JPS5854350A - 電子写真法 - Google Patents

電子写真法

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JPS5854350A
JPS5854350A JP15197681A JP15197681A JPS5854350A JP S5854350 A JPS5854350 A JP S5854350A JP 15197681 A JP15197681 A JP 15197681A JP 15197681 A JP15197681 A JP 15197681A JP S5854350 A JPS5854350 A JP S5854350A
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藤巻 義英
Yoshiaki Takei
武居 良明
Hiroyuki Nomori
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G13/00Electrographic processes using a charge pattern
    • G03G13/22Processes involving a combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20

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  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明祉、従来の電子写真法における感光体に比較して
、極めて高感度で鮮明な画儂が得られ、かつ感光板の長
期繰返し使用が可能である新規な感光体を用いる静電荷
像形成力法および亀子写真法に関するものである。詳し
ぐは、導電性支持体上に光導電性層と表面保護層とが順
次設けられた新規な亀子写真用感光体を用いる静電荷儂
形Ff&.7+法および電子写真法に関するものである
従来用いらhてきた電子写真用感光体は、導電性支持体
上に感光層として、8e 、Be−Te合金。
8e−Am合金等を蒸着して形成した感光体、CdS、
ZnOを樹脂中に分散含有する分#!L!Il!を塗設
して成る感光体、フタロシアニン系顔料銹導体を樹脂中
に分散含有する分散層を塗設して成る感光体、あるいは
ポリ−N−ビニルカルバゾール(以下PVKと略す。)
と2.4.7− トリニトロ−9−フルオレノン(以’
)TNFと略す。)とを含有する有機光導電層を塗設し
て成る感光体等が代表的なものである。
しかし、これらはいずれ4g光体を繰夛返し使用すると
き、帝重4時のコロナ放電による電撃、帯s1時に発生
する活性ガスや照射光による分解等によシ感光層が疲労
劣化したり、転写紙の剥離時に起る紙との摩擦、あるい
はドラムをクリーニングするり11 + ニング部材と
の接触によシ感光層表面が損傷又は摩耗され、比較的早
い時期に、Ss系悪感光体は感光体表面の研摩と鏡面磨
き、あるいは、他の糸の感光体では感光体自体の交換を
行なわなければならなかった。
かかる感光体の疲労劣化及び感光層表面の摩耗及び損傷
を防止し、感光層を保護する目的で、感光層上に保す層
を設けることが知られている。例えに特公昭52−24
414号公報にはセレン、セレン−砒素又はセレン−テ
ルル等の光導電性感光層上にポリエステル、ポリウレタ
ン、ポリ塩化ビニリデン、アセチルセルローン、ポリア
クリロニトリル、ポリ塩化ビニル等から選ばれる3種の
m脂の組合せから成る、厚”み0.5〜5μの範囲の保
護層を設け、感光層を保護するようにした電子写真感光
体が記載されておシ、又特開昭53−3749号公報に
ハ、セレン、セレン−テルル、セレン−砒素、セレン−
テルル−砒素等の光導電性感光層上にアクリル樹脂、ア
クリルウレタン樹脂、つL/タン樹脂、ポリエステル樹
脂及びエポキシ樹脂から選ばれる1つとグリコール変性
シリコン樹脂との組合せから成る、厚み0.2〜5βの
範囲の保護層を設けて感光層を保護するようにした電子
写真感光体が記載されている。
かかる感光体はいづれもカールソン法に基(反復転写式
電子写真法に使用されるものであるが、A1+ k、保
護層は、数pの薄層では疲労劣化、特に機械的耐摩耗性
が補償されず・例えば数10JI以上とすれd相当1g
1litの補償がなされる。かかる厚い保護層を感光層
上に設けた感光体はクリーニング光の照射又は1気的除
電等を行っても帯電された電荷は消去されにくく、残留
電荷として感光層上に蓄積されるので、繰り返し画倫を
形成する反復転写式電子写真法においてはこれが累積さ
れて多大のカプリを生じ、ii儂影形成遂行てきなくな
る。
それでも極めて厚い樹脂層を設けて感光層を保護した例
としては、特公昭42−23910号公報に記載される
特殊の感光体がある。この感光体は、光導電性CdS粉
末を結着削樹脂中に分散して得られる感光層上に約10
011厚の絶縁性樹脂層を桧覆したもので、感光層に及
ぼす光、活性ガス、1撃等による疲労劣化等を防止し、
機械的損傷等をも防止しうるものであるが、かかる感光
体を用いた場合は、゛、前記公報に記載されるように特
殊の複雑す曾形成プロセスを必要とするに到った。即ち
[帝亀−儂様胤光−逆帯電(又は交流帯電)−全面露光
」という2種類の帯電装置を必要とする所IINPプロ
セスを必要とし、その結果、骨形成装置及び作儂工程が
複雑化せざるを得なかった。
又、感光層を保護する他の形態の例としては、%開閉5
4−116930号、同56−1943号、同56−6
0446号の各公報に記載されるように、電荷輸送層と
電荷発生層との二層構成の感光体とするものがある。か
かる感光体は、可視光に感じてキャリアを発生する感光
層を電荷発生層として位置づけ、高感度かつ低抵抗な肩
する比較的薄層の光導電層から成っている。通常はこの
電荷発生層は1層として基板面上に設けられ、この上に
当該電荷発生層において発生した電荷を輸送しうる電荷
輸送層を設けるようにしている。この輸送層は高抵抗に
して物性にすぐれた比較的厚い湧明な光導電層であって
、一般には光導電性樹脂層又は光導電物質を含む樹脂層
から成っている。
このため感光層(電荷発生層)は光、電撃、活性カス等
から保護され、かつ機械的摩耗、損傷及び湿度から防鉤
され、カールソン法において疲労劣化の少ない感光体が
得られるものと予測された。
しかし、ωJ記榴脂を主体とした電荷輸送層は長期の繰
夛返しmgI形成に際しては、樹脂という本質的に機械
的に弱い材料が用いられているため、やはりm槍的損傷
をうけるとか、電荷輸送機能が低下するなどO弊害が残
った。他力、特公昭49−25218号公報に社下層に
高aStの光導電性感光層を般け、この上に絶縁性無機
化合物から成る中間層を薄層に形成し、この上に前記感
光層とは吸収波長域の異なる光導電性層を設けた特殊の
lB光体が提案された。即ち、下層には例えば三セレン
化砒素の如き汎色性で為感皺低抵抗の光導電層を形成し
、この上に例えij S i02. ZnS 、 Mg
 F2 (Z)如き無機化合物から成る薄層の絶縁層を
設け、上層には例えばポリビニルカルバゾールの如き紫
外部又は短波長域にのみ吸収波長域を有し、かつ光導電
性の樹脂層を設けたものが開示されている。
かかる感光体においても前記=層構成の感光体と同様、
前記中間層及び上層により下層の感光層が前記疲労劣化
及び摩耗から保護されるが、階―成が3N構成の特殊な
構成となっているため、下&テの如く@流コロナ放電器
と交流コロナ放電器がら成る検数の帯電器を必要とする
など、装置及び炸即ち、上記s成owt、光体表面上に
負の一様な帯電を施こすと、三七レン化砒素から成る感
光層が低抵抗層であるため、正の電荷が中間層近傍に誘
導されてtAlステップを終了する。次に感光体表面に
交流コロナ放電と同時に下層にのみ感光する光で會様篇
光を施こして静電荷像を形成し、第2ステツプを終了す
る。次にこの静電荷像のコントラストを上げるため上層
に吸収される光で全面露光を施こし、第3ステツプを終
了する。以後トナー現俸し、かつこれを転写紙上に静電
転写定着して咋倭する亀のである。
このように反復転写式電子写真法において、長期に亘る
連続してf¥IIする場合に、残留電荷がなく従ってカ
プリ発生を伴わず、疲労劣化のない電子写真感光体及び
これを用いた像形成方法が見出されていないのが実情で
ある。
本発明の目的は、繰シ返し使用に伴う電荷の蓄積がなく
、極く薄層で光分な耐湿性、耐摩耗性を肩すると共に好
ましい光学的性質を有する電子写真感光体と、これを用
いて簡単な作儂工程で鮮明な儂を形成することのできる
静電荷儂形匠法及び電子写真法を提供するにある。
本発明の前記目的を達成する静電荷壷形FM、71法は
、導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上に光導
1性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保膜層の
光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体であって
、aSC光体の表面に一様に帯電する工程、前記感光層
には吸収されるが、前記保膜層には実質的に吸収されな
い光波長域の像様無光を施どす工程及び必要により前記
保饅層には吸収されるが実質的に前記感光層には吸収さ
れない光波長域の全面露光を施こす工程を含む静電荷像
形成方法によって達成される。
さらに本発明の好ましい態様に従えば、前記静電荷像形
成方法において、前記一様な帯電に対する前記9様露光
(当該俸禄露光の後に全面露光が施される場合)、前記
全面露光(当該全面無光の後に儂様臓光が施される場合
)又は前記**露光(当該俸禄無光の後に全面露光が施
されない場合)の時間的関係は前記帯電と同時又はその
[1!jlもしくはその後であり、かつ前記光導1性保
護層が一力、本発明の上記目的を達成する第1の電子写
真法は、導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上
に光導1性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保
護鳥の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体で
あって、該感光体の表面に一様に帯電し、該帯電と同時
又は直前もしくはその後に前記保鏝層には吸収されるが
前記感光層には実質的に吸収されない光波長域の全面露
光を施こし、次いで前記感光層には吸収されるが前記保
膜層には実質的に吸収されない光波長域の惨様露光を施
こして静電荷像を形成し、次いで該静電荷像を荷電粒子
を含む現俸剤で現儂して可視儂を形成する工程と該可視
儂を転写材に転写して転写像を形成し、こhを定着する
工程と、転写後の前記感光層の全面にクリーニング光を
照射し及び/又は交流電圧を印加して残留電荷を消去す
る工程とを含む電子写真法によって達成される。
又本発明の上記目的を達成するsR2の電子写真法は、
導電性支持体上に光導電性感光層、#I!感光層上に光
導電性保護層を有し、前記感光層が少くともniJ記保
鰻層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体で
あって、該感光体OS面に一様に帯電し、該帯電と同時
又はその直*4L<はその後に111に、感光層には吸
収されるが、前記保護層には実質的に吸収されない光波
長域の俸様籐光を施こし、次いで前記保lli!mには
吸収されるが、前記感光層には実質的に吸収されない光
波長域の全面無光を施こして静電荷置を形成する工程と
、該静電荷置を荷電粒子を含む現gI剤で現惨して可視
像を形成する工程と該可視像を転写材に転写して転写像
を形成し、これを定lI″する工程と、転写後の前記感
光層の全面にクリーニング光を照射し及び/又は交流電
圧を印加して残留電荷を消去する工程とを含む電子写真
法により達成される。
父上配本発明の目的を達成する83の電子写真法は、導
電性支持体上に光導電性感光層、#tIIA光とも前記
保護層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体
であって、該感光体の表面に一様に帯電し、該帯電と同
時又は[lIMもしくはその後に前記感光層には吸収さ
れるが、前記保護層には実質的に吸収されない光波長域
OgI様露光露光こして、静電荷置を形成する工程と該
靜重荷會を荷S粒子を含む現倫剤で現俸して可視像を形
成する工程と、該可視像を転写材に転写して転写像を形
成し、これを定着する工程と、転写後の前記感光層の全
面にクリーニング光を照射し及び/又は交流電圧を印加
して残留電荷を消去する工程とを含む電子写真法によシ
達成される。
さらに又、本発明の好ましい実J11m!様に従えば、
前記M1.第2及びtR3の各電子写真法において、前
記クリーニング光が、前記感光層の光吸収波長域の光又
は前記感光層の光吸収波長域の光又は前記感光層及び前
記保II!IIAの光吸収波長域の光であり、sI記光
光導性保饅層が、光導電性無機化合物を主成分とする層
よ構成る電子写真法とするととである。
以下、本発明について詳述する。
本発明の静電荷倫形成方法及び電子写真法(以下、単に
作曹方法と称する。)は、1つには前記した通り導電性
支持体上に設けられた光導電性感光層、該感光層上に設
けられた、好ましくは主として硬質の無機化合物から成
る光導電性保護層とから成9、前記感光層が主として前
記保護層の光波長域以外の光吸収波長域を含む感光体を
用いた点に物微かあシ、さらに2つ目には、かかる感光
体を用いて電食されたカールソン法、即ち一様な帯電王
権と、実質的に感光層にのみ吸収される像様の露光工程
と、必要によ〕施される且つ実質的に保護層にのみ吸収
される全面露光工程とにより静電荷置を形成する工程と
、これを通常のカールソン法に基き、現儂、転写及び定
着する工程とを〈9かえして作像する点にあシ、特に前
記保護層が主として薄層かり硬質の光導電性無機化合物
を主体とした層からなる点を効果的に利用するP¥倫プ
ロセスとしているので、感光体を連続的に繰り返し使用
しても、疲労劣化やlII椋的摩耗及び損傷等がなく、
かつ残留電荷が極めて少ないことによシ、嘴形カノリの
iい鮮明な画儂を形成することができる点に%黴がある
以下、本発明の咋惨方法に用いられる感光体の層41I
Fiitについて説明する。ます、感光体!1面に正の
一様な帯電を施して作像する脂式の感光体であって、当
該感光体の感光層が単層構成の場合は、!1図に示され
るように1光導電層からなる感光層3及び保護層2と4
pm光導電層から#J成され′るのが好ましく、又感光
層が第2因及び第3−に示される如き、電荷輸送層5と
電荷発生層4とから構成される場合であって、第2因の
如き基板から上層に向って電荷輸送M15−亀荷尭生1
II4−保護層2のINK積層された感光体ても又第3
図の如き電荷発生層4−11−荷輸送層5−保護層2の
順に積層され丸部光体であっても、いづれも基板から上
層に向りてpH−Nl!−P脂の光導電層の構成とする
のが望ましい。
又、感光体表i11に負の一様な帯電を施こして咋倫す
る場合は、前記正の一様な帯電を施して4倫する感光体
の光導電層の#1成におけるP型とN11を入れ代えた
構成とすればよい。かかる感光体の昨gI!刀法におい
て、まず保護層2上に一様な正又は負の電荷が付与され
るが、この電荷は主として保護層2に吸収される全面露
光が施されたときは感光層(但し、二層IIs成のとき
は電荷発生層4又は電荷輸送層のいづれか)と保護層2
との界面に移動される。この界面には移動された電荷が
俸禄露光が施されない限ル、界面に安定に保持され、感
光層中へ流入しないような障壁(バリアー)が形成され
ていることが必要である。かかるバリアーの形成は感光
層上に後述するグミー散電法又はスパッタ法等により真
空下に堆積せしめることによって形成される。
本発明における保護層2及び感光層3の典型的な光吸収
特性の例を第4図及び第5図に示す。
例えば通常の作像法にお”いては、保一層2には可視短
波長から紫外域の光(184図28の光)を照射するよ
うにし、従ってかかる吸収域を有する保護層2とするの
が便利であり、感光Nlll3には保護層2と感光層3
0両刀の吸収波長域を含む第4図3&の光とするか、第
5図3bのような主として感光層3のみに吸収される光
を照射するようにし、従ってかかる吸収域を有する感光
層3とするのが便利である。好ましい形態としては、感
光層3に照射する9様露光として約6328Kに発光波
長を有するヘリリム−ネオンレーザ−光の如き高エネル
ギーの光を使用して高解儂力のmisを形成する場合で
ある。この場合には高エネルギーの光に4耐えうる高耐
久性の材料を用いた光導電性保護層2を使用する必要が
ある。又かかるレーザー光による作像において外部電気
信号によシレーブー光を制御して画儂を形成するレーザ
ープリンターとして利用できるなど、実用上の利点があ
る。
即ち第6図及び第7図において、用いられる感光体は、
当該第6図0)及び第7図(1)に示される如く、導電
層6を有する基板7と当該導電層6上に設けられ、下層
がNll光導電層から成る電荷発生層4及び上層がpm
光導電層から成る電荷輸送層5を構allIgとする感
光層3と、電荷輸送層5上に設けられN型光導電層から
成る保護層2とより成り、かつ前記保護層2及び感光層
3はs4図の31及び2aの曲線又は第5図の3b及び
2bの曲線で示される吸収波長域を有し、負帯電性の感
光体である。
作像の過程で上記感光体に照射される光として−は、保
嚢層2に主として吸収される全面露光のための波長光を
λAとし、感光NI3に主として吸収される惨様籐光の
波長光をλBとし、代表的な次の3種の作置方法につい
て説明する。第1の4健方法は886図の(1) 、 
(噂、el、に)の工程で示される。
即ち「保護層2の全面への一様な負帯電−λB光による
mats光−λA光による全面拠光」のプロセスによシ
靜宵荷惨が形成され、正帯電トナーにより現俸されてト
ナー儂が形成され、次いで転写定着されて作像される。
くりかえし作像の過程では、λB光又はλA+λB光に
よゐ光除電又は5eRコロナ放亀器等による除電及びト
ナークリーニンググレードによるクリーニング尋が行な
われる。
この昨gI70セスにおいて、第6図(1)の工程で保
N鳩2上に付与された一様な負電荷は、導電層6と電荷
発生層4との界面に正の電荷を蓄積させる。かかる負及
び正の電荷の内の正電荷は第6図(ロ)の工程で惨様露
光λBの照射によシ保護層2と電荷輸送層5との界面に
移動する。このため光の照射された部分だけが低い表面
電位を形成するに到り、静電荷置が形成される(この静
電荷儂を正帯電トナーで赤光し、転写定着する咋倭法が
後述する第3の作像法である。)。
次いで第6図(−)の工程でλA光による全面露光を施
ζすことにより、保護層2の表面にあった負電荷社保1
142と電荷輸送層5との界面に移動し、前記惨様籐光
部は既に界面にあった正電荷を中和するので、第6図に
)の工程に示される如くコントラストの高い靜亀荷俸が
得られ、トナー現俸したとき、より鮮明なトナー曹が得
らhる。このトナー書は転写定着されて定着儂とされる
久に8B20咋俸法は第7−の(1]1(ロ)、rt、
に)の工程で示される。即ち「保護層2全面への一様な
負帯電−λA光による全面露光−λB光による儂様露光
」により静電荷像が形成され、以後第1の作像方法と同
様にして作像される。この炸gIプロセスにおいて、第
7図(1)の王権に示される如く、保護層上に付与され
た一様な負電荷は、基&7と電、荷発生層4との界面に
正の電荷を蓄積させる。
上記保護層2上の負電荷は、第7図(→の工程で示され
る如く、λAの全面露光により保護層2と電荷輸送層5
との界面に移動する。かくして第7図eつの工程て示さ
れるλBの像様無光を施こすことにより、基板1と1″
荷発生層4との界面にあった正電荷は保護層2と電荷輸
送層5との界面に移動し、既にその位置にあった負電荷
と中和され、第7図に)の工程に示される静電荷像が形
成される。
以後この静電荷像はallの作像プロセスと同様にして
作像される。
次に第3の作像プロセスは既に第10咋儂プロセスで説
明した通シ、第6図のe)の全面露光工程が除かれたも
のである。
上記種々の作像方法において、感光体の保護層よるクリ
ー二ング工程等により、完全に残留電荷は除去されカプ
リのない作像が達成され、かつく)返しての會形成にお
いて感光体が劣化せず、鮮明なii*を継続して得るこ
とができる。しかし、II3の昨fII力法においては
全面露光が除かれてい゛るためgI!施光部に表面電荷
の残留があり、そのままで酸カブリの原因となるので、
絶縁性トナーを含む二成分系赤光削を用い、バ1アス現
儂法を適用してカプリを除くよう圧した作像法が望まし
い。
又紡記第1の作像法及び第2の作像法にあっては、どの
ような現曹剤を用いてもすぐれたij*が得られ、バ1
アス印加によるカプリ除去の工程が不用であるため、例
えばバ1アス印加ができない導電性磁性トナーを用い九
−成分系現儂剤を用いても、すぐれた咋儂を達成するこ
とができる。
前記6穆の作*7i法において一様な帯電に伴って施さ
れる俸禄露光又は全面露光#i、通常帯電と同時又はそ
の後に行なわれるが、帯電よ110ミリセコンド又はよ
ル短い時間前であれば、帯電前の露光であっても有効で
ある。
又、クリーニングに用いられる光は通常惨様篇光用波長
光λBを使用すればよいが、全面露光用波長光λAも含
む光を用いれば、より完全にクリーニングされるので望
ましい。
本発明の作像法に用いられる感光体の感光層3としては
、Se 、5s−Te合金、5s−As合金、S・−s
b金合金の蒸着層から成る無機光導電層、PVK 、T
NFから成る有機光導電層、PVK層−8@層、TNF
層−8s層、オキサジアゾール04体層−ペリレン銹導
体層、ピラゾリン銹導体層−クロロダ1アンプル一層、
ピラゾリン銹導体層−メチルスカリリウム層等の電荷輸
送層−電荷発生層から成る二層lIk成を有する光導電
層等があるが、その他従来公知の有機、無機光導電層か
ら選択して用いられる。
本発明の作像法に好ましく用いられる二層輌成の感光層
を有する感光体につきさらに詳述する。
即ち上記感光層中の電荷発生層に用いられる電荷発生物
質としては可視光を吸収して自由電荷を発生する本のて
あれば、無機顔料及び有機色素の何れを本川いることが
できる。無定形セレン、三方^系セレン、セレン−砒素
合金、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、セレン化
カドミウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛
、硫化鉛等の無機顔料の外、次の代表例で示されるよう
な有機色素を用いてもよい。
(1)  モノアゾ色票、ポリアゾ色素、金属錯塩アゾ
色素、ピラゾロンアゾ色素、スチルベンアゾ色素及びチ
アゾールアゾ色素等のアゾ系色票(2)ヘリレン酸無水
物及びペリレン酸1ミド等のペリレン:4九素 (3)アントラキノン銹導体、アントアントロン銹導体
、ジベンズピレンキノン銹導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及び1ソビオラントロン銹導体等
のアントラキノン系乃至多積キノン系色素 (4)1ンジゴ霞導体及びチ第1ンジゴ訪導体等ノ1ン
ンゴ1ド系色素 (5)  金属フタロシアニン及び無金属7タロシアニ
ン等の7タロシアニン系色素 (6)  ジフェニルメタン色素、トリフェニルメタン
色素、キサンチン色素及びアクリジン色素等のカルボ二
つム系色素 (7)アジン色素、オキサジン色素及びチアジン色素等
のキノン1ミン系色素 (8)  シアニン色素及びアゾメチン色素等のメチン
系色素 (9)キノリン系色素 Q(I  ニトロ系色素 00  ニトロン系色素 0埴ヘンゾキノン及びナフトキノン系色票I ナスタル
1ミド系色素 a◆ ビスベンズ1ミグシーJLJ!導体等のペリノン
系色素 Qe  キナクリドン糸色素 またζこに用いられるバフ、クダー樹脂としては、例エ
バポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエス
テル側腹、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シ
リコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合11樹脂、重付
加m@脂、重縮合j1樹脂並びに?:、れらの樹脂の繰
返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、例えば
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル−無水マレ1)酸共重合体樹脂等を挙げること
ができる。しかしバ1ンダー樹脂はこれらに限定される
ものではなく、斯かる用途に一般に用いられるすべての
樹脂を使用することができる。
前記電荷発生層に加えることのできる特定乃至非特定の
極性の電荷に対する移動度の大きい電荷輸送物質として
社、本発明において電荷輸送層5等の構成に用いる、後
述する特定の電荷輸送物質をその一部又は全部として用
いること本できるが、電子写真感光体としての性能を考
慮して他の電荷輸送物質を用“て賜や・ 本発明において電荷輸送層5に使用される電荷輸送物質
として社オキサゾール銹導体、オキサジアゾール篩導体
、チアゾール銹導体、チアジアゾール銹導体、トリアゾ
ール銹導体、1ミダソ一ル銹導体、1ミダゾロン鍔部体
、1ミダゾリジン鱒導体、ビス1ミダゾリジン鍔部体、
ピラゾリン誘導体、オキサシロン鍔導体、ベンゾチアゾ
ール銹導体、ベンズ1ミダゾール誘導体、キナゾリン篩
導体、ペンシフ2ン誘導体、アクリジン−導体、フェナ
ジン銹導体、アミノスチルベン銹導体、ポ1) −N−
ビールカルバゾール、ポ111−ビニルピレン、ポリ−
9−ビニルアントラセン、2.4.7−ドリニトロンル
オレノシ% 2,4,5.7− f 1’ ラニトIフ
ルオレノン、2.7−シニトロフルオレノン等が挙げら
れる。
また他の感光体としてB、ZnO十〇48等の無機光導
電物貢をバ1ンダー@脂中に分数したものもある。
本発明に用いられる感光体の保護層2は、好ましくは光
導電性無機化合物を主体とした薄層から成り、ビッカー
ス硬板が高く、機械的強敵が優れ、目的に応じて比較的
容易に光吸収特性の選択が可能であるとか、無公害であ
るなどの点から、水素又は弗素が導入された下記構造の
アモルファスシリコンカーバイド又はアモルファスシリ
コノナ1トラ1ドが好ましく用いられる。即ち8ixC
1−x:1%5ixCt−1:F、 81xCt−x:
 F[: 1%5ixNx−x:f(,81XNl −
X : P % 8 i XNl −z : H: F
 (u1シIは0(x(1)を感光層上に真空下に堆積
せしめるか;これらを樹脂中に分数した本のを薄層に一
般した本ので屯よいが、好ましくは前記堆積層とされる
前記81XC1−X : H%5izC1−X : F
%81zC1,zll If @ p等の作製法として
は、スパッターりフグ法及びグロー放電法等が挙げられ
る。スパッターリング法による場合には、Si及びCの
ターゲットを使用して、水素、フッ累若しくは水素とフ
ッ素を含有するAr等のスパッタガスを堆積室内に導入
して、0.01〜I Torrの圧力てスパッターりン
グを行なう。グロー放電法による場合には、8iH%カ
ス着しぐはg iF4ガスとC2H11ガス等の炭化水
嵩ガス若しくはC2F4等の7ツ化水素ガスとを含むA
rガス等をグロー放電装置内に導入し、0.1〜I T
orrの範囲の圧力てグローm亀分解を行う。
5tzN1−、: H,5izN1−X:F% 81z
N1−x:H:F等の作製法としては、スパッターリン
グ法及びグロー放電法等が挙げられる。StとNとの含
有割合の制御はグローl1111法が優れている。グロ
ーmm法による場合には、8iH1ガス若しくは5IF
11ガスとNH5ガス若しくはNFIガス等を含むAr
ガス勢をグロー放電装置内に導入し0.1〜I Tor
rの範囲の圧力で放電分層を行う。
かかる保護層2は機械的9m2Kfl?1ており、ビッ
カース硬度が500以上であることが望ましく、嗅厚は
0.01 p〜5p、好ましくは0.05 s〜1μで
ある。
又かかる保護層は母体となる感光層との間に電荷の注入
を阻止する障壁が形成されるよう、ガスの混合比咎を制
御して堆積せしめるのがよい。
かかる技術は例えば197Q年発行のPh1los。
い1 □ phlcal Magazine 、 Vol 35 
、1〜16 pageの(Electrical an
d 0pitical Propertiesof A
morphous 5ilicon earbide 
、 5iliconnitride  and ger
manium carbide Preparedby
 th@ glow discharg@ teehn
igua  、byD、ムAnderaon and 
M、E、8pear)に詳細に記載されている。即ち無
定形シリコンカール1ド又は無定形シリコノナ1トラ1
ドの堆積層を形成するとき、前記カーバ1ド成分又はす
1トラ1ド成分を変化することによ)、バンドギャップ
が大きく変化することが記載されている。即ち前記保護
層をスパッタ法又はグロー放電法等で真空下に堆積せし
めるとき、前記カーボン又はす1ト−)1ドの含有量を
シランガスと炭化水素ガスとの混合割合又はシランガス
とアンモニアガスとの混合割合を変化することによシ、
バンドギャップを変化してバリアーを形成するようにす
ることができる。
本発明が提供する感光体及び作偉法においては以下の特
徴がある。即ち 11)  被雑なプロセスを用いることなく、特有の層
構成を有する感光体を効果的に生かして高性能の作像が
できること、 (2)感光体を繰り返し使用して咋侭しても残留電荷の
蓄積が殆んど生じないこと、 (311i&、湿皺の影響が受けにくい感光体及び作像
方法を提供できること、 (4)使用目的に応じて、光導電性層の感光性に実質的
に影響を及ぼさない保護層を提供できること、 (5)  比較的薄い喚厚で機械的強度の高い保護層が
提供できること、 (6)  有機感光体は、紫外光の照射に伴って感度劣
化及び残電上昇を生じるものが多いが、本発明の電子写
真法においては、保護層の71ルター効果により前述の
劣化が生じにくくなること、(7)He−N・レーザー
光、半導体レーザー光の使用に適し、機械的l3i1度
の優れた有機感光体の作製が可能となること、 等の特徴を有する。
以下に本発明の実施例を示すが、本発明は以下の実施例
によシ限定されるものではない。
実施例1 アルミニウムドラム(q%径120■、長さ320■)
上にS・−As合金から成る光導電層を真空蒸着法によ
シ厚さ60jに形成した。次に13.56Mk4tの高
周波グロー放電装置に5容量優の5tti@ガスと15
容ii優の02Ff%ガスとを含むAtガスを導入し、
0.5 Torrの圧力でグロー放電分解を行い、前記
光導電層上に厚さ1jの保護層を有する感光体を作製し
た。
この感光体を「帯電−全面露光(495nmに最大の発
光ピークを有するELパネル使用)−9様霧光(He−
Noレーザー光使用)−現儂転写一定着(但し感光体表
面は除電及びクリーニングを施こす)」のプロセスを小
西六写真工業■製U−Bix V2の改良機を用いて行
い、200,000回の複写を行なったところ、いずれ
も鮮明な画儂が得られた。
実施例2 実施例1とNじ感光体を[帯電−侭様露光(He−Ne
レーザー光使用)−全面無光(495nmに最大の発光
ピークを有するELパネル使用)−現儂一転写一定着(
但し感光体表面は除電及びクリ−ユングを施こす)」の
プロセスを前記改良機を用いて行い、200,000回
の複写を行なったところ、いずれも鮮明な画曽が得られ
た。
比較例1 実施例1の感光層上に2II厚のポリエステル、ポリ塩
化ビニリデン、アセチルセルローズの3種の等量混合体
からなる保護層を設けた感光体とI7た他は実施例1と
同様にして咋儂したが、約10.000回の複写の過程
て保護層が損傷しかつカプリが増加して画貿が劣化した
実施例3 厚さ100JIのポリエチレンテレフタレートより成る
基体上にアルミニウムを蒸着して敗る導電性支持体上に
、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ1ン酸共重谷「エ
スレツクMP−10J (積木化学工業製)より成る厚
さ0.1 pの中間層を設け、電荷発生層としてダ1ア
ンプル−(Diane Blu・C,1,−21180
)のn−ブチニアi ン溶液を乾燥時の一部が0.8 
sになるようKftl記中tmm上に働布した。次に電
荷輸送層としてポリカーボネート樹脂「パンテ1 トL
−1250J(今人化製社製)10gと1−フェニル−
3−(4−ジエチルアミノステリル)−5(4−ジエチ
ルアミノフェニル)ヒラゾリン5gとを1.2−ジクロ
ルエタン100dK溶解した溶液を前記電荷発生層上に
塗布し、漏[70℃で1時間乾燥せしめて厚さ131の
電荷輸送層を形成した。次に13.56 MHzの高周
波グロー放電装置に17容量鳴のM5と3容量−の8i
HIIとを含むArガスを導入し、 0.37orrの
圧力でグロー放電分解を行い、前記電荷輸送層上に厚さ
0゜5Jの保護層を有する感光体を作製した。
この感光体を[帯電−全面露光(400〜440nmの
波長光を有するELパネル使用)−倫側光(He−N・
レーザー)−現像一転写一定着(但し感光体表面は除電
及びクリーニングされた)」のプロセスを前記改良機を
用いて行い、40,000刊の複写を行ったところ、い
ずれも鮮明なiii*が得られた。
比較例2 実施例3の感光体の保護層を除いた他は同様にして画偉
を形成したところ、io、ooo回の作曹の過程で画曽
の一部に縦筋を生ずるに到シ、1像が悪化した。
比較例3 実施例3の感光層上に、 13.56 MHzの高周波
スパッタリング装置によ〕、雰囲気はAtガス0.1 
Torrとし、厚さ0.5 txo 5iOzからなる
保護層を有する感光体を作製し庭。この感光体と前記実
施例3の感光体とを市販の複写機ru−six2000
RIJ[小西六写真工業■製〕に装着して連続複写テス
トを行ない、露光絞り値2.5における感光層の画儂地
肌部のt位を「エレクトロスタテ1ツクボルトメーター
144D−IDJ(センローエレクトロニクス1ンコー
ボレーテツト社製)を用いて測定した。その結果は14
1表に示す過多である。
第   1   表
【図面の簡単な説明】
w41図〜a13図は各々、正帯電を行なう場合の本発
明に用いる感光体の代表的異体例を示す拡大断面説明図
、第4図および第5図は各々本発明に用いる感光体にお
ける光導電性感光層と光導電性保護層の光吸収特性の例
を示すグラフ、第6図および第7図は各々本発明に係る
静電荷像形成方法のプロセス例を示す図である。 図中、1は感光体、2は光導電性保護層、3は光導電性
感光層、4は電荷発生層、5は電荷輸送層、6は導電層
、Tは基体、λAは光導電性保護層により主として吸収
される波長光、λBは光導電性感光層により主として吸
収される波長光を示す。 特許出願人  小西六写真工業株式会社代理人弁理士 
 坂 O信 昭 (ほか1名) (ハ)         (ニ) ++++↓℃。 (ハ)         (ニ) ↓↓え。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層
    上に光導電性保S層を有し、前記感光層が少くとも前記
    保護層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体
    であって、該感光体の表面に一様に帯電すふ工程、前記
    感光層には吸収されるが、望記保護層には実質的に吸収
    されない光波長域の惨様露光を施こす工程及び必要によ
    り前記保護層には吸収されるが実質的に前記感光層には
    吸収されない光波長域の全面露光を總こす工程を含むこ
    とを特徴とする静電荷gI形成力法。 (2)全m11光が、惨様露光の繭であって、一様な帯
    電と同時又は[#iもしくはその後に施こされることを
    特徴とする特許請求の範1第1項記教の静電荷像形成力
    法。 (3)  9様無光が、全面露光の前てありて、帯電と
    同時又はその直前本しくはその後に施されることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の静電荷像形成力法。 (4)  *様露光が帯電と同時X線その直前もしくは
    その後に施され全通算光を必要としないことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1・項記載の静電荷像形成力法。 (5)光導電性保護層が光導電性無機化合物を主成分と
    する層から成りことを特徴とする特許請求の範曲第1項
    記SO静電荷會形成方法〇(6)  導電性支持体上に
    光導電性感光層、該感光層上に光導電性感光層を有し、
    前記感光層が少くとも前記保護層の光吸収波長域以外の
    光吸収波長域を含む感光体であって、該感光体の表面に
    一様に帯電し、該帯電と同時又は直前もしくはその級に
    前記保護層には吸収されるが、前記感光層Ka実質的に
    吸収されない光波長域の全面露光を施ζし、次いで前記
    感光層には吸収されるが前記保護層には実質的に吸収さ
    れない光波長域の儂橡籐光を施こして静電荷像を形成し
    、次いて該静電荷像を荷電粒子を含む現俸剤で現倫して
    可視像を形成する工程と該可視像を転写材に転写して転
    写儂を形成し、これを定着する工程と、転写後の前記感
    光層の全面にクリーニング光を照射し及び/又は交流電
    圧を印加して残留電荷を消去する工程とを含むことを特
    徴とする電子写真法。 (7)  り13−ニングχが感光層の光吸収波長域の
    光であることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の
    電子写真法。 (8)クリーニング光が感光層及び保護層の光吸収波長
    域の光でありことを特徴とする特許請求の範四m6項記
    載の電子写真法。 (9)光導電性保護層が光導電性無機化合物を主成分と
    する層から成ろことを特徴とする特許請求の範囲第6項
    記載の電子写真法。 Ql  導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上
    に光導電性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保
    一層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体で
    あって、該感光体の表面にく社その後に前記感光層には
    吸収されるが、前記保護層には実質的に吸収されない光
    波長域の儂様露光を施こし、次いて前記保護層には吸収
    されるが;前記感光層には実質的に吸収されない光波長
    域の全面露光を施こして静電荷像を形成する工程と、該
    静電荷像を荷11籾子を含む現侭削で3jl倫して可視
    像を形成する工程と該可視像を転写材に転写して転写偉
    を形成し、これを定着する工程と、転写後の前記感光層
    の全面にクリーニング光を照射し及び/又は交流電圧を
    印加して残留電荷を消去する工程とを含むことを轡微と
    する電子写真法。 aυ クリーニング光が感光層の光吸収波長域の光てあ
    りことを特徴とする特許 項記載の亀子写真法。 tJ3  クリーニング光,が感光層及び保護層の光吸
    収波長域の光てある゜ことを特徴とする、特許請求の範
    囲II10項記教の電子写真法。 I 光導電性保護層が光導電性無機化合物を生成分とす
    る層から成ることを%黴とする、特許請求の範haio
    項記go電子写真法。 a◆ 導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上に
    光導電性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保護
    層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体であ
    って、該感光体の表面に一様に帯電し、該帯電と同時又
    は直前亀しくはその後に前記感光層には吸収されるが、
    前記保護層には実質的に吸収されない光波長域のgI様
    露光を施こして、静電荷像を形成する工程と該静電荷像
    を荷電粒子を含む現gI削で現儂して可視像を形成する
    工程と該可視像を転写材に転写して転写曹を形成し、こ
    れを定着する工程と、転写後の前記感光層の全面にクリ
    ー二ング光を照射し及び/又は交流電圧を印加して残留
    電荷を消去する工程とを含むことを特徴とすb電子写真
    法。 O$ クリー二ング光が感光層の光吸収波長域の光で.
    あることを特徴とすろ、特許請求の範囲!14項記載の
    電子写真法。 αe クリーニング光が感光層及び保護層の光吸収波長
    域の光であることを特徴とする、特許請求の範囲811
    4項記載の電子写真法。 αη 光導電性保護層が光導電性無機化合物を主成分と
    する層から成bことを特徴とすb,特許請求の範1第1
    4項記載の電子写真法。
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