JPS5838996A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法Info
- Publication number
- JPS5838996A JPS5838996A JP13792981A JP13792981A JPS5838996A JP S5838996 A JPS5838996 A JP S5838996A JP 13792981 A JP13792981 A JP 13792981A JP 13792981 A JP13792981 A JP 13792981A JP S5838996 A JPS5838996 A JP S5838996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- driving
- voltage
- display
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってＥ Ｌ （Ｅｌｅｃｔ
ｒ。
ｒ。
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ ）発光を呈する薄膜ＥＬ表
示装置の駆動方法に関するものである。
示装置の駆動方法に関するものである。
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜率及び動
作の安定性等を高めるために、０．１〜２．０ｗｔ％の
Ｍｎ （あるいはＣｕ、Ａｔ、Ｂｒ等）をドープしたＺ
ｎＳ、Ｚｎ５ｅ等の牛導体発光層をＹ２Ｏ３゜Ｔｉｅ、
等の誘電体薄膜でサンドインチした三層構造ＺｎＳ ：
Ｍｎ （又はＺｎ５ｅ ：Ｍｎ）ＥＬ素子が開発され、
発光緒特性の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素
子は数ＫＨｚの交流電界印加によって高輝度発光し、し
か−も長寿命であるという特徴を有している。
作の安定性等を高めるために、０．１〜２．０ｗｔ％の
Ｍｎ （あるいはＣｕ、Ａｔ、Ｂｒ等）をドープしたＺ
ｎＳ、Ｚｎ５ｅ等の牛導体発光層をＹ２Ｏ３゜Ｔｉｅ、
等の誘電体薄膜でサンドインチした三層構造ＺｎＳ ：
Ｍｎ （又はＺｎ５ｅ ：Ｍｎ）ＥＬ素子が開発され、
発光緒特性の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素
子は数ＫＨｚの交流電界印加によって高輝度発光し、し
か−も長寿命であるという特徴を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の
基本的構造を第１図に示す。
基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板１上にｌ ｎ２０３ ＋ ＳｎＯ□等の
透明電極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３゜ＴｌＯ
２＋ Ａｌ２Ｏ，、８１３Ｎ４１８１０２等からなる第
１の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等
によシ重畳形成されている０第１の誘電体層３上にはＺ
ｎＳ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビーム蒸ットには活性物
質となるＭｎが目的に応じた濃度に設′定゛されたベレ
ットが使用される。ＺｎＳ 発光層４上には第１の誘電
体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５が積層さ
れ、更にその上にＡｔ等から成る背面電極６が蒸着形成
されている。透明電極２と背面電極６１ｄ：交流電源７
に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
と、ガラス基板１上にｌ ｎ２０３ ＋ ＳｎＯ□等の
透明電極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３゜ＴｌＯ
２＋ Ａｌ２Ｏ，、８１３Ｎ４１８１０２等からなる第
１の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等
によシ重畳形成されている０第１の誘電体層３上にはＺ
ｎＳ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビーム蒸ットには活性物
質となるＭｎが目的に応じた濃度に設′定゛されたベレ
ットが使用される。ＺｎＳ 発光層４上には第１の誘電
体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５が積層さ
れ、更にその上にＡｔ等から成る背面電極６が蒸着形成
されている。透明電極２と背面電極６１ｄ：交流電源７
に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電極２，６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体層３，５間に上記Ａ Ｃ’電圧が誘起さ
れることになり、従っ゛てＺｎＳ発光層４内に発生した
電界によって伝導−帯に励起されかつ加速されて充分な
エネルギーを得た電子が、自由電子となって発光層界面
へ誘引され、この界面で蓄積されて内部分−を形成する
。この時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センタ
ーを励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に
戻る際に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加
速された自由電子が発光層の界面から他方の界面へ移動
する過程でＺｎＳ発光層４中の発光センターでφるＺｎ
サイトに入ったＭｎ原子の電子を励起し、基底状態に落
ちる時、略々５８５ｏλをピークに幅広い波長領域で、
強いＥＬ光発光放射する。
の両側の誘電体層３，５間に上記Ａ Ｃ’電圧が誘起さ
れることになり、従っ゛てＺｎＳ発光層４内に発生した
電界によって伝導−帯に励起されかつ加速されて充分な
エネルギーを得た電子が、自由電子となって発光層界面
へ誘引され、この界面で蓄積されて内部分−を形成する
。この時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センタ
ーを励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に
戻る際に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加
速された自由電子が発光層の界面から他方の界面へ移動
する過程でＺｎＳ発光層４中の発光センターでφるＺｎ
サイトに入ったＭｎ原子の電子を励起し、基底状態に落
ちる時、略々５８５ｏλをピークに幅広い波長領域で、
強いＥＬ光発光放射する。
活性物質としてＭｎ以外に希土類の弗化物を用いた場合
にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色が得られる
。
にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色が得られる
。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子はスペース・７ア
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる０平
面薄型表示装置としての薄膜ＥＬパネルは従来のブラウ
ン管（ＣＲＴ）と比較して動作電圧が低く、同じ平面型
ディスプレイ・デバイスであるプラズマディスプレイパ
ネル（ＦＤＰ）と比較すれば重量や強度面で優れており
、液晶（Ｌ ＣＤ）に比べて動作可能温度範囲が広く、
応答速度が速い等多くの利点を有している。また純固体
マトリックス型パネルとして使用できるため動作寿命が
長く、そのアドレス９−Ｊさとともにコンピューター等
の人出ヵ表示手段として非常に有効なものである。
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる０平
面薄型表示装置としての薄膜ＥＬパネルは従来のブラウ
ン管（ＣＲＴ）と比較して動作電圧が低く、同じ平面型
ディスプレイ・デバイスであるプラズマディスプレイパ
ネル（ＦＤＰ）と比較すれば重量や強度面で優れており
、液晶（Ｌ ＣＤ）に比べて動作可能温度範囲が広く、
応答速度が速い等多くの利点を有している。また純固体
マトリックス型パネルとして使用できるため動作寿命が
長く、そのアドレス９−Ｊさとともにコンピューター等
の人出ヵ表示手段として非常に有効なものである。
上記従来の薄膜ＥＬ素子は、これをコンデンサーの如き
動作を行なう容量性の素子と見ることができる。ところ
で、この薄膜ＥＬ素子は駆動電圧が２００Ｖ程度と非常
に高くまたその容量も約６ｎＦ／ｃｎ程度と大きい値を
呈する。このため発光表示駆動に於ける消費電力を求め
るに際し発光に関与する電力を省略し、単なるコンデン
サーへの充放電電力を消費電力量と見なしても実際べ消
費される電力と大差はない。従って、上記範膜ＥＬ素子
を単なるコンデンサーＣと考え電圧Ｖ。を１回充放電す
るのに必要な電力量を求める。まず、従来から行なわれ
ている駆動方法に於ける充放電動作を簡略化して第２図
に示す。スイッチ５２４ｊ＝をＯＦＦ、スイッチＳ１を
ＯＮすることによって容量Ｃを抵抗Ｒを通して電圧Ｖ。
動作を行なう容量性の素子と見ることができる。ところ
で、この薄膜ＥＬ素子は駆動電圧が２００Ｖ程度と非常
に高くまたその容量も約６ｎＦ／ｃｎ程度と大きい値を
呈する。このため発光表示駆動に於ける消費電力を求め
るに際し発光に関与する電力を省略し、単なるコンデン
サーへの充放電電力を消費電力量と見なしても実際べ消
費される電力と大差はない。従って、上記範膜ＥＬ素子
を単なるコンデンサーＣと考え電圧Ｖ。を１回充放電す
るのに必要な電力量を求める。まず、従来から行なわれ
ている駆動方法に於ける充放電動作を簡略化して第２図
に示す。スイッチ５２４ｊ＝をＯＦＦ、スイッチＳ１を
ＯＮすることによって容量Ｃを抵抗Ｒを通して電圧Ｖ。
で充電する場合次式が成立する。
Ｒｉ ＋’ ｆ ｉ ｄ ｔ ＝ Ｅ
（１）（１）式を電荷ｑで書き改めると となる。
（１）（１）式を電荷ｑで書き改めると となる。
この式の一般解けよく知られている。（但し、ｔ＝０に
おいてｑ ＝ ｏと考える。、）即ち、。
おいてｑ ＝ ｏと考える。、）即ち、。
ｑ＝ｃＶｏ（１：ｅ （！Ｒ）・・・・・・・・・・・
画・・（３）抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量ＷＲ：
Ｗｃ はｔ−＋■において、（５）式（６）式は次の
値を示す。
画・・（３）抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量ＷＲ：
Ｗｃ はｔ−＋■において、（５）式（６）式は次の
値を示す。
示している。また、容量Ｃに蓄積されたエネルギーは、
スイッチＳ、を０ＦＦ１スイツチＳ２をＯＮすることに
よって放電される時抵抗Ｒで全て消費される。従って、
従来の方法において容量Ｃに電圧ｖ０を充放電するのに
必要な消費電力は合計ｃｖｏ”となることは明らかであ
る。
スイッチＳ、を０ＦＦ１スイツチＳ２をＯＮすることに
よって放電される時抵抗Ｒで全て消費される。従って、
従来の方法において容量Ｃに電圧ｖ０を充放電するのに
必要な消費電力は合計ｃｖｏ”となることは明らかであ
る。
第３図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。また第４図は第３図に示す駆動
回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される電圧波形
図である。
成を示す回路図である。また第４図は第３図に示す駆動
回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される電圧波形
図である。
電源電圧Ｖ。が供給されている回路の各端子ＩＮＩ 、
ＩＮ２．ＩＮ３ 、ＩＮ４に第４図で示すタイミングで
パルス電圧を印加することによりトランジスタＴｒのベ
ース電位が切換えられてスイッチングが行なわれ薄膜Ｅ
Ｌ素子８には交番パルス電界が印加されてシーソー駆動
されることになり、ＥＬ光発光得られる。即ち、端子Ｉ
ＮＩ及びＩＮ４にパルスが印加されるとトランジスタＴ
ｒ＋及びＴｒａが導通状態となり、トランジスタＴｒｌ
より薄膜ＥＬ素子８を介してトランジスタＴｒ。
ＩＮ２．ＩＮ３ 、ＩＮ４に第４図で示すタイミングで
パルス電圧を印加することによりトランジスタＴｒのベ
ース電位が切換えられてスイッチングが行なわれ薄膜Ｅ
Ｌ素子８には交番パルス電界が印加されてシーソー駆動
されることになり、ＥＬ光発光得られる。即ち、端子Ｉ
ＮＩ及びＩＮ４にパルスが印加されるとトランジスタＴ
ｒ＋及びＴｒａが導通状態となり、トランジスタＴｒｌ
より薄膜ＥＬ素子８を介してトランジスタＴｒ。
方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子８は充電状態となる０
次の期間で端子ＩＮ２のみにパルスを印加するとトラン
ジスタＴｒ２が導通状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電荷
は放電される０次に端子ＩＮ２及びＩＮ、３にパルスが
印加されるとトランジスタＴｒ２及びＴｒ３が導通状態
となり、トランジスタＴｒ３より薄膜ＥＬ素子８を介し
てトランジスタＴｒ２方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子
８は上記とは逆極性の充電状態となる。次の期間で端子
ＩＮ４のみにパルスを印加するとトランジスタＴｒ４が
導通状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電荷は放電される０ 上記パルス電圧の印加により薄膜ＥＬ素子８は交流駆動
され、８５発光パターンが得られる０本発明は技術的手
段を駆使することにより表示駆動のための上記消費電力
を低減し得る新規有用な薄膜ＥＬ表示装置の駆動方法を
提供することを目的とするものである。
次の期間で端子ＩＮ２のみにパルスを印加するとトラン
ジスタＴｒ２が導通状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電荷
は放電される０次に端子ＩＮ２及びＩＮ、３にパルスが
印加されるとトランジスタＴｒ２及びＴｒ３が導通状態
となり、トランジスタＴｒ３より薄膜ＥＬ素子８を介し
てトランジスタＴｒ２方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子
８は上記とは逆極性の充電状態となる。次の期間で端子
ＩＮ４のみにパルスを印加するとトランジスタＴｒ４が
導通状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電荷は放電される０ 上記パルス電圧の印加により薄膜ＥＬ素子８は交流駆動
され、８５発光パターンが得られる０本発明は技術的手
段を駆使することにより表示駆動のための上記消費電力
を低減し得る新規有用な薄膜ＥＬ表示装置の駆動方法を
提供することを目的とするものである。
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明する回路
の簡略構成図である。
の簡略構成図である。
以下、第５図に基いて本発明の１実施例を説明する。
：？？
′パ＾イッチＳ１、Ｓ２をＯＦＦ、スイッチＳ３をＯＮ
とし、電源ＫＶｏ （０＜ Ｋ ＜ １ ）で抵抗Ｒを
介し容量Ｃ（薄膜ＥＬ素子）を充電する。次にスイッチ
Ｓ２．Ｓ３をＯＦＦスイッチＳ、をＯＮにし、電源Ｖ。
とし、電源ＫＶｏ （０＜ Ｋ ＜ １ ）で抵抗Ｒを
介し容量Ｃ（薄膜ＥＬ素子）を充電する。次にスイッチ
Ｓ２．Ｓ３をＯＦＦスイッチＳ、をＯＮにし、電源Ｖ。
で容量Ｃを充電する。以後この充電方法をステップ駆動
法と称することとする０放電時においては従来の方法と
同様スイッチＳ２のみＯＮＬ放電する。次にこのステッ
プ駆動法による充放電に必要な電力量を求めると次の如
くとなる。
法と称することとする０放電時においては従来の方法と
同様スイッチＳ２のみＯＮＬ放電する。次にこのステッ
プ駆動法による充放電に必要な電力量を求めると次の如
くとなる。
電源Ｋｖｏからの充電によって抵抗Ｒおよび容量Ｃにお
ける電力量は（７）式より次の値が求まる。
ける電力量は（７）式より次の値が求まる。
次に電源Ｖ。から容量Ｃを充電子る場合の電力量は（２
）式およびｔ＝０のときｑ。＝ＣＫＶＯであること・・
・・・・・・・・・・・・θ１ となる。
）式およびｔ＝０のときｑ。＝ＣＫＶＯであること・・
・・・・・・・・・・・・θ１ となる。
ｔ′慢のにおいて（９）式（ト）式は次の値を示す。
従ってステップ駆動法による充電時の抵抗Ｒ１容量ＣＫ
ｉける電力量の各々の合計Ｗ’Ｒｓ ＋ Ｗｅ ｓは（
８）式０］）式（イ）式より次の値を示す。
ｉける電力量の各々の合計Ｗ’Ｒｓ ＋ Ｗｅ ｓは（
８）式０］）式（イ）式より次の値を示す。
２
Ｗｃｓ＝−ＣＶｏ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・−・・・・・・・・・
・・・・・・α→なお０４１式で示される容量Ｃに蓄積
されたエネルギーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される０
従って、ステップ駆動法において容量ＣＫ電圧Ｖ。を充
放電するのに必要な消費電力Ｗｓはα罎弐α→式より次
の値をとるＯ Ｗ ｓ ＝ ＷＲｓ ＋ Ｗｅ ｓ ００式の消費電力Ｗｓとパラメータにとの関係を第６図
に示す０ 図中の一点鎖線Ｐ、は従来の駆動法であり、曲線Ｐ２は
本実施例のステップ駆動法に対応する。
・・・・・・・・・・・・・・・−・・・・・・・・・
・・・・・・α→なお０４１式で示される容量Ｃに蓄積
されたエネルギーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される０
従って、ステップ駆動法において容量ＣＫ電圧Ｖ。を充
放電するのに必要な消費電力Ｗｓはα罎弐α→式より次
の値をとるＯ Ｗ ｓ ＝ ＷＲｓ ＋ Ｗｅ ｓ ００式の消費電力Ｗｓとパラメータにとの関係を第６図
に示す０ 図中の一点鎖線Ｐ、は従来の駆動法であり、曲線Ｐ２は
本実施例のステップ駆動法に対応する。
第６図か頓明うかなようにに＝−では消費電力Ｗｓは最
小値をとり、従来の方法と比較して消費電力３ は−になることが分る。
小値をとり、従来の方法と比較して消費電力３ は−になることが分る。
またステップ駆動法により薄膜ＥＬ表示装置を駆動した
場合上記原理とよく一致する実験的結果を得ている。
場合上記原理とよく一致する実験的結果を得ている。
第７図は上記ステップ駆動法を実現するための駆動回路
の１実施例を示す回路構成−である。第８図は第７図に
示す駆動回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される
パルス電圧の電圧波形図である。
の１実施例を示す回路構成−である。第８図は第７図に
示す駆動回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される
パルス電圧の電圧波形図である。
端子ＩＮＩ’ 、ＩＮ２’ 、ＩＮ３’及びＩＮ４’
には第４図同様にパルス電圧が印加される。ステップ駆
動法は端子ＩＮＳに印加されるパルスによって行なわれ
、薄膜ＥＬ素子８に印加される駆動パルスの立ち上りは
端子ＩＮＳに印加されるパルスの立ち上りに同期して２
段階に上昇する。また薄膜ＥＬ素子８に充電された電荷
は端子ＩＮ２’。
には第４図同様にパルス電圧が印加される。ステップ駆
動法は端子ＩＮＳに印加されるパルスによって行なわれ
、薄膜ＥＬ素子８に印加される駆動パルスの立ち上りは
端子ＩＮＳに印加されるパルスの立ち上りに同期して２
段階に上昇する。また薄膜ＥＬ素子８に充電された電荷
は端子ＩＮ２’。
ＩＮ４’ を選択してパルス−圧を印加することにより
従来と同様に放電されるｏトランジスタＴｒＩとＴｒ、
及びＴｒ２とＴｒ３を交互に導通させること素子８へ印
加される正逆パルスのケち上り途中でトランジスタＴｒ
５を導通させることによりシーソー駆動法にステップ駆
動法が霊前された駆動方式が確立される。
従来と同様に放電されるｏトランジスタＴｒＩとＴｒ、
及びＴｒ２とＴｒ３を交互に導通させること素子８へ印
加される正逆パルスのケち上り途中でトランジスタＴｒ
５を導通させることによりシーソー駆動法にステップ駆
動法が霊前された駆動方式が確立される。
以上詳説した如く本発明は薄膜ＥＬ素子が容量性素子で
あることを利用して駆動ｉｔ力を低減したものであり、
薄膜ＥＬ表示装置の駆動方法として非常に有効な技術で
ある０
あることを利用して駆動ｉｔ力を低減したものであり、
薄膜ＥＬ表示装置の駆動方法として非常に有効な技術で
ある０
第１図は薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す構成図である
。 第２図は従来の駆動方法に於ける充放電動作を説明する
説明図である。 第３図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である− 第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明する回路
の簡噸都成図である。 第６図は従来の駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電
力を比較して説明する説明図である。 第７図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路の構成図である０第８図は第７図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である０ ８・・・薄膜ＥＬ素子、ＴｒＩ＋ Ｔｒ２ ＋ Ｔｒ３
＋ Ｔｒｓ ＋Ｔｒ５・・・トランジスタ 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 ｉ ｌ 図 第２ｒＡ ｎ 第３図 ／＃／ 。 ■ 第 ７ 図 第８ 図
。 第２図は従来の駆動方法に於ける充放電動作を説明する
説明図である。 第３図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である− 第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明する回路
の簡噸都成図である。 第６図は従来の駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電
力を比較して説明する説明図である。 第７図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路の構成図である０第８図は第７図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である０ ８・・・薄膜ＥＬ素子、ＴｒＩ＋ Ｔｒ２ ＋ Ｔｒ３
＋ Ｔｒｓ ＋Ｔｒ５・・・トランジスタ 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 ｉ ｌ 図 第２ｒＡ ｎ 第３図 ／＃／ 。 ■ 第 ７ 図 第８ 図
Claims (1)
- １、電界の印加に応答してＥＬ発光を呈する薄膜ＥＬ表
示装置の駆動方法に於いて、ＥＬ発光を得る駆動電圧値
Ｖ。のに倍（０＜Ｋ＜１）の値を有する電圧を印加して
前記薄膜ＥＬ表示装置を充電した後継続してＶ。の値を
有する電圧を印加し、前記薄膜ＥＬ表示装置の容量性に
基いてステップ状に立ち上る駆動パルス電圧でＥＬ発光
動作を行なわしめることを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置
の駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13792981A JPS5838996A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| US06/412,377 US4594589A (en) | 1981-08-31 | 1982-08-27 | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage |
| DE19823232389 DE3232389A1 (de) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Verfahren und treiberschaltung zum erregen von duennschicht-elektrolumineszenz-anzeigetafeln |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13792981A JPS5838996A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838996A true JPS5838996A (ja) | 1983-03-07 |
| JPH0245197B2 JPH0245197B2 (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=15209981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13792981A Granted JPS5838996A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838996A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156327A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
| JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13792981A patent/JPS5838996A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156327A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
| JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245197B2 (ja) | 1990-10-08 |
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