JPS5842234A - プラズマ・ドライエツチング装置 - Google Patents
プラズマ・ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5842234A JPS5842234A JP13953981A JP13953981A JPS5842234A JP S5842234 A JPS5842234 A JP S5842234A JP 13953981 A JP13953981 A JP 13953981A JP 13953981 A JP13953981 A JP 13953981A JP S5842234 A JPS5842234 A JP S5842234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- etching
- dry etching
- screw
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエツチングガスをプラズマ化し、プラズマ中の
イオンとラジカル分子を利用□してエツチングを行う装
置に関するものである。一般にこのような装置は被エツ
チング物をのせる台（以下サセプタという）をこれと平
行する一対の電極間に用させ、このような電極間にエツ
チングがスな流ンダガスはプラズマ化して電子およびイ
オンとラジカル分子とに電離し、これによ多被エッチン
グ物はエツチングされる。
イオンとラジカル分子を利用□してエツチングを行う装
置に関するものである。一般にこのような装置は被エツ
チング物をのせる台（以下サセプタという）をこれと平
行する一対の電極間に用させ、このような電極間にエツ
チングがスな流ンダガスはプラズマ化して電子およびイ
オンとラジカル分子とに電離し、これによ多被エッチン
グ物はエツチングされる。
一般にアルミニウム膜のりアクティブイオンエツチング
などではウェハの周辺部と中央部とのエツチング速度は
２対１ないし３対２というように周辺部の方が速いもの
である。このために中央部のエツチングが完了する時に
は周辺部ではホトレジストの焼けや、被エツチング物の
下地までエツチングされるなどの問題がある。これを解
決するためにアルミニウム膜のドライエツチング装置で
はサセプタにウェハが入る溝を作り、イオン量とラジカ
ル分子の量がウニ凸周辺部で減るようにしたものがある
。しかしこれは周辺部のエツチング速度を落として中央
部の遅いエツチング速度に近付けたもので、全体のエツ
チング速度が遅くなると共に、新たに次のような問題が
おこるものであるＯ 即ちドライエツチングではエツチングとデポジツション
が同時に行われるため、エツチング速度が遅い、つま夛
エツチング時間が長いということは、それだけデポジッ
ションされた膜が被エツチの除去処理が困難である。
などではウェハの周辺部と中央部とのエツチング速度は
２対１ないし３対２というように周辺部の方が速いもの
である。このために中央部のエツチングが完了する時に
は周辺部ではホトレジストの焼けや、被エツチング物の
下地までエツチングされるなどの問題がある。これを解
決するためにアルミニウム膜のドライエツチング装置で
はサセプタにウェハが入る溝を作り、イオン量とラジカ
ル分子の量がウニ凸周辺部で減るようにしたものがある
。しかしこれは周辺部のエツチング速度を落として中央
部の遅いエツチング速度に近付けたもので、全体のエツ
チング速度が遅くなると共に、新たに次のような問題が
おこるものであるＯ 即ちドライエツチングではエツチングとデポジツション
が同時に行われるため、エツチング速度が遅い、つま夛
エツチング時間が長いということは、それだけデポジッ
ションされた膜が被エツチの除去処理が困難である。
本発明はこれらの問題点を解決するためになされたもの
で、エツチング速度を速め、かつ周辺部と中央部とで均
一なエツチング速度を得るようなエツチング装置を提供
するものである。
で、エツチング速度を速め、かつ周辺部と中央部とで均
一なエツチング速度を得るようなエツチング装置を提供
するものである。
まず平行平板形ドライエツチング装置の一般的な構造に
ついて説明する。第１図においてエツチングチャンバ＋
１の内部に上下に平行した一対の電極２及び３を設ける
。この電極のうち下部電極３は被エツチング物４をのせ
るサセプタを兼ねている。エツチングチャンバーの両側
壁にはエツチングガス導入口５及び排出口６が設けられ
ている。
ついて説明する。第１図においてエツチングチャンバ＋
１の内部に上下に平行した一対の電極２及び３を設ける
。この電極のうち下部電極３は被エツチング物４をのせ
るサセプタを兼ねている。エツチングチャンバーの両側
壁にはエツチングガス導入口５及び排出口６が設けられ
ている。
本発明はこのエツチング装置のサセプタ及びその近傍の
構造に関するものである。
構造に関するものである。
第２図は本発明の一つの実施例であるサセプタの構造を
示すものである。この実施例は多数枚処理用のものでサ
セプタ７は裏面中米部に大きな円形座ぐ勺を設け、その
側壁はメネ）８が切っである。このメネジ８に螺合する
環状の調整ネジ９にばその内側面に８と同様にメネジ９
−１が切ってあり、かつ上面には管状磁石１０を収納す
る環状溝９−２が設けられている。この内面のメネジ９
−１に螺合する円筒状の調整ネジ１１の上面には管状磁
石１２を収納する環状溝１１−１が設けられている。こ
れらの調整ネジの下面にはそれぞれの直径上にドライバ
一孔を設けるなどして下面よシねじ込みの深さが調節さ
れるようになっている。
示すものである。この実施例は多数枚処理用のものでサ
セプタ７は裏面中米部に大きな円形座ぐ勺を設け、その
側壁はメネ）８が切っである。このメネジ８に螺合する
環状の調整ネジ９にばその内側面に８と同様にメネジ９
−１が切ってあり、かつ上面には管状磁石１０を収納す
る環状溝９−２が設けられている。この内面のメネジ９
−１に螺合する円筒状の調整ネジ１１の上面には管状磁
石１２を収納する環状溝１１−１が設けられている。こ
れらの調整ネジの下面にはそれぞれの直径上にドライバ
一孔を設けるなどして下面よシねじ込みの深さが調節さ
れるようになっている。
本実施例のサセプタ及び調整ネジは総て非磁性金属また
は絶縁物でできていること及び２個の管状磁石は管軸方
向に着磁されていることは勿論である０ このような構造のサセプタを第１図の３のサセプタの位
置に設け、この上面に直接または石英、テフロンなどの
絶縁物を介して被エツチング物をのせる。エツチングガ
スを導入口５よシ入れ、排出口６よシ排出しながらエツ
チングチャンバー内を所定の圧力に保ちつつ１及び３の
上下の電極（下部電極はサセプタを兼ねる）に高周波電
圧を印加し、エツチングガスをプラズマ状にする。この
ときに電離したイオンとは磁石１０．１２の磁力線によ
り回転運動をしながら下部電極（サセプタ）上の被エツ
チング物上に到達する。そしてこの到達する量は磁力線
の強い場所はど多く、従ってエツチング速度も早くなる
。
は絶縁物でできていること及び２個の管状磁石は管軸方
向に着磁されていることは勿論である０ このような構造のサセプタを第１図の３のサセプタの位
置に設け、この上面に直接または石英、テフロンなどの
絶縁物を介して被エツチング物をのせる。エツチングガ
スを導入口５よシ入れ、排出口６よシ排出しながらエツ
チングチャンバー内を所定の圧力に保ちつつ１及び３の
上下の電極（下部電極はサセプタを兼ねる）に高周波電
圧を印加し、エツチングガスをプラズマ状にする。この
ときに電離したイオンとは磁石１０．１２の磁力線によ
り回転運動をしながら下部電極（サセプタ）上の被エツ
チング物上に到達する。そしてこの到達する量は磁力線
の強い場所はど多く、従ってエツチング速度も早くなる
。
一方では前記のようにエツチング速度は周辺部で早く、
中心部で遅い特性があるので、前記磁石の上下位置の調
節によシ、被エツチング物の表面上で前記の相反するエ
ツチング速度の特性を相殺して全面にわたってほぼ同一
のエツチング速度に調節することができる。
中心部で遅い特性があるので、前記磁石の上下位置の調
節によシ、被エツチング物の表面上で前記の相反するエ
ツチング速度の特性を相殺して全面にわたってほぼ同一
のエツチング速度に調節することができる。
第３図は本発明の他の実施例であるサセプタの構造及び
磁石回転機構を示すものである。この実施例は１枚処理
（枚葉処理という）用のものでサセプタ１３は裏面中央
部に大きな円形座ぐフが設けられている。この座ぐシの
内部には円筒形磁石１４．１５がアーム１６に高さの調
節ができるように公知の方法で取付けられている。この
アーム１６はモータ１７によってサセプタ１３の表面と
平行する面上で回転する構造となっている。本実施例の
サセプタ及びアームは非磁性金属または絶縁物でできて
おり、かつ２個の磁石の着磁方向はサセプタの表面と垂
直であることは勿論である。
磁石回転機構を示すものである。この実施例は１枚処理
（枚葉処理という）用のものでサセプタ１３は裏面中央
部に大きな円形座ぐフが設けられている。この座ぐシの
内部には円筒形磁石１４．１５がアーム１６に高さの調
節ができるように公知の方法で取付けられている。この
アーム１６はモータ１７によってサセプタ１３の表面と
平行する面上で回転する構造となっている。本実施例の
サセプタ及びアームは非磁性金属または絶縁物でできて
おり、かつ２個の磁石の着磁方向はサセプタの表面と垂
直であることは勿論である。
なおこの実施例における座ぐシは必要条件ではなく、磁
力の強さやエツチングチャンバー内の寸法及びサセプタ
のたわみなどの問題がなければ座ぐシは無くても良い・
。
力の強さやエツチングチャンバー内の寸法及びサセプタ
のたわみなどの問題がなければ座ぐシは無くても良い・
。
このような構造のサセプタを第１図の３のサセプタの位
置に設け、１４〜１７よシなる磁石回転機構をエツチン
グチャンバーに第３図のような関係位置を保つように取
付けて磁石を回転させ、前記の実施例のようなエツチン
グ操作を行う。
置に設け、１４〜１７よシなる磁石回転機構をエツチン
グチャンバーに第３図のような関係位置を保つように取
付けて磁石を回転させ、前記の実施例のようなエツチン
グ操作を行う。
この場合も２個の磁石の位置（アーム１６よシの高さ）
を調節することによシ全面にわたってほぼ同一のエツチ
ング速度に調節することができる。
を調節することによシ全面にわたってほぼ同一のエツチ
ング速度に調節することができる。
以上はアルミニウム膜のドライエツチングの場合に極め
て有効であるが、アルミニウム膜以外（アルミニウム膜
のエツチング特性を持たないもの）の被エツチング物で
はサセプタ内の磁石の方向をサセプタ表面に平行に置く
ことにより、エツチング速度を高めることができるもの
である。
て有効であるが、アルミニウム膜以外（アルミニウム膜
のエツチング特性を持たないもの）の被エツチング物で
はサセプタ内の磁石の方向をサセプタ表面に平行に置く
ことにより、エツチング速度を高めることができるもの
である。
以上のように本発明によればエツチング速度の差はその
速い方へ合わせることにより、エツチング品質の向上と
共に装置の稼動率の向上が図られ、且つデポジツション
膜の付着を最少に抑えることができるので、実用上極め
て効果が大きいものである０
速い方へ合わせることにより、エツチング品質の向上と
共に装置の稼動率の向上が図られ、且つデポジツション
膜の付着を最少に抑えることができるので、実用上極め
て効果が大きいものである０
第１図は平行平板形ドライエツチング装置の一般的な構
成を示す図である。第２図は本発明の一実施例を示すサ
セプタの構造図である。第３図は本発明の他の実施例を
示すサセプタ及び磁石回転機構を示す図である。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士 山 元 俊 化 第１図 一］− 一＝≦ら 第２図 −１１・ −で９ 第３図 一＝１１ １６ ど６ １゜ ・１３
成を示す図である。第２図は本発明の一実施例を示すサ
セプタの構造図である。第３図は本発明の他の実施例を
示すサセプタ及び磁石回転機構を示す図である。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士 山 元 俊 化 第１図 一］− 一＝≦ら 第２図 −１１・ −で９ 第３図 一＝１１ １６ ど６ １゜ ・１３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 エツチングガスをプラズマ化してエツチングする
ドライエツチング装置において、被エツチング物を載置
するサセプタ裏面の中央部に１面がメネジの座ぐシを設
け、このネジ座ぐシに螺合する調整ネジのサセプタに向
った面に管状磁石を調整ネジの軸心と管状磁石の軸心と
を実質的に一致させて設けたことを特徴とするプラズマ
・ドライエツチング装置。 ２、第１項記載の調整ネジを１個とし、管状磁石も１個
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ラズマ・ドライエツチング装置０３、第１項記載の調整
ネジを複数個とし、中心の調整ネジのみ実心円筒状とし
、他の調整ネジは環状とし、サセプタ及び複数個の調整
ネジは互いに螺合して同心円状をなし、且つそれぞれの
調整ネジに軸心が実質的に一致するように１個ずつの管
状磁石を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のプラズマ・ドライエツチング装置０４、エツチン
グガスをプラズマ化してエツチングするドライエツチン
グ装置において、被エツチング物を載置するサセプタ裏
面に近接して、且つサセプタの表面に垂直な中心線と実
質的に一致する中心軸のまわりに回転する１個着しくは
複数個の磁石を設けたことを特徴とするプラズマ・ドラ
イエツチング装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13953981A JPS5842234A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | プラズマ・ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13953981A JPS5842234A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | プラズマ・ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842234A true JPS5842234A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15247622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13953981A Pending JPS5842234A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | プラズマ・ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175125A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-03 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537586A (en) * | 1976-02-19 | 1978-01-24 | Sloan Technology Corp | Cathodic spattering apparatus |
| JPS5480080A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Etching device |
-
1981
- 1981-09-04 JP JP13953981A patent/JPS5842234A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537586A (en) * | 1976-02-19 | 1978-01-24 | Sloan Technology Corp | Cathodic spattering apparatus |
| JPS5480080A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-26 | Hitachi Ltd | Etching device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175125A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-03 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
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