JPS5856356A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPS5856356A
JPS5856356A JP15558781A JP15558781A JPS5856356A JP S5856356 A JPS5856356 A JP S5856356A JP 15558781 A JP15558781 A JP 15558781A JP 15558781 A JP15558781 A JP 15558781A JP S5856356 A JPS5856356 A JP S5856356A
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JP
Japan
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photosensitive resin
resin film
pattern
insulating film
forming
Prior art date
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Application number
JP15558781A
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Japanese (ja)
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JPS6359540B2 (en
Inventor
Kazuhiko Tsuji
和彦 辻
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make a hole on an insulating film on the first conductor with high accuracy, and to prevent the displacement of the mask alignment of an opening section and a conductor wiring layer by forming the first pattern with the first opening to a photosensitive resin film formed onto the insulating film. CONSTITUTION:A reverse conduction type impurity is diffused to one conduction type silicon semiconductor substrate 10, and the first conductor layer 11 is formed selectively. The insulating film 12 and the first photosensitive resin film 13 are shaped to the whole surface, and the opening section 14 is formed to the film 13. The first photosensitive resin film 13 is baked, and the second photosensitive resin film 15 is shaped to the whole surface. The pattern 15' is formed to the second photosensitive resin, and the insulating film 12 is exposed in a crossing section. The insulating film 12 is removed through etching and the opening section 16' is molded, and the first photosensitive resin film 13 is removed. The second conductor layer 17 is formed, followed by the shaping of the third photosensitive resin 18.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、マスク枚数が少
なく、高密度化が可能な絶縁膜の開孔部および配線層パ
ターンの形成方法を提供するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and provides a method for forming an opening in an insulating film and a wiring layer pattern, which requires a small number of masks and can achieve high density.

半導体装置の製造工程゛において、絶縁膜への開孔部の
形成および配線パターンの従来の形成方法を第1図に示
す。半導体基板1およびこの中に形成した導電体層1・
上に絶縁膜2および感光性樹脂膜3を形成し、開孔部形
成用フォトマスクにより選択的に紫外線を照射し、樹脂
膜3に所定の開孔部4を形成する(ム)。感光性樹脂膜
3を食刻マスクとして絶縁膜2を食刻し、開孔部を形成
した後感光性樹脂膜3を除去する。全面に導電体層5お
よび感光性樹脂膜6を形成した後、配線層パターンを有
するフォトマスクにより感光性樹脂膜パターン6′を形
成する(B)。感光性樹脂膜パター3、 、。
FIG. 1 shows a conventional method for forming an opening in an insulating film and a wiring pattern in the manufacturing process of a semiconductor device. A semiconductor substrate 1 and a conductive layer 1 formed therein.
An insulating film 2 and a photosensitive resin film 3 are formed thereon, and ultraviolet rays are selectively irradiated using a hole-forming photomask to form predetermined openings 4 in the resin film 3 (step 3). The insulating film 2 is etched using the photosensitive resin film 3 as an etching mask to form an opening, and then the photosensitive resin film 3 is removed. After forming the conductive layer 5 and the photosensitive resin film 6 on the entire surface, a photosensitive resin film pattern 6' is formed using a photomask having a wiring layer pattern (B). Photosensitive resin film pattern 3.

ン6・を食刻マスクとして、導電体層6を食刻した後感
光性樹脂膜を除去し、導電体層1・に接続された配線層
パターン7を形成する。(ム・)、(C・)は(ム)、
(C)の平面パターンを示す図である。
After etching the conductor layer 6 using the conductor layer 6 as an etching mask, the photosensitive resin film is removed to form a wiring layer pattern 7 connected to the conductor layer 1. (Mu・), (C・) is (Mu),
It is a figure which shows the plane pattern of (C).

かかる方法では開孔部形成用のフォトマスクと配線層形
成用フォトマスクの2種類が必要である。
This method requires two types of photomasks: a photomask for forming the opening and a photomask for forming the wiring layer.

また開孔部形成用感光性樹脂膜3を除去後、新たに配線
層形成用感光性樹脂膜6・を形成するため。
Also, after removing the photosensitive resin film 3 for forming the opening, a new photosensitive resin film 6 for forming the wiring layer is formed.

開孔部と配線層パターンの位置合せ精度が必要であり合
わせ余裕lを必要とし、高密度化の妨げとなっている。
The positioning accuracy of the opening and the wiring layer pattern is required, and an alignment margin l is required, which hinders high density.

また開孔部の巾が小さくなってくると光の回折現像など
のためフォトマスクに忠実なパターンが形成できず角が
丸くなるという欠点がありだ。
Furthermore, as the width of the opening becomes smaller, a pattern faithful to the photomask cannot be formed due to light diffraction development, resulting in rounded corners.

本発明は絶縁膜の開孔を精度良く行い、かつ開孔部と導
体配線層のマ薫り合せズレのない方法を提供するもので
ある。
The present invention provides a method in which holes are formed in an insulating film with high precision, and there is no misalignment between the holes and the conductor wiring layer.

第2図に従って本発明の一実施例を説明する。An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

−導電型シリコン半導体基板10にたとえば反対導電型
不純物を拡散し第1導電体層11を選択的に形成する。
- selectively forming the first conductor layer 11 by diffusing, for example, an opposite conductivity type impurity into the conductivity type silicon semiconductor substrate 10;

全面に絶縁膜12および第1の感光性樹脂膜13を形成
する(ム)。第1導電体層11の形成に用いた第1のフ
ォトマスクを用い第1の感光性樹脂膜13に開孔部14
を形成する(B)。第1の感光性樹脂膜13にベーキン
グ処理を行なった後、全面に第2の感光性樹脂膜16を
第1の感光性樹脂膜13より厚く、表面が平坦になるよ
うに形成する(C)。
An insulating film 12 and a first photosensitive resin film 13 are formed on the entire surface (step 3). Openings 14 are formed in the first photosensitive resin film 13 using the first photomask used to form the first conductor layer 11.
(B). After baking the first photosensitive resin film 13, a second photosensitive resin film 16 is formed on the entire surface so that it is thicker than the first photosensitive resin film 13 and has a flat surface (C). .

次に第1の導電体層11と接続される第2の導電体層の
パターンを有する第2のフォトマスクを用い、第2の感
光性樹脂膜にパターン16・を形成する(D)。第1の
感光性樹脂膜13のパターンと第2の感光性樹脂膜パタ
ーン16・の交差部16では絶縁膜12が露出する。
Next, a pattern 16 is formed on the second photosensitive resin film using a second photomask having a pattern of a second conductive layer connected to the first conductive layer 11 (D). The insulating film 12 is exposed at the intersection 16 between the pattern of the first photosensitive resin film 13 and the second photosensitive resin film pattern 16.

次に絶縁膜12を食刻除去して開孔部16・を形成した
後(X)、露出している第1の感光性樹脂膜13を酸素
プラズマ処理などにより除去する。
Next, after etching away the insulating film 12 to form an opening 16 (X), the exposed first photosensitive resin film 13 is removed by oxygen plasma treatment or the like.

このとき同時に第2の感光性樹脂膜パターン16′も一
部除去されるが、第1の感光性樹脂膜よりも厚く形成し
であるのでパターン16・下の第1の感6;−ご 光性樹脂膜13・は残留する。
At this time, a part of the second photosensitive resin film pattern 16' is also removed, but since it is formed thicker than the first photosensitive resin film, the pattern 16 and the lower first pattern 6; The resin film 13 remains.

全面に金属などの第2の導体層17を形成し、さらに第
3の感光性樹脂膜18を、残留している第1および第2
の感光性樹脂膜13’、15・の膜厚より厚く形成する
(F)。前記第2の導電層パターン形成用の第2のフォ
トマスクを用いるかあるいは第2図(G)に示すように
第3の感光性樹脂膜を全面にわたり薄くしていき、第1
および第2の感光性樹脂膜13’ 、 15・以外の凹
部の領域にのみ第3の感光性樹脂膜パターン18′を形
成する。次にパターン18・をマスクとして第2の導電
体層の露出領域を食刻除去し、配線層パターン17・を
形成する。
A second conductor layer 17 made of metal or the like is formed on the entire surface, and a third photosensitive resin film 18 is then applied to the remaining first and second conductor layers.
(F). Either by using the second photomask for forming the second conductive layer pattern, or by thinning the third photosensitive resin film over the entire surface as shown in FIG.
A third photosensitive resin film pattern 18' is formed only in the recessed areas other than the second photosensitive resin films 13' and 15. Next, using the pattern 18 as a mask, the exposed region of the second conductor layer is etched away to form a wiring layer pattern 17.

上記実施例において第2図(D)に示した絶縁膜12の
食刻工程をプラズマあるいはスパッタ法によるいわゆる
ドライエツチングで行なうことにより1次の第2の感光
性樹脂膜の除去および第2の導体層の形成までを連続し
て真空雰囲気の中で行なうことができる。
In the embodiment described above, the etching process of the insulating film 12 shown in FIG. The process up to the formation of layers can be performed continuously in a vacuum atmosphere.

また第2の導体層形成前に、第1と第2の接続6、、、
Also, before forming the second conductor layer, the first and second connections 6,...
.

抵抗を小さくするためあらかじめ溶液あるいはドライエ
ツチングにより、酸素プラズマ処理により第1導体層上
に形成された絶縁膜を除去してもよい0 上記実施例では第1のフォトマスクとして第1の導電体
層パターンを有するマスクを用いたが、第1および第2
の導電体層の接続部で第2の導電体層パターンと交差す
る他のフォトマスクを用いてもよいことはいうまでもな
い。
In order to reduce the resistance, the insulating film formed on the first conductor layer by oxygen plasma treatment may be removed in advance by solution or dry etching. In the above embodiment, the first conductor layer is used as the first photomask. A mask with a pattern was used, but the first and second
It goes without saying that another photomask may be used that intersects the second conductor layer pattern at the connection portion of the conductor layer.

なお、第2固止)に示すように、第2の導体層パターン
17′の長手方向には余裕寸法mを残しておく方が、開
孔部の形成を精度よく行なうことができる。
Incidentally, as shown in (Second Fixation), the openings can be formed more accurately if a margin m is left in the longitudinal direction of the second conductor layer pattern 17'.

以上のように、本発明によれば開孔部を第1および第2
の導電体層形成用のフォトマスクにより形成できるため
、開孔部形成用の別のフォトマスクを消略できる。また
開孔部の角は異なるフォトマスクの2辺により構成され
るため形状が丸くなることはない。また、開孔部の形成
と配線層の形成を連続して行なえるため、従来と異なり
位置合要とせず高密度化が可能である。
As described above, according to the present invention, the opening portion is
Since the conductor layer can be formed using a photomask for forming the conductor layer, a separate photomask for forming the opening can be omitted. Furthermore, since the corners of the opening are formed by two sides of different photomasks, the shape is not rounded. Further, since the formation of the opening and the formation of the wiring layer can be performed continuously, unlike the conventional method, high density can be achieved without requiring positioning.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来例を説明するための図で(ム)〜(C)は
構造断面図、同(ム−) 、 (C・)はそれぞれ(ム
l 、 (C)の状態の平面図、第2図は本発明の一実
施例の配線パターンの製造工程を説明するための図で、
(ム)〜(H)は構造断面図、(B′) 、 (D′)
 、 (H・)は同CB+ 、 (D) 。 (H)の状態の平面図である。 1o・・・・・・半導体基板、11・・・・・・第1導
電体層、12・・・・・・絶縁膜、13・・・・・・第
1の感光性樹脂、14 、16’・・・・・・開孔部、
16・・・・・・・第2の感光性樹脂パターン、16・
・・・・・交差部、17・・・・・・配線層パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名II
図 12図 第2図 手続補正書蛎式) 昭和57年3 月 7F3 特許庁長官殿 l事件の表示 昭和56年特許願第155587号 2発明の名称 半導体装置の製造方法 3補正をする者 事イ′1との関係      特  許  出  願 
 人住 所  大阪府門真市大字門真1006番地名 
称 (582)松下電器産業株式会社代表者    山
  下  俊  彦 4代理人 〒571 住 所  大阪府門真市大字門真1006番地松下電器
産業株式会社内 特開昭58−56356(4) 明    細    書 1、発明の名称 半導体装置の製造方法 2、特許請求の範囲 (1)  第1の導電体上の絶縁膜上に形成された第1
の感光性樹脂膜に、前記第1の導電体上に第1の開孔部
を有する第1のパターンを形成する工程と、第2の感光
性樹脂膜を前記第1の感光性樹脂膜より厚く塗布し、前
記第2の感光性樹脂膜に、前記第1のパターンと第1の
開孔部と交差する第2の開孔部を有する第2のパターン
を形成する工程と、前記第1と第2のパターンの開孔部
の交差部で露出した前記絶縁膜を食刻除去する工程と、
前記第1の感光性樹脂膜の露出部を食刻除去する工程と
、全面に第2の導電体層を形成した後、前記第2の導電
体層を選択的に除去し前記第1の導電体に接するととも
に前記第2のパターンに応じた配線パターンを形成する
工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 (2)第1の導電体の形成に、第1のパターン形成2/
、〜 と同じマスクを用いることを特徴とする特許請求の範囲
第1項に記載の半導体装置の製造方法。 3、発明の詳細な説明 本発明は半導体装置の製造方法に関し、マスク枚数が少
なく、高密度化が可能な絶縁膜の開孔部および配線層パ
ターンの形成方法を提供するものである。 半導体装置の製造工程において、絶縁膜への開孔部の形
成および配線パターンの従来の形成方法を第1図に示す
。半導体基板1およびこの中に形成した導電体層1′上
に絶縁膜2および感光性樹脂膜3を形成し、開孔部形成
用フォトマスクより選択的に紫外線を照射し、樹脂膜3
に所定の開孔部4を形成する(A)。感光性樹脂膜3を
食刻マスクとして絶縁膜2を食刻し、開孔部を形成した
後感光性樹脂膜3を除去する。全面に導電体層5および
感光性樹脂膜6を形成した後、配線層パターンを有する
フォトマスクによシ感光性樹脂膜パターン6′を形成す
る(B)。感光性樹脂膜パターン6′を食刻マスクとし
て、導電体層6を食刻した372.・ 後感光性樹脂膜6′を除去し、導電体層1′に接続され
た配線層パターン7を形成する(Q、lll1?、(ト
)は(5)、(Qの平面パターンを示す図である。 かかる方法では開孔部形成用のフォトマスクと配線層形
成用フォトマスクの2種類が必要である。 また開孔部形成用感光性樹脂膜3を除去後、新たに配線
層形成用感光性樹脂膜6′を形成するため、開孔部と配
線層パターンの位置合せ精度が必要であり合わせ余裕2
を必要とし、高密度化の妨げとなっている。また開孔部
の巾が小さく々ってくると光の回折現像などのためフォ
トマスクに忠実なパターンが形成できず角が丸くなると
いう欠点があった。 本発明は絶縁膜の開孔を精度良く行い、かつ開孔部と導
体配線層のマスク合せズレのない方法を提供するもので
ある。  。 第2図に従って本発明の一実施例を説明する。 −導電型シリコン半導体基板10にたとえば反対導電型
不純物を拡散し第1導電体層11を選択的に形成する。 全面に絶縁膜12および第1の感光41.。 性樹脂膜13を形成する(5)。第1導電体層11の形
成に用いた第1のフォトマスクを用い第1の感光性樹脂
膜13に開孔部14を形成する(B)。第1の感光性樹
脂膜13にベーキング処理を行なった後、全面に第2の
感光性樹脂膜15を第1の感光性樹脂膜13より厚く、
表面が平坦になるように形成する(Q。 次に第1の導電体層11と接続される第2の導電体層の
パターンを有する第2のフォトマスクを用い、第2の感
光性樹脂膜にパターン15′を形成する(Q、第1の感
光性樹脂膜13のパターンと第2の感光性樹脂膜パター
ン16′の交差部16では絶縁膜12が露出する。 次に絶縁膜12を食刻除去して開孔部16′を形成した
後(E)、露出している第1の感光性樹脂膜13を酸素
プラズマ処理などにより除去する。 このとき同時に第2の感光性樹脂膜パターン16′も一
部除去されるが、第1の感光性樹脂膜よりも厚く形成し
であるのでパターン15′下の第1の感光性樹脂膜13
′は残留する。 1S開昭58−5 (i 35 (i (5)全面に金
属などの第2の導体層、、17を形成し、さらに第3の
感光性樹脂膜18を、残留している第1および第2の感
光性樹脂膜13’、15’の膜厚より厚く形成する(F
)。前記第2の導電層パターン形成用の第2のフォトマ
スクを用いるかあるいは第2図に)に示すように第3の
感光性樹脂膜を条面にわたり薄くしていき、第1および
第2の感光性樹脂膜13’、15’以外の凹部の領域に
のみ第3の感光性樹脂膜パターン18′を形成する。次
にパターン18′をマスクとして第2の導電体層の露出
領域を食刻除去し、配線層パターン17′を形成する。 上記実施例において第2図(ロ)に示した絶縁膜12の
食刻工程をプラズマあるめはスパッタ法によるいわゆる
ドライエツチングで行なうことにより、次の第2の感光
性樹脂膜の除去および第2の導体層の形成までを連続し
て真空雰囲気の中で行なうことができる。 また第2の導体層形成前に、第1と第2の接続抵抗を小
さくするためあらかじめ溶液あるいはドライエツチング
により、酸素プラズマ処理により第1導体層上に形成さ
れた絶縁膜を除去してもよい0 上記実施例では第1のフォトマスクとして第1の導電体
層パターンを有するマスクを用いたが、第1および第2
の導、電体層の接続部で第2の導電体層パターンと交差
する他のフォトマスクを用いてもよいことはいうまでも
ない。 なお、第2図(ハ)に示すように、第2の導体層パター
ン17′の長手方向には余裕寸法mを残しておく方が、
開孔部の形成を精度よく行なうことができる。尚、同図
(I) 、 (J) 、 (K)は(B) 、 (D)
 、 Hの平面パターンを示す図である。 以上のように、本発明によれば開孔部を第1および第2
の導電体層形成用のフォトマスクにより形成できるため
、開孔部形成用の別のフォトマスクを消略できる。また
開孔部の角は異なるフォトマスクの2辺により構成され
るだめ形状が丸くなることはない。また、開孔部の形成
と配線層の形成を連続して行なえるため、従来と異なり
位置合せ精度が向上し、従来のような合せ余裕寸法を必
要とせず高密度化が可能である。 4、図面の簡単な説明 第1図は従来例を説明するだめの図で(ハ)〜(qは構
造断面図、同p)、に)はそれぞれ(5)、(C1の状
態の平面図、第2図は本発明の一実施例の配線パターン
の製造工程を説明するだめの図で、(6)〜(ハ)は構
造断面図、(I) 、、、、 (J) 、(イ)は同(
f3) 、 (D) 、 (F()の状態の平面図であ
る。 1o・・・・・・半導体基板、11・・・・・・第1導
電体層、12・・・・・絶縁膜、13・・・・・・第1
の感光性樹脂、14 、16’・・・・・開孔部、15
′・・・・・・第2の感光性樹脂パターン、16・・・
・・交差部、17・・・・・・配線層パターン。
FIG. 1 is a diagram for explaining a conventional example, and (M) to (C) are structural sectional views, (M) and (C) are plan views of the states of (Ml and (C), respectively). FIG. 2 is a diagram for explaining the manufacturing process of a wiring pattern according to an embodiment of the present invention.
(M) to (H) are structural cross-sectional views, (B') and (D')
, (H.) is the same CB+, (D). It is a top view of the state of (H). 1o... Semiconductor substrate, 11... First conductor layer, 12... Insulating film, 13... First photosensitive resin, 14, 16 '...Opening part,
16...Second photosensitive resin pattern, 16.
...Intersection, 17...Wiring layer pattern. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and one other person II
Figure 12 Figure 2 Procedural amendment form) March 1980 7F3 Director of the Japan Patent Office l Case display 1982 Patent Application No. 155587 2 Name of the invention Method for manufacturing semiconductor devices 3 Person making the amendment Relationship with '1 Patent application
Address: 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture
Name (582) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Representative Toshihiko Yamashita 4 Agent 571 Address 1006 Oaza Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. JP 58-56356 (4) Specification 1; Title of the invention: Method for manufacturing a semiconductor device 2, Claims (1) A first semiconductor device formed on an insulating film on a first conductor.
forming a first pattern having a first opening on the first conductor in the photosensitive resin film; forming a second photosensitive resin film from the first photosensitive resin film; forming a second pattern on the second photosensitive resin film having a second opening that intersects with the first pattern and the first opening; and a step of etching away the insulating film exposed at the intersection of the openings of the second pattern;
After etching away the exposed portion of the first photosensitive resin film and forming a second conductor layer on the entire surface, selectively removing the second conductor layer and removing the first conductor layer. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of forming a wiring pattern that is in contact with a body and corresponds to the second pattern. (2) First pattern formation 2/
, ~ The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the same mask is used. 3. Detailed Description of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and provides a method for forming openings in an insulating film and wiring layer patterns, which requires a small number of masks and enables high density. FIG. 1 shows a conventional method of forming an opening in an insulating film and forming a wiring pattern in the manufacturing process of a semiconductor device. An insulating film 2 and a photosensitive resin film 3 are formed on the semiconductor substrate 1 and the conductive layer 1' formed therein, and the resin film 3 is selectively irradiated with ultraviolet rays from a photomask for forming an opening.
A predetermined opening 4 is formed in (A). The insulating film 2 is etched using the photosensitive resin film 3 as an etching mask to form an opening, and then the photosensitive resin film 3 is removed. After forming the conductive layer 5 and the photosensitive resin film 6 on the entire surface, a photosensitive resin film pattern 6' is formed using a photomask having a wiring layer pattern (B). 372. The conductor layer 6 was etched using the photosensitive resin film pattern 6' as an etching mask. - After removing the photosensitive resin film 6', a wiring layer pattern 7 connected to the conductor layer 1' is formed (Q, lll1?, (G) is (5), (Figure showing the planar pattern of Q) This method requires two types of photomasks: a photomask for forming the opening and a photomask for forming the wiring layer.Furthermore, after removing the photosensitive resin film 3 for forming the opening, a new photomask for forming the wiring layer is used. In order to form the photosensitive resin film 6', alignment accuracy between the opening and the wiring layer pattern is required, and alignment margin 2 is required.
This is an impediment to higher density. Furthermore, when the width of the opening becomes small, a pattern faithful to the photomask cannot be formed due to light diffraction development and the like, resulting in rounded corners. The present invention provides a method in which holes in an insulating film are formed with high accuracy and there is no misalignment of mask alignment between the holes and the conductor wiring layer. . An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. - selectively forming the first conductor layer 11 by diffusing, for example, an opposite conductivity type impurity into the conductivity type silicon semiconductor substrate 10; An insulating film 12 and a first photosensitive layer 41 are formed on the entire surface. . A synthetic resin film 13 is formed (5). Openings 14 are formed in the first photosensitive resin film 13 using the first photomask used to form the first conductor layer 11 (B). After baking the first photosensitive resin film 13, a second photosensitive resin film 15 is applied to the entire surface, which is thicker than the first photosensitive resin film 13.
Form the surface so that it is flat (Q. Next, using a second photomask having a pattern of the second conductor layer connected to the first conductor layer 11, the second photosensitive resin film is formed so that the surface is flat. (Q) The insulating film 12 is exposed at the intersection 16 of the pattern of the first photosensitive resin film 13 and the second photosensitive resin film pattern 16'. Next, the insulating film 12 is etched. After cutting and removing to form the openings 16' (E), the exposed first photosensitive resin film 13 is removed by oxygen plasma treatment or the like.At the same time, the second photosensitive resin film pattern 16 is removed. ' is also partially removed, but since it is formed thicker than the first photosensitive resin film, the first photosensitive resin film 13 below the pattern 15' is removed.
′ remains. (5) A second conductive layer 17 made of metal or the like is formed on the entire surface, and a third photosensitive resin film 18 is further applied to the remaining first and third conductor layers. It is formed thicker than the photosensitive resin films 13' and 15' of No. 2 (F
). Either by using the second photomask for forming the second conductive layer pattern, or by thinning the third photosensitive resin film over the strip surface as shown in FIG. A third photosensitive resin film pattern 18' is formed only in the recessed areas other than the photosensitive resin films 13' and 15'. Next, using the pattern 18' as a mask, the exposed area of the second conductive layer is etched away to form a wiring layer pattern 17'. In the above embodiment, the etching process of the insulating film 12 shown in FIG. The steps up to the formation of the conductor layer can be performed continuously in a vacuum atmosphere. Furthermore, before forming the second conductor layer, the insulating film formed on the first conductor layer may be removed by oxygen plasma treatment using a solution or dry etching in order to reduce the connection resistance between the first and second conductors. 0 In the above example, a mask having a first conductor layer pattern was used as the first photomask, but the first and second photomasks were
It goes without saying that another photomask may be used that intersects the second conductor layer pattern at the connection portion of the conductor layer and the conductor layer. Note that, as shown in FIG. 2(c), it is better to leave a margin m in the longitudinal direction of the second conductor layer pattern 17'.
The openings can be formed with high precision. In addition, (I), (J), (K) in the same figure are (B), (D)
, H is a diagram showing a plane pattern. As described above, according to the present invention, the opening portion is
Since the conductor layer can be formed using a photomask for forming the conductor layer, a separate photomask for forming the opening can be omitted. Further, the corners of the openings are not rounded because they are formed by two sides of different photomasks. Furthermore, since the formation of the openings and the formation of the wiring layer can be performed continuously, the alignment accuracy is improved unlike in the past, and high density is possible without requiring the alignment allowance as in the past. 4. Brief explanation of the drawings Figure 1 is a diagram for explaining the conventional example. , FIG. 2 is a diagram for explaining the manufacturing process of a wiring pattern according to an embodiment of the present invention, (6) to (c) are structural cross-sectional views, (I), (J), (I). ) is the same as (
f3), (D), (F() is a plan view of the state. 1o... Semiconductor substrate, 11... First conductor layer, 12... Insulating film , 13... 1st
Photosensitive resin, 14, 16'... Opening part, 15
'...Second photosensitive resin pattern, 16...
...Intersection, 17...Wiring layer pattern.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1の導電体上の絶縁膜上に形成された第1の感
光性樹脂膜に、前記第1の導電体上に第1の開孔部を有
する第1のパターンを形成する工程と、第2の感光性樹
脂膜を前記第1の感光性樹脂膜より厚く塗布し、前記第
2の感光性樹脂膜に、前記第1のパターンと第1の開孔
部と交差する第2の開孔部を有する第2のパターンを形
成する工程と、前記第1と第2のパターンの開孔部の交
差部で露出した前記絶縁膜を食刻除去する工程と、前記
第1の感光性樹脂膜の露出部を食刻除去する工程と、全
面に第2の導電体層を形成し、た後、前記第2の導電体
層を選択的に除去し前記第1の導電体に接するとともに
前記第2のパターンに応じた配線パターンを形成する工
程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(1) Forming a first pattern having a first opening on the first conductor in the first photosensitive resin film formed on the insulating film on the first conductor. A second photosensitive resin film is applied thicker than the first photosensitive resin film, and a second photosensitive resin film is coated on the second photosensitive resin film to intersect with the first pattern and the first opening. forming a second pattern having apertures; etching away the insulating film exposed at the intersection of the apertures of the first and second patterns; a step of etching away the exposed portion of the conductive resin film, and forming a second conductive layer on the entire surface, and then selectively removing the second conductive layer so as to contact the first conductive layer. and a step of forming a wiring pattern according to the second pattern.
(2)第1の導電化ρ形成に、第1のパターン形成と同
じマスクを用いることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の半導体装置の製造方法。
(2) Claim 1 characterized in that the same mask as the first pattern formation is used for the first conductive ρ formation.
A method for manufacturing a semiconductor device according to paragraph 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62268659A (en) * 1986-05-19 1987-11-21 Canon Inc Image recording apparatus

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