JPS5850783A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPS5850783A JPS5850783A JP56150252A JP15025281A JPS5850783A JP S5850783 A JPS5850783 A JP S5850783A JP 56150252 A JP56150252 A JP 56150252A JP 15025281 A JP15025281 A JP 15025281A JP S5850783 A JPS5850783 A JP S5850783A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は受光素子の構造に係り、特に移＃ＩＪ＠体の
移動方間の検出に通した受光素子に関するものである。
移動方間の検出に通した受光素子に関するものである。
以下、受光素子として太陽電池を例に挙げて説明する。
第１図は従来の太陽電池の構造を示す斜視図で、ｎ形半
導体基板（１）とｐ形半導体層（２）とで太陽電池（３
１が構成されており、受光面（４）に破線矢印で示すよ
うに光を照射すると、両表面にそれぞれ形成された電極
（５）および（６）間に起電力を生じる。
導体基板（１）とｐ形半導体層（２）とで太陽電池（３
１が構成されており、受光面（４）に破線矢印で示すよ
うに光を照射すると、両表面にそれぞれ形成された電極
（５）および（６）間に起電力を生じる。
第２図はこのような受光系子を用いて、物体の検知をす
る状況を示す斜視図で、（７）は回転シャフト、（８３
は回転シャフト（７３に取りつけられた被検出板、（９
）は光源、叫は受光系子で、光源（９）からの破線矢印
で示す光は受光素子（１（Ｉへ入射するが、回転シャフ
ト（７３によって駆動される被検出板（＆ｌの回転によ
って、その光は断続され、受光素子叫によって被検出板
（８）の有無は検出される。
る状況を示す斜視図で、（７）は回転シャフト、（８３
は回転シャフト（７３に取りつけられた被検出板、（９
）は光源、叫は受光系子で、光源（９）からの破線矢印
で示す光は受光素子（１（Ｉへ入射するが、回転シャフ
ト（７３によって駆動される被検出板（＆ｌの回転によ
って、その光は断続され、受光素子叫によって被検出板
（８）の有無は検出される。
ところが、この従来の受光素子では被検出板（８１の移
動すなわち、回転シャフト（７］の回転の有無は検出で
きるが、その移動すなわち、回転の方向を検出する仁と
はできない。そして、この移動方向検出をも可能とする
には、もう−組の光源と受光菓子とを設ける必要があり
、更に、各受光菓子からの出力信号を方向の信号に変換
する装置が複雑になるおそれがあり、装置の小形化が困
難であった。
動すなわち、回転シャフト（７］の回転の有無は検出で
きるが、その移動すなわち、回転の方向を検出する仁と
はできない。そして、この移動方向検出をも可能とする
には、もう−組の光源と受光菓子とを設ける必要があり
、更に、各受光菓子からの出力信号を方向の信号に変換
する装置が複雑になるおそれがあり、装置の小形化が困
難であった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、２
つの受光部を設けることによって被検出移動物体の移動
方向を検出できる小形の受光素子を得ることを目的とし
ている。
つの受光部を設けることによって被検出移動物体の移動
方向を検出できる小形の受光素子を得ることを目的とし
ている。
第３図はこの発明の一実施例の構造を示す斜視図で、ｎ
形半導体基板（１）の上に形成されたｐ形半のｐ形半導
体領域（２ｂ）に分割され、それぞれ４１の受光素子領
域（３ａ）および第２の受光素子領域（３ｂ）を構成す
る。第１およ−び第２のｐ形半導体領域（２ａ） 、
（２ｂ）の上にはそれぞれｇｌおよび第２の電極（５１
Ｌ）、（５ｂ）が形成され、残余の部分はそれぞれ第１
および第２の受光面（４ａＬ （４ｂ）を構成する。
形半導体基板（１）の上に形成されたｐ形半のｐ形半導
体領域（２ｂ）に分割され、それぞれ４１の受光素子領
域（３ａ）および第２の受光素子領域（３ｂ）を構成す
る。第１およ−び第２のｐ形半導体領域（２ａ） 、
（２ｂ）の上にはそれぞれｇｌおよび第２の電極（５１
Ｌ）、（５ｂ）が形成され、残余の部分はそれぞれ第１
および第２の受光面（４ａＬ （４ｂ）を構成する。
第４図はこの実施例索子の使用状況を示す！価回路図で
、第１および第２の受光素子領域（詠）。
、第１および第２の受光素子領域（詠）。
（３ｂ）は互いに逆方向になるように直列接続され、第
１および第２の電極（５ａ）、 （５ｂ）間に負荷抵抗
Ｒが接続される。第１の受光素子領域（３ａ）のみに破
巌矢印のように元が照射されると矢印（イ）の方向の起
電力が生じ、この起電力に対して第２の受光菓子領域（
３ｂ）は順方向であるから負荷Ｒには矢印（イ）の方向
の電流工が流れる。第２の受光素子領域（３ｂ）にのみ
光が照射された場合には全（同様にして負荷Ｒには矢印
（ロ）の方向に電流工が流れる。そして、第１および第
２の、受光素子領域（３ａ）、 （３１））にともに光
が照射されると、矢印（イ）および（ロ）の方向の起電
力が同時に生じ、互いに打消し合って、負（ＷＲには電
流は流れない。また、第１および第２の受光素子領域（
３ａ）、 （３ｂ）にともに光が照射されないとき
′は勿浦、負荷Ｒには電流は流れない。
１および第２の電極（５ａ）、 （５ｂ）間に負荷抵抗
Ｒが接続される。第１の受光素子領域（３ａ）のみに破
巌矢印のように元が照射されると矢印（イ）の方向の起
電力が生じ、この起電力に対して第２の受光菓子領域（
３ｂ）は順方向であるから負荷Ｒには矢印（イ）の方向
の電流工が流れる。第２の受光素子領域（３ｂ）にのみ
光が照射された場合には全（同様にして負荷Ｒには矢印
（ロ）の方向に電流工が流れる。そして、第１および第
２の、受光素子領域（３ａ）、 （３１））にともに光
が照射されると、矢印（イ）および（ロ）の方向の起電
力が同時に生じ、互いに打消し合って、負（ＷＲには電
流は流れない。また、第１および第２の受光素子領域（
３ａ）、 （３ｂ）にともに光が照射されないとき
′は勿浦、負荷Ｒには電流は流れない。
第５図Ａ−Ｇはこの実施例系子を、第２図に示したよう
な回転検出に用いたときの動作を説明するための各状態
における模式正面図、第６図は出゛力電流の波形図であ
る。第６図における時点Ａ〜Ｇはそれぞれ、第ご図Ａ−
ｊＧの状態に対応するものである。まず、第５図Ａはま
だ、被検出板（３）が実施例系子の正面にかかっていず
、両受光系子填域（３ａ）およヒ（３ｂ）にともに光が
照射しているので、出力電流は零である。第５図Ｂの状
態では被検出板（８〕が矢印方向に動いて、ｇｌの受光
Ａ子唄域（３ａ）を殆んど覆っており、第２の受光素子
領域（３ｂ）には全面に光が照射しているので出力電流
は第６図のＢ点で示すように負の最大値直前の値を示す
。
な回転検出に用いたときの動作を説明するための各状態
における模式正面図、第６図は出゛力電流の波形図であ
る。第６図における時点Ａ〜Ｇはそれぞれ、第ご図Ａ−
ｊＧの状態に対応するものである。まず、第５図Ａはま
だ、被検出板（３）が実施例系子の正面にかかっていず
、両受光系子填域（３ａ）およヒ（３ｂ）にともに光が
照射しているので、出力電流は零である。第５図Ｂの状
態では被検出板（８〕が矢印方向に動いて、ｇｌの受光
Ａ子唄域（３ａ）を殆んど覆っており、第２の受光素子
領域（３ｂ）には全面に光が照射しているので出力電流
は第６図のＢ点で示すように負の最大値直前の値を示す
。
第５図Ｃの状態では第１の受光素子領域（３ａ）の全部
と第２の受光素子領域（３ｂ）の大部分を被検出板（８
）が積っており、出力電流は負の方向から零に到達する
直前の値を示す。第５図りの状態では被検出板（８）が
完全に両受光索子頭載（３ａ ）および（３ｂ）を覆っ
ており出力電流は零である。以下、第５図Ｅ。
と第２の受光素子領域（３ｂ）の大部分を被検出板（８
）が積っており、出力電流は負の方向から零に到達する
直前の値を示す。第５図りの状態では被検出板（８）が
完全に両受光索子頭載（３ａ ）および（３ｂ）を覆っ
ており出力電流は零である。以下、第５図Ｅ。
Ｆ、Ｇと進むにつれて上記過程を逆方向にたどり。
出力電流の極性は逆となり、第６図に示すような出力電
流波形が得られることは容易に理解できよう。
流波形が得られることは容易に理解できよう。
また、被検出板（８）が逆方向に回転する場合は第５図
Ｇ、Ｆ、に、Ｄ、Ｏ，Ｂ、Ａの順序に状態が移行し、出
力電流の波形位相が反転するのは明らかである。このよ
うにして、出力電流波形の位相によって、被検出板（８
）の回転方向すなわち、移動方向が検出できる。
Ｇ、Ｆ、に、Ｄ、Ｏ，Ｂ、Ａの順序に状態が移行し、出
力電流の波形位相が反転するのは明らかである。このよ
うにして、出力電流波形の位相によって、被検出板（８
）の回転方向すなわち、移動方向が検出できる。
勿舖、実施例系子の伝導形を反転させても全く同様の動
作をすることは自明である。
作をすることは自明である。
以上説明したように、この発明になる受光素子では、２
つの受光素子領域を設け、これを差動的に働（ようにし
たので、これを移パ動物体の検出に用いたときに、物体
の゛検出は勿繭、その移動方向の検出も容易に行う゛こ
とができ、素子が小形にできるので、装置の小形化がり
能である。
つの受光素子領域を設け、これを差動的に働（ようにし
たので、これを移パ動物体の検出に用いたときに、物体
の゛検出は勿繭、その移動方向の検出も容易に行う゛こ
とができ、素子が小形にできるので、装置の小形化がり
能である。
Ｓ１図は従来の太陽電池の構造を示す斜視図、第２図は
移動物体の検出Ｓａｔの原理的構成を示す斜視図、第゛
３図はこの発明の一実施例の構造を示す斜視図、第４図
はこの実緬例゛索子の使用状況を示す等価回路図、第５
図Ａ−Ｇはこの実施例系子の動作を説明するための各状
態における模式正面図、第６図はその出力電流波形図で
ある、。 図において、（１１は半導体基板、（２ａ）および（２
ｂ）はそれぞれ第１および第２の半導体領域、（４１Ｌ
）、（４１））は受光面、（５ａ）および（５ｂ）はそ
れぞれ第１および第２の電極である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示代理人
ｍｅ 信 −（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
移動物体の検出Ｓａｔの原理的構成を示す斜視図、第゛
３図はこの発明の一実施例の構造を示す斜視図、第４図
はこの実緬例゛索子の使用状況を示す等価回路図、第５
図Ａ−Ｇはこの実施例系子の動作を説明するための各状
態における模式正面図、第６図はその出力電流波形図で
ある、。 図において、（１１は半導体基板、（２ａ）および（２
ｂ）はそれぞれ第１および第２の半導体領域、（４１Ｌ
）、（４１））は受光面、（５ａ）および（５ｂ）はそ
れぞれ第１および第２の電極である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示代理人
ｍｅ 信 −（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- １１） 第１伝導形の半導体基板、この半導体基板の
一方の主面上に互いに分離して形成された第２伝導形の
第１および′ａ２の半導体領域、並びにこれらの第１お
よび＃Ｉ２の半導体領域にそれぞれ設けられた第１およ
び第２の電極を備え、上記第１および第２の半導体領域
の表面を受光面としたことを特徴とする受光系子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150252A JPS5850783A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150252A JPS5850783A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850783A true JPS5850783A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15492875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150252A Pending JPS5850783A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850783A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4880284A (ja) * | 1972-01-29 | 1973-10-27 | ||
| JPS50151090A (ja) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP56150252A patent/JPS5850783A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4880284A (ja) * | 1972-01-29 | 1973-10-27 | ||
| JPS50151090A (ja) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 |
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