JPS5855662B2 - ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5855662B2 JPS5855662B2 JP10616575A JP10616575A JPS5855662B2 JP S5855662 B2 JPS5855662 B2 JP S5855662B2 JP 10616575 A JP10616575 A JP 10616575A JP 10616575 A JP10616575 A JP 10616575A JP S5855662 B2 JPS5855662 B2 JP S5855662B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lifetime
- semiconductor device
- killer
- concentration
- seizou
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はライフタイト特性を非対称にした半導体装置の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
高速サイリスクなどにおいて、高電圧、大電流容量の素
子を得るためには第１図示のように、ＰＮＰ型半導体装
置の両層の境界Ｊｌ ｔＪ２近傍のそれぞれのライフタ
イムτ１．τ３とＮ層の中間部のライフタイムτ２との
関係をτ１〈τ３〈τ２Ｃようにコントロールすること
が必要である。
子を得るためには第１図示のように、ＰＮＰ型半導体装
置の両層の境界Ｊｌ ｔＪ２近傍のそれぞれのライフタ
イムτ１．τ３とＮ層の中間部のライフタイムτ２との
関係をτ１〈τ３〈τ２Ｃようにコントロールすること
が必要である。
そうして、ライフタイムを制御するには、たとえば、Ｐ
ＮＰ型、ＮＰＮ型などの半導体装置の両面に金などの不
純物（以下ライフタイムキラーと称する。
ＮＰ型、ＮＰＮ型などの半導体装置の両面に金などの不
純物（以下ライフタイムキラーと称する。
）■を被着し、加熱して拡散させる方法が知られている
。
。
この場合、第１図示のように２１層の厚さａと２２層の
厚さａとが等しくかつドープ剤の濃度分布り、 、 Ｄ
、、が対称であると、第２図示のように、ライフタイム
キラー■、■が拡散して生じるライフタイムキラー濃度
分布■７．■２が対称になり、かつ表層から深層に進む
に従って低濃度になる。
厚さａとが等しくかつドープ剤の濃度分布り、 、 Ｄ
、、が対称であると、第２図示のように、ライフタイム
キラー■、■が拡散して生じるライフタイムキラー濃度
分布■７．■２が対称になり、かつ表層から深層に進む
に従って低濃度になる。
また、両者の境界Ｊ、、Ｊ２におけるライフタイムキラ
ー濃度も等しくなる。
ー濃度も等しくなる。
この場合、ライフタイム特性はτ１−τ３〈τ２となり
、漏れ電流が増大し、温度特性が悪くなる。
、漏れ電流が増大し、温度特性が悪くなる。
また、第３図示のようにたとえばＰＮＰ型半導体装置の
一面だけライフタイムキラー■を被着し、加熱して拡散
させる方法が知られている。
一面だけライフタイムキラー■を被着し、加熱して拡散
させる方法が知られている。
この場合、ライフタイムキラー濃度■１は一面から他の
面に向って次第に低くなりライフタイム特性はτ１〈τ
２くτ３となる。
面に向って次第に低くなりライフタイム特性はτ１〈τ
２くτ３となる。
これではサイリスクの高速化は困難である。
そこで、従来は第３図示の一面だけからの拡散を時期と
条件とを異にして各面についてそれぞれ行って、ライフ
タイムキラー濃度分布を非対称にし、これによってτ１
〈τ３〈τ２なるライフタイム特性を得ていた。
条件とを異にして各面についてそれぞれ行って、ライフ
タイムキラー濃度分布を非対称にし、これによってτ１
〈τ３〈τ２なるライフタイム特性を得ていた。
しかし、この方法はライフタイムキラーの被着と拡散と
を２回行うので、時間と労力を多く必要とし、また所望
のライフタイム特性のものが得難かった。
を２回行うので、時間と労力を多く必要とし、また所望
のライフタイム特性のものが得難かった。
本発明はこのような従来技術の欠点を除き、製造が簡単
で、ライフタイム特性の制御が容易で品質偏差の小さい
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
で、ライフタイム特性の制御が容易で品質偏差の小さい
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は処理すべき半導体が第１図示のように、ドープ
剤濃度Ｄ１．Ｄ２が厚さ方向に対称であり、かつその濃
度は表面から深層に進むに従って次第に低くなることに
着目し、ざらにドープ剤であるガリウム（Ｇａ）やりん
（Ｐ）かゲツタアクションによってライフタイムキラー
の拡散を妨害する性質があることを利用して、ライフタ
イムキラーを非対称に拡散させるものである。
剤濃度Ｄ１．Ｄ２が厚さ方向に対称であり、かつその濃
度は表面から深層に進むに従って次第に低くなることに
着目し、ざらにドープ剤であるガリウム（Ｇａ）やりん
（Ｐ）かゲツタアクションによってライフタイムキラー
の拡散を妨害する性質があることを利用して、ライフタ
イムキラーを非対称に拡散させるものである。
すなわち、第１図示のように２１層も２２層も同一厚さ
で、ドープ剤濃度も対称である未処理半導体装置を用意
した。
で、ドープ剤濃度も対称である未処理半導体装置を用意
した。
そうして、第４図示のようにその一面Ｐ１を数μエツチ
ングして層の厚さをｂとした。
ングして層の厚さをｂとした。
この結果ｂ ＜ ａとなり、特に、ドープ剤濃度Ｄ１の
最も大きい表層部を除去したので、ドープ剤濃度ＤＩ
？ Ｄ２は非対称になった。
最も大きい表層部を除去したので、ドープ剤濃度ＤＩ
？ Ｄ２は非対称になった。
そうして両面Ｐ１．Ｐ２にそれぞれ金などのライフタイ
ムキラーＩ、Ｉを被着し、加熱しライフタイムキラー■
を拡散させた。
ムキラーＩ、Ｉを被着し、加熱しライフタイムキラー■
を拡散させた。
すると、エツチングした面Ｐ１はドープ剤濃度Ｄ１が低
下しているのでドープ剤であるガリウムのゲッタアクシ
ョンが弱く、したがって容易にライフタイムキラーＩが
拡散して高い濃度分布■１を示し、エツチングしない面
Ｐ２はドープ剤濃度Ｄ２が高いのでゲッタアクションに
よってライフタイムキラー■の拡散が少く、低い濃度分
布になる。
下しているのでドープ剤であるガリウムのゲッタアクシ
ョンが弱く、したがって容易にライフタイムキラーＩが
拡散して高い濃度分布■１を示し、エツチングしない面
Ｐ２はドープ剤濃度Ｄ２が高いのでゲッタアクションに
よってライフタイムキラー■の拡散が少く、低い濃度分
布になる。
この結果両層の境界Ｊ１．Ｊ２近傍のライフタイムキラ
ー濃度がＩ１〉Ｉ２の関係になる。
ー濃度がＩ１〉Ｉ２の関係になる。
したがって、ライフタイム特性はＩ１〈Ｉ３〈Ｉ２の関
係になり、良好な半導体特性が得られる。
係になり、良好な半導体特性が得られる。
なお、本発明において、エツチングは不可欠でなく、要
はドープ剤濃度の高い表層部を除去して一面だけドープ
剤濃度を下げればよい。
はドープ剤濃度の高い表層部を除去して一面だけドープ
剤濃度を下げればよい。
また、本発明は前述のほか、ＮＰＮ型半導体、ＰＮＰＮ
Ｐ型半導体など、対称構造の半導体には総て適用できる
。
Ｐ型半導体など、対称構造の半導体には総て適用できる
。
このように、本発明は厚さ方向対称構造を有する半導体
装置の一面の表層部を除去してドープ剤濃度を低下させ
、そののち上記半導体装置の両面にライフタイムキラー
を被着し拡散させて厚さ方向のライフタイムキラー濃度
分布を非対称にしたので、ライフタイム特性が良好で、
高電圧、高電流密度の高性能半導体装置の製造が容易に
でき、ライフタイム特性のコントロールも容易で、品質
偏差も小さい利点がある。
装置の一面の表層部を除去してドープ剤濃度を低下させ
、そののち上記半導体装置の両面にライフタイムキラー
を被着し拡散させて厚さ方向のライフタイムキラー濃度
分布を非対称にしたので、ライフタイム特性が良好で、
高電圧、高電流密度の高性能半導体装置の製造が容易に
でき、ライフタイム特性のコントロールも容易で、品質
偏差も小さい利点がある。
第１図は本発明を適用すべき処理すべき半導体装置の一
例の説明図、第２図および第３図は従来の半導体装置の
製造方法の異る例の説明図、第４図は本発明の半導体装
置の製造方法の一実施例の説明図である。 ＰＮＰ・・・・・・半導体、Ｄｉ ｊ Ｄ２・・・・・
・ドープ剤濃度曲線、■・・・・・・ライフタイムキラ
ー ■１．■２・・・・・・ライフタイムキラー濃度曲
線、Ｐｌ・・・・・・一面、Ｐ２・・・・・・他の面、
Ｉ２．Ｉ２・・・・・・層の境界。
例の説明図、第２図および第３図は従来の半導体装置の
製造方法の異る例の説明図、第４図は本発明の半導体装
置の製造方法の一実施例の説明図である。 ＰＮＰ・・・・・・半導体、Ｄｉ ｊ Ｄ２・・・・・
・ドープ剤濃度曲線、■・・・・・・ライフタイムキラ
ー ■１．■２・・・・・・ライフタイムキラー濃度曲
線、Ｐｌ・・・・・・一面、Ｐ２・・・・・・他の面、
Ｉ２．Ｉ２・・・・・・層の境界。
Claims (1)
- １ 厚さ方向に対称構造を有する半導体装置の一面の表
層部を除去してドープ剤濃度を低下させ、そののち上記
半導体装置の両面にライフタイムキラーを被着し拡散さ
せて厚さ方向のライフタイムキラーの濃度分布を非対称
にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10616575A JPS5855662B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10616575A JPS5855662B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5230182A JPS5230182A (en) | 1977-03-07 |
| JPS5855662B2 true JPS5855662B2 (ja) | 1983-12-10 |
Family
ID=14426655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10616575A Expired JPS5855662B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855662B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098464U (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-04 | 倉敷紡績株式会社 | ベンチ材 |
| JPS625262U (ja) * | 1985-06-25 | 1987-01-13 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207674A (ja) * | 1982-05-29 | 1983-12-03 | Toshiba Corp | サイリスタの製造方法 |
-
1975
- 1975-09-02 JP JP10616575A patent/JPS5855662B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098464U (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-04 | 倉敷紡績株式会社 | ベンチ材 |
| JPS625262U (ja) * | 1985-06-25 | 1987-01-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5230182A (en) | 1977-03-07 |
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