JPS5839264A - 光サイリスタ過電圧保護方式 - Google Patents
光サイリスタ過電圧保護方式Info
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- JPS5839264A JPS5839264A JP13605881A JP13605881A JPS5839264A JP S5839264 A JPS5839264 A JP S5839264A JP 13605881 A JP13605881 A JP 13605881A JP 13605881 A JP13605881 A JP 13605881A JP S5839264 A JPS5839264 A JP S5839264A
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- thyristor
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- diode
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
- H02M1/092—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0824—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in thyristor switches
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高電圧サイリスタバルブに用いた光サイリス
タの過電圧保護方式に関し、特に、光直接点弧の利点を
損わずに確実に過電圧印加による破壊から保護しうるよ
うにしたものである。
タの過電圧保護方式に関し、特に、光直接点弧の利点を
損わずに確実に過電圧印加による破壊から保護しうるよ
うにしたものである。
一般に、高電圧サイリスタバルブは、電力系統における
大容量交直変換に使用するので、過電圧に対して確実に
作動する保護機能を備えた信頼性の高い過電圧保護方式
を適用する必要がある。しかも、高電圧サイリスタバル
ブには、従来、専ら通常の電気点弧式サイリスタを複数
個直列に接続し、外部からの点弧信号によりサイリスタ
のゲートに点弧電流を供給して電気的に点弧させる点弧
方式が用いられていた。したがって、かかる電気点弧式
サイリスタを用いた高電圧サイリスタバルブにおいては
、個々のサイリスタを過電圧の印加による破壊から保護
するために、例えば第１図に示すような回路構成のもと
に自己点弧による過電圧保護方式が採用されていた。す
なわち、図示の回路構成においては、アノード・カソー
ド間にスナバ用の抵抗ｊおよびコンデンサ乙の直列回路
を並列に接続するとともに、ゲート・カソード間にダイ
オード！を介して外部制御回路／θを接続して点弧させ
るようにした主サイリスタ／のアノード・カソード間に
、抵抗グ、ブレークオーバダイオ−トコおよび通常のダ
イオード３の直列回路を並列に接続しである。かかる回
路構成にて、主サイリスタｌのアノード・カソード間に
所定値を超えた過電圧が印加されたときには、ブレーク
オーバダイオ−トコがブレークオーバして導通し、主サ
イリスタ／のゲートに点弧電流を供給して自己点弧させ
ることによりアノード・カソード間の電圧を低下させて
過電圧印加による破壊から保護するようになっている。
大容量交直変換に使用するので、過電圧に対して確実に
作動する保護機能を備えた信頼性の高い過電圧保護方式
を適用する必要がある。しかも、高電圧サイリスタバル
ブには、従来、専ら通常の電気点弧式サイリスタを複数
個直列に接続し、外部からの点弧信号によりサイリスタ
のゲートに点弧電流を供給して電気的に点弧させる点弧
方式が用いられていた。したがって、かかる電気点弧式
サイリスタを用いた高電圧サイリスタバルブにおいては
、個々のサイリスタを過電圧の印加による破壊から保護
するために、例えば第１図に示すような回路構成のもと
に自己点弧による過電圧保護方式が採用されていた。す
なわち、図示の回路構成においては、アノード・カソー
ド間にスナバ用の抵抗ｊおよびコンデンサ乙の直列回路
を並列に接続するとともに、ゲート・カソード間にダイ
オード！を介して外部制御回路／θを接続して点弧させ
るようにした主サイリスタ／のアノード・カソード間に
、抵抗グ、ブレークオーバダイオ−トコおよび通常のダ
イオード３の直列回路を並列に接続しである。かかる回
路構成にて、主サイリスタｌのアノード・カソード間に
所定値を超えた過電圧が印加されたときには、ブレーク
オーバダイオ−トコがブレークオーバして導通し、主サ
イリスタ／のゲートに点弧電流を供給して自己点弧させ
ることによりアノード・カソード間の電圧を低下させて
過電圧印加による破壊から保護するようになっている。
一方、近来、光信号により直接点弧し得る光サイリスタ
の開発が進み、その開発に伴って、光ヤイリスタを用い
た光直接点弧式サイリスタバルブが用いられるようにな
って来ている。しかしながら、かかる光直接点弧式の高
電圧サイリスタバルブにおいては、主サイリスタの点弧
がすべて光信号によって直接に行なわれるので、第１図
につき上述したような自己点弧による過電圧保護方式を
適用することができず、直列接続した個々の光主サイリ
スタの過電圧保護が困難であるという問題があった。
の開発が進み、その開発に伴って、光ヤイリスタを用い
た光直接点弧式サイリスタバルブが用いられるようにな
って来ている。しかしながら、かかる光直接点弧式の高
電圧サイリスタバルブにおいては、主サイリスタの点弧
がすべて光信号によって直接に行なわれるので、第１図
につき上述したような自己点弧による過電圧保護方式を
適用することができず、直列接続した個々の光主サイリ
スタの過電圧保護が困難であるという問題があった。
本発明の目的は、上述した従来の問題を解決し、光直接
点弧の利点を損うことなく、光サイリスタを過電圧印加
による破壊から確実に保護し得る光サイリスタ過電圧保
護方式を提供することにある。
点弧の利点を損うことなく、光サイリスタを過電圧印加
による破壊から確実に保護し得る光サイリスタ過電圧保
護方式を提供することにある。
すなわち、本発明光サイリスタ過電圧保護方式は、ブレ
ークオーバダイオードと発光ダイオードとを直列にして
光サイリスタに並列に接続するとともに前記発光ダイオ
ードと前記光サイリスタとをライトガイドにより連結し
、所定値を超えた電圧が前記光サイリスタに印加された
ときに前記ブレークオーバダイオードが導通して流れる
電流により生ずる前記発光ダイオードの発光により前記
光サイリスタを点弧させるようにしたことを特徴とする
ものである。
ークオーバダイオードと発光ダイオードとを直列にして
光サイリスタに並列に接続するとともに前記発光ダイオ
ードと前記光サイリスタとをライトガイドにより連結し
、所定値を超えた電圧が前記光サイリスタに印加された
ときに前記ブレークオーバダイオードが導通して流れる
電流により生ずる前記発光ダイオードの発光により前記
光サイリスタを点弧させるようにしたことを特徴とする
ものである。
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
まず、本発明方式による光サイリスタ過電圧保護回路の
基本的構成の例を第２図に示す。図示の構成においては
、アノード・カソード間にスナバ用の抵抗！およびコン
デンサ乙の直列回路を並列に接続するとともに、ライト
ガイドｔを直接に連結して、大地電位に置いた外部制御
回路（図示せず）からの光信号を供給して点弧するよう
にした光サイリスタ／のアノード・カソード間に、電流
制限用抵抗１１ ブレークオーバダイオードλ、発光ダ
イオード７および逆流防止用の通常のダイオード３を順
次に直列に接続して構成した過電、圧保護回路に接続し
、発光ダイオード７と主サイリスタ／′とをライトガイ
ドｌから分岐したライトガイド９によって直接に連結し
である。
基本的構成の例を第２図に示す。図示の構成においては
、アノード・カソード間にスナバ用の抵抗！およびコン
デンサ乙の直列回路を並列に接続するとともに、ライト
ガイドｔを直接に連結して、大地電位に置いた外部制御
回路（図示せず）からの光信号を供給して点弧するよう
にした光サイリスタ／のアノード・カソード間に、電流
制限用抵抗１１ ブレークオーバダイオードλ、発光ダ
イオード７および逆流防止用の通常のダイオード３を順
次に直列に接続して構成した過電、圧保護回路に接続し
、発光ダイオード７と主サイリスタ／′とをライトガイ
ドｌから分岐したライトガイド９によって直接に連結し
である。
かかる回路構成において、光主サイリスタｌ′のアノー
ド・カソード間に順方向に過電圧が印加され、ブレーク
オーバダイオードλのブレークオーバ電圧に到達すると
ブレークオーバダイオ−トコが導通して電流制限用抵抗
ｌにより制限された電流が直列に接続されている発光ダ
イオード７に流れ、その発光ダイオード７の発光がライ
トガイドタを介して光主サイリスタ／′に供給されて点
弧する。その結果、光主サイリスタｌ′のアノード・カ
ソード間に加わる電圧は、ブレークオーバダイオ−トコ
の動作電圧に制限されるので、その電圧値を光主サイリ
スタ／′の阻止電圧より低い適切な値＜Ｓ＞ に選定することによって、光主サイリスタ／′を過電圧
の印加による破壊から確実に保護することができる。な
お、ブレークオーバダイオード２の代わりに通常のザイ
リスタとツェナーダイオードとを組合わぜた自己トリガ
回路のような類似の機能を有するものを用いることがで
きる。
ド・カソード間に順方向に過電圧が印加され、ブレーク
オーバダイオードλのブレークオーバ電圧に到達すると
ブレークオーバダイオ−トコが導通して電流制限用抵抗
ｌにより制限された電流が直列に接続されている発光ダ
イオード７に流れ、その発光ダイオード７の発光がライ
トガイドタを介して光主サイリスタ／′に供給されて点
弧する。その結果、光主サイリスタｌ′のアノード・カ
ソード間に加わる電圧は、ブレークオーバダイオ−トコ
の動作電圧に制限されるので、その電圧値を光主サイリ
スタ／′の阻止電圧より低い適切な値＜Ｓ＞ に選定することによって、光主サイリスタ／′を過電圧
の印加による破壊から確実に保護することができる。な
お、ブレークオーバダイオード２の代わりに通常のザイ
リスタとツェナーダイオードとを組合わぜた自己トリガ
回路のような類似の機能を有するものを用いることがで
きる。
本発明方式による光サイリスタ過電圧保護回路の他の構
成例として、第２図示の回路構成を逆並列接続サイリス
タバルブに適用した回路構成を第３図に示す。図示の回
路構成においては、順逆両方向の過電圧の印加に対して
逆並列接続した主サイリスタ／′および／“を単一のブ
レークオーバダイオード２により保護し得るようにした
ものであり、例えば、光主サイリスタ／′の順方向の過
電圧に対してブレークオーバダイオード２の動作により
ダイオード３→電流制限抵抗グ→ブレークオーバダイオ
ード２→発光ダイオード７→発光ダイオード７′→ダイ
オード３′ の経路にて電流が流れ、発光ダイオード７の発光により
光主サイリスタ／′が点弧してその順方向（６） 過電圧に対して保護される。この光主サイリスタ／′に
対する順方向過電圧とは逆方向の光主サイリスタｆに対
する順方向の過電圧に対しても上述したと同様にして確
実に保護が行なわれる。
成例として、第２図示の回路構成を逆並列接続サイリス
タバルブに適用した回路構成を第３図に示す。図示の回
路構成においては、順逆両方向の過電圧の印加に対して
逆並列接続した主サイリスタ／′および／“を単一のブ
レークオーバダイオード２により保護し得るようにした
ものであり、例えば、光主サイリスタ／′の順方向の過
電圧に対してブレークオーバダイオード２の動作により
ダイオード３→電流制限抵抗グ→ブレークオーバダイオ
ード２→発光ダイオード７→発光ダイオード７′→ダイ
オード３′ の経路にて電流が流れ、発光ダイオード７の発光により
光主サイリスタ／′が点弧してその順方向（６） 過電圧に対して保護される。この光主サイリスタ／′に
対する順方向過電圧とは逆方向の光主サイリスタｆに対
する順方向の過電圧に対しても上述したと同様にして確
実に保護が行なわれる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、光サ
イリスタに対する過電圧の印加に対して、正常動作時の
光直接制御による点弧の機能を何ら損なうことなく、そ
の過電圧印加に基づく自己点弧により確実に保護するこ
とができる。
イリスタに対する過電圧の印加に対して、正常動作時の
光直接制御による点弧の機能を何ら損なうことなく、そ
の過電圧印加に基づく自己点弧により確実に保護するこ
とができる。
第１図は従来方式のサイリスタ過電圧保護回路の構成を
示す回路図、第一図は本発明方式の光サイリスタ過電圧
保護回路の構成例を示す回路図、第３図は同じくその他
の構成例を示す回路図である。 ／・・・サイリスタ、’ ／’、ｆ・・・光サイリ
スタ、２・・・ブレークオーバダイオード１ 、？ 、 ／ 、 、！ 、 、？”・・・ダイオード
、＆、１・・・抵抗１．コ・・・コンデンサ、７．７′
・・・発光ダイオード、 Ｊ 、 ｆ’ 、 ９ 、９’・・・ライトガイド。 特許出願人 富士電機製造株式会社
示す回路図、第一図は本発明方式の光サイリスタ過電圧
保護回路の構成例を示す回路図、第３図は同じくその他
の構成例を示す回路図である。 ／・・・サイリスタ、’ ／’、ｆ・・・光サイリ
スタ、２・・・ブレークオーバダイオード１ 、？ 、 ／ 、 、！ 、 、？”・・・ダイオード
、＆、１・・・抵抗１．コ・・・コンデンサ、７．７′
・・・発光ダイオード、 Ｊ 、 ｆ’ 、 ９ 、９’・・・ライトガイド。 特許出願人 富士電機製造株式会社
Claims (1)
- ブレークオーバダイオードと発光ダイオードとを直列に
して光サイリスタに並列に接続するとともに前記発光ダ
イオードと前記光サイリスタとをライトガイドにより連
結し、所定値を超えた電圧が前記光サイリスタに印加さ
れたときに前記ブレークオーバダイオードが導通して流
れる電流により生ずる前記発光ダイオードの発光により
前記光サイリスタを点弧させるようにしたことを特徴と
する光サイリスタ過電圧保護方式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13605881A JPS5839264A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 光サイリスタ過電圧保護方式 |
| EP82107767A EP0073461A3 (de) | 1981-09-01 | 1982-08-24 | Überspannungs-Schutzschaltung für einen lichtzündbaren Thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13605881A JPS5839264A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 光サイリスタ過電圧保護方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839264A true JPS5839264A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15166203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13605881A Pending JPS5839264A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 光サイリスタ過電圧保護方式 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0073461A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5839264A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154367A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-13 | Toshiba Corp | サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生器 |
| JP2003274636A (ja) | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Omron Corp | ソリッドステートリレー |
| AT506361B1 (de) * | 2008-02-07 | 2012-06-15 | Siemens Ag | Thyristorbrückenschaltung |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246790B2 (ja) * | 1973-10-19 | 1977-11-28 | ||
| JPS55162875A (en) * | 1979-06-06 | 1980-12-18 | Hitachi Ltd | Thyristor converting device |
| JPS56159964A (en) * | 1980-04-15 | 1981-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | Overvoltage protecting device for light firing thyristor |
| JPS56148173A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-17 | Hitachi Ltd | Protecting device of forward overcurrent in optical thyristor |
| JPS57202870A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Device for firing light-firing thyristor |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP13605881A patent/JPS5839264A/ja active Pending
-
1982
- 1982-08-24 EP EP82107767A patent/EP0073461A3/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0073461A3 (de) | 1984-01-11 |
| EP0073461A2 (de) | 1983-03-09 |
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