JPS5844778A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5844778A
JPS5844778A JP56142771A JP14277181A JPS5844778A JP S5844778 A JPS5844778 A JP S5844778A JP 56142771 A JP56142771 A JP 56142771A JP 14277181 A JP14277181 A JP 14277181A JP S5844778 A JPS5844778 A JP S5844778A
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JP
Japan
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optical fibers
light
layers
layer
resin layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP56142771A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohisa Abe
阿部　洋久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS5844778A publication Critical patent/JPS5844778A/ja
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    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
    • G—PHYSICS
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    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発光素子に光７アイパを結合した半導体装置
に関する。
最近、光通信の技術開発、実用化が活発に行なわれてお
り、その一部として１つのチップに複数個の発光素子を
有する発光ダイオードアレイ、するいはレーデダイオー
ドアレイが検討されている。これらのプレイは光ファイ
バと組合せて、主としてデジフル信号の近距離伝送用と
して用いられる。このアレイに要求される特性として発
光出力が大きいこと、隣接素子とのクロストークが少な
いことなどがある。
従来はこれらアレイは、各発光素子面上にレンズ状に透
明樹脂を被せ、この透明樹脂層−先端に光ファイバの一
端を埋込む形のものが用いられていた。
しかしながら、従来のアレイでは、透明樹脂層と光ファ
イバとの結合部において光が外部−に放出され、従って
光ファイノ？中舎導入される光量が減少し、また、外部
放出光は隣接素子の系に入り、クロストークの一因とな
っていた。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
は、外部放出光を減少し、光７アイノ者への導入光を増
大させると共にクロストークを減少し得る半導体装置を
提供することＩｌｃある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例をＧａＡｓＰ
赤色発光ダイオードについて説明する。
第１図において、１１は１０３　台のＴ・（テルル）を
ドープし九ｍｆｊｌの（１００）　ＧａＡｓ基板であり
、とのＧａＡｍ基板１１上１１Ｃ１０１−一”台のＴ・
　をドープした電型ＧａＡｓ１−ｔＰｘ層を気相成長さ
せる。
とζで、ｘ　＝　０．３とすれば約７００　ａｍの赤色
発光が得られる。このとき、ｚ＝＝Ｑから徐々４Ｃ０，
３壇で増加させ（ＧａＡｓ　１−２　Ｐｘ層１２）、最
終的Ｋｘ　−０，３０層（ＧａＡｓ（６・７ＰＯ，１層
１３）を成長させることによシ格子定数のミスマツチに
よる歪を軽減させる０次に、とのＧ、ム、　　　層ｊＪ
上に例０．７ＰＱ、ｉ えばムｔｇｏｓ　（アルミナ）のｚ１１拡散防止Ｍｓ１
４を堆積し、この１ｍ拡散防止膜１４のＰＮ接合形成予
定領域に開口１１５．１１−を形成する。次ｋ。
この開口１５．１１−・部に対管法によシＺｎ　の拡散
を行い厚さ約ＪＪ１ｍ（ＤｐｇＺｍ層１６．１６−を形
成する０次に１上記拡散時にＧａＡ・基板１１０裏面に
形成された不要なＰ層をラッピング除去した後、このＧ
ａＡｇ基板１１裏面Ｋ　Ａｓ５Ｇ・合金属１１を、また
、ＧａＡａｏ、ｙＰｏ、ｉ層ＩＪ上Ｋ　１４層１＃（ をそれぞれ蒸着手、Ａｔ層１８を所定の形状にホトエツ
チング加工する。
こうしてできたアレイチップをブレードダイシングによ
シ分離し、第２図にボすようにステム１９上にマウント
した後、ムを層１１１ｆＣ例えばムＬのリード２０′ｆ
ｒ接続する。そして、各々の発光面（Ｒ口１５．７５・
・・部）上に例えば工４キシ樹脂でなるレンズ状の透明
樹脂層２　Ｊ　、ｊＪ・−を被せ、その上端部に光ファ
イ／４１２９１２−・の一端を接続した後、固化する。
さらに、全体を例えばエポキシ樹脂でなる白色樹脂層２
１でモールドする。この白色樹脂層２Ｊが無い場合、発
光面からの光の一部は透明樹脂から外部に放の光は反射
され光ファイバｘｚ、ｘｚ−に導入される光量が増え、
かつ隣接素子に与える影響は殆どなくなる。
このアレイチツ！を試作した結果、白色樹脂層２Ｊをモ
ールドすることによシ光ファイ／４ｘｘ、ｘｘ−への導
入光は約２０１増加し、隣接素子へのクロストークは殆
ど無いことが明らかＫなった。
尚、上記実施例においては、Ｇａム―Ｐ赤色発光ダイオ
ードについて説明したが、これに限定するものではなく
、他の化合物半導体素子、例えばＧａＡｓ赤外発光ダイ
オード、　ＧａＡＡＡｓ赤外発光ダイオード等であって
もよいことは勿論である。
また、透Ｆ！ｉ４樹脂層２１．１１−・・を覆う樹脂は
白色に限定するものではなく、要は発光を効率良く反射
し、かつ外光の侵入を防止できる色であればよい。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はそれぞれこの発明の一実施例に係る
半導体装置の製造工程を示す断面図である。 Ｊｌ−−ＧａＡｓ基板、１２−・ＧａＡｍ１−ｘＰｘ層
、１３・・・ＧａＡａａ、７Ｐｏ、４層、１６＝Ｚｍ層
％２１−透明樹脂層２２・・・光ファイバ、ｊＪ−・・
白色樹脂層。 出麗人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第ｔＰ２１ ７ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくと４−個の発光素子と、その一端が前記発光素子
    の発光面に対応して設けられた光ファイ・譬と、前記発
    光素子の発光面と前記光ファイバの一端部とを結合する
    透明樹脂層と、前記発光素）の発光を効率良く反射し、
    かつ外光を通さない色の樹脂で形成され、前記透明樹脂
    層を覆うように設けられた樹脂層とを具備したことを特
    徴とする半導体装置。
JP56142771A 1981-09-10 1981-09-10 半導体装置 Pending JPS5844778A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56142771A JPS5844778A (ja) 1981-09-10 1981-09-10 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56142771A JPS5844778A (ja) 1981-09-10 1981-09-10 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5844778A true JPS5844778A (ja) 1983-03-15

Family

ID=15323200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56142771A Pending JPS5844778A (ja) 1981-09-10 1981-09-10 半導体装置

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JP (1) JPS5844778A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS635579A (ja) * 1986-06-25 1988-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光コネクタモジユ−ル
US5959315A (en) * 1992-03-02 1999-09-28 Motorla, Inc. Semiconductor to optical link

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS635579A (ja) * 1986-06-25 1988-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光コネクタモジユ−ル
US5959315A (en) * 1992-03-02 1999-09-28 Motorla, Inc. Semiconductor to optical link

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