JPS5846724A - 半導体スイツチング素子のドライブ回路 - Google Patents
半導体スイツチング素子のドライブ回路Info
- Publication number
- JPS5846724A JPS5846724A JP56146492A JP14649281A JPS5846724A JP S5846724 A JPS5846724 A JP S5846724A JP 56146492 A JP56146492 A JP 56146492A JP 14649281 A JP14649281 A JP 14649281A JP S5846724 A JPS5846724 A JP S5846724A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- circuit
- waveform shaping
- output
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/0403—Modifications for accelerating switching in thyristor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電力用の半導体スイッチンダ素子のドツイプ
園路に関するものである・ 従来の電力用ｗ３３電鼻勅果トッシ５ＦＸＪＩＯドライ
ブ園路は、ｊ１１ｍｌＫ示すように、パＡ／スｔツシス
テ０１次巻線をドライブ）ヲンＶスＩＱ、を介してドラ
イブ電Ｉｌｖ・６に接続し、パルス）ランス丁ａｔ次巻
線を抵抗Ｒ８，Ｒ，を介して電、力用ＭＯ８電界効果Ｆ
うシジス＃ Ｑ、６ ｒ−ト・ｙ−ス聞に接続し、ドラ
イブ）ランジメＩＱ、のペースにオンオフのスイッチン
グ信号を加え為ことによ勤このスイッチシｒｅ−ｇｏオ
νオッに対応して電力用ＭＯ８電界効果）ツｙｓＦスＪ
ＩＱ１をオシオア駆動するとと％に、ｓｓｐストッシス
Ｔｉｅよ）ドライブ）うｙＮメｊｊＱ。
園路に関するものである・ 従来の電力用ｗ３３電鼻勅果トッシ５ＦＸＪＩＯドライ
ブ園路は、ｊ１１ｍｌＫ示すように、パＡ／スｔツシス
テ０１次巻線をドライブ）ヲンＶスＩＱ、を介してドラ
イブ電Ｉｌｖ・６に接続し、パルス）ランス丁ａｔ次巻
線を抵抗Ｒ８，Ｒ，を介して電、力用ＭＯ８電界効果Ｆ
うシジス＃ Ｑ、６ ｒ−ト・ｙ−ス聞に接続し、ドラ
イブ）ランジメＩＱ、のペースにオンオフのスイッチン
グ信号を加え為ことによ勤このスイッチシｒｅ−ｇｏオ
νオッに対応して電力用ＭＯ８電界効果）ツｙｓＦスＪ
ＩＱ１をオシオア駆動するとと％に、ｓｓｐストッシス
Ｔｉｅよ）ドライブ）うｙＮメｊｊＱ。
と電力Ｍ ＭＯ！！電界効果）ツνＩＦ ｊＬ Ｉ Ｑ
、との絶縁をａっでいる。なか、Ｄ工はメイオーＹ％Ｄ
８はツェナーダイオードであゐ。
、との絶縁をａっでいる。なか、Ｄ工はメイオーＹ％Ｄ
８はツェナーダイオードであゐ。
しかし、このよりｔｋ−構成で紘、ドライブ）ツνＩ
Ｊ ＃ ＱＢｔ） Ｘイッチシダ速度が充分に遣（ても
、電’ｊＪＭＭ（Ｗ電ｐｉ効果）？！／ＮＸＪＩＱＩＯ
ゲージ電圧の立上が）シよび立下が）ＫかなシＯ時間を
要し。
Ｊ ＃ ＱＢｔ） Ｘイッチシダ速度が充分に遣（ても
、電’ｊＪＭＭ（Ｗ電ｐｉ効果）？！／ＮＸＪＩＱＩＯ
ゲージ電圧の立上が）シよび立下が）ＫかなシＯ時間を
要し。
電力用ＭＯ８電界効果ＦツンジスＩＱユ自身のスイッチ
ング速度が高速であっても、見か・け上スイッチング速
度Ｏ低下を呈し、七〇丸め、電力用ＭＯ８電゛界効果ト
ヲン、ＩｘｌＱユのスイッナｙダ時に４１じるスイッチ
シダ損失拡大１１％Ａものとなる欠点があった。この理
由はりぎのように考えられる。すなわち、第１図の回路
の等価回路を第２図に示しているが、ひとつｋは電力用
Ｍｏｌ電界効果トッンＶスＩＱ工の入力容量Ｃ１が木１
１いことで０、もうひとつＫはパルス）ツンスＴＫＩＩ
留イν〆りＩシスが存在することである。 ゛ 第３図は、第１！Ｏ回路にシは為パルストッｙスＴ４り
１次巻線電圧・、（破線）と２次巻線電圧・１（実線）
を示してｂる。
ング速度が高速であっても、見か・け上スイッチング速
度Ｏ低下を呈し、七〇丸め、電力用ＭＯ８電゛界効果ト
ヲン、ＩｘｌＱユのスイッナｙダ時に４１じるスイッチ
シダ損失拡大１１％Ａものとなる欠点があった。この理
由はりぎのように考えられる。すなわち、第１図の回路
の等価回路を第２図に示しているが、ひとつｋは電力用
Ｍｏｌ電界効果トッンＶスＩＱ工の入力容量Ｃ１が木１
１いことで０、もうひとつＫはパルス）ツンスＴＫＩＩ
留イν〆りＩシスが存在することである。 ゛ 第３図は、第１！Ｏ回路にシは為パルストッｙスＴ４り
１次巻線電圧・、（破線）と２次巻線電圧・１（実線）
を示してｂる。
したがって、この発明の目的は、電力用半導体スイッチ
ング素子のスイッチング速度を高めてスイッチング損失
を低減させゐことができる半導体スイッチｙダ素子ＯＦ
ツイプ回路を提供することである。
ング素子のスイッチング速度を高めてスイッチング損失
を低減させゐことができる半導体スイッチｙダ素子ＯＦ
ツイプ回路を提供することである。
この発明の一実施例を第４図に示す、すなわち、ζＯ電
力ＭＭＯ８電界効果トランＶスＩめドフィプ圓賂は、パ
ｆｉＩ、Ｘ）ラン１フ０１次側は第１図のも、Ｏと同様
に構成し、パ〃ストランスＴの２次巻線にζ０Ａｌｋｌ
ストツシスＴの２次出力を整ｍおよび平滑する抵抗Ｒｓ
、ダイオードＤ３ｓＤ４およびコンデシ号Ｃ工、ｃ、
ｚ 、ｂ する補助電源部Σを接続し、この補助電源部
Ｅよ）パ〃ストランスＴＯ２次出力を立上が）および立
下が〕が急峻となるように波形整ｉる波形整形ｉＦＦに
給電する本と４Ｋ、ヱミッＩが共通接続されて波形整形
回路ＦＦの出力に応答してオンオフ動作するトランＳＦ
Ｘ夕Ｑ３ｅＱ４０直列回路に電圧を加え、）ランジスｊ
ｊＱ３・Ｑ４の共遥工電ツＩを電力ＭＭＯ８電界効果シ
ヲシジスＩＱ工Ｏゲートに接続す為とと％にそのソース
を補助電源部Ｅの電極に接続することｋよ如スイッチシ
ダ信号Ｏオシオフに対応して電力用ＭＯ８電界効果）ラ
ンＶスＩＱ工をオンオフ駆動するようになってい為。
力ＭＭＯ８電界効果トランＶスＩめドフィプ圓賂は、パ
ｆｉＩ、Ｘ）ラン１フ０１次側は第１図のも、Ｏと同様
に構成し、パ〃ストランスＴの２次巻線にζ０Ａｌｋｌ
ストツシスＴの２次出力を整ｍおよび平滑する抵抗Ｒｓ
、ダイオードＤ３ｓＤ４およびコンデシ号Ｃ工、ｃ、
ｚ 、ｂ する補助電源部Σを接続し、この補助電源部
Ｅよ）パ〃ストランスＴＯ２次出力を立上が）および立
下が〕が急峻となるように波形整ｉる波形整形ｉＦＦに
給電する本と４Ｋ、ヱミッＩが共通接続されて波形整形
回路ＦＦの出力に応答してオンオフ動作するトランＳＦ
Ｘ夕Ｑ３ｅＱ４０直列回路に電圧を加え、）ランジスｊ
ｊＱ３・Ｑ４の共遥工電ツＩを電力ＭＭＯ８電界効果シ
ヲシジスＩＱ工Ｏゲートに接続す為とと％にそのソース
を補助電源部Ｅの電極に接続することｋよ如スイッチシ
ダ信号Ｏオシオフに対応して電力用ＭＯ８電界効果）ラ
ンＶスＩＱ工をオンオフ駆動するようになってい為。
−ｐｔＫ、動作Ｋｚ％Ａて説明する。ドライブトランジ
スｍｌ Ｑ、にスイッチング信号を加えてトライブトフ
ンジスＩＱ８をオンオフさせ為と、ドライブ電１［Ｖｅ
ｏｉｃ！ｂｓｕス）？ｙｘｒｏ１次巻１ｍＫ１５５図の
破線で示すような電圧ｅ□が＃Ｌじ、それによ）Ａｆｉ
ｌＸ）’）７）１．Ｔｔ）２次巻線に％＊ＳｗＡＯ実線
で示すような電圧りが生じる。
スｍｌ Ｑ、にスイッチング信号を加えてトライブトフ
ンジスＩＱ８をオンオフさせ為と、ドライブ電１［Ｖｅ
ｏｉｃ！ｂｓｕス）？ｙｘｒｏ１次巻１ｍＫ１５５図の
破線で示すような電圧ｅ□が＃Ｌじ、それによ）Ａｆｉ
ｌＸ）’）７）１．Ｔｔ）２次巻線に％＊ＳｗＡＯ実線
で示すような電圧りが生じる。
補助電源部Ｅは、ドライブＦランｓ’ ＸＪ ％がオン
となつたと１１にパ〃ストッνスＴｔ）２次巻線に発生
ず為正方向の電圧によ）抵抗ＲｓシよびメイオードＤ、
を介してスシデンｔＣ工を充電し、トライブトフンジス
ＩＱ、がオフとなうたと自に／（〃ストッシス丁０２次
巻線に発生する逆方向の電圧によシ１１ＥａＲ３Ｔｈ［
ＦメイオードＤ、を介してコンデン！ｃ麿を充電し、こ
ｏ＝ｔｙデシｔＣ工、Ｃ，ｔｏ直列回路の両端電圧を波
形整形回路ＦＦとＦうシジス＃Ｑ、、Ｑ４の直列回路に
印加する。
となつたと１１にパ〃ストッνスＴｔ）２次巻線に発生
ず為正方向の電圧によ）抵抗ＲｓシよびメイオードＤ、
を介してスシデンｔＣ工を充電し、トライブトフンジス
ＩＱ、がオフとなうたと自に／（〃ストッシス丁０２次
巻線に発生する逆方向の電圧によシ１１ＥａＲ３Ｔｈ［
ＦメイオードＤ、を介してコンデン！ｃ麿を充電し、こ
ｏ＝ｔｙデシｔＣ工、Ｃ，ｔｏ直列回路の両端電圧を波
形整形回路ＦＦとＦうシジス＃Ｑ、、Ｑ４の直列回路に
印加する。
波形整形回路ＦＦは、入力電圧ｖ１と出力電圧ｖａとの
間に第１図に勇すよう４なにステ９１／ス特性を屯ち、
パμ、Ｘ ）うシスＴ６２次巻線よシ与えられる立上が
勤および立下がりの鈍う・たスイッチング波形をｇＳ図
Ｏ賽線で示すような立上が）および立下が）の急峻なス
イッチシダ波形に整形してトラン５ｌｘｌＱ、、９４１
０ベースに共通に与えるー′表お、第ｓＩ！！ｏ破纏は
パｐストラνスＴの１次巻線の電圧・ｌを示して％Ａる
。また、波形整形回路ＦＦの入力には！パルス）ツｙス
丁０２次電圧にコンデシｔ Ｃ，０電圧を加算しえもの
が加えられる。
間に第１図に勇すよう４なにステ９１／ス特性を屯ち、
パμ、Ｘ ）うシスＴ６２次巻線よシ与えられる立上が
勤および立下がりの鈍う・たスイッチング波形をｇＳ図
Ｏ賽線で示すような立上が）および立下が）の急峻なス
イッチシダ波形に整形してトラン５ｌｘｌＱ、、９４１
０ベースに共通に与えるー′表お、第ｓＩ！！ｏ破纏は
パｐストラνスＴの１次巻線の電圧・ｌを示して％Ａる
。また、波形整形回路ＦＦの入力には！パルス）ツｙス
丁０２次電圧にコンデシｔ Ｃ，０電圧を加算しえもの
が加えられる。
トランジスＩＱ、、Ｑ４は波形整形回路ＦＦ６出カに＊
ＩＦｌ、て電力用ＭＯ８電界効果）ランジスＩＱｌをオ
シオツ厘動するが、波形整形回路ＦＦの出カ電ＦＥＶ−
立上がったときはＦツｙＮスＪＱｓがオントなって補助
電源部Ｅのコシデンー？Ｃユ、ｃｊ！ｄｉ ラミ力用Ｍ
Ｏ８電界効果）ランジスｊｌＱ、のゲー） ＫＪｌｌ［
Ｋ電流を−流し込んで電力用ＭＯ８電界効果トッシＶス
＃ ＱｌＯ人力春量Ｃ１を急速充電することｋよ）電力
用ＭＯ８電界効果ＦットランジスｚＯゲート電圧の立上
が）を遮め、かつ波形整形回路ＦＦの出力電圧ｖ２が卑
下がセたときはＦランジスＪＩＱ４がオシとなって電カ
フ８ ＭＯ８電界効果トッシジスＪＩＱ工５）ｒ−）郁
の入力容量ＣＩを急速に放電するととｋよ）電ヵ用ＭＯ
５電界効果トラン’１）ＺＩＱ工のゲーＦ電圧の立下が
勤を速め為。
ＩＦｌ、て電力用ＭＯ８電界効果）ランジスＩＱｌをオ
シオツ厘動するが、波形整形回路ＦＦの出カ電ＦＥＶ−
立上がったときはＦツｙＮスＪＱｓがオントなって補助
電源部Ｅのコシデンー？Ｃユ、ｃｊ！ｄｉ ラミ力用Ｍ
Ｏ８電界効果）ランジスｊｌＱ、のゲー） ＫＪｌｌ［
Ｋ電流を−流し込んで電力用ＭＯ８電界効果トッシＶス
＃ ＱｌＯ人力春量Ｃ１を急速充電することｋよ）電力
用ＭＯ８電界効果ＦットランジスｚＯゲート電圧の立上
が）を遮め、かつ波形整形回路ＦＦの出力電圧ｖ２が卑
下がセたときはＦランジスＪＩＱ４がオシとなって電カ
フ８ ＭＯ８電界効果トッシジスＪＩＱ工５）ｒ−）郁
の入力容量ＣＩを急速に放電するととｋよ）電ヵ用ＭＯ
５電界効果トラン’１）ＺＩＱ工のゲーＦ電圧の立下が
勤を速め為。
このように構成した結果、電力用ＭＯ３電界効果トラン
ジスＪＩＱ工の入力春量Ｃ１が入電（てもＦツシＶスタ
Ｑ、 、Ｑ４のオンオフ動ｆｆ１Ｋよシ入力容量Ｃ１の
充放電を急速に行うことができ、スイッチング速度を高
めてスイッチング損失を低減することができる。ｔた、
波形整形回路ＦＦおよびＦうシＶスＩＱ３．Ｑ、へは、
パルストランスＴの２次出力を整流および平滑する補助
電源部Ｅかも給電するようｋしているので、絶縁のため
に設けたパルストランスＴおよびドツイデトラνジスＪ
ｆＱ、の電流咎量を過度に大きくする必要は′＆い。
ジスＪＩＱ工の入力春量Ｃ１が入電（てもＦツシＶスタ
Ｑ、 、Ｑ４のオンオフ動ｆｆ１Ｋよシ入力容量Ｃ１の
充放電を急速に行うことができ、スイッチング速度を高
めてスイッチング損失を低減することができる。ｔた、
波形整形回路ＦＦおよびＦうシＶスＩＱ３．Ｑ、へは、
パルストランスＴの２次出力を整流および平滑する補助
電源部Ｅかも給電するようｋしているので、絶縁のため
に設けたパルストランスＴおよびドツイデトラνジスＪ
ｆＱ、の電流咎量を過度に大きくする必要は′＆い。
この発明の他の実施例を第８図に示す、すなわチ、この
電力用パイＩ−ラ）うシＶスＩのドライブ回路は、第４
図の電力用ＭＯ８電界効果）ランＶスＩＱ工に代えて電
力用パイ一一ットヲンジスＪＩＱ’。
電力用パイＩ−ラ）うシＶスＩのドライブ回路は、第４
図の電力用ＭＯ８電界効果）ランＶスＩＱ工に代えて電
力用パイ一一ットヲンジスＪＩＱ’。
をオンオシ駆動するもので、電力用パイが−ットランジ
スタＱ−の工電ツｌを補助電源部Ｅのコシデン号Ｃ工、
Ｃ８の中点に接続し、トランジスＪＩＱ、から電力用パ
４ ｄ−、う）ツノジスｐ Ｑｉへ給電される過剰なペ
ース電流によ〉電力用パイＩ−ツシヲンジスｐ Ｑｌ、
が過飽和しないようにそのオン時にペース電流を働滅さ
せるためのｌイオードＤ、を設けたところが前述の実施
例と異なる。
スタＱ−の工電ツｌを補助電源部Ｅのコシデン号Ｃ工、
Ｃ８の中点に接続し、トランジスＪＩＱ、から電力用パ
４ ｄ−、う）ツノジスｐ Ｑｉへ給電される過剰なペ
ース電流によ〉電力用パイＩ−ツシヲンジスｐ Ｑｌ、
が過飽和しないようにそのオン時にペース電流を働滅さ
せるためのｌイオードＤ、を設けたところが前述の実施
例と異なる。
よ）詳しく説明すると、トラν＄ＦＸＪＩＱ、、Ｑ８お
よび抵抗Ｒ，−Ｒ８が波形整形回路ＦＦを構成し、こＯ
波形整形回路ＦＦＯ出力によ）、シランＮｘ１−がオフ
となると、トランジス＃Ｑ４＊Ｑ５ｅＱ３がそれぞれオ
フ。オン、オシとな）、コシデンヤＣユから）うシＶヌ
＃Ｑ、を遥して電力用パイボーツＦランジス＃％に過剰
なペース電流を供給して電力用パイー−ラＦツｙｓＦス
ｐｏｔｔ急速にオンにさせる。
よび抵抗Ｒ，−Ｒ８が波形整形回路ＦＦを構成し、こＯ
波形整形回路ＦＦＯ出力によ）、シランＮｘ１−がオフ
となると、トランジス＃Ｑ４＊Ｑ５ｅＱ３がそれぞれオ
フ。オン、オシとな）、コシデンヤＣユから）うシＶヌ
＃Ｑ、を遥して電力用パイボーツＦランジス＃％に過剰
なペース電流を供給して電力用パイー−ラＦツｙｓＦス
ｐｏｔｔ急速にオンにさせる。
ζＯ電電力用バイボートうシジスＩＱｔがオンとなって
そ０：１％／りＩ電圧が低下するとダイオードＤ暴が導
通し、ｌイオードＤ、がトランザスＩＱ、のペース電流
を減少させるように８１％）コンＩＸＩＱ３のエミッタ
電流、すなわち、電力用バイポーラ）ツシｙスｌＱｔの
ペース電流を減少させ、電力用パイＩ−ットツνジス＃
Ｑ１の過飽和状態を解く、一方、ＦヲンＶスＩＱ６がオ
ンとなると、トランジスＩ Ｑ’４ ＊Ｑ５ ｍＱｚは
それぞれオシ、オフ。オフとｔｂ、電力用パイボーット
ツｙＮス＃ＱｔＫ：ｌシダｙｔｃ。
そ０：１％／りＩ電圧が低下するとダイオードＤ暴が導
通し、ｌイオードＤ、がトランザスＩＱ、のペース電流
を減少させるように８１％）コンＩＸＩＱ３のエミッタ
電流、すなわち、電力用バイポーラ）ツシｙスｌＱｔの
ペース電流を減少させ、電力用パイＩ−ットツνジス＃
Ｑ１の過飽和状態を解く、一方、ＦヲンＶスＩＱ６がオ
ンとなると、トランジスＩ Ｑ’４ ＊Ｑ５ ｍＱｚは
それぞれオシ、オフ。オフとｔｂ、電力用パイボーット
ツｙＮス＃ＱｔＫ：ｌシダｙｔｃ。
から負あ電圧を与えてそのペースから逆電流を引出して
コンデシｔＣ８へ導き、電力用パイが一ツシヲンジスＩ
Ｑｌ、を急速にオシにする。これらの動作によ）電力
用パイＩ−ットツνＮｘｚＱ’、を高速にスイッチシダ
させる。 ＊ｓＰ％Ｒ，ｐＪＲ□、はそれぞれ抵抗であ
る。
コンデシｔＣ８へ導き、電力用パイが一ツシヲンジスＩ
Ｑｌ、を急速にオシにする。これらの動作によ）電力
用パイＩ−ットツνＮｘｚＱ’、を高速にスイッチシダ
させる。 ＊ｓＰ％Ｒ，ｐＪＲ□、はそれぞれ抵抗であ
る。
この実施例の効果は前述の実施例と両様である。
以上のように、この発明の半導体スイッチシダ素子のド
ライブ回路は、スイッチジグ信号が制御極に加えられる
ドライブ用スイッチシメ素子と、とのドツイプ用スイッ
ナｙグ素子を介して１次巻線をドライブ電源に接続した
パルストランスと、このパルス）コンスの２次−巻線出
力を整流および平滑する補助電源部と、この補助電源部
よ！Ｐ給電されて前記パルス）コンスのｉ次巻線出力を
立上が）ｓｉ−よび立下が）が急峻となる−ように波彫
整潜する波形整形回路と、前記補助電源部の両端間に接
続して中点を電力用半導体スイッチシダ素子の制御１１
に接続し前記波形整形回路の出力状態の変化Ｋｊｔ応し
て交亙にオンとなることｋよ如前配電力用半導体ヌイッ
ナシｌ素子を前記スイッチング信号に対応してオシオフ
させる第１および第２０補助スイツチシダ素千の直列回
路とを備えているＯ→、電力用半導体スイ・すｙダ素子
のスイ・チシダ遣度を高めてそのスイッチング損失を低
減で１１１るという効果がある。
ライブ回路は、スイッチジグ信号が制御極に加えられる
ドライブ用スイッチシメ素子と、とのドツイプ用スイッ
ナｙグ素子を介して１次巻線をドライブ電源に接続した
パルストランスと、このパルス）コンスの２次−巻線出
力を整流および平滑する補助電源部と、この補助電源部
よ！Ｐ給電されて前記パルス）コンスのｉ次巻線出力を
立上が）ｓｉ−よび立下が）が急峻となる−ように波彫
整潜する波形整形回路と、前記補助電源部の両端間に接
続して中点を電力用半導体スイッチシダ素子の制御１１
に接続し前記波形整形回路の出力状態の変化Ｋｊｔ応し
て交亙にオンとなることｋよ如前配電力用半導体ヌイッ
ナシｌ素子を前記スイッチング信号に対応してオシオフ
させる第１および第２０補助スイツチシダ素千の直列回
路とを備えているＯ→、電力用半導体スイ・すｙダ素子
のスイ・チシダ遣度を高めてそのスイッチング損失を低
減で１１１るという効果がある。
第１図は従来の電力用ＭＤＳ電界効果）ランリスＩのド
ライブ回路の回路図、第２図はその等価回路図、第３図
はパルストランスの１次および２次電圧の波形図、第４
図はこの発明の一実施例の電力用ＭＯ８電界効果）ヲν
ジスタのドライブ回路の回路図、第５図はパルストラン
スの１次および２次電圧の波形図、第６図はパルストラ
ンスの１次電圧をよび波形整形回路の出力電圧の波形図
、第７図は波形整形回路の入出力電圧特性図、第８図ン
ＶスＩのドツイプ回路Ｏ回路図である。 Ｑ工・・・電力用ＭｏＳ電界効果）ツνジスタ、Ｑ、−
ドフィプトラシジスＪｌ、？−パ〃ストツνス、 Ｅ
−補助電源部、ＦＦ−波形整形回路、Ｑｓ、Ｑ、 −）
ランジスタ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 Ｖ。 ４ 第８図
ライブ回路の回路図、第２図はその等価回路図、第３図
はパルストランスの１次および２次電圧の波形図、第４
図はこの発明の一実施例の電力用ＭＯ８電界効果）ヲν
ジスタのドライブ回路の回路図、第５図はパルストラン
スの１次および２次電圧の波形図、第６図はパルストラ
ンスの１次電圧をよび波形整形回路の出力電圧の波形図
、第７図は波形整形回路の入出力電圧特性図、第８図ン
ＶスＩのドツイプ回路Ｏ回路図である。 Ｑ工・・・電力用ＭｏＳ電界効果）ツνジスタ、Ｑ、−
ドフィプトラシジスＪｌ、？−パ〃ストツνス、 Ｅ
−補助電源部、ＦＦ−波形整形回路、Ｑｓ、Ｑ、 −）
ランジスタ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 Ｖ。 ４ 第８図
Claims (1)
- スイッチング信号が制御値に加えられるドライブ用スイ
ッチシダ素子と、このドライブ用スイッチング素子を介
しで１次巻線をドライブ電源に接続したパｐメシツνス
と、とのパＮスシツｙＸＯ２次巻線出力を整１１ｈよび
平滑す為補助電源部と、この補助電源部よ〉給電されて
前記パルス訃ツシメＯＳ次巻線出力を立上が）シよび立
下が）が急峻となるよ５に＊形整形する波形整彫回路と
、前記補助電源部ＯＩＩ鯵ｍｗｃ接続して中点を電力用
半導体スイッチシダ素子の制御１ｉｉＫ接続し前記波膠
整５ａｌＩｏ出力状態の変化に：ｊｔｊｉｅＬ（交Ｉに
オシと１為ことによ勤前記電力用半導体スイッチジグ素
子を前記スイッチシダ信ｆＫ対応してオンオフさせる第
１シよび第２の補助スイッチシダ素子の直列回路とを備
え大半導体スイッチシダ素子のＹライプ開路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146492A JPS5846724A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 半導体スイツチング素子のドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146492A JPS5846724A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 半導体スイツチング素子のドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846724A true JPS5846724A (ja) | 1983-03-18 |
Family
ID=15408845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56146492A Pending JPS5846724A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 半導体スイツチング素子のドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846724A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128865A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-07-09 | Advantest Corp | 大電力ｆｅｔ駆動回路 |
| JPS60244120A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Tdk Corp | 電界効果トランジスタ駆動回路 |
| JPS6157715U (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-18 | ||
| JPS61230425A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-14 | Toshiba Corp | Ｍｏｓ型ｆｅｔのゲ−トドライブ回路 |
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