JPS585792A - 液晶マトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、能動素子で液晶画素を独立に駆動する液晶マ
）　ＩＪクス表示装置に係わり、特に保持効果を有する
液晶に最適な液晶マトリクス表示装置に関する。

液晶マトリクス表示の駆動法に各液晶画素を独立に能動
素子で駆動して文字や画像を表示する積層方式が試みら
れている。このうち最も新しい例を以下説明する。（参
考文献：電子通信学会技術報告ＶＯｔ、８０４２０１１
）１〜ｐ８　）第１図は、液晶マトリクスパネルの断面
図を示したものである。

基板の一方をガラス基板１０に透明電極１２を形成した
ものとし、他の基板をシリコン基板１４に駆動回路１５
を形成したものとしている。そして、透明電極１２と駆
動回路１５の出力端間の電位差により液晶を駆動する。

以下、透明電極１２を対向電極と呼ぶことにする。

前記した基板間に封入する液晶１３の電気光学特性を第
２図に示す。

この例では、液晶層のインピーダンスを高めること及び
表示の視角依存性を少なくするために、現在時計や電卓
等に用いられているＴＮ液晶に二色性色素を添加したゲ
スト−ホスト型の液晶を用いている。すなわち、印加電
圧の実効値が液晶のしきい値電圧Ｖｔｂ以下では着色し
、逆に飽和電圧Ｖａｔ　１以上ではほぼ透明状態となる
。

このため、テレビ画像のように階調表示を行なうには液
晶画素に加わる電圧をＶｔ−〜Ｖ＠　ａ　＊となるよう
に制御する必要がある。

第３図如、前記した画像表示を実現するだめの駆動回路
を示す。

２０はコントロール回路、２１はサンプリング回路、２
２は走査回路、２３は選択スイッチである。表示エレメ
ントＥ（１，１）は、ＭＯＳ）ランジスタ２６、ストレ
ージキャパシタ２７、液晶画素２８の３要素で構成され
る。液晶画素は、ソース端子Ｓと対向電極２９間に位置
する。走査信号線Ｘ、は、表示エレメントＥ　（１，１
）、Ｅ　（１゜２　）、・・Ｅ　（１、ｍ）のＭＯＳ　
）　ラ７ジスタのゲート端子Ｇに接続され、以下同様に
、同一行の表示エレメントのＭＯＳ）ランジスタのゲー
ト端子Ｇは、同じ走査信号線と接続される。画像信号線
Ｙ１は、表示エレメントＥ（１，１＞、Ｅ（２゜１）、
・・・Ｅ（ｎ、１）のＭＯＳ）ランジスタのドレイン端
子りに接続され、以下同様に、同一列の表示エレメント
のＭＯＳ）ランジスタのドレイン端子は、同じ画像信号
線に接続される。従って、表示エレメント中の表示画素
２８は全体としてマトリクス状を゛構成するウ 一方、第４図はインターレス方式の画像信号波形例を示
したものである。表示画面は、２フイールド（奇数フィ
ールドＴｆ、と偶数フィールドＴｔｈ）毎（＝　６６．
６　ｍｓ）　（＝　１７　ｖ−ム’ｒａ）に更新される
。そこで、この画像信号を液晶画素２８に加える時の回
路動作の１例を以下説明する。

今、走査信号Ｒｘｔ　を選択するとエレメントＥ（１、
１）　〜Ｅ　（１、ｍ）のＭＯＳトラ７ジスタ２６が導
通状態となる。ここで、画像信号線Ｙ。

〜Ｙ７　　を順次選択するとＭＯＳ）ランジスタ２６を
経て画像信号ＤＤがストレージキャパシタ２７と液晶画
素２８に順次加えられていく。次に、走査信号線Ｘ、を
選択し同様に画像信号線Ｙ１〜丘を順次選択していく。

この動作をＸ、ｉで操り返す。

次に液晶画素に加わる電圧を交流化するために画像信号
ＤＤの電圧レベルを反転し前記と同様の動作を行なう。

この時、電圧レベルの反転は、１フイールド毎に行なう
。

第５図は、液晶画素２８の両端に加わる電圧波形ＶＬＣ
の様子を示したものである。液晶画累次は、フィールド
毎に±ＶＤの電圧が加えられるが、ＭＯＳ　）ランジス
タ２８の漏れ電流のため減衰する。このオフ時定数）。

２．°がフィールド時間Ｔ、より十分大きい場合の実効
電圧値ＶｒｍｇはほぼＶＤとＷＥＥ値７７．、も減少す
、。例えば、）。’ｔｔ　＝　Ｔｔとす。

と）。・・）Ｔ・の場合の６割程度に減少する。このこ
とからテレビ画像のように階調表示を行なうには、）。

・、をできる限り大きくすることが要求される。このた
め、第３＠に示した如く液晶画素２８に並列にストレー
ジキャパシタ２７を付加して、ｒ。２、オよ、代アい、
。

ところで、従来の表示方式でオン（透明）あるいはオフ
（着色）の２状態でｔｉｒｒｒ＊を表示する時、オン時
には飽和電圧Ｖｓａｓ以上の電圧を印加し、オフ時には
しきい値電圧Ｖ、ｈ以下の電圧を印加する。

第３図に示したｍ（横ドツト数）を２００とした時のサ
ンプリング回路２１の動作周波数ｆ、を求めるとｆ、＝
３ＭＨ２となる。また、走査回路２２の動作周波数ｆ、
を求めるとｆ、＝３／ｎＭＨ２となる。これらの回路は
、表示パターンが変化しない場合でも前記した周波数で
動作する必要がある。

ところでサンプリング回路２１、走査回路２２等を表示
エレメントと同一基板に形成し回路の小形化、高集積化
を達成するには回路の低消費電力化が強く望まれる。従
来の方式は、静止画表示の場合でも回路の動作速度を小
さくすることができないため回路の低消費電力化が困難
であった。

本発明の目的とするところは、上記欠点を除去し、消費
電力を極めて小さくできる液晶マトリクス表示装置を提
供することにある。

上記目的を達成する本発明の特徴とするところは、相対
面に配置され対向面にそれぞれ電極が設けられた一対の
基板のうち、一方は少なくとも１つの対向電極が設けら
れており、他方は複数の電極が設けられ、かつ上船複数
の電極にそれぞれ接続され、独立に駆動される能動素子
が設けられて介なＬ おり、上記基板間に保持効果を有する液晶を餠緯、上記
一対の基板に設けられた電極の対向部分とそれらの間に
位置する上記液晶とで形成される複数の液晶画素が全体
としてマトリクス状をなす液晶マトリクス表示装置に於
いて、書、き込み動作時ににオン状態にして、該液晶画
素に同一の保持電圧を同時に印加することである。

本発明の好ましい実施態様を述べれば、能動素子はＭＯ
Ｓ）ランジスタであり、保持効果を有する液晶は、ネマ
チック・コレステリック相転移液晶およびカイラールネ
マチツク相転移液晶の一方に二色性色素を添加したゲス
ト・ホスト型液晶であり、時分割駆動は線順次走査であ
る。

以下本発明の詳細な説明する。第６図は、本発明に用い
る液晶を透過形とした時の電気光学特性を示したもので
ある。

この液晶は、コレステリック−ネマチック相転移液晶に
二色性色素を添加したゲスト−ホスト型である。前記し
た相転移液晶は、例えば母体をＭｅ　ｒ　ｃ　ｋ社のＺ
ＬＩ−１１３２（シクロヘキサン系）としこれに光学活
性物質ＣＢ−１５を２〜５重量係加えることにより得ら
れる。また、ゲスト−ホスト型とするために二色性色素
としてシアン系のＮＫ−２２３３等を１重量係程度添加
する。

第６図に示す特性は、光学活性物質ＣＢ−１５を３重量
係添加したものである。実効電圧Ｖ１．を増加させてし
きい値電圧Ｖｉｈを越えると液晶の透過光量はａの曲線
の如くに増加し飽和電圧Ｖｓ　ａ　ｔでほぼ透明となっ
て飽和する。

一方、透過光量が飽和した後に実効電圧Ｖｒｍｍを減少
させていくと保持電圧Ｖｎ附近まで透過光量はほとんど
変化しないがこれ以下にするとｂの曲線の如くに急激に
減少する。

以上の結果、オン（透明状態）にする画素にはＶ、□電
圧を印加し、一方オフ状態（着色状態）Ｋするには、Ｖ
ｔｈ以下の電圧を印加し、それぞれの状態を保つ（保持
状態）ため釦は、保持電圧Ｖｉ付近の電圧を印加すれば
、低消費電力で液晶マトリクス表示装置を駆動できる。

また、コレステリック−ネマチック相転移液晶のかわり
にカイラルネマチック液晶を用いても同様の特性が得ら
れる。さらに、液晶分子の配向膜を制御することで透過
光量の変化が第６図と逆の特性が得られる。

第７図は、本発明に用いる表示エレメントを等価回路で
示したものである。

表示エレメント４４は、能動素子であるＭＯＳトランジ
スタ４２と液晶画素４３で構成されている。そして、Ｍ
ＯＳトランジスタ４２のドレイン（ＤＪ端子に画像信号
線ｓ、、、ゲート（Ｇ）端子に走査信号線Ｘ、をそれぞ
れ接続する。液晶画素４３け、ソース（Ｓ）端子と対向
電極４５間に位置する。

第７図を具体的に示したのが第８図、第９図である。第
８図は液晶マトリクスパネルの平面図、第９図は第８図
に於けるＡ−Ａ’間の断面図である。

ここでは、Ｎ型ＭＯＳトランジスタを得るためにシリコ
ン基板５７をＰ型としドレイン５３、ソース５４、ソー
ス端子５６、ゲート酸化膜５５、絶縁Ｍ５１，５２、及
び画素電極５８等を形成している。第７図に示した液晶
画素４３となる部分は、画素電極５８と対向電極４５間
の液晶層５９である。

本発明による液晶マトリクス表示装置の第１の実施例の
構成を第１０図に示す。

装置は、全体としてマトリクス状をなす表示エレメント
４４と、サンプリング信号、を発生するサンプリング回
路６０と、走査信号を発生する走査回路６１と、映像信
号ｙＯをオン、オフする導通スイッチ６７と１、画像信
号の極性を反転する反転回路６３と、選択回路６５と、
コントロール回路６２と、選択回路６４と、表示保持電
圧発生回路６８とから構成さ、れている。

第１０図に於いて、第３図と同一符号は、同一物または
相当物を示す。

回路動作は、書き込み動作と保持動作の２動作からなる
。まず、前者の書き込み動作を時分割駆動方式の一つで
ある線順次走査方式を例にとって第１１図に示した信号
のタイミングチャートと併せて説明する。

選択信号ＳＨをＨレベルにすると階調レベル数が２の画
像信号ＤＤは、選択回路６４を経て反転回路６３と選択
回路６５に入力される。そして、選択信号Ｍにより１フ
レームＴｔ　　（あるいは１フイールド）毎傾反転信号
と非反転信号を交互に選択し、レベルシフト回路６９に
加える。この結果、選択回路６７にはバイアス電圧Ｖｃ
を中心に正負に変化する画像信号が入力される。

一方、走査信号線Ｘ、〜Ｘ、には位相が異なる走査信号
が入力されていく。この時、選択されたラインのＭＯＳ
トランジスタは一斉にオン状態となるが、サンプリング
信号８１〜Ｓ、によね選択された画像信号線Ｙ、〜Ｙ、
のみに画像信号ＤＤが伝達される。これにより、画像信
号ＤＤは逐次液晶画素４３に書き込まれていく。

ここで、対向電極４５にはバイアス電圧Ｖｃを印加しで
ある。このため、液晶画素４３０両端に加わる電圧はＶ
ｔ、ａの如くＫなる。

前記したバイアス電圧ＶｃはＭＯＳ）ランジスタのドレ
インとソースに加わる電圧の極性による特性のバラツキ
を少さくするためである。Ｖｃは０〔Ｖ〕でも本発明に
は支障はない。

この書き込み動作では、ｙＩＬＣ電圧の実効値が飽和電
圧Ｖ＃　ａ　を以上なるようＫＶｍ電圧を設定する。

階調表示を行なう場合には、その階調電圧に合わせてｖ
ＩＩ電圧を表示する。

次に保持動作を第１２図を用いて説明する。

表示を保持するには、保持電圧Ｖｎ　　（＜Ｖｔｈ　）
を液晶画素に加えれば良いことを前述した。

そこで、選択信号ＳＨをＬレベルにして選択回路６４に
おいて表示保持電圧Ｖｙを選択し反転回路６３と選択回
路６５に加える。そして、選択信号Ｍにより交互に選択
してこの出力をレベルシフト回路６９に加える。ここで
バイアス電圧ＶｃだけにベルシフトされＭＯ電圧となる
。走査信号線Ｘ１〜Ｘ１を総て選択してＭＯＳ）ランジ
スタ４２を総てオン状態とする。

一方、対向電極にはバイアス電圧Ｖｃが加えられている
ので、液晶画素には常に±ＶＴの電圧が加わることにな
る。そこで、この時の実効値が保持電圧ＶＨ付近になる
ようＫ　Ｖ　？を設定する。

（ＶＨ≦Ｖ　ｒ　＜　Ｖｔｂ　） 本実施例によれば、静止画のように表示パターンの変化
度合が少ない装置では、保持動作時は、走査は行なわな
いので、低周波で駆動することができ、回路の消費電力
を非常に少なくできる。これにより、一枚の基板上に表
示に必要な回路を形成することができ、装置の小形化、
軽量化が図れる、 また、ゲスト・ホスト型のため視角範囲を広くすること
ができる。一 本発明の、第２の実施例を第１３図を用いて説明する。

第１３図に於いて、第１０図と同一符号は同−物又は相
当物を示す。

本第２の実施例は、書き込み動作時のオン状態。

オフ状態、及び保持動作時の保持状態の３種の状態の切
換えを一つのスイッチで制御するものである。

駆動電圧発生回路１０３は、第１４図に示すＶｏｗ　＊
　ＶＯＦＦ及びＶＨＨの３種類の電圧を発生する。

ラインメモリ１０２は、１ライン分の画像信号ＤＤを一
時保持する。また選択回路１０４は、ラインメモリ１０
２の出力状態及びコントロール回路１０１の内容に応じ
てＶｏｗ　＋　Ｖｏｙｖ又は、ＶＨＨいずれかの電圧を
選択する。

ところで、対向電極４５に直流電圧Ｖｃを印加するとＶ
ｏ＊＋Ｖｏｒｙ及びＶＨＨの直流電圧成分は消去される
。この結果、液晶画素４３の交流駆動が可能となる。

第１５図は、液晶画素４３をオン又はオフ状態とするだ
めの書き込み動作の様子を示したものである。走査信号
により走査信号線Ｘ１〜ＸａのＭＯＳトランジスタを１
ライン毎にオン状態としていく。一方、画像信号線Ｙ１
〜Ｙ、に、選択回圧を一斉に印加する。そこで走査信号
Ｍｘ＋の液晶画素を例釦とると、周期Ｔで液晶画素は±
Ｖ。

又は士Ｖｂｌ／Ｃチャージされる。このチャージ期間は
Ｔ／′ｎであるがこれを経過するとＭＯＳ）ランジスタ
のオフ抵抗及び液晶画素４３自身の抵抗のため前記した
電圧から徐々に減衰していく。

これにより書き込み動作時には、ｖＬｃ（。Ｎ）又は、
Ｖｒ、ｃ　（ＯＦＦ　）の電圧が液晶画素に加わること
になる。なお、ｖ、＞ｖｂ≧０とし、？ｊＬｃ（ｏｈ）
の実効値がＶｓｈより大きくなる様にＶ、を設定し、ま
た％”Ｌｃ（ｏｙｙ）の実効値がＶ、−より小さくなる
様にＶｂを設定す。る。ｖＬｃ（ｏｘ）の実効値は液晶
のしきい値電圧Ｖ＋ｈより大きく、ｖＬｃ　（ＯＦＦ）
の実効値はＶＤより小さいことになる。

第１６図は、前記した書き込み動作が終了した後に表示
内容を保持する時の様子を示したものである。走査信号
線Ｘ、〜Ｘ１を総て選択してＭＯＳトランジスタ４２を
総てオン状態とする。また、選択回路１０４が、ライン
メモリ１０２の出力内容とは無関係にＶＨＨ電圧のみを
選択するようにする。この結果、総ての液晶画素に常に
±ＶＴの電圧が印加される。ここで、Ｖｔｂ″＞Ｖ　、
ｔ≧ＶＨとする。

本実施例によれば、第１の実施例と同様な効果が得られ
ると共に、より装置を小型化することができる。

第エフ図に本発明の第３の実施例を示す。

走査側回路を走査回路６１と選択回路７７で構成し、サ
ンプリング回路６０と切換回路６７の間に、選択回路７
５を設ける。同図に於いて第１０図と同一符号は同−物
及び相当物を示す。

第１８図は、書き込み動作時の信号タイミングを示した
ものである。ＣＰｌ＋は、走査信号で画像信号ＤＤの水
平同期信号と同期して発生している。

そこで、選択回路７７のコントロール信号ＣＰｔ。

をＨにすると走査回路６１の出力が選択されて出力され
る。この結果、第１８図に示す様に、走査信号線が順次
選択されて行く。走査信号がＨレベルの時ＭＯ８）ラン
ジスタはオン状態であるから選択回路７７を順次オンさ
せて１走査ラインのビデオ電圧を書き込む。サンプリン
グ回路６ａは高速パルスＣＰｐ　（＝ｉ　５．７ＸｎＫ
）（ｚ　）に同期してサンプリング信号ｓＩ〜Ｓ、を発
生する。この時、選択回路７５のコントロール信号ＣＰ
ＨをＨにしサンプリング信号Ｓ、−ｓ、を出力する。

一方、液晶画素如加わる電圧を交流化するためＣＰｒ信
号によりビデオ電圧の極性を１画面（フィールド）毎に
反転させる。

第１９図に本第３の実施例の保持動作時の信号タイミン
グ図を示す。

まず、ＣＰＨ信号をＬにして選択回路７３で表示保持電
圧ＶＨ以上で液晶のしきい値電圧Ｖｔ　ｈ未満のｖＨＢ
を選択する。次に、ＣＰＬ信号をＬにしＣＰＲ信号を走
査信号＃ｘ１〜Ｘ、に印加する、そこで、ＣＰＩＩ信号
の１周期毎にＣＰｒ信号の極性を反転しＭＯＳ）ランジ
スタ５２に加える電圧を＋Ｖｉ　Ｒ又は−ＶＨＨと反転
させる。この時ＣＰＲ信号の同期は、第１８図に示した
Ｔよりも長くでき、任意に定められる。

このように保持動作では、画像信号ＤＤの内容に係わり
なく低周波で液晶を励起すれば良いため、特に、サンプ
リング回路６０、ヨントロール回路６２及び走査回路６
１の動作電流を大幅に低減できる。

ところで、第６図に示した特性曲線すにおいて、透過光
が急激に減少し始める電圧は、周囲温度に影響される。

すなわち、温度が高くなるとこの電圧は減少し、逆に低
くなると増加する。このため保持電圧Ｖｕを周囲温度に
対応して変化させるのが望ましい。この実施例を第２０
図に示す。

この方式は、正の温度係数有する感温抵抗２０１とコン
デンサ２０２を用いてＣＲ発振回路を構成し周囲温度に
応じて発振器２０３の発振周波数ｆｃ　ｐを変化させる
ようにしたものである。そして波形整形回路２０４の出
力をＣＰＲ信号とする。

これにより、周囲温度が高くなるとＴｕが長くなり、最
終的には、液晶に加わる実効電圧が低下する。周囲温度
が低くなるとこの逆になる。

一方、第２１図は、ダイオード２０５の順方向電圧の温
度変化を利用した温被補償法であるいこの時、ＣＰＲ信
号の周期を一定とし液晶画素に加わる充電電圧（ビデオ
電圧）±Ｖｔを周囲温度に応じて変化させ、増幅回路２
０６で増幅させるものである。この場合、周囲温度が高
くなるとＶｔは減少し、液晶に加わる実効電圧も低下す
る。

第２２図は、本発明の第１〜第３の実施例に於ける表示
エレメントの他の構成例である。表示エレメント１４４
は、ＭＯＳトランジスタ４２と液晶画素４３と保持キャ
パシタ１４１で構成されている。保持キャパシタ１４１
を付加することで蓄積された電荷の放電時定数を大きく
することができる。このため、液晶画素に加わる充電電
圧を一定とした場合、液晶画素の電圧ｖｔ、ｃの実効値
を大きくすることができる。換言すると、液晶画素の電
圧ＶＬＣの実効値を一定とした場合、保持キャパシタン
スを付加することによって、充電電圧は小さくても良い
ことになる。

第９図に示したシリコン基板５７に代るものとして第２
３図に示したＴＰＴが上げられる。（参考文献電子材料
１９８０年９月ｐ６〜ｐ７）これは、ガラス基板９０上
にポリシリコン層９１を成長させた後Ｓ’Ｏｔ膜９４を
マスクとして、ｎ９不純物９３を拡散しドレイに（Ｄ）
、ソース（Ｓ）を形成して第９図で示したＭＯＳ）ラン
ジスタと同様の動作をさせようとするものである。これ
により、液晶マトリクスパネルを透過形にでき、さらに
表示面積を大きくできる。

本実施例では、線順次走査方式を例にとって説明したが
、これに限らず、点順次走査方式、二周波駆動法等の一
般的な時分割駆動方式に於いても本発明は適用できる。

以上述べた様に、本発明によれば、静止画のように表示
パターンの変化度合が少ない装置では、回路の消費電力
を非常に少なくできる。これにより、一枚の基板上に表
示に必要な回路を形成することができ、装置の小形化、
軽量化ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、積層方式の液晶パネルの断面図、第２図は、
従来用いていた液晶の電気光学特性を示す図、第３図は
従来の液晶マトリクス表示装置の構成図、第４図は画像
信号の波形例を示す図、第５図は液晶画素に加わる電圧
波形例を示す図、第６図は、本発明の装置に用いる液晶
の電気光学特性を示す図、第７図は本発明の装置の表示
エレメントの構成図、第８図は、第７図の具体例の平面
図、第９図は第７図の具体例の断面図、第１０図は本発
明液晶マトリクス表示装置の第１の実施例の構成図、第
１１図は書き込み動作時の信号タイミング図、第１２図
は保持動作時の信号タイミング図、第１３図は本発明の
第２の実施例の構成図、第１４図は第１３図の駆動波形
を示す図、第１５図は書き込み動作時の信号タイミング
図、第１６図は保持動作時の信号タイミング図、第１７
図は本発明の第３の実施例の構成図、第１８図は書き込
み動作時の信号タイミング図、第１９図は保持動作時の
信号タイミング図、第２０図及び第２１′図は保持動作
時の温度補償回路図、第２２図は本発明の実施例に於け
る表示エレメントの他の構成例を示す図、第２３図は本
発明の実施例に於ける基板の他の構成例を示す図である
。 ２８．４３・・・液晶画素、２６．４２・・・ＭＯＳト
ランジスタ、２１．６０・・・サンプリング回路、２２
゜第１　記 Ｖｔｆｌ−′Ｔ１５ｔＬｔ →印、７’７０ｔ７玉の実敗カイ直ｖｒｔｎｓ→Ｃ 第５図 第６０ 第７図 第９　図 第１０図 第１１　　図 第１２０ 第１４図 Ｖｔｚ＞兎８≧０ 車！５図 ′２ノ’ｔｃ（ＯＦＦ）＜Ｖｆん＜１ンレｔｃ（ＯＮ）
ｖｔル＞Ｖｙン力 第１′７図 第１Ｂ図 第２０目

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、相対面に配置され対向面にそれぞれ電極が設けられ
   た一対の基板のうち、一方は少なくとも１つの対向電極
   が設けられており、他方は複数の電極が設けられ、かつ
   上記複数の電極にそれぞれ接続され、独立に駆動される
   能動素子が設けられており、上記基板間に保持効果を有
   する液晶を介在し、上記一対の基板に設けられた電極の
   対向部分とそれらの間に位置する上記液晶とで形成され
   る複数の液晶画素が全体としてマ）　ＩＪクス状をなす
   液晶マトリクス表示装置に於いて、書き込み動作時には
   時分割駆動を行ない、保持動作時には、保持状態を保つ
   べき液晶画素に接続された能動素子を同時にオン状態に
   して、該液晶画素に同一の保持電圧を同時に印加するこ
   とを特徴とする液晶マトリクス表示装置。 ２、特許請求の範囲第１項に於いて、保持効果を有する
   液晶はネマチック・コレステリック相転移液晶およびカ
   イラルネマチ佼り相転移液晶の一方に二色性色素を添加
   したゲスト・ホスト型液晶であることを特徴とする液晶
   マトリクス表示装置。 ３、％許請求の範囲第１項に於いて、時分割駆動とは、
   線順次走査であることを特徴とする液晶マトリクス表示
   装置。 ４、特許請求の範囲第１項に於いて、能動素子はＭＯＳ
   ）ランジスタであり、同一行のＭＯＳ）ランジスタのゲ
   ート端子は、同一の走査信号線に接続され、同一列のＭ
   ＯＳトランジスタのドレイン端子は同一の画像信号線に
   接続され、ＭＯＳトランジスタのソース端子は上記他方
   の基板に設けられた電極にそれぞれ接続されることを特
   徴とするマトリクス表示装置。