JPS5854350A - 電子写真法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明祉、従来の電子写真法における感光体に比較して
、極めて高感度で鮮明な画儂が得られ、かつ感光板の長
期繰返し使用が可能である新規な感光体を用いる静電荷
像形成力法および亀子写真法に関するものである。詳し
ぐは、導電性支持体上に光導電性層と表面保護層とが順
次設けられた新規な亀子写真用感光体を用いる静電荷儂
形Ｆｆ＆．７＋法および電子写真法に関するものである
。

従来用いらｈてきた電子写真用感光体は、導電性支持体
上に感光層として、８ｅ　、Ｂｅ−Ｔｅ合金。

８ｅ−Ａｍ合金等を蒸着して形成した感光体、ＣｄＳ、
ＺｎＯを樹脂中に分散含有する分＃！Ｌ！Ｉｌ！を塗設
して成る感光体、フタロシアニン系顔料銹導体を樹脂中
に分散含有する分散層を塗設して成る感光体、あるいは
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（以下ＰＶＫと略す。）
と２．４．７−　トリニトロ−９−フルオレノン（以’
）ＴＮＦと略す。）とを含有する有機光導電層を塗設し
て成る感光体等が代表的なものである。

しかし、これらはいずれ４ｇ光体を繰夛返し使用すると
き、帝重４時のコロナ放電による電撃、帯ｓ１時に発生
する活性ガスや照射光による分解等によシ感光層が疲労
劣化したり、転写紙の剥離時に起る紙との摩擦、あるい
はドラムをクリーニングするり１１　＋　ニング部材と
の接触によシ感光層表面が損傷又は摩耗され、比較的早
い時期に、Ｓｓ系悪感光体は感光体表面の研摩と鏡面磨
き、あるいは、他の糸の感光体では感光体自体の交換を
行なわなければならなかった。

かかる感光体の疲労劣化及び感光層表面の摩耗及び損傷
を防止し、感光層を保護する目的で、感光層上に保す層
を設けることが知られている。例えに特公昭５２−２４
４１４号公報にはセレン、セレン−砒素又はセレン−テ
ルル等の光導電性感光層上にポリエステル、ポリウレタ
ン、ポリ塩化ビニリデン、アセチルセルローン、ポリア
クリロニトリル、ポリ塩化ビニル等から選ばれる３種の
ｍ脂の組合せから成る、厚”み０．５〜５μの範囲の保
護層を設け、感光層を保護するようにした電子写真感光
体が記載されておシ、又特開昭５３−３７４９号公報に
ハ、セレン、セレン−テルル、セレン−砒素、セレン−
テルル−砒素等の光導電性感光層上にアクリル樹脂、ア
クリルウレタン樹脂、つＬ／タン樹脂、ポリエステル樹
脂及びエポキシ樹脂から選ばれる１つとグリコール変性
シリコン樹脂との組合せから成る、厚み０．２〜５βの
範囲の保護層を設けて感光層を保護するようにした電子
写真感光体が記載されている。

かかる感光体はいづれもカールソン法に基（反復転写式
電子写真法に使用されるものであるが、Ａ１＋　ｋ、保
護層は、数ｐの薄層では疲労劣化、特に機械的耐摩耗性
が補償されず・例えば数１０ＪＩ以上とすれｄ相当１ｇ
１ｌｉｔの補償がなされる。かかる厚い保護層を感光層
上に設けた感光体はクリーニング光の照射又は１気的除
電等を行っても帯電された電荷は消去されにくく、残留
電荷として感光層上に蓄積されるので、繰り返し画倫を
形成する反復転写式電子写真法においてはこれが累積さ
れて多大のカプリを生じ、ｉｉ儂影形成遂行てきなくな
る。

それでも極めて厚い樹脂層を設けて感光層を保護した例
としては、特公昭４２−２３９１０号公報に記載される
特殊の感光体がある。この感光体は、光導電性ＣｄＳ粉
末を結着削樹脂中に分散して得られる感光層上に約１０
０１１厚の絶縁性樹脂層を桧覆したもので、感光層に及
ぼす光、活性ガス、１撃等による疲労劣化等を防止し、
機械的損傷等をも防止しうるものであるが、かかる感光
体を用いた場合は、゛、前記公報に記載されるように特
殊の複雑す曾形成プロセスを必要とするに到った。即ち
［帝亀−儂様胤光−逆帯電（又は交流帯電）−全面露光
」という２種類の帯電装置を必要とする所ＩＩＮＰプロ
セスを必要とし、その結果、骨形成装置及び作儂工程が
複雑化せざるを得なかった。

又、感光層を保護する他の形態の例としては、％開閉５
４−１１６９３０号、同５６−１９４３号、同５６−６
０４４６号の各公報に記載されるように、電荷輸送層と
電荷発生層との二層構成の感光体とするものがある。か
かる感光体は、可視光に感じてキャリアを発生する感光
層を電荷発生層として位置づけ、高感度かつ低抵抗な肩
する比較的薄層の光導電層から成っている。通常はこの
電荷発生層は１層として基板面上に設けられ、この上に
当該電荷発生層において発生した電荷を輸送しうる電荷
輸送層を設けるようにしている。この輸送層は高抵抗に
して物性にすぐれた比較的厚い湧明な光導電層であって
、一般には光導電性樹脂層又は光導電物質を含む樹脂層
から成っている。

このため感光層（電荷発生層）は光、電撃、活性カス等
から保護され、かつ機械的摩耗、損傷及び湿度から防鉤
され、カールソン法において疲労劣化の少ない感光体が
得られるものと予測された。

しかし、ωＪ記榴脂を主体とした電荷輸送層は長期の繰
夛返しｍｇＩ形成に際しては、樹脂という本質的に機械
的に弱い材料が用いられているため、やはりｍ槍的損傷
をうけるとか、電荷輸送機能が低下するなどＯ弊害が残
った。他力、特公昭４９−２５２１８号公報に社下層に
高ａＳｔの光導電性感光層を般け、この上に絶縁性無機
化合物から成る中間層を薄層に形成し、この上に前記感
光層とは吸収波長域の異なる光導電性層を設けた特殊の
ｌＢ光体が提案された。即ち、下層には例えば三セレン
化砒素の如き汎色性で為感皺低抵抗の光導電層を形成し
、この上に例えｉｊ　Ｓ　ｉ０２．　ＺｎＳ　、　Ｍｇ
　Ｆ２　（Ｚ）如き無機化合物から成る薄層の絶縁層を
設け、上層には例えばポリビニルカルバゾールの如き紫
外部又は短波長域にのみ吸収波長域を有し、かつ光導電
性の樹脂層を設けたものが開示されている。

かかる感光体においても前記＝層構成の感光体と同様、
前記中間層及び上層により下層の感光層が前記疲労劣化
及び摩耗から保護されるが、階―成が３Ｎ構成の特殊な
構成となっているため、下＆テの如く＠流コロナ放電器
と交流コロナ放電器がら成る検数の帯電器を必要とする
など、装置及び炸即ち、上記ｓ成ｏｗｔ、光体表面上に
負の一様な帯電を施こすと、三七レン化砒素から成る感
光層が低抵抗層であるため、正の電荷が中間層近傍に誘
導されてｔＡｌステップを終了する。次に感光体表面に
交流コロナ放電と同時に下層にのみ感光する光で會様篇
光を施こして静電荷像を形成し、第２ステツプを終了す
る。次にこの静電荷像のコントラストを上げるため上層
に吸収される光で全面露光を施こし、第３ステツプを終
了する。以後トナー現俸し、かつこれを転写紙上に静電
転写定着して咋倭する亀のである。

このように反復転写式電子写真法において、長期に亘る
連続してｆ￥ＩＩする場合に、残留電荷がなく従ってカ
プリ発生を伴わず、疲労劣化のない電子写真感光体及び
これを用いた像形成方法が見出されていないのが実情で
ある。

本発明の目的は、繰シ返し使用に伴う電荷の蓄積がなく
、極く薄層で光分な耐湿性、耐摩耗性を肩すると共に好
ましい光学的性質を有する電子写真感光体と、これを用
いて簡単な作儂工程で鮮明な儂を形成することのできる
静電荷儂形匠法及び電子写真法を提供するにある。

本発明の前記目的を達成する静電荷壷形ＦＭ、７１法は
、導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上に光導
１性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保膜層の
光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体であって
、ａＳＣ光体の表面に一様に帯電する工程、前記感光層
には吸収されるが、前記保膜層には実質的に吸収されな
い光波長域の像様無光を施どす工程及び必要により前記
保饅層には吸収されるが実質的に前記感光層には吸収さ
れない光波長域の全面露光を施こす工程を含む静電荷像
形成方法によって達成される。

さらに本発明の好ましい態様に従えば、前記静電荷像形
成方法において、前記一様な帯電に対する前記９様露光
（当該俸禄露光の後に全面露光が施される場合）、前記
全面露光（当該全面無光の後に儂様臓光が施される場合
）又は前記＊＊露光（当該俸禄無光の後に全面露光が施
されない場合）の時間的関係は前記帯電と同時又はその
［１！ｊｌもしくはその後であり、かつ前記光導１性保
護層が一力、本発明の上記目的を達成する第１の電子写
真法は、導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上
に光導１性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保
護鳥の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体で
あって、該感光体の表面に一様に帯電し、該帯電と同時
又は直前もしくはその後に前記保鏝層には吸収されるが
前記感光層には実質的に吸収されない光波長域の全面露
光を施こし、次いで前記感光層には吸収されるが前記保
膜層には実質的に吸収されない光波長域の惨様露光を施
こして静電荷像を形成し、次いで該静電荷像を荷電粒子
を含む現俸剤で現儂して可視儂を形成する工程と該可視
儂を転写材に転写して転写像を形成し、こｈを定着する
工程と、転写後の前記感光層の全面にクリーニング光を
照射し及び／又は交流電圧を印加して残留電荷を消去す
る工程とを含む電子写真法によって達成される。

又本発明の上記目的を達成するｓＲ２の電子写真法は、
導電性支持体上に光導電性感光層、＃Ｉ！感光層上に光
導電性保護層を有し、前記感光層が少くともｎｉＪ記保
鰻層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体で
あって、該感光体ＯＳ面に一様に帯電し、該帯電と同時
又はその直＊４Ｌ＜はその後に１１１に、感光層には吸
収されるが、前記保護層には実質的に吸収されない光波
長域の俸様籐光を施こし、次いで前記保ｌｌｉ！ｍには
吸収されるが、前記感光層には実質的に吸収されない光
波長域の全面無光を施こして静電荷置を形成する工程と
、該静電荷置を荷電粒子を含む現ｇＩ剤で現惨して可視
像を形成する工程と該可視像を転写材に転写して転写像
を形成し、これを定ｌＩ″する工程と、転写後の前記感
光層の全面にクリーニング光を照射し及び／又は交流電
圧を印加して残留電荷を消去する工程とを含む電子写真
法により達成される。

父上配本発明の目的を達成する８３の電子写真法は、導
電性支持体上に光導電性感光層、＃ｔＩＩＡ光とも前記
保護層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体
であって、該感光体の表面に一様に帯電し、該帯電と同
時又は［ｌＩＭもしくはその後に前記感光層には吸収さ
れるが、前記保護層には実質的に吸収されない光波長域
ＯｇＩ様露光露光こして、静電荷置を形成する工程と該
靜重荷會を荷Ｓ粒子を含む現倫剤で現俸して可視像を形
成する工程と、該可視像を転写材に転写して転写像を形
成し、これを定着する工程と、転写後の前記感光層の全
面にクリーニング光を照射し及び／又は交流電圧を印加
して残留電荷を消去する工程とを含む電子写真法によシ
達成される。

さらに又、本発明の好ましい実Ｊ１１ｍ！様に従えば、
前記Ｍ１．第２及びｔＲ３の各電子写真法において、前
記クリーニング光が、前記感光層の光吸収波長域の光又
は前記感光層の光吸収波長域の光又は前記感光層及び前
記保ＩＩ！ＩＩＡの光吸収波長域の光であり、ｓＩ記光
光導性保饅層が、光導電性無機化合物を主成分とする層
よ構成る電子写真法とするととである。

以下、本発明について詳述する。

本発明の静電荷倫形成方法及び電子写真法（以下、単に
作曹方法と称する。）は、１つには前記した通り導電性
支持体上に設けられた光導電性感光層、該感光層上に設
けられた、好ましくは主として硬質の無機化合物から成
る光導電性保護層とから成９、前記感光層が主として前
記保護層の光波長域以外の光吸収波長域を含む感光体を
用いた点に物微かあシ、さらに２つ目には、かかる感光
体を用いて電食されたカールソン法、即ち一様な帯電王
権と、実質的に感光層にのみ吸収される像様の露光工程
と、必要によ〕施される且つ実質的に保護層にのみ吸収
される全面露光工程とにより静電荷置を形成する工程と
、これを通常のカールソン法に基き、現儂、転写及び定
着する工程とを〈９かえして作像する点にあシ、特に前
記保護層が主として薄層かり硬質の光導電性無機化合物
を主体とした層からなる点を効果的に利用するＰ￥倫プ
ロセスとしているので、感光体を連続的に繰り返し使用
しても、疲労劣化やｌＩＩ椋的摩耗及び損傷等がなく、
かつ残留電荷が極めて少ないことによシ、嘴形カノリの
ｉい鮮明な画儂を形成することができる点に％黴がある
。

以下、本発明の咋惨方法に用いられる感光体の層４１Ｉ
Ｆｉｉｔについて説明する。ます、感光体！１面に正の
一様な帯電を施して作像する脂式の感光体であって、当
該感光体の感光層が単層構成の場合は、！１図に示され
るように１光導電層からなる感光層３及び保護層２と４
ｐｍ光導電層から＃Ｊ成され′るのが好ましく、又感光
層が第２因及び第３−に示される如き、電荷輸送層５と
電荷発生層４とから構成される場合であって、第２因の
如き基板から上層に向って電荷輸送Ｍ１５−亀荷尭生１
ＩＩ４−保護層２のＩＮＫ積層された感光体ても又第３
図の如き電荷発生層４−１１−荷輸送層５−保護層２の
順に積層され丸部光体であっても、いづれも基板から上
層に向りてｐＨ−Ｎｌ！−Ｐ脂の光導電層の構成とする
のが望ましい。

又、感光体表ｉ１１に負の一様な帯電を施こして咋倫す
る場合は、前記正の一様な帯電を施して４倫する感光体
の光導電層の＃１成におけるＰ型とＮ１１を入れ代えた
構成とすればよい。かかる感光体の昨ｇＩ！刀法におい
て、まず保護層２上に一様な正又は負の電荷が付与され
るが、この電荷は主として保護層２に吸収される全面露
光が施されたときは感光層（但し、二層ＩＩｓ成のとき
は電荷発生層４又は電荷輸送層のいづれか）と保護層２
との界面に移動される。この界面には移動された電荷が
俸禄露光が施されない限ル、界面に安定に保持され、感
光層中へ流入しないような障壁（バリアー）が形成され
ていることが必要である。かかるバリアーの形成は感光
層上に後述するグミー散電法又はスパッタ法等により真
空下に堆積せしめることによって形成される。

本発明における保護層２及び感光層３の典型的な光吸収
特性の例を第４図及び第５図に示す。

例えば通常の作像法にお”いては、保一層２には可視短
波長から紫外域の光（１８４図２８の光）を照射するよ
うにし、従ってかかる吸収域を有する保護層２とするの
が便利であり、感光Ｎｌｌｌ３には保護層２と感光層３
０両刀の吸収波長域を含む第４図３＆の光とするか、第
５図３ｂのような主として感光層３のみに吸収される光
を照射するようにし、従ってかかる吸収域を有する感光
層３とするのが便利である。好ましい形態としては、感
光層３に照射する９様露光として約６３２８Ｋに発光波
長を有するヘリリム−ネオンレーザ−光の如き高エネル
ギーの光を使用して高解儂力のｍｉｓを形成する場合で
ある。この場合には高エネルギーの光に４耐えうる高耐
久性の材料を用いた光導電性保護層２を使用する必要が
ある。又かかるレーザー光による作像において外部電気
信号によシレーブー光を制御して画儂を形成するレーザ
ープリンターとして利用できるなど、実用上の利点があ
る。

即ち第６図及び第７図において、用いられる感光体は、
当該第６図０）及び第７図（１）に示される如く、導電
層６を有する基板７と当該導電層６上に設けられ、下層
がＮｌｌ光導電層から成る電荷発生層４及び上層がｐｍ
光導電層から成る電荷輸送層５を構ａｌｌＩｇとする感
光層３と、電荷輸送層５上に設けられＮ型光導電層から
成る保護層２とより成り、かつ前記保護層２及び感光層
３はｓ４図の３１及び２ａの曲線又は第５図の３ｂ及び
２ｂの曲線で示される吸収波長域を有し、負帯電性の感
光体である。

作像の過程で上記感光体に照射される光として−は、保
嚢層２に主として吸収される全面露光のための波長光を
λＡとし、感光ＮＩ３に主として吸収される惨様籐光の
波長光をλＢとし、代表的な次の３種の作置方法につい
て説明する。第１の４健方法は８８６図の（１）　、　
（噂、ｅｌ、に）の工程で示される。

即ち「保護層２の全面への一様な負帯電−λＢ光による
ｍａｔｓ光−λＡ光による全面拠光」のプロセスによシ
靜宵荷惨が形成され、正帯電トナーにより現俸されてト
ナー儂が形成され、次いで転写定着されて作像される。

くりかえし作像の過程では、λＢ光又はλＡ＋λＢ光に
よゐ光除電又は５ｅＲコロナ放亀器等による除電及びト
ナークリーニンググレードによるクリーニング尋が行な
われる。

この昨ｇＩ７０セスにおいて、第６図（１）の工程で保
Ｎ鳩２上に付与された一様な負電荷は、導電層６と電荷
発生層４との界面に正の電荷を蓄積させる。かかる負及
び正の電荷の内の正電荷は第６図（ロ）の工程で惨様露
光λＢの照射によシ保護層２と電荷輸送層５との界面に
移動する。このため光の照射された部分だけが低い表面
電位を形成するに到り、静電荷置が形成される（この静
電荷儂を正帯電トナーで赤光し、転写定着する咋倭法が
後述する第３の作像法である。）。

次いで第６図（−）の工程でλＡ光による全面露光を施
ζすことにより、保護層２の表面にあった負電荷社保１
１４２と電荷輸送層５との界面に移動し、前記惨様籐光
部は既に界面にあった正電荷を中和するので、第６図に
）の工程に示される如くコントラストの高い靜亀荷俸が
得られ、トナー現俸したとき、より鮮明なトナー曹が得
らｈる。このトナー書は転写定着されて定着儂とされる
。

久に８Ｂ２０咋俸法は第７−の（１］１（ロ）、ｒｔ、
に）の工程で示される。即ち「保護層２全面への一様な
負帯電−λＡ光による全面露光−λＢ光による儂様露光
」により静電荷像が形成され、以後第１の作像方法と同
様にして作像される。この炸ｇＩプロセスにおいて、第
７図（１）の王権に示される如く、保護層上に付与され
た一様な負電荷は、基＆７と電、荷発生層４との界面に
正の電荷を蓄積させる。

上記保護層２上の負電荷は、第７図（→の工程で示され
る如く、λＡの全面露光により保護層２と電荷輸送層５
との界面に移動する。かくして第７図ｅつの工程て示さ
れるλＢの像様無光を施こすことにより、基板１と１″
荷発生層４との界面にあった正電荷は保護層２と電荷輸
送層５との界面に移動し、既にその位置にあった負電荷
と中和され、第７図に）の工程に示される静電荷像が形
成される。

以後この静電荷像はａｌｌの作像プロセスと同様にして
作像される。

次に第３の作像プロセスは既に第１０咋儂プロセスで説
明した通シ、第６図のｅ）の全面露光工程が除かれたも
のである。

上記種々の作像方法において、感光体の保護層よるクリ
ー二ング工程等により、完全に残留電荷は除去されカプ
リのない作像が達成され、かつく）返しての會形成にお
いて感光体が劣化せず、鮮明なｉｉ＊を継続して得るこ
とができる。しかし、ＩＩ３の昨ｆＩＩ力法においては
全面露光が除かれてい゛るためｇＩ！施光部に表面電荷
の残留があり、そのままで酸カブリの原因となるので、
絶縁性トナーを含む二成分系赤光削を用い、バ１アス現
儂法を適用してカプリを除くよう圧した作像法が望まし
い。

又紡記第１の作像法及び第２の作像法にあっては、どの
ような現曹剤を用いてもすぐれたｉｊ＊が得られ、バ１
アス印加によるカプリ除去の工程が不用であるため、例
えばバ１アス印加ができない導電性磁性トナーを用い九
−成分系現儂剤を用いても、すぐれた咋儂を達成するこ
とができる。

前記６穆の作＊７ｉ法において一様な帯電に伴って施さ
れる俸禄露光又は全面露光＃ｉ、通常帯電と同時又はそ
の後に行なわれるが、帯電よ１１０ミリセコンド又はよ
ル短い時間前であれば、帯電前の露光であっても有効で
ある。

又、クリーニングに用いられる光は通常惨様篇光用波長
光λＢを使用すればよいが、全面露光用波長光λＡも含
む光を用いれば、より完全にクリーニングされるので望
ましい。

本発明の作像法に用いられる感光体の感光層３としては
、Ｓｅ　、５ｓ−Ｔｅ合金、５ｓ−Ａｓ合金、Ｓ・−ｓ
ｂ金合金の蒸着層から成る無機光導電層、ＰＶＫ　、Ｔ
ＮＦから成る有機光導電層、ＰＶＫ層−８＠層、ＴＮＦ
層−８ｓ層、オキサジアゾール０４体層−ペリレン銹導
体層、ピラゾリン銹導体層−クロロダ１アンプル一層、
ピラゾリン銹導体層−メチルスカリリウム層等の電荷輸
送層−電荷発生層から成る二層ｌＩｋ成を有する光導電
層等があるが、その他従来公知の有機、無機光導電層か
ら選択して用いられる。

本発明の作像法に好ましく用いられる二層輌成の感光層
を有する感光体につきさらに詳述する。

即ち上記感光層中の電荷発生層に用いられる電荷発生物
質としては可視光を吸収して自由電荷を発生する本のて
あれば、無機顔料及び有機色素の何れを本川いることが
できる。無定形セレン、三方＾系セレン、セレン−砒素
合金、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、セレン化
カドミウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛
、硫化鉛等の無機顔料の外、次の代表例で示されるよう
な有機色素を用いてもよい。

（１）　　モノアゾ色票、ポリアゾ色素、金属錯塩アゾ
色素、ピラゾロンアゾ色素、スチルベンアゾ色素及びチ
アゾールアゾ色素等のアゾ系色票（２）ヘリレン酸無水
物及びペリレン酸１ミド等のペリレン：４九素 （３）アントラキノン銹導体、アントアントロン銹導体
、ジベンズピレンキノン銹導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及び１ソビオラントロン銹導体等
のアントラキノン系乃至多積キノン系色素 （４）１ンジゴ霞導体及びチ第１ンジゴ訪導体等ノ１ン
ンゴ１ド系色素 （５）　　金属フタロシアニン及び無金属７タロシアニ
ン等の７タロシアニン系色素 （６）　　ジフェニルメタン色素、トリフェニルメタン
色素、キサンチン色素及びアクリジン色素等のカルボ二
つム系色素 （７）アジン色素、オキサジン色素及びチアジン色素等
のキノン１ミン系色素 （８）　　シアニン色素及びアゾメチン色素等のメチン
系色素 （９）キノリン系色素 Ｑ（Ｉ　　ニトロ系色素 ００　　ニトロン系色素 ０埴ヘンゾキノン及びナフトキノン系色票Ｉ　ナスタル
１ミド系色素 ａ◆　ビスベンズ１ミグシーＪＬＪ！導体等のペリノン
系色素 Ｑｅ　　キナクリドン糸色素 またζこに用いられるバフ、クダー樹脂としては、例エ
バポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエス
テル側腹、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シ
リコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合１１樹脂、重付
加ｍ＠脂、重縮合ｊ１樹脂並びに？：、れらの樹脂の繰
返し単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル−無水マレ１）酸共重合体樹脂等を挙げること
ができる。しかしバ１ンダー樹脂はこれらに限定される
ものではなく、斯かる用途に一般に用いられるすべての
樹脂を使用することができる。

前記電荷発生層に加えることのできる特定乃至非特定の
極性の電荷に対する移動度の大きい電荷輸送物質として
社、本発明において電荷輸送層５等の構成に用いる、後
述する特定の電荷輸送物質をその一部又は全部として用
いること本できるが、電子写真感光体としての性能を考
慮して他の電荷輸送物質を用“て賜や・ 本発明において電荷輸送層５に使用される電荷輸送物質
として社オキサゾール銹導体、オキサジアゾール篩導体
、チアゾール銹導体、チアジアゾール銹導体、トリアゾ
ール銹導体、１ミダソ一ル銹導体、１ミダゾロン鍔部体
、１ミダゾリジン鱒導体、ビス１ミダゾリジン鍔部体、
ピラゾリン誘導体、オキサシロン鍔導体、ベンゾチアゾ
ール銹導体、ベンズ１ミダゾール誘導体、キナゾリン篩
導体、ペンシフ２ン誘導体、アクリジン−導体、フェナ
ジン銹導体、アミノスチルベン銹導体、ポ１）　−Ｎ−
ビールカルバゾール、ポ１１１−ビニルピレン、ポリ−
９−ビニルアントラセン、２．４．７−ドリニトロンル
オレノシ％　２，４，５．７−　ｆ　１’　ラニトＩフ
ルオレノン、２．７−シニトロフルオレノン等が挙げら
れる。

また他の感光体としてＢ、ＺｎＯ十〇４８等の無機光導
電物貢をバ１ンダー＠脂中に分数したものもある。

本発明に用いられる感光体の保護層２は、好ましくは光
導電性無機化合物を主体とした薄層から成り、ビッカー
ス硬板が高く、機械的強敵が優れ、目的に応じて比較的
容易に光吸収特性の選択が可能であるとか、無公害であ
るなどの点から、水素又は弗素が導入された下記構造の
アモルファスシリコンカーバイド又はアモルファスシリ
コノナ１トラ１ドが好ましく用いられる。即ち８ｉｘＣ
１−ｘ：１％５ｉｘＣｔ−１：Ｆ、　８１ｘＣｔ−ｘ：
　Ｆ［：　１％５ｉｘＮｘ−ｘ：ｆ（，８１ＸＮｌ　−
Ｘ　：　Ｐ　％　８　ｉ　ＸＮｌ　−ｚ　：　Ｈ：　Ｆ
　（ｕ１シＩは０（ｘ（１）を感光層上に真空下に堆積
せしめるか；これらを樹脂中に分数した本のを薄層に一
般した本ので屯よいが、好ましくは前記堆積層とされる
。

前記８１ＸＣ１−Ｘ　：　Ｈ％５ｉｚＣ１−Ｘ　：　Ｆ
％８１ｚＣ１，ｚｌｌ　Ｉｆ　＠　ｐ等の作製法として
は、スパッターりフグ法及びグロー放電法等が挙げられ
る。スパッターリング法による場合には、Ｓｉ及びＣの
ターゲットを使用して、水素、フッ累若しくは水素とフ
ッ素を含有するＡｒ等のスパッタガスを堆積室内に導入
して、０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒの圧力てスパッターりン
グを行なう。グロー放電法による場合には、８ｉＨ％カ
ス着しぐはｇ　ｉＦ４ガスとＣ２Ｈ１１ガス等の炭化水
嵩ガス若しくはＣ２Ｆ４等の７ツ化水素ガスとを含むＡ
ｒガス等をグロー放電装置内に導入し、０．１〜Ｉ　Ｔ
ｏｒｒの範囲の圧力てグローｍ亀分解を行う。

５ｔｚＮ１−、：　Ｈ，５ｉｚＮ１−Ｘ：Ｆ％　８１ｚ
Ｎ１−ｘ：Ｈ：Ｆ等の作製法としては、スパッターリン
グ法及びグロー放電法等が挙げられる。ＳｔとＮとの含
有割合の制御はグローｌ１１１１法が優れている。グロ
ーｍｍ法による場合には、８ｉＨ１ガス若しくは５ＩＦ
１１ガスとＮＨ５ガス若しくはＮＦＩガス等を含むＡｒ
ガス勢をグロー放電装置内に導入し０．１〜Ｉ　Ｔｏｒ
ｒの範囲の圧力で放電分層を行う。

かかる保護層２は機械的９ｍ２Ｋｆｌ？１ており、ビッ
カース硬度が５００以上であることが望ましく、嗅厚は
０．０１　ｐ〜５ｐ、好ましくは０．０５　ｓ〜１μで
ある。

又かかる保護層は母体となる感光層との間に電荷の注入
を阻止する障壁が形成されるよう、ガスの混合比咎を制
御して堆積せしめるのがよい。

かかる技術は例えば１９７Ｑ年発行のＰｈ１ｌｏｓ。

い１　□ ｐｈｌｃａｌ　Ｍａｇａｚｉｎｅ　、　Ｖｏｌ　３５　
、１〜１６　ｐａｇｅの（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎ
ｄ　０ｐｉｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ　Ａ
ｍｏｒｐｈｏｕｓ　５ｉｌｉｃｏｎ　ｅａｒｂｉｄｅ　
、　５ｉｌｉｃｏｎｎｉｔｒｉｄｅ　　ａｎｄ　ｇｅｒ
ｍａｎｉｕｍ　ｃａｒｂｉｄｅ　Ｐｒｅｐａｒｅｄｂｙ
　ｔｈ＠　ｇｌｏｗ　ｄｉｓｃｈａｒｇ＠　ｔｅｅｈｎ
ｉｇｕａ　　、ｂｙＤ、ムＡｎｄｅｒａｏｎ　ａｎｄ　
Ｍ、Ｅ、８ｐｅａｒ）に詳細に記載されている。即ち無
定形シリコンカール１ド又は無定形シリコノナ１トラ１
ドの堆積層を形成するとき、前記カーバ１ド成分又はす
１トラ１ド成分を変化することによ）、バンドギャップ
が大きく変化することが記載されている。即ち前記保護
層をスパッタ法又はグロー放電法等で真空下に堆積せし
めるとき、前記カーボン又はす１ト−）１ドの含有量を
シランガスと炭化水素ガスとの混合割合又はシランガス
とアンモニアガスとの混合割合を変化することによシ、
バンドギャップを変化してバリアーを形成するようにす
ることができる。

本発明が提供する感光体及び作偉法においては以下の特
徴がある。即ち １１）　　被雑なプロセスを用いることなく、特有の層
構成を有する感光体を効果的に生かして高性能の作像が
できること、 （２）感光体を繰り返し使用して咋侭しても残留電荷の
蓄積が殆んど生じないこと、 （３１１ｉ＆、湿皺の影響が受けにくい感光体及び作像
方法を提供できること、 （４）使用目的に応じて、光導電性層の感光性に実質的
に影響を及ぼさない保護層を提供できること、 （５）　　比較的薄い喚厚で機械的強度の高い保護層が
提供できること、 （６）　　有機感光体は、紫外光の照射に伴って感度劣
化及び残電上昇を生じるものが多いが、本発明の電子写
真法においては、保護層の７１ルター効果により前述の
劣化が生じにくくなること、（７）Ｈｅ−Ｎ・レーザー
光、半導体レーザー光の使用に適し、機械的ｌ３ｉ１度
の優れた有機感光体の作製が可能となること、 等の特徴を有する。

以下に本発明の実施例を示すが、本発明は以下の実施例
によシ限定されるものではない。

実施例１ アルミニウムドラム（ｑ％径１２０■、長さ３２０■）
上にＳ・−Ａｓ合金から成る光導電層を真空蒸着法によ
シ厚さ６０ｊに形成した。次に１３．５６Ｍｋ４ｔの高
周波グロー放電装置に５容量優の５ｔｔｉ＠ガスと１５
容ｉｉ優の０２Ｆｆ％ガスとを含むＡｔガスを導入し、
０．５　Ｔｏｒｒの圧力でグロー放電分解を行い、前記
光導電層上に厚さ１ｊの保護層を有する感光体を作製し
た。

この感光体を「帯電−全面露光（４９５ｎｍに最大の発
光ピークを有するＥＬパネル使用）−９様霧光（Ｈｅ−
Ｎｏレーザー光使用）−現儂転写一定着（但し感光体表
面は除電及びクリーニングを施こす）」のプロセスを小
西六写真工業■製Ｕ−Ｂｉｘ　Ｖ２の改良機を用いて行
い、２００，０００回の複写を行なったところ、いずれ
も鮮明な画儂が得られた。

実施例２ 実施例１とＮじ感光体を［帯電−侭様露光（Ｈｅ−Ｎｅ
レーザー光使用）−全面無光（４９５ｎｍに最大の発光
ピークを有するＥＬパネル使用）−現儂一転写一定着（
但し感光体表面は除電及びクリ−ユングを施こす）」の
プロセスを前記改良機を用いて行い、２００，０００回
の複写を行なったところ、いずれも鮮明な画曽が得られ
た。

比較例１ 実施例１の感光層上に２ＩＩ厚のポリエステル、ポリ塩
化ビニリデン、アセチルセルローズの３種の等量混合体
からなる保護層を設けた感光体とＩ７た他は実施例１と
同様にして咋儂したが、約１０．０００回の複写の過程
て保護層が損傷しかつカプリが増加して画貿が劣化した
。

実施例３ 厚さ１００ＪＩのポリエチレンテレフタレートより成る
基体上にアルミニウムを蒸着して敗る導電性支持体上に
、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ１ン酸共重谷「エ
スレツクＭＰ−１０Ｊ　（積木化学工業製）より成る厚
さ０．１　ｐの中間層を設け、電荷発生層としてダ１ア
ンプル−（Ｄｉａｎｅ　Ｂｌｕ・Ｃ，１，−２１１８０
）のｎ−ブチニアｉ　ン溶液を乾燥時の一部が０．８　
ｓになるようＫｆｔｌ記中ｔｍｍ上に働布した。次に電
荷輸送層としてポリカーボネート樹脂「パンテ１　トＬ
−１２５０Ｊ（今人化製社製）１０ｇと１−フェニル−
３−（４−ジエチルアミノステリル）−５（４−ジエチ
ルアミノフェニル）ヒラゾリン５ｇとを１．２−ジクロ
ルエタン１００ｄＫ溶解した溶液を前記電荷発生層上に
塗布し、漏［７０℃で１時間乾燥せしめて厚さ１３１の
電荷輸送層を形成した。次に１３．５６　ＭＨｚの高周
波グロー放電装置に１７容量鳴のＭ５と３容量−の８ｉ
ＨＩＩとを含むＡｒガスを導入し、　０．３７ｏｒｒの
圧力でグロー放電分解を行い、前記電荷輸送層上に厚さ
０゜５Ｊの保護層を有する感光体を作製した。

この感光体を［帯電−全面露光（４００〜４４０ｎｍの
波長光を有するＥＬパネル使用）−倫側光（Ｈｅ−Ｎ・
レーザー）−現像一転写一定着（但し感光体表面は除電
及びクリーニングされた）」のプロセスを前記改良機を
用いて行い、４０，０００刊の複写を行ったところ、い
ずれも鮮明なｉｉｉ＊が得られた。

比較例２ 実施例３の感光体の保護層を除いた他は同様にして画偉
を形成したところ、ｉｏ、ｏｏｏ回の作曹の過程で画曽
の一部に縦筋を生ずるに到シ、１像が悪化した。

比較例３ 実施例３の感光層上に、　１３．５６　ＭＨｚの高周波
スパッタリング装置によ〕、雰囲気はＡｔガス０．１　
Ｔｏｒｒとし、厚さ０．５　ｔｘｏ　５ｉＯｚからなる
保護層を有する感光体を作製し庭。この感光体と前記実
施例３の感光体とを市販の複写機ｒｕ−ｓｉｘ２０００
ＲＩＪ［小西六写真工業■製〕に装着して連続複写テス
トを行ない、露光絞り値２．５における感光層の画儂地
肌部のｔ位を「エレクトロスタテ１ツクボルトメーター
１４４Ｄ−ＩＤＪ（センローエレクトロニクス１ンコー
ボレーテツト社製）を用いて測定した。その結果は１４
１表に示す過多である。

第　　　１　　　表

【図面の簡単な説明】

ｗ４１図〜ａ１３図は各々、正帯電を行なう場合の本発
明に用いる感光体の代表的異体例を示す拡大断面説明図
、第４図および第５図は各々本発明に用いる感光体にお
ける光導電性感光層と光導電性保護層の光吸収特性の例
を示すグラフ、第６図および第７図は各々本発明に係る
静電荷像形成方法のプロセス例を示す図である。 図中、１は感光体、２は光導電性保護層、３は光導電性
感光層、４は電荷発生層、５は電荷輸送層、６は導電層
、Ｔは基体、λＡは光導電性保護層により主として吸収
される波長光、λＢは光導電性感光層により主として吸
収される波長光を示す。 特許出願人　　小西六写真工業株式会社代理人弁理士　
　坂　Ｏ信　昭 （ほか１名） （ハ）　　　　　　　　　（ニ） ＋＋＋＋↓℃。 （ハ）　　　　　　　　　（ニ） ↓↓え。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層
   上に光導電性保Ｓ層を有し、前記感光層が少くとも前記
   保護層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体
   であって、該感光体の表面に一様に帯電すふ工程、前記
   感光層には吸収されるが、望記保護層には実質的に吸収
   されない光波長域の惨様露光を施こす工程及び必要によ
   り前記保護層には吸収されるが実質的に前記感光層には
   吸収されない光波長域の全面露光を總こす工程を含むこ
   とを特徴とする静電荷ｇＩ形成力法。 （２）全ｍ１１光が、惨様露光の繭であって、一様な帯
   電と同時又は［＃ｉもしくはその後に施こされることを
   特徴とする特許請求の範１第１項記教の静電荷像形成力
   法。 （３）　　９様無光が、全面露光の前てありて、帯電と
   同時又はその直前本しくはその後に施されることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の静電荷像形成力法。 （４）　　＊様露光が帯電と同時Ｘ線その直前もしくは
   その後に施され全通算光を必要としないことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１・項記載の静電荷像形成力法。 （５）光導電性保護層が光導電性無機化合物を主成分と
   する層から成りことを特徴とする特許請求の範曲第１項
   記ＳＯ静電荷會形成方法〇（６）　　導電性支持体上に
   光導電性感光層、該感光層上に光導電性感光層を有し、
   前記感光層が少くとも前記保護層の光吸収波長域以外の
   光吸収波長域を含む感光体であって、該感光体の表面に
   一様に帯電し、該帯電と同時又は直前もしくはその級に
   前記保護層には吸収されるが、前記感光層Ｋａ実質的に
   吸収されない光波長域の全面露光を施ζし、次いで前記
   感光層には吸収されるが前記保護層には実質的に吸収さ
   れない光波長域の儂橡籐光を施こして静電荷像を形成し
   、次いて該静電荷像を荷電粒子を含む現俸剤で現倫して
   可視像を形成する工程と該可視像を転写材に転写して転
   写儂を形成し、これを定着する工程と、転写後の前記感
   光層の全面にクリーニング光を照射し及び／又は交流電
   圧を印加して残留電荷を消去する工程とを含むことを特
   徴とする電子写真法。 （７）　　り１３−ニングχが感光層の光吸収波長域の
   光であることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
   電子写真法。 （８）クリーニング光が感光層及び保護層の光吸収波長
   域の光でありことを特徴とする特許請求の範四ｍ６項記
   載の電子写真法。 （９）光導電性保護層が光導電性無機化合物を主成分と
   する層から成ろことを特徴とする特許請求の範囲第６項
   記載の電子写真法。 Ｑｌ　　導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上
   に光導電性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保
   一層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体で
   あって、該感光体の表面にく社その後に前記感光層には
   吸収されるが、前記保護層には実質的に吸収されない光
   波長域の儂様露光を施こし、次いて前記保護層には吸収
   されるが；前記感光層には実質的に吸収されない光波長
   域の全面露光を施こして静電荷像を形成する工程と、該
   静電荷像を荷１１籾子を含む現侭削で３ｊｌ倫して可視
   像を形成する工程と該可視像を転写材に転写して転写偉
   を形成し、これを定着する工程と、転写後の前記感光層
   の全面にクリーニング光を照射し及び／又は交流電圧を
   印加して残留電荷を消去する工程とを含むことを轡微と
   する電子写真法。 ａυ　クリーニング光が感光層の光吸収波長域の光てあ
   りことを特徴とする特許 項記載の亀子写真法。 ｔＪ３　　クリーニング光，が感光層及び保護層の光吸
   収波長域の光てある゜ことを特徴とする、特許請求の範
   囲ＩＩ１０項記教の電子写真法。 Ｉ　光導電性保護層が光導電性無機化合物を生成分とす
   る層から成ることを％黴とする、特許請求の範ｈａｉｏ
   項記ｇｏ電子写真法。 ａ◆　導電性支持体上に光導電性感光層、該感光層上に
   光導電性保護層を有し、前記感光層が少くとも前記保護
   層の光吸収波長域以外の光吸収波長域を含む感光体であ
   って、該感光体の表面に一様に帯電し、該帯電と同時又
   は直前亀しくはその後に前記感光層には吸収されるが、
   前記保護層には実質的に吸収されない光波長域のｇＩ様
   露光を施こして、静電荷像を形成する工程と該静電荷像
   を荷電粒子を含む現ｇＩ削で現儂して可視像を形成する
   工程と該可視像を転写材に転写して転写曹を形成し、こ
   れを定着する工程と、転写後の前記感光層の全面にクリ
   ー二ング光を照射し及び／又は交流電圧を印加して残留
   電荷を消去する工程とを含むことを特徴とすｂ電子写真
   法。 Ｏ＄　クリー二ング光が感光層の光吸収波長域の光で．
   あることを特徴とすろ、特許請求の範囲！１４項記載の
   電子写真法。 αｅ　クリーニング光が感光層及び保護層の光吸収波長
   域の光であることを特徴とする、特許請求の範囲８１１
   ４項記載の電子写真法。 αη　光導電性保護層が光導電性無機化合物を主成分と
   する層から成ｂことを特徴とすｂ，特許請求の範１第１
   ４項記載の電子写真法。