことができると共に接着
剤による接層も確実にできる0特に紀1の発明とことな
9、絶縁フィルムの開孔部の大きさ管変化の程度に応じ
調節したためリードビンの固定はより確実にすることが
できる。
第7図は本編2の発明の他の実d列によるフィルムキャ
リヤの平面図を示す。図においても半導体素子取付用開
孔部27に対し例えば遠くにあるリードビン用の絶縁フ
ィルムおよび導体金属膜の[、部42および42′は点
くにるるそれらの43および43′より大きく設定され
ている。従って第6図でのべたものと同様な効果が得ら
れる0図において44は絶縁フィルムの開孔部、44は
導体金属膜の開孔部で42.42’の場合と逆の形を採
用しているが大きさの関係は前記したようKt4たれて
いるので同様効果を得ることができるOlた45,45
’ は8角形および4角形の開孔部、その外側は双方共
に円形を採用しているが大きさの関係は前記したように
守られているので効果は同様に得られる。また絶縁フィ
ルムとして厚さ125μin、+陥35mのポリイミド
樹脂テープ(商品名カプトン)1r用い導体金属膜とし
ては厚さ35μmの鋼/?3を用い成形後金メッキして
用いた。開孔部の大きさとしては素子取付用開孔部から
1段外関に離れるに従い100μm大きくしたもの全周
いて組立全実施したところ十分目的を達成することがで
きた。なお絶縁フィルムとしてはポリイミドの他にポリ
エステルを使用することができる0また本編1および第
2の発明のフィルムキャリヤに半導体装置を全付層させ
れば本編3および第4の発明である半導体素子を接続し
たフィルムキャリヤが得られる。
以上説明したとおり、第1−第4の尾切によるフィルム
キャリヤを使用すれば、組立時に膨張や     、l
収縮等による変形でステムのリードビン位置とフィルム
キャリヤの開孔部の位置ずれを補正することができ、組
立を容易にできるばかりでなく接続もS実に実施するこ
とができ特性の安定化に対しても効果を発揮できるもの
である0
【図面の簡単な説明】
第1図は現在提案中のエリアアレイ外部端子を有するフ
ィルムキャリヤの説明用上面図、第2図は第1図のフィ
ルムキャリヤの要部断面図、第3図は第2図のフィルム
キャリヤを使った半導体装置の断面図、第4図は本編1
の発明の一実施例によるフィルムキャリヤの要部断面図
、゛第5図は編4図の本編1の発明の一実施例のフィル
ムキャリヤを使って組立てた半導体装置の貼面図、第6
図は本編2の発明の一実施例によるフィルムキャリヤの
要部断面図、第7図は本編2の発明の他の実施例による
フィルムキャリヤの平面図であるOl、41・・・・−
・フィルムキャリヤ、2・−・−・・半導体素子、3.
3′・・−・配線、4,5.22 ・・・・・・4体金
属膜、4’ 、5’ 、4’ 、5’ 、4”、5“、
24.25.24’、25’、24“、25”、25”
、42’、43’、44’、45’・・・・−・導体金
属膜開孔fi、6.26・・・・・・リードフィンガー
、7.27・・・・・・素子取付用開孔部、8.9.8
’ 、9’、 28.29.28’、29’、42.4
3.44.45・・・・−・絶縁フィルタ開孔部、12
.13.12’、13’、32.33.32’、33’
 −m−・・・リードビン、14・・・・−・接着層、
15.35−・・・・接着剤、16−・−・ガイドビン
、17.37−゛・・−・樹脂保1も21・・・・・−
絶縁フイルム〇 7 # / 図 一#−4面

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  絶縁フィルムの11ぼ中央部Vこ半導体素子
    取付用の開孔部を有し、TQI開孔部の外周には該開孔
    部から距離のことなる位置Vc*eのリードビン用の開
    孔部を備え、該開孔部の上に配置された導体金属膜はリ
    ードビン用の開孔部を有し配線を通して上記半導体素子
    取付用開孔部に突出しリードフィンガーを形成し、上記
    リードビン用に設けられ良導体金属膜の開孔部の大きさ
    がその下の絶縁フィルム開孔部の大きさより小さく、か
    つ半導体素子取付用の開孔部から遠く離れるに従い大き
    くなっていることを%値とするフィルムキャリヤ。 (2)  絶縁フィルムのほぼ中央部に牛導庫素子取付
    用の開孔部を有し、該開孔部の外周には該開口部から距
    離のことなる位置に複数のり−ドビン用の開孔部を備え
    、鏡開孔部の上に配置された導体金属膜はリードビン用
    の開孔部を有し、配線を通して上記半導体素子取付用開
    孔部に突出しり7ドフインガーを形成し、上記リードビ
    ン用に設けられた導体金J!4dの開孔部の大きさがそ
    の下の絶縁フィルムの開孔部の大きさより小さく、かつ
    導体金1!4膜の開孔部および絶縁フィルムの開孔部の
    大きさが半導体累子増付用の開孔部から迷く離れるに従
    込大きくなっていることt−特徴とするフィルムキャリ
    ヤ。 (8)  絶縁フィルムのほぼ中央部に千尋体素子取付
    用の開孔部を有し、該開孔部の外周には該開孔部から距
    離のことなる位置に4i数のリードビン用の開孔部を備
    え、該開孔部の上に配置された導体金If4膜はリード
    ビン用の開孔部を有し配#′t−通して上記半導体素子
    取付用開孔部に突出し半導体素子取付用のリードフィン
    ガーを形成し、上記り一ドビ/用に設けられた導体金属
    膜の開孔部の大きさがその下の絶縁フィルムの開孔部の
    大きさより小さく、かつ半導体水子取付用開孔部から遠
    く離れるに従い大きくなっているフィルムキャリヤ(半
    導体素子を接続したことを特徴とする半導体素子を接続
    したフィルムキャリヤ。 (4)絶縁フィルムのほぼ中央部に半導体素子取付用の
    開孔部を有し、該開孔部の外周には該開孔部から距離の
    ことなる゛位置に複数のリードビン用の開孔部を備え、
    該開孔部の上□に配置された導体金属膜はリードビン用
    の開孔部を有し配線を通して上記半導体水子取付用開孔
    部に突出し半導体素子取付用のリードフィンガーを形成
    し、上d己す−ドビン用に設けられた導体金属膜の開孔
    部の大きさがその下の絶縁フィルムの開孔部の大きさよ
    り小さく、かつ導体金属膜の開孔部および絶縁フィルム
    の開孔部の大きさが半導体素子取付用の開孔部から遠く
    離れるに従い大きくなっているフィルムキャリヤ(半導
    体素子を接続したことを特徴とする半導体素子t−接続
    したフィルムキャリヤ。
JP56158398A 1981-10-05 1981-10-05 フイルムキヤリヤおよび半導体素子を接続したフイルムキヤリヤ Pending JPS5858750A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56158398A JPS5858750A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 フイルムキヤリヤおよび半導体素子を接続したフイルムキヤリヤ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56158398A JPS5858750A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 フイルムキヤリヤおよび半導体素子を接続したフイルムキヤリヤ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5858750A true JPS5858750A (ja) 1983-04-07

Family

ID=15670865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56158398A Pending JPS5858750A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 フイルムキヤリヤおよび半導体素子を接続したフイルムキヤリヤ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5858750A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4837881A (en) * 1986-12-02 1989-06-13 Nissan Motor Co., Ltd. Seat cushion with portions with different compression characteristics
JPH0346262A (ja) * 1989-07-14 1991-02-27 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH0498842A (ja) * 1990-08-16 1992-03-31 Nec Corp 電子部品の実装構造

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4837881A (en) * 1986-12-02 1989-06-13 Nissan Motor Co., Ltd. Seat cushion with portions with different compression characteristics
JPH0346262A (ja) * 1989-07-14 1991-02-27 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH0498842A (ja) * 1990-08-16 1992-03-31 Nec Corp 電子部品の実装構造

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2583597B2 (ja) 集積回路装置パッケージ
US6489182B2 (en) Method of fabricating a wire arrayed chip size package
US5399902A (en) Semiconductor chip packaging structure including a ground plane
US7148087B2 (en) Electronic package having a folded flexible substrate and method of manufacturing the same
JPH026225B2 (ja)
JPH0794551A (ja) 半導体装置
US5218168A (en) Leads over tab
USH1267H (en) Integrated circuit and lead frame assembly
US6340840B1 (en) Lead frame and production method thereof, and semiconductor device and fabrication method thereof
JPS5858750A (ja) フイルムキヤリヤおよび半導体素子を接続したフイルムキヤリヤ
JPH0642503B2 (ja) 高密度集積回路の支持体とその製造方法
EP0499079A1 (en) Electronic packaging with varying height connectors
JPH11102989A (ja) Bga型半導体装置
JP3699271B2 (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
US5731962A (en) Semiconductor device free from short-circuit due to resin pressure in mold
JPH03157959A (ja) 実装構造及び製造方法
JP2782870B2 (ja) リードフレーム
JPH0582596A (ja) リードフレーム
JP3028153B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2642074B2 (ja) ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法
JP2697743B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2811888B2 (ja) キャリアフィルム及びその製造方法並びに半導体装置
JPH06101488B2 (ja) 半導体装置
JPH0821673B2 (ja) リードフレーム,これを用いた半導体装置およびその製造方法
JPH03119736A (ja) リードフレーム,その製造方法およびこれを用いた半導体装置