JPS5836455B2 - タンザクビ−ムヨウマイクロハイオンゲン - Google Patents
タンザクビ−ムヨウマイクロハイオンゲンInfo
- Publication number
- JPS5836455B2 JPS5836455B2 JP50119738A JP11973875A JPS5836455B2 JP S5836455 B2 JPS5836455 B2 JP S5836455B2 JP 50119738 A JP50119738 A JP 50119738A JP 11973875 A JP11973875 A JP 11973875A JP S5836455 B2 JPS5836455 B2 JP S5836455B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- discharge chamber
- ion source
- discharge
- tanzak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は短冊ビーム用マイクロ波イオン源の放電室の改
良に関するものである。
良に関するものである。
第1図は短冊ビーム用マイクロ波イオン源の構成を示す
図である。
図である。
第1図においてマイクロ波発振器1で発生したマイクロ
波は、立体回路2・モ通り放電室3に伝送される。
波は、立体回路2・モ通り放電室3に伝送される。
放電ダ3には磁場コイル4による直流磁場が、マイク・
フ波電界に対して直角方向に印加されており、こ1″′
Lらの相互作用により放電室3内の試料ガスがプラズマ
になる。
フ波電界に対して直角方向に印加されており、こ1″′
Lらの相互作用により放電室3内の試料ガスがプラズマ
になる。
放電室3内で生成されたプラズマのうちイオンは、長方
形の穴のあいた引出し電極系5により、短冊形イオンビ
ーム6として取り出される。
形の穴のあいた引出し電極系5により、短冊形イオンビ
ーム6として取り出される。
第2図は従来技術による短冊ビーム用マイ7口波イオン
源の放電室を示す図である。
源の放電室を示す図である。
マイクD波はこの図でAの上方からりツジ形電極7に供
給される。
給される。
8の部分にはマイクロ波が放電室内でカットオフになら
ないようにするためと、プラズ7発生部分をリツジ形電
極γの間にのみ限定するために絶縁物が入れてある。
ないようにするためと、プラズ7発生部分をリツジ形電
極γの間にのみ限定するために絶縁物が入れてある。
一般に第3図に示すようなりツジ形断面の導波管のカッ
トオフ波長λCは、 で求められ、使用しているマイクロ波の波長が、λCよ
り大きい場合カットオフとなり、マイクロ波は電送され
なくなる。
トオフ波長λCは、 で求められ、使用しているマイクロ波の波長が、λCよ
り大きい場合カットオフとなり、マイクロ波は電送され
なくなる。
また、このようなイオン源の動作中において放電電極7
は、電子およびイオンの衝撃により加熱される。
は、電子およびイオンの衝撃により加熱される。
したがって、この放電電極7を外部から冷却することが
必要となる。
必要となる。
この冷却効果を上げるためには放電電極7と放電室を一
体構造で作るのが有効である。
体構造で作るのが有効である。
しかし、第2図に示すような従来技術の放電室では、構
造が複雑なため放電電極7と放電室を一体構造にするこ
と、および充てん用の絶縁物8の作成が容易でない。
造が複雑なため放電電極7と放電室を一体構造にするこ
と、および充てん用の絶縁物8の作成が容易でない。
本発明の目的は、放電室の性能を低下させることなく構
造を簡単にし、上記の欠点をなくすことにある。
造を簡単にし、上記の欠点をなくすことにある。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第4図は本発明の放電室の構造を示すもので、マイクロ
波はこの図でAの場合上方からBの場合紙面に垂直で手
前からりツジ形電極7に供給される,リソジ形電極の間
隔は5 mm,幅は20間で、リツジ形電極以外の部分
8は直径157Il1lの窒化ボロン丸棒である。
波はこの図でAの場合上方からBの場合紙面に垂直で手
前からりツジ形電極7に供給される,リソジ形電極の間
隔は5 mm,幅は20間で、リツジ形電極以外の部分
8は直径157Il1lの窒化ボロン丸棒である。
この放電室のカットオフ波長は、第3図に近似させて計
算すると約10CI′I′Lであり、使用しているマイ
クロ波( 2.4 5 GHz)がこの放電室を通ると
きの波長は窒化ボロンの比誘電率が約4であるから約6
CrrLとなり、マイクロ波はカットオフにならず放電
室内にプラズマを発生させることができる。
算すると約10CI′I′Lであり、使用しているマイ
クロ波( 2.4 5 GHz)がこの放電室を通ると
きの波長は窒化ボロンの比誘電率が約4であるから約6
CrrLとなり、マイクロ波はカットオフにならず放電
室内にプラズマを発生させることができる。
また、第5図は別の実施例を示すもので、本発明により
放電室を一体構造にすることが容易にできるので冷却パ
イプ9を放電電極Tの近くまで通すことができ、放電電
極7の冷却効果をあげることができる。
放電室を一体構造にすることが容易にできるので冷却パ
イプ9を放電電極Tの近くまで通すことができ、放電電
極7の冷却効果をあげることができる。
このように、放電室においてリツジ形電極以外の部分を
円柱状にすることにより構造が簡単になり、放電室を一
体構造にして冷却効果をあげることができる。
円柱状にすることにより構造が簡単になり、放電室を一
体構造にして冷却効果をあげることができる。
また、充てん用の絶縁物の作成も容易になる。
第1図は短冊ビーム用マイクロ波イオン源の構成を示す
図、第2図は従来技術による放電室を示す図、第3図は
りツジ導波管中のカットオフ波長の説明図、第4図は本
発明による放電室を示す図、第5図は冷却効果をあげた
放電室を示す図である。 図中、1・・・・・・マイクロ波発振器、2・・・・・
・マイクロ波立体回路、3・・・・・・マイクロ波放電
室、4・・・・・・磁場コイル、5・・・・・・イオン
引出し電極系、6・・・・・・イオンビーム、T・・・
・・・リツジ形電極、8・・・・・・絶縁物、9・・・
・・・冷却剤流路。
図、第2図は従来技術による放電室を示す図、第3図は
りツジ導波管中のカットオフ波長の説明図、第4図は本
発明による放電室を示す図、第5図は冷却効果をあげた
放電室を示す図である。 図中、1・・・・・・マイクロ波発振器、2・・・・・
・マイクロ波立体回路、3・・・・・・マイクロ波放電
室、4・・・・・・磁場コイル、5・・・・・・イオン
引出し電極系、6・・・・・・イオンビーム、T・・・
・・・リツジ形電極、8・・・・・・絶縁物、9・・・
・・・冷却剤流路。
Claims (1)
- 1 対向し合う電極面が実質的に平行となるようにして
配設された一対の電極間に形成される放電空間内にマイ
クロ波放電プラズマを生成させ、該プラズマ中からイオ
ンビームを引き出すようにしたマイクロ波イオン源にお
いて、上記両電極面のイオンビーム引き出し方向とは直
角な方向における両端部間をイオンビームの引き出し方
向と平行にのびる円柱状の絶縁物からなる壁部材をもっ
て仕切ってなることを特徴とする短冊ビーム用マイクロ
波イオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50119738A JPS5836455B2 (ja) | 1975-10-06 | 1975-10-06 | タンザクビ−ムヨウマイクロハイオンゲン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50119738A JPS5836455B2 (ja) | 1975-10-06 | 1975-10-06 | タンザクビ−ムヨウマイクロハイオンゲン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5244155A JPS5244155A (en) | 1977-04-06 |
JPS5836455B2 true JPS5836455B2 (ja) | 1983-08-09 |
Family
ID=14768893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50119738A Expired JPS5836455B2 (ja) | 1975-10-06 | 1975-10-06 | タンザクビ−ムヨウマイクロハイオンゲン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5836455B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4354901A (en) * | 1979-10-05 | 1982-10-19 | Personal Products Company | Flexible absorbent boards |
FR2510628B1 (fr) * | 1981-08-03 | 1985-07-12 | Personal Products Co | Feuille absorbante stabilisee, notamment pour tampons hygieniques et couches |
JPS63147459A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | 昭和電工株式会社 | 吸収体 |
ATE193823T1 (de) * | 1994-03-01 | 2000-06-15 | Procter & Gamble | Drei-zonen binde |
JP4289837B2 (ja) | 2002-07-15 | 2009-07-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 |
JP4328067B2 (ja) | 2002-07-31 | 2009-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 |
-
1975
- 1975-10-06 JP JP50119738A patent/JPS5836455B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5244155A (en) | 1977-04-06 |
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