JPS5840305A - エチレン重合体の製造方法 - Google Patents
エチレン重合体の製造方法Info
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- JPS5840305A JPS5840305A JP13928981A JP13928981A JPS5840305A JP S5840305 A JPS5840305 A JP S5840305A JP 13928981 A JP13928981 A JP 13928981A JP 13928981 A JP13928981 A JP 13928981A JP S5840305 A JPS5840305 A JP S5840305A
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- Japan
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- compound
- ethylene
- group
- catalyst
- general formula
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、極めて高活性なチーグラー臘触媒を用いて、
少なくとも800Ke/−の圧力および少なくとも18
0℃の温度でエチレンを単独重合または共重合させる方
法に関する。
少なくとも800Ke/−の圧力および少なくとも18
0℃の温度でエチレンを単独重合または共重合させる方
法に関する。
エチレン重合体の工業的製法には次の2つがあげられる
。第1の方法は重合条件量に活性なフリーラジカルを発
生する触媒を使用して、エチレンをフリーラジカル機構
で重合させる方法である。この方法はエチレンを高温高
圧、代表的には140〜800℃およびtooo〜80
0Gk/−またはそれ以上の条件で重合させる。触媒は
代表的には、゛過酸化物あるいは酸素もしくはこれらの
組合せからなるものを使用する。第2の方法は、チーグ
ラー型触媒を用いて比較的低温低圧下たとえば250℃
以下および200Kt/−以下、代表的には60〜90
℃および80Kt/−以下の条件でイオン重合させる方
法である。
。第1の方法は重合条件量に活性なフリーラジカルを発
生する触媒を使用して、エチレンをフリーラジカル機構
で重合させる方法である。この方法はエチレンを高温高
圧、代表的には140〜800℃およびtooo〜80
0Gk/−またはそれ以上の条件で重合させる。触媒は
代表的には、゛過酸化物あるいは酸素もしくはこれらの
組合せからなるものを使用する。第2の方法は、チーグ
ラー型触媒を用いて比較的低温低圧下たとえば250℃
以下および200Kt/−以下、代表的には60〜90
℃および80Kt/−以下の条件でイオン重合させる方
法である。
チーグラー型触媒は、一般に周期律表の穐−Vta族の
遷移金属化合物とアルキルアルミニウムのごとき有機金
属化合物から構成される。
遷移金属化合物とアルキルアルミニウムのごとき有機金
属化合物から構成される。
Illの方法は一般に「高圧法1と呼ばれ、密度が0.
98 !!以下の分岐を有するポリエチレンが生成し、
一方、第2の方法は[低圧法]と呼ばれ、密度が0.9
5〜0.96で分岐をほとんど持たないポリエチレンが
生成する。
98 !!以下の分岐を有するポリエチレンが生成し、
一方、第2の方法は[低圧法]と呼ばれ、密度が0.9
5〜0.96で分岐をほとんど持たないポリエチレンが
生成する。
とξろでIIIEI、IIE!の方法以外に第8の方法
が提案されている。これはチーグラー型触媒のたとえば
米国特許11,929.764号明細書には(a)三塩
化チタンとチタンアルコキレドの少なくとも一種類と(
′b)アルキルアルミニウム化合物またはアルケニルア
ルミニウム化合物とからなるチーグラー型触媒を使用し
、圧力1000気圧以上、温度!!20〜2TO℃滞留
時間150秒以内でエチレンを重合させる方法が提案さ
れている。このときの触媒活性はチタン原子1を当りの
生成ポリマーが最高44.000f弱であり不充分であ
る。その後もチーグラー型触媒を用いたエチレンの高温
高圧重合の例が多く提案されているがこれらはいずれも
触媒活性の点で満足できるものとは言い難い、1にチー
グラー触媒のような金属触媒では、ポリマー中の触媒残
渣が品質に悪影響をおよぼす、/li性が低いと、ポリ
マー中の触媒残渣量が多くなり、ポリマーの着色、劣化
等の原因になり得るため、触媒除去工程あるいは、ポリ
マー精製1椙等の大規模な設備が必要となる。
が提案されている。これはチーグラー型触媒のたとえば
米国特許11,929.764号明細書には(a)三塩
化チタンとチタンアルコキレドの少なくとも一種類と(
′b)アルキルアルミニウム化合物またはアルケニルア
ルミニウム化合物とからなるチーグラー型触媒を使用し
、圧力1000気圧以上、温度!!20〜2TO℃滞留
時間150秒以内でエチレンを重合させる方法が提案さ
れている。このときの触媒活性はチタン原子1を当りの
生成ポリマーが最高44.000f弱であり不充分であ
る。その後もチーグラー型触媒を用いたエチレンの高温
高圧重合の例が多く提案されているがこれらはいずれも
触媒活性の点で満足できるものとは言い難い、1にチー
グラー触媒のような金属触媒では、ポリマー中の触媒残
渣が品質に悪影響をおよぼす、/li性が低いと、ポリ
マー中の触媒残渣量が多くなり、ポリマーの着色、劣化
等の原因になり得るため、触媒除去工程あるいは、ポリ
マー精製1椙等の大規模な設備が必要となる。
また、ハロゲン化チタン化合物を触媒基ζ使用する場合
には、装置、機器の腐食対策の点からも高活性であるこ
とが要求される。
には、装置、機器の腐食対策の点からも高活性であるこ
とが要求される。
本発明者らは、これらの点を改良するため、鋭意研究し
た結果、少なくとも300〜/−の圧力、および少なく
とも180℃の温度でエチレンの単独重合またはエチレ
ンと少なくとも1種の一一オレフインとの共重合におり
、1て特定のチーグラー触媒を用いることにより、高L
)触媒効率でもって物性の良好なエチレン重合体が得ら
れる乙とを見い出し本発明に到った。
た結果、少なくとも300〜/−の圧力、および少なく
とも180℃の温度でエチレンの単独重合またはエチレ
ンと少なくとも1種の一一オレフインとの共重合におり
、1て特定のチーグラー触媒を用いることにより、高L
)触媒効率でもって物性の良好なエチレン重合体が得ら
れる乙とを見い出し本発明に到った。
本発明により得られたポリエチレンは優れた品質を有し
、フィルムあるいは成形用に供することができる。
、フィルムあるいは成形用に供することができる。
また、いわゆる低圧法ぼりエチレン、エチレン共重合体
たとえばエチレンとα−オレフイン共重合体、エチレン
−酢−ビニル共重合様、エチレン−アクリル酸エステル
共重合体等とブレンドしても使用する乙とができる。
たとえばエチレンとα−オレフイン共重合体、エチレン
−酢−ビニル共重合様、エチレン−アクリル酸エステル
共重合体等とブレンドしても使用する乙とができる。
すなわち本発明は
(1) 少な(とも8004/−の圧力および少なく
とも180℃の温度において下記の成分ムと成分Bから
なる触媒を用いて、エチレン重合、またはエチレンと少
なく−とも1種のα−オレフィンを共重合することを特
徴とするエチレン重合体の製造方法を提供する。
とも180℃の温度において下記の成分ムと成分Bから
なる触媒を用いて、エチレン重合、またはエチレンと少
なく−とも1種のα−オレフィンを共重合することを特
徴とするエチレン重合体の製造方法を提供する。
成分ム
周期律表$11I族ないし、gm族金属の有機金属化合
物。
物。
成分B
一般式1nstx4−n(Rは炭素数1〜20のアルキ
ル基、アリール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子
を、nはO≦n(4の数〆を表わす、)で表わされるハ
ロゲン化ケイ素化合物および/または一般式R’ ff
1AIX 3−m(R′は炭素数1〜20のアルキル基
、アリール基、フルケニルae、xはハロゲン原子をm
は0≦m〈8の数メを表わす、)で表わされるハロゲン
化アル【ニウム化合物と、一般式RIMfXオヨヒ/I
Lt’:FIR’2Mf(ここでR′ は炭素数1〜2
0のアルキル基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子を
表わす、)で表わされる有機マグネシウム化合物とを溶
媒中で反応させて得られた固体生成物を担体とし、それ
にチタン化合物および/またはバナジウム化合物を担持
せしめた固体触媒成分。
ル基、アリール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子
を、nはO≦n(4の数〆を表わす、)で表わされるハ
ロゲン化ケイ素化合物および/または一般式R’ ff
1AIX 3−m(R′は炭素数1〜20のアルキル基
、アリール基、フルケニルae、xはハロゲン原子をm
は0≦m〈8の数メを表わす、)で表わされるハロゲン
化アル【ニウム化合物と、一般式RIMfXオヨヒ/I
Lt’:FIR’2Mf(ここでR′ は炭素数1〜2
0のアルキル基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子を
表わす、)で表わされる有機マグネシウム化合物とを溶
媒中で反応させて得られた固体生成物を担体とし、それ
にチタン化合物および/またはバナジウム化合物を担持
せしめた固体触媒成分。
本発明において使用される触媒成分Aは、周期律表第1
族ないしgm族金属の有機金属化合物であり、そのなか
でも特に有機アルミニウム化合物がよく使用される。
族ないしgm族金属の有機金属化合物であり、そのなか
でも特に有機アルミニウム化合物がよく使用される。
タトエばトリエチルアルミニウム、トリーn−プロピル
アルミニウム、トリーn−ブチルアルミニウム、トリー
n−ヘキシルアルミニウム等のごときトリアルキルアル
ミニウム、ジエチルアルミニウム〆クロライド、ジ−n
−プロピルアルlニウムクロライド、シーn−ブ≠ルア
ル疋・ニウムクロライド、ジ−n−ヘキシルアルミニウ
ムクロライド等のごときジアルキルアルミニウムモノハ
ライド、エチルアルミニつムジクロライード、n−フロ
ビルアルミニウムジクロライド、n−ブチルアルミニウ
ムジクロライド、n−ヘキシルアルミニウムジクロライ
ド等のアルキルアルにニウムシバライド、エチルアルミ
ニウムセスキクロライド、n−プロピルアルミニウムセ
スキクロライド、n−ブチルアルミニウムセスキクロラ
イド、n−ヘキシルアルミニウムセスキクロライド等の
アルキルアル【ニウムセスキクロライドがあげられる。
アルミニウム、トリーn−ブチルアルミニウム、トリー
n−ヘキシルアルミニウム等のごときトリアルキルアル
ミニウム、ジエチルアルミニウム〆クロライド、ジ−n
−プロピルアルlニウムクロライド、シーn−ブ≠ルア
ル疋・ニウムクロライド、ジ−n−ヘキシルアルミニウ
ムクロライド等のごときジアルキルアルミニウムモノハ
ライド、エチルアルミニつムジクロライード、n−フロ
ビルアルミニウムジクロライド、n−ブチルアルミニウ
ムジクロライド、n−ヘキシルアルミニウムジクロライ
ド等のアルキルアルにニウムシバライド、エチルアルミ
ニウムセスキクロライド、n−プロピルアルミニウムセ
スキクロライド、n−ブチルアルミニウムセスキクロラ
イド、n−ヘキシルアルミニウムセスキクロライド等の
アルキルアル【ニウムセスキクロライドがあげられる。
これらの有機アル1ニウム化合物は単独もしくは二種以
上を併用【ノてもよい。
上を併用【ノてもよい。
また、他の活性化剤として、アルキルシロキサラン誘導
体を使用する乙ともできる。
体を使用する乙ともできる。
アルキルシロキサラン誘導体は下記の式で表わされる。
n n t’ R1,R2,Rs* R4,R1It炭
素数1〜10を含む飽和炭化水素基であるが狗は を含む飽和、炭化水素基である。)の基でもよLA。
素数1〜10を含む飽和炭化水素基であるが狗は を含む飽和、炭化水素基である。)の基でもよLA。
このアルキルシロキサラン誘導体の具体例として、トリ
メチルジメチルシロキサラン、トリメチルジエチルシロ
キサラン、トリメチルジ−n−プロピルシロキサラン、
トリメチルジ−n−ブチルシロキサラン、トリメチル物
と一般式Rn81X4−n(Rは炭素数1〜20のアル
キル基、アリール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原
子を、nは0≦n (4の数4を表わす、)で表わされ
るハロゲン化ケイ素化合物および/または一般式R’m
Jσ3→ζR゛は炭素数1〜20のアルキル基、アリー
ル基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子を、mはO≦
mく3の数Iを表わす、)で表わされるハロゲン化アル
ミニウム化合物との反応によって得られる固体生成物に
チタン化合物および/またはバナジウム化合物を担持せ
しめた ′固体触媒成分である。
メチルジメチルシロキサラン、トリメチルジエチルシロ
キサラン、トリメチルジ−n−プロピルシロキサラン、
トリメチルジ−n−ブチルシロキサラン、トリメチル物
と一般式Rn81X4−n(Rは炭素数1〜20のアル
キル基、アリール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原
子を、nは0≦n (4の数4を表わす、)で表わされ
るハロゲン化ケイ素化合物および/または一般式R’m
Jσ3→ζR゛は炭素数1〜20のアルキル基、アリー
ル基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子を、mはO≦
mく3の数Iを表わす、)で表わされるハロゲン化アル
ミニウム化合物との反応によって得られる固体生成物に
チタン化合物および/またはバナジウム化合物を担持せ
しめた ′固体触媒成分である。
触媒の合成に使用される有機マグネシウム化合物は有機
ハロゲン化物と金属マグネシウムとの反応等によって生
成する任意の型の有機マグ¥シウム化合物を使用するこ
とができる。特に一般式R#M f Xで表わされるグ
リニヤール化合物および一般式R12Mfで表わされる
ジアルキルマグネレウム化合物が好適である・ 具体的にはR#が炭素数1〜20のアルキル基およびア
リール基を示す化合物たとえば。
ハロゲン化物と金属マグネシウムとの反応等によって生
成する任意の型の有機マグ¥シウム化合物を使用するこ
とができる。特に一般式R#M f Xで表わされるグ
リニヤール化合物および一般式R12Mfで表わされる
ジアルキルマグネレウム化合物が好適である・ 具体的にはR#が炭素数1〜20のアルキル基およびア
リール基を示す化合物たとえば。
RIMfXとしてはエチルマグネシウムクロライド、エ
チルマグネシウムブロマイド、n−プロピルマグネシウ
ムクロライド、n−ブチルマグネシウムクロライド、t
・rt−ブチルマグネシウムクロライド、フェニルマグ
ネシウムクロライド等のハロゲン化アルキルマグネシウ
ム化合物があげられる。
チルマグネシウムブロマイド、n−プロピルマグネシウ
ムクロライド、n−ブチルマグネシウムクロライド、t
・rt−ブチルマグネシウムクロライド、フェニルマグ
ネシウムクロライド等のハロゲン化アルキルマグネシウ
ム化合物があげられる。
また一般式RI!Mfで示されるジアルキルマグネシウ
ムとして、具体的にはりエチルマグネレウム、ジプロピ
ルマグネシウム、ジブチルマグネシウム、ジフェニルマ
グネシウム、ジベンジルマグネシウム等があげられる。
ムとして、具体的にはりエチルマグネレウム、ジプロピ
ルマグネシウム、ジブチルマグネシウム、ジフェニルマ
グネシウム、ジベンジルマグネシウム等があげられる。
これらの有機マグネシウム化合物は、エチルエーテル、
フロビルエーテル、ブチルエーテル等のエーテル性溶媒
あるいはヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素溶媒の存在下で合成される。
フロビルエーテル、ブチルエーテル等のエーテル性溶媒
あるいはヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素溶媒の存在下で合成される。
また、一般式Rn81X4−n(Rは炭素数1〜20の
アルキル基、アリール基、アルケニル基をXはハロゲン
原子を、nはO≦n(4の数Iを表わす、)で表わされ
るハロゲン化ケイ素化合物はハロゲン原子が多いほど良
好な結果を与え、なかでも四塩化ケイ素が最適である。
アルキル基、アリール基、アルケニル基をXはハロゲン
原子を、nはO≦n(4の数Iを表わす、)で表わされ
るハロゲン化ケイ素化合物はハロゲン原子が多いほど良
好な結果を与え、なかでも四塩化ケイ素が最適である。
その他の異体的な化合物としては四臭化ケイ素、メチル
シリルトリクロライド、ジエチルシリルジクロライド、
トリメチルシリルクロライド、メチルシリルトリクロラ
イド、ジエチルシリルジクロライド、トリエチルシリル
クロライド、ブチルシリルトリクロライド、ジブチル−
シリルジクロライド、トリエチルシリルクロライド、ビ
ニルシリルトリクロライド等があげられる。
シリルトリクロライド、ジエチルシリルジクロライド、
トリメチルシリルクロライド、メチルシリルトリクロラ
イド、ジエチルシリルジクロライド、トリエチルシリル
クロライド、ブチルシリルトリクロライド、ジブチル−
シリルジクロライド、トリエチルシリルクロライド、ビ
ニルシリルトリクロライド等があげられる。
さらに、R’ □3−m(R’は炭素数1〜20のアル
キル基、アリール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原
子を、mはO≦m(gの数≠を表わす、)で表わされる
ハロゲン化アルミニウム化合物はハロゲン原子が多いほ
ど良好な結果を与え、なかでも無水塩化アル1ニウムが
最適である。その他の具体的な化合物としては臭化アル
ミニウム、1つ化アルミニウム、ジエチルアルミニウム
クロライド、エチルアルミニウムジクロライド、エチル
アル【ニウムセスキクロライド、ジブチルアルミニウム
クロライド、ブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシ
ルアJLI iニウムジブロマイド等があげられる。
キル基、アリール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原
子を、mはO≦m(gの数≠を表わす、)で表わされる
ハロゲン化アルミニウム化合物はハロゲン原子が多いほ
ど良好な結果を与え、なかでも無水塩化アル1ニウムが
最適である。その他の具体的な化合物としては臭化アル
ミニウム、1つ化アルミニウム、ジエチルアルミニウム
クロライド、エチルアルミニウムジクロライド、エチル
アル【ニウムセスキクロライド、ジブチルアルミニウム
クロライド、ブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシ
ルアJLI iニウムジブロマイド等があげられる。
一方、担体に担持されるチタン化合物およびバナジウム
化合物としては四塩化チタン、四臭化チタン、四ツつ化
チタン、三塩化チタン、オヨヒ一般式Ti(0?)4−
pXpテ表わされるアルコキシハロゲン化チタン化合物
、四塩化バナジウム、オキシ三塩化バナジウム等があげ
ラレル、一般式Ti(OR”)41)xpニオイテR#
は炭素数1〜20のアルキル基、シクロアルキル基、
フェニル基を、xはハロゲン原子を、pはO≦P<4の
数Iを示す、具体的にはテトラエトキシチタン、テトラ
イソプロlキレチタン、テトラ−n−プロポキシチタン
、テトラ−n−ブトキレチタン、エトキシチタントリク
ロライド、ジェトキシチタンジクロライド、トリエトキ
シチタンクロライド、プロポキシチタントリクロライド
、ブトキシチタントリクロライド、フェノキシチタント
リクロライド、エトキシチタントリブロマイド、ジプロ
ポキレチタンジプロマイド、トリブトキシチタンブロマ
イド等があげられる。
化合物としては四塩化チタン、四臭化チタン、四ツつ化
チタン、三塩化チタン、オヨヒ一般式Ti(0?)4−
pXpテ表わされるアルコキシハロゲン化チタン化合物
、四塩化バナジウム、オキシ三塩化バナジウム等があげ
ラレル、一般式Ti(OR”)41)xpニオイテR#
は炭素数1〜20のアルキル基、シクロアルキル基、
フェニル基を、xはハロゲン原子を、pはO≦P<4の
数Iを示す、具体的にはテトラエトキシチタン、テトラ
イソプロlキレチタン、テトラ−n−プロポキシチタン
、テトラ−n−ブトキレチタン、エトキシチタントリク
ロライド、ジェトキシチタンジクロライド、トリエトキ
シチタンクロライド、プロポキシチタントリクロライド
、ブトキシチタントリクロライド、フェノキシチタント
リクロライド、エトキシチタントリブロマイド、ジプロ
ポキレチタンジプロマイド、トリブトキシチタンブロマ
イド等があげられる。
触媒の合成反応は、すべて窒素、アルゴン等の不活性気
体雰囲気下で行なわれる。有機マグネジリム化合物とハ
ロゲン化ケイIm化合物および/またはハロゲン化アル
ミニウム化合物との反応は溶媒中において0〜100℃
、好ましくは0−SO℃で行なわれるが望ましい、使用
される溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳1m炭化水嵩、シクロヘキサン、レクロペ
ンタン等の脂環式炭化水素、エチルエーテル、ブチルエ
ーテル、アミルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等のエーテル性溶媒等が用いられるが、中でもエー
テル性溶媒中で行なうのが好ましい。
体雰囲気下で行なわれる。有機マグネジリム化合物とハ
ロゲン化ケイIm化合物および/またはハロゲン化アル
ミニウム化合物との反応は溶媒中において0〜100℃
、好ましくは0−SO℃で行なわれるが望ましい、使用
される溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳1m炭化水嵩、シクロヘキサン、レクロペ
ンタン等の脂環式炭化水素、エチルエーテル、ブチルエ
ーテル、アミルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等のエーテル性溶媒等が用いられるが、中でもエー
テル性溶媒中で行なうのが好ましい。
有機マグネシウム化合物とハロゲン化ケイ素化合物およ
び/またはハロゲン化アルミニウム化合物との反応割合
は、モル比で0.1〜10.0好ましくは0.5〜to
の範囲で行なわれる。
び/またはハロゲン化アルミニウム化合物との反応割合
は、モル比で0.1〜10.0好ましくは0.5〜to
の範囲で行なわれる。
上記の方法で得られた反応生成物は一過後、充分精製し
た炭化水素溶媒で洗浄乾燥して担体として使用するの゛
が好ましい、ついで、この担体にチタン化合物および/
またはバナジウム化合物を担持させるが、この担持方法
としては含浸法、混練法、共沈法等の公知の方法が使用
できる。
た炭化水素溶媒で洗浄乾燥して担体として使用するの゛
が好ましい、ついで、この担体にチタン化合物および/
またはバナジウム化合物を担持させるが、この担持方法
としては含浸法、混練法、共沈法等の公知の方法が使用
できる。
担持反応は、室温〜160℃の温度で行なわれるが好ま
しい1反応生成物は、−過後、精製した炭化水素溶媒で
充分洗浄し、そのままあるいは乾燥して使用する。
しい1反応生成物は、−過後、精製した炭化水素溶媒で
充分洗浄し、そのままあるいは乾燥して使用する。
また、本発明において重合は少なくともgoo麺/−1
好ましくは850〜8500に4F/−の圧力、少なく
とも180’C1好ましく i! 18 Is〜850
℃の温度で行われ、重合形式としてはバッチ式あるいは
連続式のいずれでも可能であるが、連続式で行う方が好
ましい、Jlf応器には攪拌式検量反応器あるいは管層
反応器が使用される1重合は単一度応域でも行なわれる
が、1つの反応器を複数の反応帯域に区切って行なうか
あるいは複数個の反応器を直列または並列に連絡して行
うこともできる。複数個の反応器を使用する場合には種
型 種型あるいは種型−管型のいずれの組合せでもよい
、複数反応帯域あるいは複数反応器で重合志ぜる方法で
は、各反応帯域ごとに温度、圧力、ガス組成を変える乙
とにより、特性の異なったポリマーを生産することも可
能である。
好ましくは850〜8500に4F/−の圧力、少なく
とも180’C1好ましく i! 18 Is〜850
℃の温度で行われ、重合形式としてはバッチ式あるいは
連続式のいずれでも可能であるが、連続式で行う方が好
ましい、Jlf応器には攪拌式検量反応器あるいは管層
反応器が使用される1重合は単一度応域でも行なわれる
が、1つの反応器を複数の反応帯域に区切って行なうか
あるいは複数個の反応器を直列または並列に連絡して行
うこともできる。複数個の反応器を使用する場合には種
型 種型あるいは種型−管型のいずれの組合せでもよい
、複数反応帯域あるいは複数反応器で重合志ぜる方法で
は、各反応帯域ごとに温度、圧力、ガス組成を変える乙
とにより、特性の異なったポリマーを生産することも可
能である。
触媒は適当な不活性溶媒中の微細分散液として高圧lン
プで反応器に供給される1本発明のように高圧下での重
合においては触媒を4ンプで高圧部に注入するため、粒
径が小さく、溶媒に対して、分散性の良いものでなけれ
ばならない、触媒粒子の微細化方法には一般的に次の方
法があげられる。即ち、(a)ボールミル等で粉砕する
。(b)英国特許第979.128号明細書に記載のよ
うに、4価のチタン化合物と有機アルミニウム化合物と
の反応で得られた化合物および有機アルミニウム化合物
の存在下で少なくとも6傭の炭素原子を含む非分岐α−
オレフィンを予備重合する。しかし、本発明に使用の触
媒は合成条件を変えることにより、粒径をコントロール
できる特長を有するためe)および(切に記したような
操作を省略することができる。
プで反応器に供給される1本発明のように高圧下での重
合においては触媒を4ンプで高圧部に注入するため、粒
径が小さく、溶媒に対して、分散性の良いものでなけれ
ばならない、触媒粒子の微細化方法には一般的に次の方
法があげられる。即ち、(a)ボールミル等で粉砕する
。(b)英国特許第979.128号明細書に記載のよ
うに、4価のチタン化合物と有機アルミニウム化合物と
の反応で得られた化合物および有機アルミニウム化合物
の存在下で少なくとも6傭の炭素原子を含む非分岐α−
オレフィンを予備重合する。しかし、本発明に使用の触
媒は合成条件を変えることにより、粒径をコントロール
できる特長を有するためe)および(切に記したような
操作を省略することができる。
適当な不活性溶媒としては、たとえばホワイトススピリ
ット、炭化水素油、ペンタン、ヘキサン、ヘフタン、オ
クタン、トルエン、高級分岐鎖飽和脂肪族炭化水素、イ
ソブチンオリゴマー、1−ブテンオリゴマー等のオリゴ
マーおよびξれらの混合物があげられる。
ット、炭化水素油、ペンタン、ヘキサン、ヘフタン、オ
クタン、トルエン、高級分岐鎖飽和脂肪族炭化水素、イ
ソブチンオリゴマー、1−ブテンオリゴマー等のオリゴ
マーおよびξれらの混合物があげられる。
触媒分散液は水および空気と接触しないように窒素、ア
ルゴン等の不活性気体雰囲気下で亀扱うことが必要であ
る。触媒は成分(A)と成分に)をあらかじめ混合した
分散液を反応器に注入してもよいし、あるいは成分(ト
)と成分(司を独立に別の注入管から注入し、反応器内
で混合する方式でもよい。
ルゴン等の不活性気体雰囲気下で亀扱うことが必要であ
る。触媒は成分(A)と成分に)をあらかじめ混合した
分散液を反応器に注入してもよいし、あるいは成分(ト
)と成分(司を独立に別の注入管から注入し、反応器内
で混合する方式でもよい。
また複数反応帯琥方式では、槙−反応帯域に一括して注
入してもよいし、あるいは他の反応帯域に分割して注入
してもよい0重合時の成分(萄と成分CS>のAl/r
im原子比は1〜600好ましくは1〜200で使用さ
れる。
入してもよいし、あるいは他の反応帯域に分割して注入
してもよい0重合時の成分(萄と成分CS>のAl/r
im原子比は1〜600好ましくは1〜200で使用さ
れる。
また、本発明の触媒はエチレンの単独重合のみならず、
エチレンと他の一−オレフィンとの共重合にも使用でき
る。臭体的なa−オレフィンとしてはプロピレン、ブテ
ン−1、ヘキセン−1,オクテン−1,4−メチルペン
テン−1等があげられ、これらの1−オレフィンと共重
合することにより、広い範囲の密度の一すマーを得るこ
とができる。
エチレンと他の一−オレフィンとの共重合にも使用でき
る。臭体的なa−オレフィンとしてはプロピレン、ブテ
ン−1、ヘキセン−1,オクテン−1,4−メチルペン
テン−1等があげられ、これらの1−オレフィンと共重
合することにより、広い範囲の密度の一すマーを得るこ
とができる。
以下、本発明について実施例で具象化するが本発明は実
施例に限定されるものではない。
施例に限定されるものではない。
実施例1
(1) 触媒の合成
(A) 有機マグネシウム化合物の合−攪拌機、還流
冷却器、滴下ロートを備え?:500−フラスコにグリ
ニヤール試薬用削状マグネシウム15.Ofを入れ、系
内をアルゴンで充分置換した1滴下ロートに、n−ブチ
ルクロライド0.61モルとエチルエーテル800−を
仕込み、80℃に加熱したフラスコ内のマグネシウムに
約40−滴下して反応を開始させた6反応開始後はゆっ
くりと滴下を続け、滴下終了後、さらに1時間還流下で
反応を続けた。その後、反応液を室温に冷却し、未反応
マグネシウムを炉別した。この溶液中の有機マグネシウ
ム化合物濃度は1.80モル/lであった。
冷却器、滴下ロートを備え?:500−フラスコにグリ
ニヤール試薬用削状マグネシウム15.Ofを入れ、系
内をアルゴンで充分置換した1滴下ロートに、n−ブチ
ルクロライド0.61モルとエチルエーテル800−を
仕込み、80℃に加熱したフラスコ内のマグネシウムに
約40−滴下して反応を開始させた6反応開始後はゆっ
くりと滴下を続け、滴下終了後、さらに1時間還流下で
反応を続けた。その後、反応液を室温に冷却し、未反応
マグネシウムを炉別した。この溶液中の有機マグネシウ
ム化合物濃度は1.80モル/lであった。
(B) 触媒の合成
攪拌機、滴下ロート、温度針を°備えた100−フラス
コをアルゴンで充分置換し、空気および湿気を除いた後
、フラスコに四塩化ケイ素tg、ozリモルとトルエン
8〇−を入れた0次に上記(A)の項で合成したn−ブ
チルマグネシウムクロライド18.!tリモルを滴下ロ
ートより、フラスコ内の温度を20℃に保つように除々
に滴下し、自沈を生成させた。さらに、この温度で、1
時間反応させた後、−過し、n−へブタンで洗浄し、減
圧乾燥して白色固体4.82を得た。この白色固体2.
8fと四塩化チタン!〇−を100−フラスコに入れ、
アルゴン雰囲気下で130℃で1時間反応させた。
コをアルゴンで充分置換し、空気および湿気を除いた後
、フラスコに四塩化ケイ素tg、ozリモルとトルエン
8〇−を入れた0次に上記(A)の項で合成したn−ブ
チルマグネシウムクロライド18.!tリモルを滴下ロ
ートより、フラスコ内の温度を20℃に保つように除々
に滴下し、自沈を生成させた。さらに、この温度で、1
時間反応させた後、−過し、n−へブタンで洗浄し、減
圧乾燥して白色固体4.82を得た。この白色固体2.
8fと四塩化チタン!〇−を100−フラスコに入れ、
アルゴン雰囲気下で130℃で1時間反応させた。
反応終了後、n−へブタンで充分に洗浄し、減圧乾燥し
て14tの固体触媒成分を得た。
て14tの固体触媒成分を得た。
(り重 合
充分N2 置換した攪拌機付きフラスコに脱水精製し
たn−ヘキサン40G−を入れ、次いで(1)で合成し
た固体触媒1.Ofとトリエチルアルミニウム9.0ミ
リモルを加えて、触媒分散液を得た。この分散液を高圧
ポンプで攪拌機付きオートクレーブに注入し、表1に示
す条件でエチレンを重合させた。生成するポリマーの分
子量調節には水嵩を使用した。なお水−、エチレンは充
分精製したものを使用した1重合の結果チタン1f!!
〜、48 B、 000tのポリマーが生成した。
たn−ヘキサン40G−を入れ、次いで(1)で合成し
た固体触媒1.Ofとトリエチルアルミニウム9.0ミ
リモルを加えて、触媒分散液を得た。この分散液を高圧
ポンプで攪拌機付きオートクレーブに注入し、表1に示
す条件でエチレンを重合させた。生成するポリマーの分
子量調節には水嵩を使用した。なお水−、エチレンは充
分精製したものを使用した1重合の結果チタン1f!!
〜、48 B、 000tのポリマーが生成した。
実施例2
実施例1の伊)触媒の合成の項において、アルゴンで充
分置換した100−フラスコに昇華精製した無水塩化ア
ルミニウム18.7tリモルを入れ、水冷下でエチルエ
ーテル80mgに溶かした0次に滴下−o −)より、
n−ブチルマグネシウムクロライド18.0tリモルを
徐々に滴下し、自沈を生成させた。1時間水冷下で反応
させた後、エチルエーテルの沸点下でさらに1時間反応
させた0反応終了後、1 エチルエーテルを除去し、さ
゛らにエチルエーテルで洗浄後、−過し、乾燥して白色
固体4.8tを得た。
分置換した100−フラスコに昇華精製した無水塩化ア
ルミニウム18.7tリモルを入れ、水冷下でエチルエ
ーテル80mgに溶かした0次に滴下−o −)より、
n−ブチルマグネシウムクロライド18.0tリモルを
徐々に滴下し、自沈を生成させた。1時間水冷下で反応
させた後、エチルエーテルの沸点下でさらに1時間反応
させた0反応終了後、1 エチルエーテルを除去し、さ
゛らにエチルエーテルで洗浄後、−過し、乾燥して白色
固体4.8tを得た。
仁の白色固体S、Orと四塩化チタン20sJを100
−フラスコに取り180℃で1時間反応させた1反応終
了後、n−へブタンで充分に洗浄し、減圧乾燥して2.
6tの固体触媒成分を得た。
−フラスコに取り180℃で1時間反応させた1反応終
了後、n−へブタンで充分に洗浄し、減圧乾燥して2.
6tの固体触媒成分を得た。
実施例1と同様な方法で、表1の条件でエチレンの重合
を行なったところチタン1を当り456.000fの4
リマーが生成した。
を行なったところチタン1を当り456.000fの4
リマーが生成した。
実施例8〜6
実施例1と同様な方法で触媒の調製および重合を行なっ
た。結果を表1に示した。
た。結果を表1に示した。
実施例7〜16
実施例1または実施例2の触媒を用いてエチレンと他の
a−オレフィンとの共重合を行なった。結果を表2に示
した。
a−オレフィンとの共重合を行なった。結果を表2に示
した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 少なくとも800Kt/aJの圧力および少
なくとも180℃の温度において下記の成分Aと成分B
からなる触媒を用いてエチレンを重合、またはエチレン
と少なくとも1種のα−オレフィンを共重合することを
特徴とするエチレン重合体の製造方法。 成分ム 周期律表第1族ないし第■族金属の有機金属化合物。 成分B 一般式Rn81に4−H(Rは炭素数1〜20のアルキ
ル基、アリール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子
を、nはO≦n (4の数lを表わす、)で表わされる
ハロゲン化ケイ素化合物および/または一般式R’mA
tll−m(R′は炭素数1〜20のアルキル基、アリ
ール基、アルケニル基を、Xはハロゲン原子を、mは0
≦m(gの数fを表わす、)(仁こでRI は炭素数1
〜20のアルキル基、アリール基、アルケニル基を、X
はハロゲン原子を表わす、)で表わされる有機マグネレ
ウム化合物とを溶媒中で反応させて得られた固体生成物
を担体とし、それにチタン化合物および/またはバナジ
ウム化合物を担持せしめた固体触媒成分。 (り 一般式Rn8114−n で表わされるハロゲン
化ケイ素化合物が四塩化ケイ素である特許請求の範囲1
11項記載の方法。 (8) 一般式R’l14!1−11で表わされるハ
ロゲン化アルミニウム化合物が塩化アルミニウムである
特許請求の範囲111項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13928981A JPS5840305A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | エチレン重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13928981A JPS5840305A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | エチレン重合体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5840305A true JPS5840305A (ja) | 1983-03-09 |
JPH0341484B2 JPH0341484B2 (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=15241809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13928981A Granted JPS5840305A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | エチレン重合体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5840305A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5523561A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-20 | Hitachi Ltd | Micro computer system |
JPS5618607A (en) * | 1979-07-24 | 1981-02-21 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | Polymerization of ethylene |
JPS56120542A (en) * | 1980-01-31 | 1981-09-21 | Bfg Glassgroup | Glass coating method and device |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP13928981A patent/JPS5840305A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5523561A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-20 | Hitachi Ltd | Micro computer system |
JPS5618607A (en) * | 1979-07-24 | 1981-02-21 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | Polymerization of ethylene |
JPS56120542A (en) * | 1980-01-31 | 1981-09-21 | Bfg Glassgroup | Glass coating method and device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0341484B2 (ja) | 1991-06-24 |
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