JPS58500681A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体装置の製造方法 発明の分野 この発明は半導体装置の改良に関し、更に詳細には、集積型発光半導体装置の製 造方法に関する。アメリカ合衆国政府はＮＳＦ補助金ＤＭＲ７９−０９９９１及 びＤＭＲ７７−２３９９９による資金援助の結果この発明における権利を有する 。

発明の背景 発光半導体は従来技術において良く知られている。

広範に使用されている発光素子の一つに、例えばＧａＡｓ−ＡｔＧａＡｓ物質系 を用いて製造されるヘテロ接合発光素子がある。この素子においては、互いに反 対の導電形を有しているバンド・ギャップの大き馳一対の層（ＡｔＧａＡｓ）に よって、活性領域（ＧａＡｓ）がはさみ込まれている。この活性領域とバンド・ ギャップの大きい層との間の界面は一対のへテロ接合を形成する。このヘテロ接 合は効果的なキャリヤと光の閉込めを提供する。

これらの素子は一般に発光ダイオードもしくはレーザとして使用され、電流注入 またはオノティカル・Ｉンビングによって励起される。

エヌ・ホロニヤツク氏（Ｎ、　Ｈｏ　ｌ　ｏｎｙａｋ）　Ｋよって出願され本願 の譲受人と同じ譲受人に譲渡された米国特許願第２０９，２４０号には、改良さ れた発光素子が開示されている。そこに・は、ＡＬＡｓ障壁（ｂａｒｒｉｅｒ　 １ａｙｅｒ）によって分離されている１つ以上のＧａＡｓ層から活性領域が構成 される発光素子が示されている。ＡＡＧａＡｓ三元系層がもともと無秩序状態で あり　ＧａＡｓとＡｔＧ　ａＡ　ｓの界面の近傍ではクラスターとなることが知 られているので、従来使用されているＡｔＧａＡｓの代わシにＡｔＡｓを用いて □いる。上記クラスターは該素子にょシ大きい闇値電流を必要とさせるとともに 素子の効率を低くする。上記特許出願に開示されているものを本願では参考にと 導入れている。

上述の如き発光素子は、必ずしもそうである必要はないが、一般に有機金属ガス にょる什学反応を利用した蒸着法（ＭＯ−ＣＶＤ法）によって成長形成される。

このＭＯ−ＣＶＤ法は、例えば、「エレクトロニック・ノぐッヶーソング・アン ド・プロダクション（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｉｎｇ　ａｎｄ　Ｐｒ ｏｄｕｃｔｉｏｎ）　Ｊが１９７８年６月に発行１．　タｒクミヵル・ベイノぐ −・デポジション・フォー・ニュー・マテリアル・アプリケーションズ（Ｃｈｅ ｍｉｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｆｏｒ　Ｎｅｗ　Ｍａｔｅｒｉ ａｌ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ）Ｊという刊行物に記載されている。この種の 素子は、分子ビームエピタキシャル法、液相エピタキシャル法、もしくはその他 の適当な付着技術によって成長形成させることもできる。ＭＯ−ＣＶＤ法及び分 子ビームエピタキンヤル法は一般に好ましい方法の一つである。

上述したすべての方法において、発光素子はウエノ・の形で形成され、このウェ ハは後にカットされて個々の発光ダイオードもしくはレーザとなる。これは、単 一のチップ上に多数の能動素子が組込まれかつ相互に連結されている公知の集積 回路技術と対照的である。これまでのところ、この種の集積化は上述の如き発光 半導体素子に対しては実用的には利用されていない。発光素子を集積化しようと する試みは、食刻された基体中への発光構造の物理的形成を含めて一般にかなり 粗雑々ものであった。この発光構造はディー・フォー・マイアーズ（Ｄ、　Ｊ、 　Ｍｙｅ　ｒ　ｓ　）に付与された米国特許第４．１６５，４７４号に示されて いる。

ペテロ接合発光素子を大規模集積回路に集積化する経済的な方法が光データ処理 及び光データ通信の発展に重要な寄与をすることは明らかである。

従って、この発明の目的は、複数の■−■族化合物へテロ接合素子を単一の集積 構造にすることのできる方法を提供することである。

この発明の別の目的は、シンプルかつ現在の半導体加工技術にマツチした、集積 型オプトエレクトロニクス素子を製造する方法を提供することである。

発明の要約 上述の目的に従って、多層式の■−■族化合物半導体構造体に拡散またはイオン 注入の如き方法で無秩序化成分を導入することによって、結晶構造を維持させた 一ｉｔ該半導体構造体を無秩序化させると共にそのエネルギー・ギャップをシフ ト・アップさせることが可能となる。例えば、Ｃ’ａＡ　ｓ　−ＡｔＡ　ｓまた はＧａＡｓ　−ＡｔＧａＡｓよ構成る多層構造体の全部もしくは一部を、亜鉛を 拡散する方法によって、あるいはシリコン・イオン、クリプトン・イオンまたは 亜鉛イオンのイオン注入法によって、本来構造体が有しているエネルギー・ギャ ップよシ大きいエネルギー・ギャップを有する単結晶のＡＡＧａＡｓに変換させ ることが可能となる。そしてその他の能動素子を、既に確立された半導体加工技 術を用いて、この大きいエネルギへ・ギャップを有する物質中に形成させること が可能となる。

図面の簡単な説明 第１図は米国特許願第２０９，２４０号の説明に従って製造された超格子へテロ 接合構造の断面図である。

第２図は第１図の構造体に選択的な無秩序化を行ない更に処理を施した図である 。

第３図は第２図の素子に電極を設けた図である。

第４図は第３図の発光素子の平面図である。

第５図はこの発明に従って製造された電界効果トランジスタを示す。

第６図は集積型光処理装置の平面図である。

好ましい実施例の説明 第１図は米国特許願第２０９，２４０号の記載に基づく半導体へテロ接合素子を 示す。素子全体はＧａＡｓ半絶縁性基体もしくは導電性基体１０上に形成されて いる。一対のバッファ層あるいはコンタクト層１２及び１４が一対のインジエン ティング／コレクティング（ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ／ｃｏｌｌｅｃｔｉｎｇ）領域 （すなわちインジエクティング領域またはコレクティング領域）１６及び１８を 取シ囲んでいる。この一対の領域１６及び１８は、必ずしもそうである必要はな いが、反対の導電形であるのが好ましい。超格子（多層）構造部（５ｕｐｅｒｌ ａｔｔｉｃｅａｔｒｕｃｔｕｒｅ）　２０は領域１６と１８の間にはさみ込まれ ておシ、その構造は素子の右側に拡大して図示されている。超格子構造部２０は 、バンド・ギャップの大きい障壁層（ｂａｒｒｉｅｒ　１ｅｙｅｒｓ）　２４の 間にバンド・ギ−ｖｙ、プの小さい活性領域２２がはさみ込まれた構造となって いる。

インジエンティング／コレクティング閉込め領域１６及び１８はバンド・ギャッ プの比較的広い半導体物質から成シ、活性層２２はバンド・ギャップの比較的狭 い二元半導体物質から成る。障壁層２４は活性層２２と格子整合する二元半導体 物質から成る。最も好ましい実施例ではないが、障壁層２４は二元の活性層物質 ２２と格子整合する三元半導体物質であっても良い。

超格子構造部２０において、各活性層２２は約２０〜５００　Ｘ、好ま゛しくは ２０〜２００Ｘの範囲の厚さを有する量子論的井戸（ｑｕａｎｔｕｍ　Ｗｅｌｌ ）である。各障壁領域２４は少なくとも約１０Ｘ１好ましくは約１０〜２００Ｘ の範囲の厚さでなければならない。活性層２２の数は本質的には選択されてしか るべきものであるが、一般には４〜１００層であシ、障壁層２４の数はそれよシ １層はど多い。

第１図の例の構造を以下に示す。

層１２　１μｍＧａＡｓ　：　Ｓｅ　（ｎ〜ｌＸｌ０　ｃＩｎ）層１６　０．５ ２．０μｒｎ　Ａｔｏ、４Ｇａ、６Ａｓ　：５ｅ（ｎ〜５刈０ｃｒＩＬ）層２４ 　（厚さ−ＬＢ）　ＡＡＡｓ　（ドーゾ済またはドープせず）層２２　（厚さ＝ ＬＺ　）　Ｇ　ａＡ　ｓ　（ドーゾ済またはドープせず）層１８　０．５−２． ０　ｔｔｒｎ　ＡＬｏ、ａＧａ　ｏ、６Ａ　ｓ　：　Ｚｎ　（ｐ〜２刈Ｏｃｍ　 ）層１４　１μｙｎＧａＡｓ：Ｚｎ（ｐ〜２Ｘ１０　（１ｍ　）この発明の一形 態において、超格子部２０に亜鉛原子を拡散させることによって、この超格子部 ２０が組成的に無秩序化したＡｔｘＧａｌ−ＸＡＳとなシ、（−例において）そ のエネルギー・ギャップがＥｇ＃　１．６１　ｅＶ（ＧａＡｓ層２２）からＥｇ 　＃　２．０８　ｅＶに変化することが判明した（鈍い赤色光→黄色光）。

所望の領域にのみ亜鉛の拡散を行なうために、窒化シリコンから成るマスク２８ を公知のホトリングラフイック法を用いて層１２の表面上に設ける。コンタクト 領域１２の露出部分を食刻して取除き、閉込め層１６の上面を露出させる。そし て、ＺｎＡｓ２と共にこの半導体構造体を石英製アンプル中に入れ、それを拡散 用オーブン中に置く。５００〜６００℃の範囲内の温度で亜鉛が拡散によって結 晶中に導入される。この温度は超格子成分の通常のクロス拡散温度（すなわち〉 ７５０℃）よシ十分下である。拡散時間はもちろん素子の構造に依存するが、１ ０〜６０分間の拡散時間が適当であることが分かった０ 亜鉛原子は露出した領域中に拡散し、超格子部２０の活性領域２２及び障壁領域 ２４を組成的に無秩序な合金ＡＬＸＧａ１−　ｘＡ　ｓにする。換言すれば、多 くの薄い超格子層が、その結晶構造を保持したまま個々の識別性を失なうように 組合わされる。障壁領域２４がＡｔＡｓであシ、活性領域２２がＣａＡｓの場合 ｘ−ＬＢ／（ＬＢ＋Ｌｚ）となる。障壁領域２４がＡＺｙＧａ　、−ｙＡｓの場 合には、ス〜ｙＬＢ／（ＬＢ十Ｌ２）となる。この場合、ｙはＡｔＡｓとみなさ れる障壁層２４の割合である。

通常、５００〜６００℃の温度範囲におけるＡｔ−Ｇａの相互拡散は無視するこ とができる。しかしながら、亜鉛をＡＡＡｓ−ＧａＡｓ超格子中に拡散した場合 には、このような低い温度でも、亜鉛によってＡｔ−Ｇａの相互拡散が誘起され ることが分かった。このようにして、ＧａＡａ−ＡｔＡａあるいはＧａＡｓ−Ａ ｔｘＧａ、−ｘＡｓ超格子部は、低温において所望の７４ターンに十分無秩序化 され、そしてＧａＡｓ層の厚さ及びＬＺ／Ｌ　Ｂ比に応じてエネルギー・ギャッ プが増加し、直接遷移形から間接遷移形に変化する。

この発明の別の形態においては、シリコン・イオンまたはクリプトン・イオンの 注入によって、超格子部を結晶構造を保持したまま組成的に無秩序化することが 可能となることが判明した。−例では、ＭＯ−ＣＶＤ法によって成長させたＡｔ Ａｓ　−ＧａＡｓ超格子部は、ＧａＡｓ（８６Ｘ）とＡｔｈｓ　（８０Ｘ）のド ープしていない層を交互に合わせて２６層有しており、全厚さが１μｍとなって いる。シリコン・イオンを、室温、３７５　ｋｅＶ１基体に対して７°の角度で 、超格子構造部にイオン注入した。イオン照射量は１０　ｃａｍ　であった。続 いて数個のサンプルをヒ素高含有の雰囲気中で、６７５℃、４時間アニールした 。アニールを施した場合、組成の無秩序化によシ、無秩序化した領域のエネルギ ー・ギャップがＥｇ＃　１．９９　ｅＶとなシ、その値は秩序超格子の示すＥｇ 　娩１．５７　ｅＶ　よシ実質的に大きくなることが判明した。好ましくは約５ ００℃〜７００℃の温度範囲内であって超格子が成長形成されたときの温度よシ 低い温度におけるアニールが、これらの例における方法の重要な点であるように 思われる。１０　ｃｍ　のイオン注入量では、アニール前に組成の無秩序化は起 こらず、かなシの結晶の損傷が存在していたものと思われる。超格子が成長形成 されたときの温度よシ低い温度におけるアニールの後ではイオン注入領域内の損 傷は除去され、完全ではないが組成の無秩序部が広がった。

他の例では、亜鉛・イオンとクリプトン・イオンが同様の条件下でイオン注入さ れ、同じ照射量に対する結果はシリコンのイオン注入の場合よシも無秩序化が小 さかったがアニールの後に組成の無秩序化が観測された。

第３図では、窒化シリコン層２８が除去され、その代わシに金属層３６が設けら れている。同様な金属層が基体１０（この場合基体１０は導電性である）の主側 に設けられ、発光構造が完成される。この構造の平面図を第４図に示す。

電圧が接点３６を介してヘテロ接合レーザに印加された場合（または、接点が無 い場合には素子が光学的にポンピングされた場合）、赤色の光がＧａＡ　ｓ活性 層２２によって矢印で示される如く長手方向に沿って発せられる。ＡｔｘＧａ　 １−　ＸＡ　ｓ領域３０及び３２はＧａＡｓ領域よシもエネルギー・ギャップ（ オレンジ色または黄色）が大きいので、赤色光は障害なしにそこを通過すること ができる。ウェハ端部３５はファプリー−ペロー反射器として作用し、レーデに 対して非吸収型のＡｔＸＧ　ａ　１−　ＸＡ　Ｂ空洞を形成する。ヘテロ接合レ ーザの空洞の構造は、最適の・や−７オマンス特性になるように設計することが できる。例えば、よシ大きい空洞は、よシ長いフォトンの通過時間、よシ小さい 空洞端損失、よシ大きいＱ値及びよシ低い閾値電流のレーザを提供する。

上述の如き複数の発光素子を単一の基体上に成長形成させ、次いで上述の無秩序 化成分−を選択的に導入することによって分離を行ない、モノリシックな環境に て個々の素子が形成される。亜鉛の拡散またはイオン注入を用いた場合、実質的 に半導電性のｐ影領域が形成源れる。次にこの露出したｐ影領域を適当なプロト ンのソースを用いて打込み（ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ）を行なうことによって、 ｐ影領域はその単結晶構造を維持したまま十分に損傷を与えることができ、その 結果、能動素子間に高抵抗率の分離障壁が形成される。このような打込みは打込 みが行なわれた領域の赤色光の“透過には影響を及ぼさない。

厚さくＬ２）が５００Ｘの活性領域２２　（ＧａＡｓ　）を有する超格子部をこ こで説明したように組成的に無秩序化することができる。しかし、最適な結果を 得るためには活性領域２２の厚さは約２００Ｘ以下であるのが好ましい。

第５図は、第１図のへテロ接合構成を用いて製造し上述の無秩序化方法によって 回路の他の部分と分離したショットキー・バリア・電界効果トランジスタの断面 図である。この場合、超格子層２０を露出させる溝部を形成するために領域１２ 及び１６が食刻されて除去されている。金属接点５０が付着形成されダート電極 として用いられる。Ｎ形金属部５２及び５４が層１２及び１６中に合金化され超 格子層２０と当接している。この金属部５２及び５４は素子のソース接点及びド レイン接点を提供する。第５図の素子は当選択的無秩序化技術の多用性を示すも ので、複数の素子を単一のモノリシックなチップ内に集積させ次いでエネルギー ・ギャップの大きい無秩序化された領域によって各素子を分離させる。との無秩 序化領域は、必要ならば、後にプロトン打込みによってより犬きか抵抗率を持つ 領域に変換される。所望の場合には、この無秩序　′化領域内に更に能動素子を 形成できることは明らかである。

第５図に示すショットキー・バリア素子を製造する方法は、層２０を移動度が大 きくなるように調整してドープする点、す々わちドナーは障壁層内に成長するが 隣の領域（すなわちＧａＡｓ　）には成長しない点において、従来と同じである 。素子の上面が適当にマスクされた後に層１２及び１６は選択的に食刻除去され る。

最後の段階は、再び適当なマスクをした後に接合接点５２及び５４を合金化する ことを含んでいる。

第６図はこの発明に従って製造された集積型構造体の平面図を示す。ここでは集 積型レーザ／導波路構造を示すために超格子層上のコンタクト層１２及び閉込め 層１６が取除かれている。レーザ活性領域６ｏ及び６２は、それぞれが一対の超 格子導波路６４及び６６内にて終結していることを除いて、第２図及び第３図に 示したものと同様に形成される。金属接点６８（第５図に示したのと同じ）が導 波路６６の上に設けられ、逆方向（もしくは順方向〕にバイアスが加えられ下側 の超格子部６６と自身との間のショットキー・バリア接合を与える。個々の素子 は上述の如き選択的無秩序化方法によって分離されている。

レーザ６０は光を発生するようなモードでバイアスを加えられる。ところが、レ ーザ６２は閾値よシ十分下でバイアスを加えられ、導波路６４及び６６に沿って 伝播する同位相の放射光によシ光学的にポンピングされる。エネルギー・ギャッ プの小さい物質（赤色）が黄色の物質よシ大きい屈折率を示すことから、発せら れた赤色光は（導波路物質の方向に急激な変化がないかぎシ）導波路６４及び６ ６を構成するエネルギー・ギャップの小さい物質内に停まる傾向がある。接点６ ８に適正に電圧を印加することによシ、接合レーザ６２において異なった位相の 信号を形成するために導波路６６上の信号の位相を変化させる遅延電子光学効果 （ｒｅｔａｒｄｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ　ｅｊｆｅｃりを達成 することができる。これらの条件下で、レーザ６２はレイジングを禁止される。

接点６８に電圧が加わらない場合、同位相の光学的ポンピングによシレーザ６２ のレイジングが可能となり、従ってエレクトロオプティカル論理素子を提供する ことができる。

要約すると、拡散またはイオン注入の如き方法にょって無秩序化成分を導゛入す ることによシ、超格子層を単結晶、構造を維持したまま無秩序化しそのエネルギ ー・ギャップをシフト・アップさせることができる。そして無秩序化／分離方法 によシ集積型エレクトロオプティカル半導体素子の製造が可能となる。

以上この発明をいくつかの実施例につき述べてきたが、すべての場合においてド ーピングを（ｐ　−＋　ｎ及びｎ−＋ｐと）変更することができる、及び／又は 、すべての超格子領域をドープするもしくはアンドープする、及び／又は、基体 を半絶縁性にする、等の種々の変更　。

が可能であることが理解される。

浄書（内容に変更なし） Ｆｉｇ、４ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 Ｐ　Ｃｉ”　／　Ｕ　Ｓ　８２　／　００５７４２発明の名称 半導体装置の製造方法 ３　補正をする者 事件との関係　時計出願人 名　称　ユニバーンティ　オブ　イリノイファンテーション ６補正の対象

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　第１の活性半導体領域を第２の半導体障壁層の間に設けて構成される多層式 半導体構造体を、前記第１及び第２の半導体の両方から成る無秩序合金に変換し 、該合金のエネルギー・ギャップが前記第１の活性半導体領域のエネルギー・ギ ャップよシ大きくなるようにする方法であって、前記多層式半導体構造体中に無 秩序化成分を導入する工程を具備する方法。 ２　前記無秩序化成分の導入工程が前記多層式半導体構造体中へのイオン注入で ある請求の範囲第１項に記載の方法。 ３、　前記無秩序化成分がシリコンである請求の範囲第１項に記載の方法。 ４、前記無秩序化成分がクリプトンである請求の範囲第１項に記載の方法。 ５　前記無秩序化成分が亜鉛である請求の範囲第１項に記載の方法。 ６　前記無秩序化成分の導入工程がシリコン・イオンのイオン注入である請求の 範囲第２項に記載の方法。 ７　前記無秩序化成分の導入工程が亜鉛イオンのイオン注入である請求の範囲第 ２項に記載の方法。 ８　前記無秩序化成分の導入工程がクリプトン・イオンのイオン注入である。請 求の範囲第２項に記載の方法。 ９、　酊記無秩序化成分の導入工程が亜鉛原子の拡散である請求の範囲第１項に 記載の方法。 １０、前記第１及び第２の半導体がｍ−ｖ族化合物半導体である請求の範囲第１ 項に記載の方法。 １１　前記第１及び第２−の半導体が■−ｖ族化合物半導体である請求の範囲第 ２項に記載の方法。 １２、前記無秩序化成分の導入後、約５００℃〜７００℃の範囲内の温度で前記 多層式−構造体をアニールする工程を含む請求の範囲第１０項に記載の方法。 １３、前記無秩序化成分の導入後、約５００℃〜７００℃の範囲内の温度で前記 多層式構造体をアニールする工程を含む請求の範囲第１１項に記載の方法。 １４　前記第１の活性半導体領域の厚さが約５００Ｘ以下である請求の範囲第１ Ｏ項に記載の方法。 １５、前記第１の活性半導体領域の厚さが、約５００Ｘ以下である請求の範囲第 １１項に記載の方法。 １６　前記第１の活性半導体領域の厚さが約２００Ｘ以下である請求の範囲第１ ０項に記載の方法。 １７、前記第１の活性半導体領域の厚さが約２００Ｘ以下である請求の範囲第１ １項に記載の方法。 １８　前記第１の活性半導体領域がＧａＡｓである請求の範囲第１項に記載の方 法。 １９、前記第１の活性半導体領域がＧａＡｓである請求の範囲第２項に記載の方 法。 加、　前記第１の活性半導体領域がＧａＡｓである請求の範囲第９項に記載の方 法。 ２１　前記第２の半導体障壁層がＡｔＡｓである請求の範囲第１８項に記載の方 法。 ２２　前記第２の半導体障壁層がＡｔｘＧａｌ−イＳである請求の範囲第１８項 に記載の方法。 ｎ、前記無秩序化成分の導入の後にプロトンのソースによって前記構造体に打込 みを行なう工程を具備する請求の範囲第１項に記載の方法。 々　前記無秩序化成分の導入の後にプロトンのソースによって前記構造体に打込 みを行なう工程を具備する請求の範囲第２項に記載の方法。 ５、前記無秩序化成分の導入の後にプロトンのソースによって前記構造体に打込 みを行なう工程を具備する請求の範囲第３項に記載の方法。 あ、前記無秩序化成分の導入の後にプロトンのソースによって前記構造体に打込 みを行なう工程を具備する請求の範囲第９項に記載の方法。 ２７、少なくとも数個のへテロ接合発光半導体素子を含む複数の半導体素子をモ ノリシック構造に集積化する方法であって、活性半導体領域と障壁半導体領域を 交互にはさみ込んで成る多層部を有し、前記活性半導体領域の厚さが約５００Ｘ 以下であるヘテロ接合発光半導体素子を形成する工程と、前記素子部をマスクす る工程と、前記素子のマスクされていない部分に無秩序化成分を導入することに よって前記活性領域及び障壁領域を組成的に無秩序化して前記活性領域のエネル ギー・ギャップよシ大きいエネルギー・ギャップヲ有スる物質に変換する工程と を具備する方法。 あ、前記無秩序化成分の導入工程が前記多層型素子中へのイオン注入である請求 の範囲第２７項に記載の方法。 墓　前記無秩序化成分がシリコンである請求の範囲第２７項に記載の方法。 閣、前記無秩序化成分がクリプトンである請求の範囲第２７項に記載の方法。 ３１、前記無秩序化成分が亜鉛である請求の範囲第２７項に記載の方法。 ３２　前記無秩序化成分の導入工程がシリコン・イオンのイオン注入である請求 の範囲第２８項に記載の方法。 ３３、前記無秩序化成分の導入工程が亜鉛イオンのイオン注入である請求の範囲 第２８項に記載の方法。・父、前記無秩序化成分の導入工程がクリプトン・イオ ンのイオン注入である請求の範囲第２８項に記載の方法。 関　前記無秩序化成分の導入工程が、亜鉛原子の拡散である請求の範囲第２７項 に記載の方法。 ３７　前記無秩序化成分の導入後、約５ｏｏ℃〜７００℃の範囲内の温度で前記 素子をアニールする工程を含む請求の範囲第２７項に記載の方法。 あ　前記活性半導体゛領域の厚さが約２００Ｘ以下である請求の範囲第２７項に 記載の方法。 ３９、前記活性半導体領域がＧａＡｓである請求の範囲第２７項に記載の方法。 ４０、前記半導体障壁領域がＡＡＡｓである請求の範囲第３９項に記載の方法。 ４１　前記無秩序化成分の導入の後にプロトンのソースによって前記素子に打込 みを行なう工程を具備する請求の範囲第２７項に記載の方法。