JPS5856483A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPS5856483A
JPS5856483A JP56155193A JP15519381A JPS5856483A JP S5856483 A JPS5856483 A JP S5856483A JP 56155193 A JP56155193 A JP 56155193A JP 15519381 A JP15519381 A JP 15519381A JP S5856483 A JPS5856483 A JP S5856483A
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Shinjiro Kojima
小島 伸次郎
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Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は光半導体装置に関する。
従来、光半導体装置1例えばL B D (Light
Emitting Diode )ランプの製造は、例
えば第1図及び第2図に示すようC:行われていた。す
なわち、カソードリード1の先端に設けられた反射面を
有するカップ状の凹部2内に導電性樹脂3によりLID
ペレット4を固着する。次に。
このLIDベレット4とアノードリード5の先端のボン
ディング面51との間を、例えばAu(金)の金属細線
6で接続する。しかる後、これらの部分を例えば透明の
エポキシ樹脂7で封止するものである。
しかしながら、この方法では従来下記C:示すような欠
点があった。
■ 凹部2の反射面はカソードリード1と一体成形のた
め、材質に制約がある。
■ 凹部2の反射面を形成する工程において、カソード
リード1のプレスの抜き方向に対し。
直角方向C:成形ポンチを動作させなければならないた
め、プレス速度ζ:制約がある。
■ ポンディング性を向上させるための銀めっきは1本
来、ボンディング1[5鳳のみでよいカー良好な反射面
を得るためには、反射面にも銀めっきを要する。
■ リードフレームは複数枚まとめて取扱うことが多い
が、カソードリード1の先端にカップ状の凹部2が形成
されているため取扱い中に弓形C:変形しやすい。
また、LIDディスプレイにおいては、第1図(−示し
たカソードリード(リードフレームから成形)、または
印刷配線基板上にパターン形成されたカソードリード上
に、LIDランプの場合と同様にLIDペレットを固着
し、これを金属細線によりアノードリード側に接続する
サラに、L!ilDベレットの周辺に、白色樹脂により
成形され反射面を有する反射板を取付け。
この反射板上面に光拡散板を取付ける。LIDペレット
から発せられる光は、この反射面により反射し、光拡散
板を介して散乱され所望のディスプレイとなる。
しかしながら、このディスプレイにおいては次のような
欠点がある。
■ 白色樹脂が反射面となっており、金属鏡面に比べ1
反射効率が劣る。
■ 白色樹脂の選定に当っては、高反射率で。
ある糧度の耐熱性を必要とするために制約がある。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので。
その目的は、導電性リードの一方の先端部に反射面を有
する金属製容器を設け、この容器内に光半導体素子を配
設することにより、従来の種々の欠点を解消し得る光半
導体装置を提供することにある。
以下1図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第3図2二示すLIDランプにおいて。
カソードリードIIの先端にはカップ状に成形され1反
射面を有する金属製の容器12が1例えば!4図C:示
すように導電性樹脂(例えば。
銀粉が混入されたエポキシ樹Flaxsにより固着され
ている。この容@XXは例えば厚さ04)S〜Of、の
アルミ箔(二より形成される。なお。
カソードリード11の容器12との固着は、容器12の
材質によりスポット溶接等を用いてもよい。容器12の
反射面内C二は、LEDペレット14のカソード側が同
様に導電性樹脂I5により固着され、このLIDペレッ
ト14のアノード側とアノードリード16の先端のボン
ディング面I6!1との間は例えば人Uの金属細線17
(−より接続されている。”そして、これらの部分が例
えば透明のエポキシ樹脂I8により封止されている。
このLBDランプC:おいては、容器12はカソードリ
ード11と別構造であるため、反射面(容器12)には
カソードリード11の材質に制約されることなく1反射
効率の高いアルミ箔を使用できる。また、リードフレー
ムそのものは従来のような凹部が不要であるため、平ら
なものとなる0従って、抜き加工を行うだけでよく、プ
レス速度は従来の2〜3倍となり、また、取扱い中に変
形する心配も極めて少ない。さらに、カソードリード1
1とアノードリード16の各先端面の差が従来(:比べ
、容器12の分だけ大きくなるため、銀めっきを本来必
要なボンディング面161にのみ施すことが容易である
従って、fsの電着量は従来の3分の!程度に減少する
なセ、上記実施例に右いては、カソードリード11と容
器12.容器12とLIDペレット14をそれぞれ別@
C二導電性樹脂13.151’ニーより固着するように
したが、第5図のように容器12の底部I:孔19を設
ければLgDペレット14の容器12を同時に導電性樹
脂20により固着できる。
第6図はLIDディスプレイシ:ついてこの発明を実施
したものである。同図において、21は印刷配線基板上
C;パターン形成されたカソードリード、22は同じく
アノードリードである。
カソードリード2ノの先端部には第3図に示した容器1
2が固着され、この容器12の底部に帥記と同様に導電
性樹脂(図示せず)(:よりLIDベレット14のカソ
ード側が固着されている。このLBDペレット14のア
ノード側とアノードリード22の先端部は金属細線17
により接続されている。これら容器Jffi、LIDペ
レット14を含むカソードリード21及びアノードリー
ド22の先端部の周囲には、樹脂成形され上下面に開口
を有する外囲器23が取付けられている。この外囲器2
3の上面開口部には光拡散板24が粘着剤により貼付け
られている。
このLBDディスプレイにおいては、従来の白色樹脂反
射板に代り、容@12により反射効率のよい金属反射面
すなわちアルミ鏡筒を設置できる。また、従来のように
反射板を樹脂で成形した場合には、製造工場上パリ等が
発生しやすいため、LIIDペレットと反射面の最下端
部との間隔を小さくすることができなかったが、部の幅
を容易にlトさくできる。従って反射面をLiaDベレ
ット14に近づけることができ1反射効率は従来に比べ
10〜20%向上する。クロック用ディスプレイ等の文
字サイズの大きいものでは、従来の白色樹脂反射板と併
用すればさらに効果は大きい。また、逆に文字サイズの
小さいものでは、外囲器として比較的反射率の低い樹脂
を用いた外囲器23と、従来のような白色樹脂反射板の
いずれを用いてもよく、このため樹卵材料の選定条件が
緩和される。このようにこのLBbディスプレイにおい
ては、外囲器は従来ζニルべ、形状、材料面で設計上の
自由度が多くなる。なお、Lm!Dランプと同様1.容
器12の底部に孔を設けるとLBDベレット14と同時
に容s12を固着できる。
また、第6図C二示した外囲器23C:第3図に示した
カソードリード11及びアノードリード16を組込む構
造のディスプレイにおいては。
外囲器23内にリードフレームと共C:容器12を組込
み、外囲器23上面にシール用テープを接着剤により貼
付け、光拡散吻質の混入した樹脂で封止する。封止後、
シール用テープを剥がすと、第6図の光拡散板−24を
貼付けた構造のものと同様の効果が得られるディスプレ
イとなる。
尚、上記実施例に2いては、容器12をアルミ箔により
形成するようにしたが、その他の反射効率の良好な金属
C:より形成してもよいことは勿論である。
以上のようにこの発明によれば、導電性リードの一方の
先端部C:反射百を有する金属製容器を設け、この容器
内に光半導体素子を配設するようにしたので、LIDラ
ンプ及びLBDディスプレイ儂:おけるそれぞれの欠点
を解消できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のLifDランプの構成を示す斜視図、第
2図は上記LIDランプの要部断面図。 第3図はこの発明の一実施例に係るLIDランプの斜視
図、第4図は上記LIDランプの要部断面図、第5図は
この発明の他の実施例に係る要部断面図、第6図はさら
に他の実施例(:係る透視的斜視図である。 11・・・カソードリード、12−・・容器、14・・
・LBDベレット%13.15−・ψ導電性樹脂。 16・・・アノードリード、17−・・金属細線、  
1Bエポキシ樹謄。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)対向して配置された一対の導電性リードと、反射
    面を有し、前記導電性リードの一方の先端部に設けられ
    た金属製容器と、この金属製容器の反射面内;;配設さ
    れ、一方の電極が前記導電性リードの一方CI! #!
    された光半導体素子と、この光半導体素子の他方の電極
    と前記導電性リードの他方とを接続する金属細線とを^
    備したことを特徴とする光半導体装置。
  2. (2)#起生導体素子及び−記金属製容器を含む前記導
    電性リードの先端周辺部を樹脂により封止した特許請求
    の範囲第1項□記載の光半導体装置。
  3. (3)  前記光半導体素子及び前記金属製容器を含む
    前記導電性リードの先端周辺部を、一方向に開口を有す
    る外囲器内に前記反射面を前記開口面に向けて配設し、
    かつ前記開口面に光拡散板を取付けた社特許請求の範囲
    第1項記載の光半導体装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465882A (en) * 1987-09-04 1989-03-13 Rohm Co Ltd Light emitting equipment
EP0374121A2 (de) * 1988-12-16 1990-06-20 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
US5763901A (en) * 1992-12-17 1998-06-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
WO2002091478A3 (de) * 2001-05-07 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement
US6677614B1 (en) 1992-12-17 2004-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US6808950B2 (en) 1992-12-17 2004-10-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7281860B2 (en) 2003-06-06 2007-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Optical transmitter
JP2009141317A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Omron Corp 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサならびに光半導体パッケージの製造方法
JP2011526740A (ja) * 2008-07-01 2011-10-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ledに関する近接コリメータ
EP2485285A3 (de) * 2000-04-26 2015-09-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465882A (en) * 1987-09-04 1989-03-13 Rohm Co Ltd Light emitting equipment
EP0374121A2 (de) * 1988-12-16 1990-06-20 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
EP0374121A3 (de) * 1988-12-16 1991-01-16 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
US6808950B2 (en) 1992-12-17 2004-10-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US6677614B1 (en) 1992-12-17 2004-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7094619B2 (en) 1992-12-17 2006-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of fabricating a light emitting device
US5763901A (en) * 1992-12-17 1998-06-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7288795B2 (en) 1992-12-17 2007-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7297984B2 (en) 1992-12-17 2007-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7315046B2 (en) 1992-12-17 2008-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
EP2485285A3 (de) * 2000-04-26 2015-09-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1277242B1 (de) * 2000-04-26 2018-08-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement und verfahren zur dessen herstellung
WO2002091478A3 (de) * 2001-05-07 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement
US7281860B2 (en) 2003-06-06 2007-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Optical transmitter
JP4525804B2 (ja) * 2007-11-16 2010-08-18 オムロン株式会社 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサ
JP2009141317A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Omron Corp 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサならびに光半導体パッケージの製造方法
JP2011526740A (ja) * 2008-07-01 2011-10-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ledに関する近接コリメータ

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