JPS5854315A - 光アイソレ−タ - Google Patents
光アイソレ−タInfo
- Publication number
- JPS5854315A JPS5854315A JP15325681A JP15325681A JPS5854315A JP S5854315 A JPS5854315 A JP S5854315A JP 15325681 A JP15325681 A JP 15325681A JP 15325681 A JP15325681 A JP 15325681A JP S5854315 A JPS5854315 A JP S5854315A
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- JP
- Japan
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- substrate
- garnet
- optical isolator
- plane
- growth
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/095—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0955—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect in an optical waveguide structure used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、７アラデ一回転効果を利用した光アイソレー
タに関する。
タに関する。
近時、光フアイバ４信挾術の進歩は目ざましい。
低損失ファイバと長時間連続発振可能な半導体レーザの
開発ＶＣ↓す、光フアイバ通信技術は通信量の増加に対
応し安価でしかも高品質の通浦手段を提供する手段とし
て期待されている。しかしながら、光伝送錯の途中に設
けられるスイッチ等のｉ品ρ）ら反射される戻り光が光
源である半導体レーザに入るとレーザ発振の安定性を損
うという大きｉｔ ｌＲ迩がある。
開発ＶＣ↓す、光フアイバ通信技術は通信量の増加に対
応し安価でしかも高品質の通浦手段を提供する手段とし
て期待されている。しかしながら、光伝送錯の途中に設
けられるスイッチ等のｉ品ρ）ら反射される戻り光が光
源である半導体レーザに入るとレーザ発振の安定性を損
うという大きｉｔ ｌＲ迩がある。
こノｌｌ１Ｍ１ｉの解決のために、元アインレータτレ
ーザ光源の後段に設けることが提案されている。
ーザ光源の後段に設けることが提案されている。
１．３〜１．８μｍの長波長借用光アイソレータとして
は電子４僅学会技術研究報告０ＱＮ７８−１３３ Ｋ報
告され【いる１５に、ＩＭ４ｉ１１性体であるイツトリ
ウム・鉄・ガーネット（ＹＨＦ＊＠０１！、 ＹＩＧ）
の７アラデ一−Ｊｈ蓑社用いたものが提案されている。
は電子４僅学会技術研究報告０ＱＮ７８−１３３ Ｋ報
告され【いる１５に、ＩＭ４ｉ１１性体であるイツトリ
ウム・鉄・ガーネット（ＹＨＦ＊＠０１！、 ＹＩＧ）
の７アラデ一−Ｊｈ蓑社用いたものが提案されている。
こり報告で用いられているＹＩＧはフラックス法で育成
されたバルク単結晶である。
されたバルク単結晶である。
し刀）しながら、バルク単結晶を用いる方法は原材４＋
コストが著しく妬く、光アイソレーターの蕾反を妨げて
いる。この解決のために、特願昭５５−９３４４９ある
いは５５−１２６２３９に開示される如く非磁性ガーネ
ット基板上にエビタヤシャル成長させたガーネット厚−
の採用が提案されている。これにより、原材料コストを
安価にすることが可鑞である。
コストが著しく妬く、光アイソレーターの蕾反を妨げて
いる。この解決のために、特願昭５５−９３４４９ある
いは５５−１２６２３９に開示される如く非磁性ガーネ
ット基板上にエビタヤシャル成長させたガーネット厚−
の採用が提案されている。これにより、原材料コストを
安価にすることが可鑞である。
しかしながら、涙面内に入射される場合にはファイバか
らの光との結合に微妙な！ｌ整ｔ４！するという入点が
あった。一方、垂直に入射させる方式では元の結合は’
４４ｈではあるが、人１を元ｔアインレータとして４５
°回転させるために必要な厚さだけの厚さに−を育成す
ると表の表圓ｌζ凹凸が生じ結晶性が悪くなり、入射元
が一所的に存在する楓屈折の影Ｉｌを受けてアイソレー
ジとしてのフィンレーア、ンが１肱Ｆしたり、あるい１
よヒＲ，りが成長して成長中の表￥０１＃１ＩＩＩＩｌ
が不口ｈ１゛ζなるなどの問題があった。前者昧−成純
方位として（１１１）でめった。
らの光との結合に微妙な！ｌ整ｔ４！するという入点が
あった。一方、垂直に入射させる方式では元の結合は’
４４ｈではあるが、人１を元ｔアインレータとして４５
°回転させるために必要な厚さだけの厚さに−を育成す
ると表の表圓ｌζ凹凸が生じ結晶性が悪くなり、入射元
が一所的に存在する楓屈折の影Ｉｌを受けてアイソレー
ジとしてのフィンレーア、ンが１肱Ｆしたり、あるい１
よヒＲ，りが成長して成長中の表￥０１＃１ＩＩＩＩｌ
が不口ｈ１゛ζなるなどの問題があった。前者昧−成純
方位として（１１１）でめった。
本＠明は、このような問題を除去し、結晶性が良くした
かつてアイソレーション特性が良好であり、しかも膜厚
の制−が容易である安価な全直入ｔｉｎの光アイソレー
ジを提供するものである。
かつてアイソレーション特性が良好であり、しかも膜厚
の制−が容易である安価な全直入ｔｉｎの光アイソレー
ジを提供するものである。
以下に、本発明の原ｊｍｔ従来技術の原理と比較しなが
ら述べる。第１図は（ｌｌｊｌ 成長厚膜の戎兼途中で
基板の回転を停止させ、基板回転時と停止時との成長４
度の違いによる歪みにエフｃ導入されろ所＃Ｉｌｌ＠成
長縞導入法＃を用いた膜厚端面の観察から漫られた固成
界面の形状である。成長縞から明らかになった固液界面
の形状は膜厚が薄い場合には榔めて平坦であっ尋が（第
１図３１）、躾屡の増力ｕに伴い７ｆ−＃ｙ）生成によ
る凹凸が生じ１５０μｍ以上になると高低差が１０μｍ
にも及んだ（第１図３２）。ファセットの凹部と凸部で
は捩成ｊｉ１速度が興なっでおり、この結果四部と凸部
とでは屈折率が異なりでいる。このｉ來膜と垂直に元を
大尉させた場合、光Ｊ）進行方向に垂直な方向で屈折率
が興なるという現像が生じ、フィンＶ−シρ１低下させ
てしま５゜ 一方、 （１１０３成員Ｊｇ躾ではガーネットの口１
０）面がファセット面であることから、成炎逮度は極め
て遅くまた固液界面〇％状は一４″ｌｌｉは檄めて平坦
でありた（第１図４１）。しかしながら。
ら述べる。第１図は（ｌｌｊｌ 成長厚膜の戎兼途中で
基板の回転を停止させ、基板回転時と停止時との成長４
度の違いによる歪みにエフｃ導入されろ所＃Ｉｌｌ＠成
長縞導入法＃を用いた膜厚端面の観察から漫られた固成
界面の形状である。成長縞から明らかになった固液界面
の形状は膜厚が薄い場合には榔めて平坦であっ尋が（第
１図３１）、躾屡の増力ｕに伴い７ｆ−＃ｙ）生成によ
る凹凸が生じ１５０μｍ以上になると高低差が１０μｍ
にも及んだ（第１図３２）。ファセットの凹部と凸部で
は捩成ｊｉ１速度が興なっでおり、この結果四部と凸部
とでは屈折率が異なりでいる。このｉ來膜と垂直に元を
大尉させた場合、光Ｊ）進行方向に垂直な方向で屈折率
が興なるという現像が生じ、フィンＶ−シρ１低下させ
てしま５゜ 一方、 （１１０３成員Ｊｇ躾ではガーネットの口１
０）面がファセット面であることから、成炎逮度は極め
て遅くまた固液界面〇％状は一４″ｌｌｉは檄めて平坦
でありた（第１図４１）。しかしながら。
欠陥が一度生成するとこれを核としてＩＩＪＩ！状の成
長をし、ヒｅ、り（第２１ｉ４２ ）となる。ｋ−ａ。
長をし、ヒｅ、り（第２１ｉ４２ ）となる。ｋ−ａ。
りは成ＩＩｃ域度が−めて大であり、ヒロ、夕の生成し
た部分とそうでない部分とでは膜厚に椰端な屑が生じ、
ａｌＩ＃０ＩｉＩＩＩ御は全く不可能であった。
た部分とそうでない部分とでは膜厚に椰端な屑が生じ、
ａｌＩ＃０ＩｉＩＩＩ御は全く不可能であった。
本発明者は、口１０１あるいは（２１１）などのファセ
ット面から８°傾いた基板を用意し、これに厚ｍを育成
して成長時の固液界面を観察したところ、膜厚に関係な
く極めて平坦であることを見出した（第３図５１）。ま
た、膜成長４Ｊｆ：ｔ：ｌ威成蔑方位に依存し前述の如
（７１セット面である（１１０Ｊや（２Ｌ１では棚めて
遅かったが、ファセ、）！ｉ！Ｊ＞ら紬いた基板例えば
８°を用いるとＡ４図６に示すごとく、（ｘｔｘＪ ＆
（８４ｍ ７ ）Ｋ心数ｆ４ｔＡ矢適匿が慢られ、し
かも固液界面の形状は平坦であった。表面が８＠傾いた
基板上に育成したガーネ。
ット面から８°傾いた基板を用意し、これに厚ｍを育成
して成長時の固液界面を観察したところ、膜厚に関係な
く極めて平坦であることを見出した（第３図５１）。ま
た、膜成長４Ｊｆ：ｔ：ｌ威成蔑方位に依存し前述の如
（７１セット面である（１１０Ｊや（２Ｌ１では棚めて
遅かったが、ファセ、）！ｉ！Ｊ＞ら紬いた基板例えば
８°を用いるとＡ４図６に示すごとく、（ｘｔｘＪ ＆
（８４ｍ ７ ）Ｋ心数ｆ４ｔＡ矢適匿が慢られ、し
かも固液界面の形状は平坦であった。表面が８＠傾いた
基板上に育成したガーネ。
ト厚換の４面に垂直に光を入射させた場合、アイソレー
ジ、ン特性は口ｔｉ） 涙を用いた４合と比べ数ｄＢ
改善されていることを見出した。
ジ、ン特性は口ｔｉ） 涙を用いた４合と比べ数ｄＢ
改善されていることを見出した。
また、基板表面を（１１０）もしくは（２１１）から傾
げるときＶよ、これらの（１１Ｇ）もしくは（２１１）
が基板単結晶の育成方向（１１０）もしくは（２１１）
と垂直１ζなる１５にすると、他の育成方位の基板結晶
から育成して切り出し九基板よりも、アイソレーション
特性にＺいて優れていた。すなわら、基板単結晶育成方
向とほぼ平行に元を入射させた方が、＊成力１１１１と
はｍ関係な角度で光を入射させた場合よりもフイソレー
シ、ンＶ！性において優れ−Ｃいた。
げるときＶよ、これらの（１１Ｇ）もしくは（２１１）
が基板単結晶の育成方向（１１０）もしくは（２１１）
と垂直１ζなる１５にすると、他の育成方位の基板結晶
から育成して切り出し九基板よりも、アイソレーション
特性にＺいて優れていた。すなわら、基板単結晶育成方
向とほぼ平行に元を入射させた方が、＊成力１１１１と
はｍ関係な角度で光を入射させた場合よりもフイソレー
シ、ンＶ！性において優れ−Ｃいた。
非−性ガーネ、ト？ｆｊ板として１．３μｍにおいて透
＃！ＡｒｚＧｄｌ（ｊａｓＯｔｔ以外の基板、例えばＮ
ｄ、Ｇ、、０゜ＪＰ８山ｍＧａ１ｌ”１！ を用いる
場合には、これらの基板が１．３μｍ において楓収が
あるので基板を研磨により除去する必蒙があることを見
出した。
＃！ＡｒｚＧｄｌ（ｊａｓＯｔｔ以外の基板、例えばＮ
ｄ、Ｇ、、０゜ＪＰ８山ｍＧａ１ｌ”１！ を用いる
場合には、これらの基板が１．３μｍ において楓収が
あるので基板を研磨により除去する必蒙があることを見
出した。
以上の実験結果から得られた＊Ｊｌｌ！に憂いで、本発
明を為すに至った。すなわち、ｌ）非磁性基板上にエピ
タキシャル成長させたガーネット膜と咳ガーネ、ト膜に
磁界ｔ 、ＩＪＤえる磁石とＫより４成され、該ガーネ
ット換の表面と垂直方向に光を入射させるようにした元
アイソレータにおいて、該ガー不、ト捩の成長面ｉ１’
≧Ｕ≧１５°の範囲で１１０３もしくは（２１１３から
傾げた闇とする元アイソレータであり、２）前記元アイ
ソレータに用いる基板の成嬌方位１（１１０）めるいは
（２１１）あるいＶよこれらの−よりも１＠≧θ≧１５
’Ｑ範囲で傾いた方位であること、および３）前記光ア
イソレータにおいてエピタキシャル展成員後蕪板を除去
することである。
明を為すに至った。すなわち、ｌ）非磁性基板上にエピ
タキシャル成長させたガーネット膜と咳ガーネ、ト膜に
磁界ｔ 、ＩＪＤえる磁石とＫより４成され、該ガーネ
ット換の表面と垂直方向に光を入射させるようにした元
アイソレータにおいて、該ガー不、ト捩の成長面ｉ１’
≧Ｕ≧１５°の範囲で１１０３もしくは（２１１３から
傾げた闇とする元アイソレータであり、２）前記元アイ
ソレータに用いる基板の成嬌方位１（１１０）めるいは
（２１１）あるいＶよこれらの−よりも１＠≧θ≧１５
’Ｑ範囲で傾いた方位であること、および３）前記光ア
イソレータにおいてエピタキシャル展成員後蕪板を除去
することである。
以−Ｆに、実施例を用いて本ＪＪＡを東に詳細に説明す
る。
る。
実施−１
格子定数が１２．ｏ１２０ＡのＮｄ＠Ｃ３ａ＠Ｏｓｓ
４１ａ品を（ＩＩＩＪＪ を引き上げ方向として育成
した。この単結晶棒からそのＲＩｌｉＩＴが（１１０Ｊ
から１ 傾いた面でめる基板を切り出し、この基板上に
格子定数が１２．５目６Ａのａｄ、Ｂｉ、Ｐｅ４４Ｃ１
ａ６．４０１１ ガーネット液相エピタキシャル展１に
３８０μｍの厚膜に育成した。この４−の成長時の固液
界面は常に平坦であり結晶性は極めて良好であり、また
ヒー、り生成により−４の制御が不可能となることもな
かった。
４１ａ品を（ＩＩＩＪＪ を引き上げ方向として育成
した。この単結晶棒からそのＲＩｌｉＩＴが（１１０Ｊ
から１ 傾いた面でめる基板を切り出し、この基板上に
格子定数が１２．５目６Ａのａｄ、Ｂｉ、Ｐｅ４４Ｃ１
ａ６．４０１１ ガーネット液相エピタキシャル展１に
３８０μｍの厚膜に育成した。この４−の成長時の固液
界面は常に平坦であり結晶性は極めて良好であり、また
ヒー、り生成により−４の制御が不可能となることもな
かった。
このガーネット膜は層面垂直方向が磁化４＆軸でめるオ
ルソｐンビ、り異方性を有しＣおり、表面と垂直な方向
にａ化を鉋相させるための磁場の大きさは２０００ｅと
バルク単結晶の場合、／） ２０００（Ｊ＠と比べて極
めて小さかった。基板はｈａμｍ惜の赤外線に対して吸
収がめるために、基板ｔ−研層により除去した。磁化・
と表面と！１１Ｉｌ［方向シて耐相させて膜面垂直方向
に１．３μｍのレーザー光を入射させたところ入射偏光
面の・１５°の一転が生じた。本ガーネ、ト厚−をｊｔ
フイソレータとして用いたところアイソレーション特性
は３９ｄＢでめった。また元を表面と垂直に入射させる
ことからファイバとの結合ば８）４であり、アイソレー
タ組立時の調整は殆ど盾−柾で行５ことができたゆ 実施例２ 格子定数がｘｔ＜ａｓｏ＞の８町ｕａ、ｏ、、単結晶を
（ＩＩＯＪ から１５°傾いた方位を引き上げ方向とし
て育成した。この単結晶棒から引き上げ方向と垂直な面
ｔ−表面とする基板を切り出し、この基板上に格子定数
が１２．４３８１ＸのＹ！−１１１３ｔｓｖｓｌ’ｓｗ
ｏ＋ｔガーネ、ト液相エピタキシャル展を４４０μｍｏ
厚さに育成した。この厚膜の成長時の固液界面は常に平
坦であり、結晶性は檄めて良好であった。このガーネッ
ト一はｍ面と垂直方向が磁化容ＪＩＩＩ軸であるオルソ
ａ７ビ、り異方性を催していた。基板を研磨により除去
したのち１．ｉ１！を繰向と垂直方向に磁気的にｊ１ｉ
１和させ、謙面垂直方向より１．３μｍのレーザー光を
入射させたところ光アイソレータとして制作した。この
１イソレータθアイソレージ。
ルソｐンビ、り異方性を有しＣおり、表面と垂直な方向
にａ化を鉋相させるための磁場の大きさは２０００ｅと
バルク単結晶の場合、／） ２０００（Ｊ＠と比べて極
めて小さかった。基板はｈａμｍ惜の赤外線に対して吸
収がめるために、基板ｔ−研層により除去した。磁化・
と表面と！１１Ｉｌ［方向シて耐相させて膜面垂直方向
に１．３μｍのレーザー光を入射させたところ入射偏光
面の・１５°の一転が生じた。本ガーネ、ト厚−をｊｔ
フイソレータとして用いたところアイソレーション特性
は３９ｄＢでめった。また元を表面と垂直に入射させる
ことからファイバとの結合ば８）４であり、アイソレー
タ組立時の調整は殆ど盾−柾で行５ことができたゆ 実施例２ 格子定数がｘｔ＜ａｓｏ＞の８町ｕａ、ｏ、、単結晶を
（ＩＩＯＪ から１５°傾いた方位を引き上げ方向とし
て育成した。この単結晶棒から引き上げ方向と垂直な面
ｔ−表面とする基板を切り出し、この基板上に格子定数
が１２．４３８１ＸのＹ！−１１１３ｔｓｖｓｌ’ｓｗ
ｏ＋ｔガーネ、ト液相エピタキシャル展を４４０μｍｏ
厚さに育成した。この厚膜の成長時の固液界面は常に平
坦であり、結晶性は檄めて良好であった。このガーネッ
ト一はｍ面と垂直方向が磁化容ＪＩＩＩ軸であるオルソ
ａ７ビ、り異方性を催していた。基板を研磨により除去
したのち１．ｉ１！を繰向と垂直方向に磁気的にｊ１ｉ
１和させ、謙面垂直方向より１．３μｍのレーザー光を
入射させたところ光アイソレータとして制作した。この
１イソレータθアイソレージ。
ン特注１工３ｇｄＢであり、アイソレータ組立時のファ
イバー結合に要する調整は殆ど不備であった。
イバー結合に要する調整は殆ど不備であった。
また表の成長方位が（１１Ｇ） より１５’Ｑ上傾い
九方位である制置には成長時の固液界面の形状は平坦で
はなくなり、結晶性が劣化し、フイソレーシ曹ン特性が
低下した。
九方位である制置には成長時の固液界面の形状は平坦で
はなくなり、結晶性が劣化し、フイソレーシ曹ン特性が
低下した。
実施例３
Ｍ 予定ａ ｂ５１２．３８３ Ａ ＯＧｄｌ（ｊａｓ
Ｏｔｇ単結晶を［２１１］ｚ）＞ら４″傾いた方位を引
き上げ方向として育成した。この単−晶棒から引き上げ
方向と蓋直な面を表面とする基板を切り出し、この基板
上に格子定数が１ｚ、ａ９ｏｉのＬｕ＠４ Ｈ４，ｙ
Ｆｅｂ＠ Ｌ３ｍ（ｋｌ ０１ｍガーネット液相エピタ
キシャル展を４３０μｍの厚さに育成した。この厚膜の
成長時の固液界面は常に平坦であり、結晶性は極めて良
好であった。このガーネット躾を表面と垂直方向に磁気
的に飽和させ１．３μｍ帯における光アイソレータとし
て用い九ところアイソレーション特性として３７ｄＢが
慢られた。こθ材料では基板とガーネット裏との格子逆
叔差が０．００７Ａと極めて大きくはありたが、光ｔａ
ｌ１面と垂直に入射させるために１元の入射方間と圭直
に存在する格子不唾合歪みによる複屈折はアイソレーシ
ョン特性を劣化させなかった。
Ｏｔｇ単結晶を［２１１］ｚ）＞ら４″傾いた方位を引
き上げ方向として育成した。この単−晶棒から引き上げ
方向と蓋直な面を表面とする基板を切り出し、この基板
上に格子定数が１ｚ、ａ９ｏｉのＬｕ＠４ Ｈ４，ｙ
Ｆｅｂ＠ Ｌ３ｍ（ｋｌ ０１ｍガーネット液相エピタ
キシャル展を４３０μｍの厚さに育成した。この厚膜の
成長時の固液界面は常に平坦であり、結晶性は極めて良
好であった。このガーネット躾を表面と垂直方向に磁気
的に飽和させ１．３μｍ帯における光アイソレータとし
て用い九ところアイソレーション特性として３７ｄＢが
慢られた。こθ材料では基板とガーネット裏との格子逆
叔差が０．００７Ａと極めて大きくはありたが、光ｔａ
ｌ１面と垂直に入射させるために１元の入射方間と圭直
に存在する格子不唾合歪みによる複屈折はアイソレーシ
ョン特性を劣化させなかった。
以上−明したように１本発明を用いることに工り、厚膜
の成長時の１液１／＃面の形状は平坦となりこの結果＃
！蟲性が良好となり、アイソレージ、ン特性が良好であ
り、しかも辷口、夕の生成がないために成長時の膜厚制
御が４揚である垂直入射量の光アイソレータが得られる
。
の成長時の１液１／＃面の形状は平坦となりこの結果＃
！蟲性が良好となり、アイソレージ、ン特性が良好であ
り、しかも辷口、夕の生成がないために成長時の膜厚制
御が４揚である垂直入射量の光アイソレータが得られる
。
亀１図は厚層Ｏ端面を成長縞導入法によって観察した（
１１１）成長ガーネット膜の固液界面形状のＩＩｌ！察
績果である。１線基板、２はガーネット躾、３１おＬび
３２は導入さ往た成長縞である。３１は膜厚が極めて薄
い場合の固液界面の形状、３２は１５０μｍ以上の膜厚
において凹凸が激しくなう九固欣界面の形状倉不す、第
２図は（１１０） 成炎威における固液界面の形状を示
す、４１は膜厚が薄い場合の固液界面であり極めて平坦
であった。 ４２はヒロ、りである。＃Ｉ３図は表面が０１０）より
１’傾いた基ＩＥＫ＊成した厚麟Ｖこ葛ける固液界面の
形状を不す。［Ｉ！ｄ准界面５１はａｔ厚に依らず平坦
である。第４図は表面が（１１０３より傾いた基板に成
長した躾の成長速度と基板方位とのｌ１１４４を示す。 第２図 第 ３ 図
１１１）成長ガーネット膜の固液界面形状のＩＩｌ！察
績果である。１線基板、２はガーネット躾、３１おＬび
３２は導入さ往た成長縞である。３１は膜厚が極めて薄
い場合の固液界面の形状、３２は１５０μｍ以上の膜厚
において凹凸が激しくなう九固欣界面の形状倉不す、第
２図は（１１０） 成炎威における固液界面の形状を示
す、４１は膜厚が薄い場合の固液界面であり極めて平坦
であった。 ４２はヒロ、りである。＃Ｉ３図は表面が０１０）より
１’傾いた基ＩＥＫ＊成した厚麟Ｖこ葛ける固液界面の
形状を不す。［Ｉ！ｄ准界面５１はａｔ厚に依らず平坦
である。第４図は表面が（１１０３より傾いた基板に成
長した躾の成長速度と基板方位とのｌ１１４４を示す。 第２図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 り 非磁性基板上にエピタキシャル成長さセたガーネッ
ト躾と威ガーネ、ト展にａｎ−を加える憔石とにより構
成さｎ、該ガーネット躾の一面と垂直方向に元を入射嘔
せるようにした光フィンレータにおいて、該ガーネット
躾の成長面ｔ１０≧θ≧１５°の範囲で（１１０）もし
くは（２Ｌ１から傾けた面とすることを９＃黴とする光
アイソレータ。 ２、特許請求の範囲１）において、非磁性基板の成長方
向を（１１Ｇ）あるいは（２１１）あるいｊよごれらの
面よりも１″≧０≧１５° の範囲で傾い九方位である
ことを特徴とする光アイソレータ。 ３）特許請求の範ｄ １） において、エピタキシャル
展成兼債基叙を除去したことを特徴とする光アイソレー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325681A JPS5854315A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 光アイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325681A JPS5854315A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 光アイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854315A true JPS5854315A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15558474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15325681A Pending JPS5854315A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 光アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854315A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120926A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Nec Corp | 磁気光学素子材料 |
| JPS6186716U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-06 | ||
| US4611850A (en) * | 1983-12-14 | 1986-09-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Clip device for fixing window glass in motor vehicle |
| US4703973A (en) * | 1983-09-02 | 1987-11-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Mounting apparatus for a vehicle window |
| JPS63111386A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | 横浜ゴム株式会社 | ホ−ス |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15325681A patent/JPS5854315A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4703973A (en) * | 1983-09-02 | 1987-11-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Mounting apparatus for a vehicle window |
| US4611850A (en) * | 1983-12-14 | 1986-09-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Clip device for fixing window glass in motor vehicle |
| JPS6120926A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Nec Corp | 磁気光学素子材料 |
| JPS6186716U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-06 | ||
| JPS63111386A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | 横浜ゴム株式会社 | ホ−ス |
| JPH0684793B2 (ja) * | 1986-10-28 | 1994-10-26 | 横浜ゴム株式会社 | ホ−ス |
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