JPS5844777A - フオトインタラブタ− - Google Patents
フオトインタラブタ−Info
- Publication number
- JPS5844777A JPS5844777A JP56142642A JP14264281A JPS5844777A JP S5844777 A JPS5844777 A JP S5844777A JP 56142642 A JP56142642 A JP 56142642A JP 14264281 A JP14264281 A JP 14264281A JP S5844777 A JPS5844777 A JP S5844777A
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- JP
- Japan
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- reflective
- light
- plane
- optical path
- reflective element
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ォトセル（ ８ＰＣ ）とを組合せた光電結合率子を用
いて運動する物体の位置を無接触で検出するフォトイン
タラプタ−で、特に■Ｄの光を数一反射させた後に出射
して８ＰＣで受光するようにした反射型のフォトインタ
ラプタ−に関するものである。
いて運動する物体の位置を無接触で検出するフォトイン
タラプタ−で、特に■Ｄの光を数一反射させた後に出射
して８ＰＣで受光するようにした反射型のフォトインタ
ラプタ−に関するものである。
フォトカップラーとして発覚源と受光素子を組合せたフ
ォトインタラグターは各種の型式のものが用いられてい
るが、鯉も簡単な構造のものは、一例を！１図に示すよ
うに、透過型のフォトインタラプタ−であり、運動する
マスクをへたててＬＥＤと８ＰＣとが向かい合った構造
のものである。このような透過型に対して、マスクの片
方の面にｌａと８ＰＣとを配にする反射皺フオトインタ
ラプターにおいては、その−例を第２図に示すようＫ
ＬＥＤおよび／又はＳＰＣＫ漏光用フードをつけて使用
するととになる。なお第２図においてはマスクは図面に
対して直角方向に移動する。このような従来の反射型フ
ォトインタラプタ−においては、その反射面又はマスタ
がフォトインタラプタ−に対して多少前後し【も正確に
位置検出を可能にするためには、マスク又は反射面に対
して光が出来るだけ垂直にあたるようにする必要があり
、またＬｈｉＤからの光が直接８ＰＣへ入らないように
するためζフォトインタラプタ−と反射面とをはなして
配置する必要があり、従つ′Ｃ光路が、長くなり、有効
な光が減少する等の欠点があった。
ォトインタラグターは各種の型式のものが用いられてい
るが、鯉も簡単な構造のものは、一例を！１図に示すよ
うに、透過型のフォトインタラプタ−であり、運動する
マスクをへたててＬＥＤと８ＰＣとが向かい合った構造
のものである。このような透過型に対して、マスクの片
方の面にｌａと８ＰＣとを配にする反射皺フオトインタ
ラプターにおいては、その−例を第２図に示すようＫ
ＬＥＤおよび／又はＳＰＣＫ漏光用フードをつけて使用
するととになる。なお第２図においてはマスクは図面に
対して直角方向に移動する。このような従来の反射型フ
ォトインタラプタ−においては、その反射面又はマスタ
がフォトインタラプタ−に対して多少前後し【も正確に
位置検出を可能にするためには、マスク又は反射面に対
して光が出来るだけ垂直にあたるようにする必要があり
、またＬｈｉＤからの光が直接８ＰＣへ入らないように
するためζフォトインタラプタ−と反射面とをはなして
配置する必要があり、従つ′Ｃ光路が、長くなり、有効
な光が減少する等の欠点があった。
この対策とし【は口■および／又はＳＰＣの前面に゛集
光レンズを設ける方法や、第３図に示すよ５に、プリズ
ム反射面を用いて光路な曲げる方法等４ があるが、
このように構成す本と反射面が厚くなり狭いスペースに
これを配置するＫは不都合な点が多くあった。
光レンズを設ける方法や、第３図に示すよ５に、プリズ
ム反射面を用いて光路な曲げる方法等４ があるが、
このように構成す本と反射面が厚くなり狭いスペースに
これを配置するＫは不都合な点が多くあった。
本発明は上記第３図に示したプリズムの代りに面と全反
射面との組合せにより反射光学系を構成することにより
、極めて薄形でかつ光伝達率の高い反射型フォトインタ
ラグターを得ることを目的とするものである。
射面との組合せにより反射光学系を構成することにより
、極めて薄形でかつ光伝達率の高い反射型フォトインタ
ラグターを得ることを目的とするものである。
以下図面によって本発明の詳細な説明する。
第４図は本発明によるフォトインタラプタ−の一実施例
を示す断面図である０図において、ＬＥＤｌを出た党が
ＬＥＤに相対する＠１の多数の反射要素の集合からなる
部分２で反射し全反射面３ａ。
を示す断面図である０図において、ＬＥＤｌを出た党が
ＬＥＤに相対する＠１の多数の反射要素の集合からなる
部分２で反射し全反射面３ａ。
３ｂ、５ｃで全反射した後貴び受光用８ＰＣ４Ｋ相対す
る＠２の多鱈の反射要素からなる部分５で反射し８ＰＣ
４に入光するようＫなっている。全反射面を多数利用し
て光を導くため、第６図に示したプリズＸに比べて極め
て薄い厚さで光を導く事ができ゛、かつ光路が短くなる
為、光が有効に利用されるようになっている。
る＠２の多鱈の反射要素からなる部分５で反射し８ＰＣ
４に入光するようＫなっている。全反射面を多数利用し
て光を導くため、第６図に示したプリズＸに比べて極め
て薄い厚さで光を導く事ができ゛、かつ光路が短くなる
為、光が有効に利用されるようになっている。
フォトインタラプタ−には可動マスク７と位置第５図は
本発明の７オトインタラプターの光路用モールド部品を
示す斜視図である。図の実施例では、固定マスク８を省
略する為にＬＥＤ １に向かい合った第１の多数の反射
要素からなる部分２の幅が狭くなっており、との部分以
外ではＬＥＤ １の党は透過してしまい、実質的な（６
）定マスクとなっ【いる。マスク７はＬＥＤｌとモーニ
ド部品６の反射要素２との間を矢印方向に移動するよう
になっている。
本発明の７オトインタラプターの光路用モールド部品を
示す斜視図である。図の実施例では、固定マスク８を省
略する為にＬＥＤ １に向かい合った第１の多数の反射
要素からなる部分２の幅が狭くなっており、との部分以
外ではＬＥＤ １の党は透過してしまい、実質的な（６
）定マスクとなっ【いる。マスク７はＬＥＤｌとモーニ
ド部品６の反射要素２との間を矢印方向に移動するよう
になっている。
本発明によるフォトインタラプタ−の光路用モールド部
品６は透明なプラスチックをモールド成型して用いてい
るが、レーず加工等でガラスを加工して用いてもよい 以上実施例で説明したように１本発Ｉ！Ｉ１１による７
オトインタラグターにおいては、マルチ反射光路に、よ
り部材を極めて薄形に構成し得るものでふり、また光路
が短くて済むことから光の伝達が効果的になし得る等の
多くの特徴を備えるものであり、特に極めて狭いスペー
スに配設するのく適した装置となし得るものでｉる。
品６は透明なプラスチックをモールド成型して用いてい
るが、レーず加工等でガラスを加工して用いてもよい 以上実施例で説明したように１本発Ｉ！Ｉ１１による７
オトインタラグターにおいては、マルチ反射光路に、よ
り部材を極めて薄形に構成し得るものでふり、また光路
が短くて済むことから光の伝達が効果的になし得る等の
多くの特徴を備えるものであり、特に極めて狭いスペー
スに配設するのく適した装置となし得るものでｉる。
纂１図は従来の透過型フォトインタラプタ−の−例を示
す略酵図、第２図、第３図は従来の反射型７オトインタ
ラプターを示す略締図、第４図は本発明によるフォトイ
ンタラプターの一実施例を示、誓断面図、第５図は＠４
図示の７オトインタラプターの構成を示す斜視図である
。 １・・・発光素子（ＬＦＪ） ）、２１・第１の反射要
素集合面、５ａ＋ ５ｂ＊ ５ｃ”ａ全反Ｎｆｆ１．４
・・・受光素子（８ＰＣ）、５−−−＠２の反射要素集
合面、６０１フォトインタラプタ−モールド部杓、７・
・・ＩＩＩＩ動マスク、８ｅ・・固定マスク。 特許出細大 キャノン株式金社 単４固
す略酵図、第２図、第３図は従来の反射型７オトインタ
ラプターを示す略締図、第４図は本発明によるフォトイ
ンタラプターの一実施例を示、誓断面図、第５図は＠４
図示の７オトインタラプターの構成を示す斜視図である
。 １・・・発光素子（ＬＦＪ） ）、２１・第１の反射要
素集合面、５ａ＋ ５ｂ＊ ５ｃ”ａ全反Ｎｆｆ１．４
・・・受光素子（８ＰＣ）、５−−−＠２の反射要素集
合面、６０１フォトインタラプタ−モールド部杓、７・
・・ＩＩＩＩ動マスク、８ｅ・・固定マスク。 特許出細大 キャノン株式金社 単４固
Claims (1)
- （１）投光素子と受光素子とが位置検出可動部材の一方
の面に配置され、前記位置検出可動部材の他方の面に前
記投光素子からの光を受光素子へ導びく光路部材を配置
してなる反射形フォトインタラプタ−において、前記光
路部材を多数の反射要素集合体から成る反射面と全反射
面との組み合わせよりなる薄形光路部材で構成せしめる
ことを特徴とするフォトインタラプタ−０ｔ２＞＊ｖｎ
ａ求の範囲（１）記載のものにおいて、前記薄形光路部
材は投光素子からの党を反射する第１の反射要素集合体
および受光素子へ光を射出する第２の反射要素集合体と
＃Ｉ１１およびｗ４２の反射要素集合体の中間光路を形
成する少なくとも一つ以上の全反射面とを備え、かつ前
記第１の反射要素集合体の前記肖動部材の移動方向の幅
が第２の反射要素集合体の幅より狭く構成することを特
徴とするフォトインタラプタ−０、（６）特許請求の範
囲（１）記載のものにおいて、前記薄形光路部材を透光
性プラスチック材のモールド成形により構成せしめるこ
と７に特徴とするフォトインタラプタ−０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142642A JPS5844777A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | フオトインタラブタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142642A JPS5844777A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | フオトインタラブタ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844777A true JPS5844777A (ja) | 1983-03-15 |
Family
ID=15320093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142642A Pending JPS5844777A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | フオトインタラブタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844777A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0265365U (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | ||
| US5017986A (en) * | 1989-08-28 | 1991-05-21 | At&T Bell Laboratories | Optical device mounting apparatus |
| JP2010055866A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | コネクタ装置及びそれの製造方法 |
-
1981
- 1981-09-10 JP JP56142642A patent/JPS5844777A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0265365U (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | ||
| US5017986A (en) * | 1989-08-28 | 1991-05-21 | At&T Bell Laboratories | Optical device mounting apparatus |
| JP2010055866A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | コネクタ装置及びそれの製造方法 |
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