JPS5852471A - 電子写真用感光体の製造装置 - Google Patents
電子写真用感光体の製造装置Info
- Publication number
- JPS5852471A JPS5852471A JP15094681A JP15094681A JPS5852471A JP S5852471 A JPS5852471 A JP S5852471A JP 15094681 A JP15094681 A JP 15094681A JP 15094681 A JP15094681 A JP 15094681A JP S5852471 A JPS5852471 A JP S5852471A
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- Japan
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- electrode
- substrate
- gas
- photosensitive layer
- cylindrical
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ法によって導電性基体上に感光
層を形成するための電子写真用感光体の製造装置Ｋｌａ
１する。
層を形成するための電子写真用感光体の製造装置Ｋｌａ
１する。
静電式複写機あるいは電算機プリンタなどに使用され石
電子写真用感光体の感光層は１例えばセレンまた酸セレ
ン合金の蒸着、もしくは硫化カドミウム、酸化亜鉛を分
散させた樹脂あるいは有機光導電性材料の塗布などＫよ
り形成された。しかし、例えば耐刷性が良好なことから
注目されている非晶質シリコンからなる感光層のように
、プラズマＣＶＤ法を剰用される本のが最近出現してい
ム第１図は容量結合形グロー放電による非晶質シリコン
感光層の生成装置の一例を示し１真空槽１内に水平に配
置された回転支持体２にアルミニウム円筒の基体８が支
持され、基体８に対向して円筒状の電極４が真空槽１に
絶縁して固定嘔れている〇槽１内を排気口５から真空排
気し九のち、ガス導入口６からシラン（８ｉＨ４）ガス
を導入し、ヒーター７によって所定の温度に加熱した円
筒基体８と対内電極４との関に高周波電源８から高周波
入力を印加するとグロー放電が発生し、非晶質シリコン
層が円筒基体８０表面に堆積する。しかしこのような装
置では導入口６から入った反応ガスは円筒状電極４の内
部を基体８の表面に沿って矢印Ｓで示すように流れるの
で、反応ガス中の水素浸度がガス入口ＩＩＣ図の右側）
とガス出口側（図の左＠）とで異なる。また成膜速度も
入口側より出口側に向って単調に減少するので、感光層
の膜厚および感光特性が均一でなくなる。
電子写真用感光体の感光層は１例えばセレンまた酸セレ
ン合金の蒸着、もしくは硫化カドミウム、酸化亜鉛を分
散させた樹脂あるいは有機光導電性材料の塗布などＫよ
り形成された。しかし、例えば耐刷性が良好なことから
注目されている非晶質シリコンからなる感光層のように
、プラズマＣＶＤ法を剰用される本のが最近出現してい
ム第１図は容量結合形グロー放電による非晶質シリコン
感光層の生成装置の一例を示し１真空槽１内に水平に配
置された回転支持体２にアルミニウム円筒の基体８が支
持され、基体８に対向して円筒状の電極４が真空槽１に
絶縁して固定嘔れている〇槽１内を排気口５から真空排
気し九のち、ガス導入口６からシラン（８ｉＨ４）ガス
を導入し、ヒーター７によって所定の温度に加熱した円
筒基体８と対内電極４との関に高周波電源８から高周波
入力を印加するとグロー放電が発生し、非晶質シリコン
層が円筒基体８０表面に堆積する。しかしこのような装
置では導入口６から入った反応ガスは円筒状電極４の内
部を基体８の表面に沿って矢印Ｓで示すように流れるの
で、反応ガス中の水素浸度がガス入口ＩＩＣ図の右側）
とガス出口側（図の左＠）とで異なる。また成膜速度も
入口側より出口側に向って単調に減少するので、感光層
の膜厚および感光特性が均一でなくなる。
本発明はこれに対し円筒状感光体基体の全表面に同じ組
成の反応ガスが均等に供給され、均一な膜厚と感光特性
を有する感光層が形成される製造装置を提供することを
目的とする。
成の反応ガスが均等に供給され、均一な膜厚と感光特性
を有する感光層が形成される製造装置を提供することを
目的とする。
この目的は、真空槽内に配置された回転支持体に同軸に
支持される円筒状基体とそれに対向する同軸の円筒状電
極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、真空
槽内に導入された反応ガスを分解して基体上に感光層を
形成するもの艮おいて、円筒状電極が全１ｉｉＫはぼ一
様に分散じて設けられ九貫通孔を有することＫよって達
成される。
支持される円筒状基体とそれに対向する同軸の円筒状電
極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、真空
槽内に導入された反応ガスを分解して基体上に感光層を
形成するもの艮おいて、円筒状電極が全１ｉｉＫはぼ一
様に分散じて設けられ九貫通孔を有することＫよって達
成される。
この場合、支持体および電極の軸はほぼ鉛直であること
が望ましい。さらに１電極を壁にはさまれた空間に反応
ガスが導入される二重壁構造とじへ内側の壁にガス流出
貫通孔を設け、かつ内側の壁と外側の壁とを貫通するガ
ス排出通路を設けた構造も有効である。
が望ましい。さらに１電極を壁にはさまれた空間に反応
ガスが導入される二重壁構造とじへ内側の壁にガス流出
貫通孔を設け、かつ内側の壁と外側の壁とを貫通するガ
ス排出通路を設けた構造も有効である。
以下、図を引用して本発明の実施例について説明する。
第２図において第１図と共通の部分には同一の符号が付
されている。第２図においては、１ 回転支持体２および対向電極責は鉛直方向に同軸１ に配置されており、対向電極りは第８図内、＠に展開し
て示すように一様に分散配置されたスリ７）ｌｉｔたは
孔１２が貫通している。この装置を用いて先ず・ トリ
クレン洗浄したアルミニウム、ステンレス鋼などの円筒
状感光体基体（ドラム）８を支持体９ではさみ、回転可
能な支持体２に取り付ける。真空槽１は排気口５よシ真
空排気して１Ｏ−８Ｔｏｒｒにする。ドラム８を支持体
２内に絶縁固定されたヒーター７によって所定の温度に
保持し、ガス導入口６よ〕水素ガスを導入し、高周波電
源８よシ高周波入力を対向電極４１に印加し、アース電
位のドラム８との間にグロー放電を発生させ１ドラム表
面を清浄にする。逆に電極４１をアース電位とし、ドラ
ム８に高周波入力を印加するこζもできる。Ｈ，ガスを
排気した後１ガス導入口６より８ｉＨ４ガスを導入し、
同ＩＫグロー放電を発生させると、電極４１の外側の空
間からスリット１１または貫通孔１２を通って電極４１
とドラム３０間の空間に違した反応ガスは分解し、回転
するドラム８の上に非晶質シリコン層が堆積する。反応
ガスはスリット１１ｔたは孔！２から導入されるのでド
ラム８０表面に接する反応ガスの組成は一様７ｃめシ、
ドラム８の全面に均一な感光層を生ずる。反応ガスに適
当な濃度で適当なｓＷＡの不純物ガスを同時に導入する
かめるいは導入しないことによｐ、堆積する非晶質シリ
コン層はＰ形〜１形またはＮ形になる・さらに放電を止
めてガスを排気したのち、不純物の種類を変えるかｔた
は不＃１物ガスを導入しないととＫよｆｉ Ｐ−１、Ｐ
−Ｎ、Ｎ−１などの接合を持つ感光層を形成することが
できる。
されている。第２図においては、１ 回転支持体２および対向電極責は鉛直方向に同軸１ に配置されており、対向電極りは第８図内、＠に展開し
て示すように一様に分散配置されたスリ７）ｌｉｔたは
孔１２が貫通している。この装置を用いて先ず・ トリ
クレン洗浄したアルミニウム、ステンレス鋼などの円筒
状感光体基体（ドラム）８を支持体９ではさみ、回転可
能な支持体２に取り付ける。真空槽１は排気口５よシ真
空排気して１Ｏ−８Ｔｏｒｒにする。ドラム８を支持体
２内に絶縁固定されたヒーター７によって所定の温度に
保持し、ガス導入口６よ〕水素ガスを導入し、高周波電
源８よシ高周波入力を対向電極４１に印加し、アース電
位のドラム８との間にグロー放電を発生させ１ドラム表
面を清浄にする。逆に電極４１をアース電位とし、ドラ
ム８に高周波入力を印加するこζもできる。Ｈ，ガスを
排気した後１ガス導入口６より８ｉＨ４ガスを導入し、
同ＩＫグロー放電を発生させると、電極４１の外側の空
間からスリット１１または貫通孔１２を通って電極４１
とドラム３０間の空間に違した反応ガスは分解し、回転
するドラム８の上に非晶質シリコン層が堆積する。反応
ガスはスリット１１ｔたは孔！２から導入されるのでド
ラム８０表面に接する反応ガスの組成は一様７ｃめシ、
ドラム８の全面に均一な感光層を生ずる。反応ガスに適
当な濃度で適当なｓＷＡの不純物ガスを同時に導入する
かめるいは導入しないことによｐ、堆積する非晶質シリ
コン層はＰ形〜１形またはＮ形になる・さらに放電を止
めてガスを排気したのち、不純物の種類を変えるかｔた
は不＃１物ガスを導入しないととＫよｆｉ Ｐ−１、Ｐ
−Ｎ、Ｎ−１などの接合を持つ感光層を形成することが
できる。
実験例１：
電極４１として第８図（ＡＩＫ示すような６本のスリッ
トｔｔｔ持つものを用い、直径９側藁、長さ８２０Ｕの
アルミニウムドラムを２００℃に加熱し電流量８０ｋＱ
／ｎｈ１で圧力４Ｔｏｒｒの水素中で高周波人力１０Ｗ
Ｋよりグロー放電を発生させてクリーニングした。次い
で１００＊８ｉＨ４ガスを”’Ｑ’ｍｒｎｓ水素中の濃
度８０ＰＰＭのジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを６ｃｔｙ’
ｙ ｉ ｎの流量で導入、ガス圧０．９Ｔ−ｏｒｒ Ｉ
ｃおいて５０Ｗの高周波入力を電極に印加し、５時間の
グロー放電によりＰ形非晶質シリコン層を形成し九〇比
較のために第１図の装置でスリットのない電極４を用い
て、他は同じ条件で非晶質シリコン層を形成した。ドラ
ム上の位置をガス導入口６に近い端部付近を工、中央を
Ｃ，ガス排出口５に近い端部付近を０とした場合、各位
置におけるシリコンの膜厚を＃！１表に示す・第１表 すなわち、本発明による第２図の装置では均一な膜厚が
得られたのに対し、ｔｓ１図の装置で従来の電極を用い
た場合は膜厚がガス入口側から出口側Ｋかけて単調に減
少した。さらに、第１図に示す装置による場合は表面に
凹凸が多かった。これはグロー放電発生の際温度の低い
電極上に成膜せず、粉末状で付着した８ ｉ （Ｈ）粉
末が落下、飛散しドラム上の堆積層表面に付着するため
である。しかるに、第２図に示す装置ではドラムおよび
電極の軸が鉛直であるため、電極上から８ ｉ （Ｈ）
粉末が落下してもドラム側に落ちることはなく、従って
ドラム上の堆積層表面に付着することがない。
トｔｔｔ持つものを用い、直径９側藁、長さ８２０Ｕの
アルミニウムドラムを２００℃に加熱し電流量８０ｋＱ
／ｎｈ１で圧力４Ｔｏｒｒの水素中で高周波人力１０Ｗ
Ｋよりグロー放電を発生させてクリーニングした。次い
で１００＊８ｉＨ４ガスを”’Ｑ’ｍｒｎｓ水素中の濃
度８０ＰＰＭのジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを６ｃｔｙ’
ｙ ｉ ｎの流量で導入、ガス圧０．９Ｔ−ｏｒｒ Ｉ
ｃおいて５０Ｗの高周波入力を電極に印加し、５時間の
グロー放電によりＰ形非晶質シリコン層を形成し九〇比
較のために第１図の装置でスリットのない電極４を用い
て、他は同じ条件で非晶質シリコン層を形成した。ドラ
ム上の位置をガス導入口６に近い端部付近を工、中央を
Ｃ，ガス排出口５に近い端部付近を０とした場合、各位
置におけるシリコンの膜厚を＃！１表に示す・第１表 すなわち、本発明による第２図の装置では均一な膜厚が
得られたのに対し、ｔｓ１図の装置で従来の電極を用い
た場合は膜厚がガス入口側から出口側Ｋかけて単調に減
少した。さらに、第１図に示す装置による場合は表面に
凹凸が多かった。これはグロー放電発生の際温度の低い
電極上に成膜せず、粉末状で付着した８ ｉ （Ｈ）粉
末が落下、飛散しドラム上の堆積層表面に付着するため
である。しかるに、第２図に示す装置ではドラムおよび
電極の軸が鉛直であるため、電極上から８ ｉ （Ｈ）
粉末が落下してもドラム側に落ちることはなく、従って
ドラム上の堆積層表面に付着することがない。
実験例２；
対向電極４１として第８図Ｕに示すような細孔１２を多
数あけたものを用い、実験例１と同様にして非晶質シリ
コン層を形成したところ、均一な膜厚が得られた。
数あけたものを用い、実験例１と同様にして非晶質シリ
コン層を形成したところ、均一な膜厚が得られた。
実験例８：
対向電極として第４回内およびそのＸＬｘ゛線断面図第
斗図（ＢＩＫ示したものを用いた。図に示すようにこの
電極は二重壁構造をもち、縦に入ったスリ７）１５によ
って６個の繭状筒部１６に分れており、反応ガスはこの
筒部１６の内部を通って内壁に設けられた穴１７よシ基
体に向って流出する。反応を終ったガスはスリット１５
を通り、筒部１６の外壁１８とプラズマを閉じこめるた
めのシールド板１９との間を経由して外に出る。対向電
極のほかは実験例１゜２と同じ条件で非晶質シリコン層
を形成したところ、よ〕高い膜厚の均一度を得た。
斗図（ＢＩＫ示したものを用いた。図に示すようにこの
電極は二重壁構造をもち、縦に入ったスリ７）１５によ
って６個の繭状筒部１６に分れており、反応ガスはこの
筒部１６の内部を通って内壁に設けられた穴１７よシ基
体に向って流出する。反応を終ったガスはスリット１５
を通り、筒部１６の外壁１８とプラズマを閉じこめるた
めのシールド板１９との間を経由して外に出る。対向電
極のほかは実験例１゜２と同じ条件で非晶質シリコン層
を形成したところ、よ〕高い膜厚の均一度を得た。
本発明は、以上の例に挙げたような基体および電極の鉛
直耐直に限定されず、第１図に示したような水平配置に
対しても適用できる。また非晶質シリコンに限らずプラ
ズマＣＶＤ法による酸化亜鉛感光体の製造に対して本適
用できる。
直耐直に限定されず、第１図に示したような水平配置に
対しても適用できる。また非晶質シリコンに限らずプラ
ズマＣＶＤ法による酸化亜鉛感光体の製造に対して本適
用できる。
以上述べたように１本発明は非晶質シリコン感光層のよ
うなプラズマＣＶＤ法によって“生成−される感光層を
有する電子写真用感光体の製造゛装置の対向電極に反応
ガス流入」の貫通孔を設けるものでラシ、これによシ基
体の全面において均一な組成の反応ガスが接触して均一
な膜厚の感光層が生成されるので、例えば大面積の非晶
質、シリコン感光層の有する特性のすぐれた感光体の製
造が可能になる。
うなプラズマＣＶＤ法によって“生成−される感光層を
有する電子写真用感光体の製造゛装置の対向電極に反応
ガス流入」の貫通孔を設けるものでラシ、これによシ基
体の全面において均一な組成の反応ガスが接触して均一
な膜厚の感光層が生成されるので、例えば大面積の非晶
質、シリコン感光層の有する特性のすぐれた感光体の製
造が可能になる。
・第１図は電子写真用感光体製造装置の従来例の断面図
、第２図は本発明の一１！施例の断面図、第８図＾、■
はその電極の二つの実施例の展開図、第４図は電極のさ
らに異なる実施例で、囚は横断面図、■はそのｘ−ｘ’
線断面図である。 １・・・真空槽、２・・・回転支持体、８・・・円筒状
基体、６・・・ガス導入口、８・・・高周波電源、１１
・・・スリット、１２・・・細孔、１５・・・スリット
、１６・・・扇形筒部、１７・・・ガス流出孔、４１・
・・円筒状対向電極。 代理人距江士山 口 息 Ｉｒ１図 ｆ２図 才３図 才４図 手続補正書（６劃 日 −Ｅト ３、補ｊ「をする者 ’ＪＦ件との関係 出願人６、補正により
増加する発明の数 補正の内容 １、明細書落６頁８行目から９行目の［電極４１の外側
の空間からスリン）１１または貫通孔１２を通って」を
削除する。 ２、、Ｉ！Ｊｌ細書第５頁１２行目の「孔１２から導入
される」の「導入」とあるのを「分散して排出」壷こ訂
正する。 ３、明細書゛第８頁１３行目の「対向電極のほかは」の
「対向電極」の次に「およびガス流出方向」をそう人す
る。
、第２図は本発明の一１！施例の断面図、第８図＾、■
はその電極の二つの実施例の展開図、第４図は電極のさ
らに異なる実施例で、囚は横断面図、■はそのｘ−ｘ’
線断面図である。 １・・・真空槽、２・・・回転支持体、８・・・円筒状
基体、６・・・ガス導入口、８・・・高周波電源、１１
・・・スリット、１２・・・細孔、１５・・・スリット
、１６・・・扇形筒部、１７・・・ガス流出孔、４１・
・・円筒状対向電極。 代理人距江士山 口 息 Ｉｒ１図 ｆ２図 才３図 才４図 手続補正書（６劃 日 −Ｅト ３、補ｊ「をする者 ’ＪＦ件との関係 出願人６、補正により
増加する発明の数 補正の内容 １、明細書落６頁８行目から９行目の［電極４１の外側
の空間からスリン）１１または貫通孔１２を通って」を
削除する。 ２、、Ｉ！Ｊｌ細書第５頁１２行目の「孔１２から導入
される」の「導入」とあるのを「分散して排出」壷こ訂
正する。 ３、明細書゛第８頁１３行目の「対向電極のほかは」の
「対向電極」の次に「およびガス流出方向」をそう人す
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真空槽内に配置された回転支持体に同軸に支持され
る円筒状基体とそれに対向する同軸の円筒状電極との間
に電圧を印加してグロー放電を発生させ１前記真空槽内
に導入された反応ガスを公簿して基体上に感光層を形成
する亀のにおいて、円筒状電極が全面にほぼ一様に分散
して設妙られた貫通孔を有することを特徴とする電子写
真用感光体の製造装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、支持体
および電極の軸かはぼ鉛直であることを特徴とする電子
写真用感光体の製造装置。 ８） ％許錆求の範囲第１項または第２項記載の装置
において、電極が壁にはさまれ九空関に反応ガスが導入
される二重壁構造を有し、内側の壁にはガス流出貫通孔
が設けられ、かつ内側の壁と外側の壁を貫通してガス排
出通路が設けられたことを特徴とする電子写真用感光体
の製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094681A JPS5852471A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真用感光体の製造装置 |
| US06/387,221 US4438188A (en) | 1981-06-15 | 1982-06-10 | Method for producing photosensitive film for electrophotography |
| DE3222491A DE3222491A1 (de) | 1981-06-15 | 1982-06-15 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines lichtempfindlichen films auf einem substrat fuer elektrofotographie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094681A JPS5852471A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 電子写真用感光体の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852471A true JPS5852471A (ja) | 1983-03-28 |
| JPH0135075B2 JPH0135075B2 (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=15507867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15094681A Granted JPS5852471A (ja) | 1981-06-15 | 1981-09-24 | 電子写真用感光体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852471A (ja) |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP15094681A patent/JPS5852471A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0135075B2 (ja) | 1989-07-24 |
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