JPS5842646B2 - バイアス回路 - Google Patents

バイアス回路

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Publication number
JPS5842646B2
JPS5842646B2 JP51092014A JP9201476A JPS5842646B2 JP S5842646 B2 JPS5842646 B2 JP S5842646B2 JP 51092014 A JP51092014 A JP 51092014A JP 9201476 A JP9201476 A JP 9201476A JP S5842646 B2 JPS5842646 B2 JP S5842646B2
Authority
JP
Japan
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transistor
resistor
voltage drop
bias circuit
current
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Expired
Application number
JP51092014A
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English (en)
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JPS5318367A (en
Inventor
徹 三瓶
明範 前田
信孝 尼田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US05/778,087 priority patent/US4068187A/en
Priority to GB11404/77A priority patent/GB1579945A/en
Priority to CA274,244A priority patent/CA1090433A/en
Priority to DE2711912A priority patent/DE2711912C3/de
Publication of JPS5318367A publication Critical patent/JPS5318367A/ja
Publication of JPS5842646B2 publication Critical patent/JPS5842646B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はシングルエンディラドプッシュプル出力増幅器
のアイドル電流を電源電圧変動に関せず一定に保つよう
にしたバイアス回路に関する。
第１図は従来のシングルエンディラドプッシュプル出力
増幅器の回路図である。
同図において、１はＢ級プッシュプル出力増幅器、“２
はＡ級トランジスタ増幅器、３はトランジスタ、４，５
はダイオード、６，７は抵抗、８，９は駆動トランジス
タ、１０，１１は出力トランジスタ、１２，１３は電源
である。
一般にシングルエンディラドプッシュプル増幅器におい
ては、クロスオーバ歪を除去するために、駆動段、出力
段のトランジスタのベース、エミッタ間に一定のバイア
ス電圧を与え、無信号時にも若干の電流すなわちアイド
ル電流を流している。
第１図に示した増幅器１では電圧降下素子としてのダイ
オード４に生ずる電圧降下が前記バイアス電圧を生ずる
ことになる。
トランジスタ３、ダイオード５、抵抗６，７よりなる定
電流源とダイオード４とが、Ａ級トランジスタ増幅器２
の負荷として接続されたバイアス回路１５において、前
記定電流源はダイオード４に一定電流を流し、ダイオー
ド４に生ずる電圧降下を一定にして、プッシュプル接続
したトランジスタ８，９゜１０．１１のアイドル電流が
変化しないようにしている。
しかし厳密には、第１図に示した従来の増幅器１のバイ
アス回路１５中の定電流源回路では、電源電圧が変動す
ると、ダイオード５、抵抗７に流れる電流が変化し、ダ
イオード５に生ずる電圧降下も、電源電圧の変動率より
も変動率は低くはなるが、やはり変化する。
したがってトランジスタ３に流れる電流が変化し、該電
流にほとんど等しい電流が流れるダイオード４に生ずる
電圧降下も変化し、駆動段トランジスタ８，９、出力段
トランジス７１０，１１のバイアス電圧も変動し、結局
アイドル電流も変化することになる。
また電源電圧上昇の場合には、駆動段および出力段トラ
ンジスタのコレクタ損失が大き□くなり、これらのトラ
ンジスタ８，９，１０，１１０温度が上昇する。
・トランジスタ温度が上昇すれば、同一のベース、エミ
ッタ間電圧に対しコレクタ電流が増大する。
すなわち電源電圧が上昇した場合には、たといダイオー
ド４に生ずる電圧降下が一定であったとしても出力トラ
ンジスタのコレクタ電流スなわちアイドル電流が増大す
ることになる。
逆に電源電圧が下降した場合にはアイドル電流も減少す
ることになる。
本発明は従来のＢ級プッシュプル出力増幅器のバイアス
回路においては電源電圧の変動に伴ってアイドル電流も
変化するという欠点を除き、電源電圧が変動してもアイ
ドル電流が変化しないようにしたバイアス回路を提供す
ることを目的とする。
上記の目的を達成するため―、本発明においては、バイ
アス回路１５のトランジスタ３、電圧降下素子（ダイオ
ード）４、トランジスタ増幅器２に対して並列に抵抗１
４を接続し、抵抗６中に電源電圧変動に比例した電流が
重畳して流れるようにして、ダイオード５に生ずる電圧
降下の変動の影響を補償するようにした。
第２図は本発明に係るバイアス回路の一実施例を用いた
プッシュプル増幅器の回路図である。
本図中のシングルエンディラドプッシュプル増幅器１ａ
のバイアス回路１５では、前記のように抵抗１４を、ト
ランジスタ３、電圧降下素子としてのダイオード４、ト
ランジスタ増幅器２に対して並列に接続しであるが、そ
の他は第１図に示した回路と全く同一である。
第２図に示す回路においては抵抗６には、・トランジス
タ３を通る電流と、抵抗１４を通る電流とが重畳して流
れている。
抵抗６を流れる電流のうち抵抗１４を流れる電流は電源
電圧変動に比例して変動する。
いま電源電圧が上昇した場合について考えれば、前記抵
抗１４経出で流れる電流値も同時に増大し、そのため抵
抗６に生ずる電圧降下も増大する。
他方電源電圧が上昇すれば、ダイオード５、抵抗７を通
って流れる電流も増加するので、ダイオード５に生ずる
電圧降下も増大するが、ダイオードの特性上電流増加率
に比し、前記ダイオード５に生ず、る電圧降下の増大率
はわずかである。
したがって電源電圧上昇に伴って抵抗６に生ずる電圧降
下の増大を、ダイオード５に生ずる電圧降下の増大より
大きくすることも、等しくすることも、抵抗１４の値を
適当に選定することによって自由にできる。
すなわち抵抗１４の値を適当に設定すれば、トランジス
タ３０ベース、エミッタ間の電圧を、電源電圧上昇に伴
って多少減少させ、したがってトランジスタ３のコレク
タ電流、さらに電圧降下素子ダイオード４に生ずる電圧
降下を多少減少させることができる。
この様にすれば、電源電圧上昇に伴う前記トランジスタ
８，９，１０，１１のコレクタ損失増加、それによるト
ランジスタ温度上昇の影響をも補償して、出力トランジ
スタのアイドル電流を一定値に保つこと、ができる。
電源電圧が下降した場合にも、上記説明中の大小、高低
の関係が逆転して出力トランジスタのアイドル電流を一
定に保つことができる。
以上説明したように本発明によればＢ級プッシュプル出
力増幅器のアイドル電流を、電源電圧の変動に関係なく
一定に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のシングルエンディラドプッシュプル出力
増幅器の回路図、第２図は本発明に係るバイアス回路を
設けたシングルエンディラドプッシュプル出力増幅器の
回路図である。 １．１ａ・・・・・・シングルエンディラドプッシュプ
ル増幅器、３・・・・・・トランジスタ、４・・・・・
・電圧降下素子（ダイオード）、５・・・・・・ダイオ
ード、６，７゜１４・・・・・・抵抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ トランジスタ３のエミッタを抵抗６を経て、そのベ
    ースを縦続接続ダイオードよりなる電圧降下素子５を経
    て、夫々、接地中間接続点で同方向に直列接続された直
    流電源１２，１３よりなる定電圧源の一端に接続し、更
    にトランジスタ３０ベースを抵抗７により接地して形成
    した定電流源を、トランジスタ３と逆極性でエミッタが
    抵抗を経て前記定電圧源の他端に接続されたＡ級増幅用
    トランジスタ２に、縦続接続ダイオードよりなる電圧降
    下素子４を介して直列接続して回路１５を形成させ、回
    路１５に流れる電流により電圧降下素子４０両端間に生
    ずる電圧を、プッシュプル構成の駆動段および出力段の
    対をなすトランジスタのベースにバイアス電圧として印
    加し、無信号時にも所定のアイドル電流を流してクロス
    オーバ歪を除去するようにしたプッシュプル増幅器のバ
    イアス回路において、トランジスタ３のエミッタを抵抗
    １４経由の側路により前記定電圧源の他端に接続したこ
    とを特徴とするバイアス回路。
JP51092014A 1976-03-19 1976-08-03 バイアス回路 Expired JPS5842646B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51092014A JPS5842646B2 (ja) 1976-08-03 1976-08-03 バイアス回路
US05/778,087 US4068187A (en) 1976-03-19 1977-03-16 Audio-frequency power amplifiers
GB11404/77A GB1579945A (en) 1976-03-19 1977-03-17 Audio-frequency power amplifiers
CA274,244A CA1090433A (en) 1976-03-19 1977-03-18 Audio-frequency power amplifiers
DE2711912A DE2711912C3 (de) 1976-03-19 1977-03-18 NF-Leistungsverstärker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51092014A JPS5842646B2 (ja) 1976-08-03 1976-08-03 バイアス回路

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Publication Number Publication Date
JPS5318367A JPS5318367A (en) 1978-02-20
JPS5842646B2 true JPS5842646B2 (ja) 1983-09-21

Family

ID=14042643

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JP51092014A Expired JPS5842646B2 (ja) 1976-03-19 1976-08-03 バイアス回路

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5517995B2 (ja) * 1974-05-14 1980-05-15
JPH01169810U (ja) * 1988-05-19 1989-11-30

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JPS5318367A (en) 1978-02-20

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