JPS5850208B2 - シクロプロパンカルボンサンユウドウタイノ セイゾウホウホウ - Google Patents

シクロプロパンカルボンサンユウドウタイノ セイゾウホウホウ

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JPS5850208B2
JPS5850208B2 JP50069872A JP6987275A JPS5850208B2 JP S5850208 B2 JPS5850208 B2 JP S5850208B2 JP 50069872 A JP50069872 A JP 50069872A JP 6987275 A JP6987275 A JP 6987275A JP S5850208 B2 JPS5850208 B2 JP S5850208B2
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武郎 細貝
和男 糸井
文男 森
卓司 西田
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祐章 大村
芳司 藤田
富美夫 和田
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【発明の詳細な説明】 本発明は一般式(I) (式中、R1、R2およびR4は同一または異なるアル
キル基を示し、R3は水素原子または低級アルキル基を
示し、Xl、X2およびX3は同一または異なるハロゲ
ン原子を表わす。
)で表わされるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造
方法に関し、さらに詳しくは一般式(n)〔式中、R1
、R2、XI、 X2およびX3は一般式(I)で示し
たとおりである。
〕で表わされる1・1・1−トリハロー3−エン化合物
にジアゾカルボン酸エステルを付加反応させることを特
徴とする一般式(I)で表わされるシクロプロパンカル
ボン酸誘導体の製造方法及び一般式(III) 〔式中、R1,R2、Xl、X2およびX3は一般式(
I)で示したとおりであり、R5は水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、アラルキル基またはアシル基を
示す。
〕で表わされるハロゲン化物を脱水反応、脱アルコール
反応または脱カルボン酸反応に付すことにより一般式(
II)で表わされる1・1・1−トリハロー3−エン化
合物とした後、これにジアゾカルボン酸エステルを付加
反応させることを特徴とする一般式(I)で表わされる
シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法に関する。
一般式(I)、(n)および(III)においてR1、
R2およびR4は好ましくは炭素数1〜20のアルキル
基である。
特に好ましくはR1およびR2はメチル基であり、R4
はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの低
級アルキル基である。
R3は好ましくは水素原子、メチル基である。
Xl、X2およびX3は好ましくは塩素原子または臭素
原子である。
ジアゾカルボン酸エステルとしては一般式(V)〔式中
、R3およびR4は一般式(I)におけるそれらと同じ
意味を有する。
〕で表わされる化合物を用いる。
本発明方法により得られる一般式(I)で表わされるシ
クロプロパンカルボン酸誘導体、とくに2・2−ジメチ
ル−3−(2・2・2−トリハロエチル)シクロプロパ
ンカルボン酸誘導体は殺虫剤として最近注目されている
2・2−ジメチル3−(2・2−ジハロビニル)シクロ
プロパンカルボン酸誘導体の重要な合成中間体である。
この合成ピレスロイドは天然ピレスロイド系殺虫剤が光
分解が早いという欠点を有すのに対し、持続性および殺
虫効力の面で優れている( M、 E 1liottら
、Nature 、、244.456(1973)参照
〕ジハロゲノビニルーシクロプロパンカルボン酸エステ
ルの合成法として最近、菊酸をオゾン分解して相当する
アルデヒドを得、次いでWittig反応に付すという
方法が特開昭49−47531号公報にて報告された。
しかしながら、この方法は出発原料として高価な菊酸を
使用し、かつオゾン酸化反応、Wittig反応という
煩雑な操作を必要とするため、工業的な方法として採用
することは困難視されている。
またJ 、FarkasらはCo11ect 、Cze
ch 、 Chem。
Communl、24.2230(1959)にジアゾ
酢酸エステル法を報告している。
すなわち、■・1・1− ) IJ クロル−4−メF
−ルー3−ペン77−2−オールをアセチノ呵ヒした後
、亜鉛−酢酸で還元することにより1・1−ジクロル−
4・4−ジメチルブタジェンを得、さらにこれをジアゾ
酢酸エステルと反応すせてシクロプロパンカルボン酸エ
ステルとするものである。
しかしながら、この方法も原料の1・1−ジクロル−4
・4−ジメチルブタジェン合成に要する反応工程が長く
、亜鉛酢酸還元という煩雑な操作を要すること、および
ジアゾ酢酸エステルの対加反応収率が37%と低いこと
などの欠点のため工業的な方法とは言えない。
本発明者らは上記ピレスロイドの新規かつ有効な合成ル
ートを鋭意かつ詳細に検討した結果、一般式(n)で表
わされる1・1・1−トリハロ3−エン化合物とジアゾ
酢酸エステルの付加反応が高収率で進行することを見い
出し、本発明を完成するに至った。
本発明方法において使用される一般式(n)で表わされ
る1・1・1−トリハロー3−エン化合物は以下に示す
方法により、容易に製造することができる。
一般式(IV) 〔式中、R1、R2およびR5は一般式(m)における
それらと同じ意味を有する。
〕で表わされる第3級のアリル型アルコールまたはその
誘導体にハロホルムをラジカル反応条件下に付加反応さ
せることにより一般式(III)で表わされるハロゲン
化物を得、これを脱水反応、脱アルコール反応または脱
カルボン酸反応に付すことにより一般式(n)で表わさ
れる1・1・1−トリハロー3−エン化合物を製造する
ことができる。
従来、第1級のアリルアルコールまたはそのエーテルも
しくはエステルへのハロホルムのラジカル的付加反応は
、例えばKharaschらがJ、Am。
Chem、Soc 0.69.1105(1947)に
報告し、LewisらがJ、Am、Chem、Soc、
76.457(1954)で述べているように多量のテ
ロマーを生成し、T arrantらがJ、Org、C
heml、26.4646(1961)で述べているよ
うに1対1付加物の収率は20〜30%と低いものであ
った。
また、例えばジメチルビニルカルビノールのような第3
級アリルアルコールは加熱下では容易に脱水反応を起こ
すことが知られている。
しかるに、一般式(IV)で表わされる第3級のアリル
型アルコールにハロホルムをラジカル反応条件下に作用
させる場合は、予想される脱水反応やテロマー〇生成は
ほとんど起こらない。
例えば、クロロホルム4000P中にジメチルビニルカ
ルビノール401’を溶解し、過安息香酸tert−ブ
チル30Pを加えて110℃にて30時間反応を行なっ
た後、過剰のクロロホルムと未反応のジメチルビニルカ
ルビノールを減圧下に回収し、残分を蒸留すると収率8
2%で1−1・1−トリクロル4−メチル−4−ペンタ
ノールが得られる。
このようにして得られる一般式(III)で表わされる
・・ロゲン化物を脱水反応、脱アルコール反応または脱
カルボン酸反応に付すことにより一般式(n)で表わさ
れる1・1・1−トリハロー3−エン化合物とすること
ができる。
この脱水反応、脱アルコール反応または脱カルボン酸反
応を行なうにあたっては、一般式(III)で表わされ
るハロゲン化物を硫酸、リン酸、ホウ酸、p−)ルエン
スルホン酸、五酸化燐、五酸化バナジウム、三酸化タン
グステン等の強酸性ないしは弱酸性の触媒の存在下に室
温〜200℃までの温度範囲で加熱反応させるか、シリ
カゲル、シリカアルミナ、軽石、ケイソウ土、フラー土
、活性アルミナなどの存在下に気相または液相で80〜
250℃の範囲の温度に加熱すればよい。
後者の場合、反応速度を早めるために、例えばケイソウ
士に五酸化バナジウムなどを担持した組合わせを使用す
ることも可能である。
このようにして得られたl・1・1トリ・・ロー3−エ
ン化合物は反応条件により多少の1・l・1−トリハロ
ー4−エン化合物を含むが、これは脱水反応、脱アルコ
ール反応または脱カルボン酸反応条件下で1−■−1−
)IJハロー3−エン化合物に異性化することができる
本発明方法において用いられるラジカル反応条件はラジ
カル反応開始剤を存在せしめるが、または光を照射する
ことによって達成できる。
ラジカル反応開始剤としては過酸化ベンゾイル(BPO
)アゾビスインブチロニトリル(AIBN)、過酸化ア
セチル、過酸化ラウリル、過酸化ジtert−ブチル、
過酢酸tert−フ゛チル、過酢酸、過安息香酸ter
t−ブチル、過フタル酸tert−ブチル、tert−
ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオ
キサイド等を用いることができる。
ラジカル反応開始剤は接触量用いればよい。
反応温度はラジカル反応開始法として光を用いる場合に
は室温〜100℃、ラジカル反応開始剤を用いる場合に
は70〜180℃が好ましい。
このようにして得られる一般式(I[)で表わされる1
・1・1−トリハロー3−エン化合物〔以下、これを化
合物(II)と称す〕をジアゾカルボン酸エステルと反
応させると高収率で一般式(I)で表わされるシクロプ
ロパンカルボン酸誘導体が製造できる。
この反応は無触媒下でも進行するが、1・1・1−トリ
ハロー3−エン化合物へのカルボエトキシカルベンの挿
入反応またはカルボエトキシカルベン自身の2量体、3
量体であるマレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチルおよ
びトリカルボン酸エチル等の生成反応との競争的反応が
起こるため、通常は触媒を使用して温和な条件で行なう
のが好ましい。
触媒としては銅または銅を成分として含む触媒(硫酸第
2銅、塩化第1銅、塩化第2銅、シアン化第1銅、銅ア
セチルアセトナート、トリn−ブチルホスフィン−ヨウ
化第1銅錯体、チオシアン化第1銅等)、π−アリル塩
化パラジウム、ニラケロセン等を用いることができる。
また野崎らがT e trahedron 6.24.
3655(1968)で報告しているように光学活性な
銅錯体を用いて光学活性なシクロプロパンカルボン酸誘
導体(I)とすることも可能である。
反応温度は触媒の種類によっては室温〜70℃で行なう
場合もあるが、好ましくは70℃〜150℃であり、特
に好ましくは80℃〜125℃の範囲である。
反応を行なうにあたり、化合物(n)とジアゾカルボン
酸エステルの比率は1対1でもよいが、目的のシクロプ
ロパンカルボン酸誘導体(I)を高選択率で得るため、
通常は化合物(II)を大過剰に使用するのがよい。
反応はバッチ方法、連続反応方式のいずれを採用しても
よい。
バッチ方式の場合、好ましくは化合物(n)と触媒を反
応器にあらかじめ入れておいて加熱し、これにジアゾカ
ルボン酸エステル(このジアゾカルボン酸エステルは場
合によっては化合物(n)で希釈することもできる)を
滴下して反応させ、反応後、反応液から触媒を分離し、
過剰の化合物(II)を減圧下に回収し、残分として目
的のシクロプロパンカルボン酸誘導体(I)を得る。
なお、回収した触触は再使用することができる。
また連続反応方式を採用する場合、通常一般に触媒を充
填した反応塔を使用し、これの適当な高さの位置にジア
ゾカルボン酸エステルの1・1・1−トリ・・ロー3−
エン化合物溶液をフィードする。
このフィードロより上部は低沸点成分と1・1・1−ト
リハロー3−エン化合物の分離塔を兼ねそなえ、フィー
ドロ付近は還流してくる1・1・1−トリハロー3−エ
ン化合物が大量に存在するため、供給されたジアゾカル
ボン酸エステルはかなり希釈された状態で反応が進行す
る。
このことは反応の選択性を向上させる上でも、ジアゾカ
ルボン酸エステルを取扱う上での安全性からも非常に重
要である。
フィードロより下の部分は精留塔を兼ねそなえることに
より塔底部分から一般式(I)で表わされるシクロプロ
パンカルボン酸誘導体のみを連続的に取出せる。
このようにして得られた一般式(I)で表わさレルシク
ロプロパンカルボン酸誘導体は、こレヲ塩基と作用させ
ることにより殺虫剤として使用される2−(ジハロビニ
ル)シクロプロパンカルボン酸誘導体とすることができ
、その合成中間体として有用な化合物である。
更に詳しくは以下の参考例および実施例にて説明する。
実施例 1 クロロホルム4000f中にジメチルビニルカルビノー
ル400?を溶解し、これに過安息香酸tert−−ブ
チル301を加えて110℃にて30時間反応を行なっ
た後、反応液から過剰のクロロホルムと未反応のジメチ
ルビニルカルビノールを減圧下に回収し、残分として赤
黄色の粘稠な液体835グを得た。
このものはガスクロマトグラフィー分析の結果、純度9
0.4%の1・1・1−トリクロル−4−メチル−4−
ペンタノールであり、不純物として1・1・3−トリク
ロル−4−メチル−4−ペンタノールを8.7%含んで
いた。
上記残分を真空蒸留することによりbp60〜61.5
’c (0,3mmHg )の留分として高純度の1・
1・1−) IJ クロル−4−メチル−4−ペンタノ
ールを7321得た。
このものは放置しておくと白色の結晶となった。
化合物の確認は以下の方法に依った。
次いで1・1・1−トリクロル−4−メチル−4−ペン
タノール732 f! (3,9mol )にp−トル
エンスルホン酸7.31を加えて155〜160℃にて
1.5時間加熱し、副生ずる水を系外に追い出しながら
反応させた。
反応液をそのまま200mmHgの減圧下にて蒸留し、
留出液をボウ硝にて乾燥し、次いで精密蒸留を行なった
結果、bp73〜74℃(20mmHg )の留分とし
て1・1・1− ) IJ クロル−4−メチル−4−
ペンテンを62t(収率9.3%)得、bp74〜77
℃(20關Hg )の留分として1・1・1−トリクロ
ル−4−メチル−3−ペンテンを536′?(収率80
.3%)得た。
生成物は以下の方法によって構造確認した。
参考例 1 実施例1の方法で得られた1・1・1−トリクロル−4
−メチル−4−ペンテン621にp−)ルエンスルホン
酸0.3zを加えて130〜135℃にて8時間攪拌し
ながら異性化反応を行なった。
反応液はそのまま減圧留去した。
留出液をガスクロマトグラフィー分析すると1・1・l
−トリクロル−4−メチル−4−ペンテン対l・1・1
トリクロル−4−メチル−3−ペンテンの比率は13対
87であり、他の副生成物はほとんどみられなかった。
留出液はそのまま精密蒸留してl・1・1−トリクロル
−4−メチル−3−ペンテン50.71を得た。
実施例 2 内径3crfL1長さ30crIlの反応管にシリカア
ルミナ触媒150rrllを充填し、140℃に加熱し
ておく。
これに実施例1の方法で得られた1・1・1− ) I
) クロル−4−メチル−4−ペンタノール606f?
を202グ/hrの速度でフィードする。
反応器を出た留出物は冷却管を通してトラップした後、
これにエーテルを加え、そのエーテル層を水洗、乾燥す
る。
エーテルを減圧下に留去して残分をガスクロマトグラフ
ィー分析すると1・1・1− ) IJ クロル−4−
メチル−4−ペンテン対l・1・1−トリクロル−4−
メチル−3−ペンテンの比率は25対75であり、原料
1・1・1−トリクロル−4−メチル−4−ペンタノー
ルの転化率は97.1%であった。
残分を精密蒸留することにより1・1・1− ) IJ
クロル−4−メチル−4ペンテン113グおよび1・
1・1−トリクロル−4−メチル−3−ペンテン325
グを得た。
実施例 3 500mlの3つ目フラスコに無水硫酸銅3.51およ
び1・1・1−)サクロルー4−メチル−3ペンテン2
0Ofを入れて100℃に加熱しておき、これにジアゾ
酢酸エチル50グの1・1・1− ) IJ クロル−
4−メチル−3−ペンテン150グ溶液を5時間かげて
ゆっくり滴下する。
滴下終了後、反応温度を120℃に上げて30分間反応
させた。
反応液は冷却後濾過して触媒を分離し、次いで減圧蒸留
により過剰の1・1・lトリクロル−4−メチル−3−
ペンテンを回収し、残分を真空蒸留するとbp87〜9
2℃(0,25mmHg )の留分として2・2−ジメ
チル−3−(2・2・2−)リクロルエチル)シクロプ
ロパンカルボン酸エチルが79.6ft得られた。
ガスクロマトグラフィー分析の結果、この2・2−ジメ
チル−3−(2・2・2−トリクロルエチル)シクロプ
ロパンカルボン酸エチルの純度ハ86.3%であった。
次にこのものを理論段数約40段の精密蒸留塔を使用し
て精製することにより純度98.9%、シス対トランス
の立体異性体比47対53の混合物として2・2−ジメ
チル−3−(2・2・2−トリクロルエチル)−シクロ
プロパンカルボン酸エチル63.7Pを得た。
生成物の構造確認は以下の方法に依った。
実施例3と同様に11の3つ目フラスコに銅粉3.Or
および1・1・1−トリクロル−4−メチル−3−ペン
テン300fを入れて90℃に加熱しておき、これにジ
アゾ酢酸エチル501の1・1・1−トリクロル−4−
メチル−3−ペンテン45oz溶液を8時間かげてゆっ
くり滴下する。
滴下終了後、反応温度を120℃に上げて30分間反応
させた。
反応液は冷却後濾過して触媒を分離し、次いで減圧蒸留
により過剰の1・1・1−ドリクロル−4−メチル−3
−ペンテンを回収し、残分を真空蒸留することにより、
2・2−ジメチル−3−(2・2・2−トリクロルエチ
ル)シクロプロパンカルボン酸エチル89.3?を得た
このものはガスクロマトグラフィー分析の結果、純度9
4.2%で、シス対トランスの立体異性体比率は49対
51であった。
実施例 5〜7 次に本発明の連続的製造法について説明する。
装置としては、触媒を充填した反応塔と、その上部には
低沸点生成物の回収装置、塔底はリボイラーと連結させ
、かつ該反応塔の適当な高さの位置に原料供給口を設け
た装置を用い、反応塔には銅製の充填剤を充填しておく
まず1・1・1−トリクロル−4−メチル−3−ペンテ
ンのみを供給して蒸留を行ない、還流が起こり始めた時
点をもって該反応塔の原料供給口よりジアゾ酢酸エチル
10重量%を含む1・1・1−トリクロル−4−メチル
−3−ペンテン溶液を供給する。
生成した2・2−ジメチル−3−(2・2・2−トリク
ロルエチル)シクロプロパンカルボン酸エチルはりボイ
ラーから連続的に取出した。
その際の反応条件および収率については表1に挙げた通
りである。
実施例 8〜10 実施例3と同様に、200献三つロフラスコに各種1・
1・1−トリハロー3−エン化合物を0、3 moll
および触媒を15mmol入れて加熱し、これにジアゾ
カルボン酸エステル50mmolの1・1・1−トリハ
ロー3−エン化合物の0.5 mol溶液をゆっくり滴
下する。
滴下後、反応温度を ※120℃に上げて30分間加
熱して反応を終了する。
反応液は冷却後触媒を分離して、濾液は減圧蒸留するこ
とにより過剰の1・1・1−)リハロー3−エン化合物
を回収し、残分は真空蒸留することにヨリシクロプロパ
ンカルボン酸エステルを取り出した。
結果は表2に示した。参考例 2 実施例3の方法で得られた2・2−ジメチル3−(2・
2・2− ) IJ クロルエチル)シクロプロパンカ
ルボン酸エチル27.25’(シス対トランスの立体異
性体比中50対50)を無水エタノール200TLlに
金属ナトリウム4.61を溶解した溶液に室温にて滴下
し、滴下終了後反応温度を40℃に上げて2時間、更に
60℃にて5時間加熱反応させる。
反応液は冷却下にて飽和エタノール−塩酸溶液にて中和
し、エタノールを減圧下に留去した後残分をエーテルに
溶かして水洗する。
ボウ硝にて乾燥後エーテルを留去して残分な真空蒸留す
るとbp70〜72°c (0,35mmHg )の留
分として2・2−ジメチル−3−(2・2−ジクロルビ
ニル)シクロプロパンカルボン酸エチルが ※19.3
P得られた。
ガスクロマトグラフィー分析の結果、この2・2−ジメ
チル−3−(2・2−シクロルビニル)シクロプロパン
カルボン酸エチルのシス−トランス異性体比は45対5
5であることがわかった。
実施例 11〜14 種々のハロゲン化物(■′)の3.9 molを実施例
1における脱水反応と同様の条件下での脱R’OH反応
に付した。
反応液を実施例1と同様に減圧蒸留し、その留出液を乾
燥後、精密蒸留することに**より1・1・1−トリク
ロル−4−メチル−3ペンテンおよび1・■・1− )
IJ クロル−4−メチル−4−ペンテンをそれぞれ
得た。
これら生成物の収量(収率)を表3に示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式(n) (式中、R1およびR2は同一または異なるアルキル基
    を示し、Xl、X2およびX3は同一または異なるハロ
    ゲン原子を表わす。 )で表わされる1・1・1−トリハロー3−エン化合物
    に一般式(V) (式中、R3は水素原子または低級アルキル基を示し、
    R4はアルキル基を示す。 )で表わされるジアゾカルボン酸エステルを付加反応さ
    せることを特徴とする一般式(I) (式中、R1、R2、Xl、X2およびX3は一般式(
    n)で示したとおりであり、R3およびR4は一般式(
    VI)で示したとおりである。 )で表わされるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造
    方法。 2 一般式(m) (式中、R1およびR2は同一または異なるアルキル基
    を示し、R5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル
    基、アラルキル基またはアシル基を示し、Xl、X2お
    よびX3は同一または異なるハロゲン原子を表わす。 )で表わされるハロゲン化物を脱水反応、脱アルコール
    反応または脱カルボン酸反応に付すことにより一般式(
    III) (式中、R1、R2、xi、 x2およびX3は一般式
    (III)で示したとおりである。 )で表わされる1・1・1−トリハロー3−エン化合物
    とした後、これに一般式(V) (式中、R3は水素原子または低級アルキル基を示し、
    R4はアルキル基を示す。 )で表わされるジアゾカルボン酸エステルを付加反応さ
    せることを特徴とする一般式(I) (式中、R1、R2、Xl、X2およびX3は一般式(
    III)で示したとおりであり、R3およびR4は一般
    式(VI)で示したとおりである。 )で表わされるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造
    方法。
JP50069872A 1975-04-14 1975-06-10 シクロプロパンカルボンサンユウドウタイノ セイゾウホウホウ Expired JPS5850208B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50069872A JPS5850208B2 (ja) 1975-06-10 1975-06-10 シクロプロパンカルボンサンユウドウタイノ セイゾウホウホウ
FR7611050A FR2307783A1 (fr) 1975-04-14 1976-04-14 1,1,1-trihalogeno-4-methylpentenes, leur procede de preparation et leur application pour la preparation de 1,1-dihalogeno-4-methyl-1,3-pentadienes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50069872A JPS5850208B2 (ja) 1975-06-10 1975-06-10 シクロプロパンカルボンサンユウドウタイノ セイゾウホウホウ

Publications (2)

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JPS51146442A JPS51146442A (en) 1976-12-16
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11598330B2 (en) 2014-02-21 2023-03-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Fluid control device and pump

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