JPS5852012B2 - テイタンソチツカシリコマンガンノ セイゾウホウホウ - Google Patents
テイタンソチツカシリコマンガンノ セイゾウホウホウInfo
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- JPS5852012B2 JPS5852012B2 JP12395775A JP12395775A JPS5852012B2 JP S5852012 B2 JPS5852012 B2 JP S5852012B2 JP 12395775 A JP12395775 A JP 12395775A JP 12395775 A JP12395775 A JP 12395775A JP S5852012 B2 JPS5852012 B2 JP S5852012B2
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- nitrogen
- nitriding
- nitride
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Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒素含有量１５％以上、炭素含有量０．５％以
下の組成を有する低炭素シリコマンガンの製造方法に関
するものである。
下の組成を有する低炭素シリコマンガンの製造方法に関
するものである。
従来、マンガン系合金鉄における、鋼への窒素添加用合
金鉄としては、中炭素窒化フェロマンガン及び窒化シリ
コマンガンが公知である。
金鉄としては、中炭素窒化フェロマンガン及び窒化シリ
コマンガンが公知である。
これらの含窒素合金鉄における窒素含有量は、中炭素窒
化フェロマンガンで４．０〜７．０％、窒化シリコマン
ガンで８．０〜１４．Ｏ％程度である。
化フェロマンガンで４．０〜７．０％、窒化シリコマン
ガンで８．０〜１４．Ｏ％程度である。
又、従来の含窒素合金鉄の製造方法としては、窒化しよ
うとする合金鉄を１００〜３００メツシユに粉砕し、こ
れをブリケット化して、又は粉末の状態で、おわん状の
容器等に充填し、これを窒素雰囲気中において、中炭素
フェロマンガンで７００〜９５０℃、シリコマンガンで
１１００〜１４００℃の温度で窒化する方法が知られて
いる。
うとする合金鉄を１００〜３００メツシユに粉砕し、こ
れをブリケット化して、又は粉末の状態で、おわん状の
容器等に充填し、これを窒素雰囲気中において、中炭素
フェロマンガンで７００〜９５０℃、シリコマンガンで
１１００〜１４００℃の温度で窒化する方法が知られて
いる。
こ＼において窒化しようとする合金鉄を微粉砕する目的
は、合金鉄の表面積を大きくし、窒素雰囲気と合金鉄と
の接触面積を増すためであるが、従来この微粉砕は、粉
砕によって得られる粒度が１００〜３００メツシユが適
当とされ（特公昭４４−６５８９）、これ以上の微粉砕
は合金鉄を酸化し易くし、その為「こ窒化が妨げられる
と考えられていた。
は、合金鉄の表面積を大きくし、窒素雰囲気と合金鉄と
の接触面積を増すためであるが、従来この微粉砕は、粉
砕によって得られる粒度が１００〜３００メツシユが適
当とされ（特公昭４４−６５８９）、これ以上の微粉砕
は合金鉄を酸化し易くし、その為「こ窒化が妨げられる
と考えられていた。
然るに本発明者らは、窒化シリコマンガンについて従来
法によって得られる窒素含有量よりも高い窒素含有量を
得る為の研究を重ね、１５〜２０％の窒素含有量を有す
る低炭素窒化シリコマンガンを製造することに成功した
。
法によって得られる窒素含有量よりも高い窒素含有量を
得る為の研究を重ね、１５〜２０％の窒素含有量を有す
る低炭素窒化シリコマンガンを製造することに成功した
。
即ち、Ｓｉ２２２％、Ｃζ０．５％の組成を有する低炭
素シリコマンガンを３００メツシユ以下（以後−３００
＃と記す）に微粉砕し、これを窒素雰囲気中において１
１５０〜１３００℃の温度で窒化する事を特徴とする、
低炭素窒化シリコマンガンの製造方法である。
素シリコマンガンを３００メツシユ以下（以後−３００
＃と記す）に微粉砕し、これを窒素雰囲気中において１
１５０〜１３００℃の温度で窒化する事を特徴とする、
低炭素窒化シリコマンガンの製造方法である。
本発明者らの研究によって、シリコマンガンの窒化にお
ける、シリコマンガンの粒度（メツシュ＃）と窒化によ
って含有する事のできる窒素量との間には、極めて重要
な関係があり、従来適当とされていた粒度の下限３００
＃以下（−３００＃）に粉砕する事によって、窒素含有
量は急激に増加する事実が明らかとなった。
ける、シリコマンガンの粒度（メツシュ＃）と窒化によ
って含有する事のできる窒素量との間には、極めて重要
な関係があり、従来適当とされていた粒度の下限３００
＃以下（−３００＃）に粉砕する事によって、窒素含有
量は急激に増加する事実が明らかとなった。
しかも従来問題とされていた酸化も粉砕後可及的早く窒
化処理するが、又は密閉容器で保管する等の手段を講す
ることによって窒化反応の妨げとならぬ程度に抑制し得
た。
化処理するが、又は密閉容器で保管する等の手段を講す
ることによって窒化反応の妨げとならぬ程度に抑制し得
た。
ここで、シリコマンガンの粒度（メツシュ・＃）と窒素
含有量の関係を第１図によって説明ｒる。
含有量の関係を第１図によって説明ｒる。
第１図は５ｉ３０％、Ｍｏ５５％、ＣＳ、０．０５％の
組成のシリコマンガンを粉砕、整粒し、２００〜２５０
ｇを鉄製のおわん状容器に詰め、窒化炉中に於て炉中が
大気圧に対し負圧とならぬ程度の窒素ガスを流して行っ
た窒化試験によって含有し得た最高の窒素含有量と、粒
度■の関係をグラフで示したものである。
組成のシリコマンガンを粉砕、整粒し、２００〜２５０
ｇを鉄製のおわん状容器に詰め、窒化炉中に於て炉中が
大気圧に対し負圧とならぬ程度の窒素ガスを流して行っ
た窒化試験によって含有し得た最高の窒素含有量と、粒
度■の関係をグラフで示したものである。
比のグラフより２００＋、及び３２５＃は臨界的意義を
有している事実が分る。
有している事実が分る。
即ち、−２００＃に粉砕する事によって窒素含有量は急
激に増加するが、従来適当とされていた下限の３００＃
は未だ増加の途中にあり、−３００＃に粉砕されて初め
て窒素含有量は横這いとなる。
激に増加するが、従来適当とされていた下限の３００＃
は未だ増加の途中にあり、−３００＃に粉砕されて初め
て窒素含有量は横這いとなる。
本発明者らの研究によれば、第１図に示されるような粒
度と窒素含有量の関係は、シリコマンガンに関して戒り
立ち、窒化シリコマンガンの窒素含有量を１．５％以上
とするには、Ｓｉ２２２％が必要である。
度と窒素含有量の関係は、シリコマンガンに関して戒り
立ち、窒化シリコマンガンの窒素含有量を１．５％以上
とするには、Ｓｉ２２２％が必要である。
又５ｉ２２２％のシリコマンガンにおいてはＣく０．５
％である。
％である。
次に、Ｓｉ２２２％、Ｃ＜、０．５％のシリコむンガン
を本発明法によって、窒素雰囲気中１１００〜１３００
℃の温度で窒化したときと、従来の粒度で行ったときの
窒素含有量と温度の関係を第２図に示した。
を本発明法によって、窒素雰囲気中１１００〜１３００
℃の温度で窒化したときと、従来の粒度で行ったときの
窒素含有量と温度の関係を第２図に示した。
第２図から、実験した全ての温度において、−３００＃
に粉砕されたシリコマンガンは＋３００＃のものよりも
窒素含有量は著しく多く、特に１１５０℃以上の温度で
の差は著しい。
に粉砕されたシリコマンガンは＋３００＃のものよりも
窒素含有量は著しく多く、特に１１５０℃以上の温度で
の差は著しい。
しかも、＋３００＃の粒度、例えば、第２図中に例とし
て示された一２００＃〜＋３００＃の粒度のものについ
ては、窒化温度は１２００℃以上が必要であるのに対し
て、本発明法による一３００＃のものは１１００℃から
窒化が始まり、１１５０℃ですでに１５％を超え、１２
００℃で最適となり爾後はゾ横這いとなる。
て示された一２００＃〜＋３００＃の粒度のものについ
ては、窒化温度は１２００℃以上が必要であるのに対し
て、本発明法による一３００＃のものは１１００℃から
窒化が始まり、１１５０℃ですでに１５％を超え、１２
００℃で最適となり爾後はゾ横這いとなる。
即ち、３００＃に粉砕する事によって、窒化温度を下げ
る事が可能となり、しかも窒化によって得られる窒素含
有量が著しく高いと云う利点が生じた。
る事が可能となり、しかも窒化によって得られる窒素含
有量が著しく高いと云う利点が生じた。
本発明法によれば、１１５０℃の比較的低温で、窒素含
有量１５％以上が得られる。
有量１５％以上が得られる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例 ｌ
５ｉ３０％、Ｍｏ５５％、Ｃ０，０５％の超低炭素シリ
コマンガンを、−６０〜＋１００＃、１００〜＋２００
＃、−２００〜＋３００＃、−３ＯＯ＃に粉砕整粒し、
鉄製のおわん状容器に２００〜２５０ｇを詰め、窒素気
流中１１００〜１３００℃の温度で４時間窒化したとき
の結果を表１に示した。
コマンガンを、−６０〜＋１００＃、１００〜＋２００
＃、−２００〜＋３００＃、−３ＯＯ＃に粉砕整粒し、
鉄製のおわん状容器に２００〜２５０ｇを詰め、窒素気
流中１１００〜１３００℃の温度で４時間窒化したとき
の結果を表１に示した。
実施例 ２
Ｓｉ２５％、Ｃ０，２％の低炭素シリコマンガン２５０
、！ｌｉｌ’を一３００＃に粉砕し、実施例１と同様の
容器に詰め、窒素気流中１１５０℃で４時間窒化し、窒
素含有量１６．５％の窒化シリコマンガンを得た。
、！ｌｉｌ’を一３００＃に粉砕し、実施例１と同様の
容器に詰め、窒素気流中１１５０℃で４時間窒化し、窒
素含有量１６．５％の窒化シリコマンガンを得た。
第１図はＳｉ３０％、Ｍｎ５５％、Ｃ０，０５％の超低
炭素シリコマンガンの窒化において、窒素含有量の最高
値と粒度の関係を示す。 縦軸、横軸に夫々窒素含有量を％、粒度を＃で表示した
。 第２図はＳｉ≧２２％、Ｃ≦０．５ ％のシリコマンガ
ンの窒化における、粒度、温度、窒素含有量の関係を示
す。
炭素シリコマンガンの窒化において、窒素含有量の最高
値と粒度の関係を示す。 縦軸、横軸に夫々窒素含有量を％、粒度を＃で表示した
。 第２図はＳｉ≧２２％、Ｃ≦０．５ ％のシリコマンガ
ンの窒化における、粒度、温度、窒素含有量の関係を示
す。
Claims (1)
- １ シリコマンガンを窒素雰囲気中で加熱して窒化シリ
コマンガンを製造するに当り、シリコマンガンとして５
ｉ２２２％、Ｃく０．５％の組成を有するシリコマンガ
ンを３００メツシユ以下に粉砕したものを使用し、１１
５０−１３００℃に加熱することを特徴とする１５％以
上の窒素含有量を有する低炭素窒化シリコマンガンの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12395775A JPS5852012B2 (ja) | 1975-10-15 | 1975-10-15 | テイタンソチツカシリコマンガンノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12395775A JPS5852012B2 (ja) | 1975-10-15 | 1975-10-15 | テイタンソチツカシリコマンガンノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5247533A JPS5247533A (en) | 1977-04-15 |
| JPS5852012B2 true JPS5852012B2 (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=14873520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12395775A Expired JPS5852012B2 (ja) | 1975-10-15 | 1975-10-15 | テイタンソチツカシリコマンガンノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852012B2 (ja) |
-
1975
- 1975-10-15 JP JP12395775A patent/JPS5852012B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5247533A (en) | 1977-04-15 |
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