JPH0512727B2 - - Google Patents

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JPH0512727B2
JPH0512727B2 JP55189395A JP18939580A JPH0512727B2 JP H0512727 B2 JPH0512727 B2 JP H0512727B2 JP 55189395 A JP55189395 A JP 55189395A JP 18939580 A JP18939580 A JP 18939580A JP H0512727 B2 JPH0512727 B2 JP H0512727B2
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electrodes
magnetic field
region
electrode
space
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JPS56111916A (en
Inventor
Jei Haabei Robin
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Raytheon Co
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Hughes Aircraft Co
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Publication date
Application filed by Hughes Aircraft Co filed Critical Hughes Aircraft Co
Publication of JPS56111916A publication Critical patent/JPS56111916A/ja
Publication of JPH0512727B2 publication Critical patent/JPH0512727B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/02Details
    • H01J17/14Magnetic means for controlling the discharge

Landscapes

  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は所定圧力のガスが封入された1対の
電極間の電極間空間で内部電極電界及び磁界が交
叉しているグローモード放電を用いた交叉電磁界
形導電制御装置に関する。ガス及び磁界状態は、
低圧力グロー・モード・プラズマ放電を制御する
ことによつて1対の電極間の導電制御がなされる
ように保たれている。
[従来の技術] 従来の交叉電極磁界管及びペニングの放電管
は、高精度のシンメトリー(一様)性を有するよ
うに構成されている。大電力のオフ・スイツチン
グで用いられる交叉電磁界スイツチ装置において
は、プラズマの一様な分布が要求される。従つ
て、電界及び磁界のベクトル積E×Bの方向に旋
回するイオン化電子を導びく内部電極領域の全体
に亘つて磁界が生ずるように設計されている。磁
界が臨界値以下にまで減少されるときには、強力
な電子は一様にアノードで消失され、プラズマの
発生は電極間空間の全てに亘つて停止する。この
ことは、シヤープなオン・オフを有する双安定作
動特性は磁界に依存することを示す。
発明者R.J.ハーベイ(Harvey)の米国特許No.
4071801には磁界の制御によつて単一の内部電極
空間或はギヤツプ内を流れる電流のオン・オフを
行なう交叉電磁界スイツチ装置が開示されてい
る。発明者H.E.ギヤラハー(Gallagher)及びウ
オルフガングノイアー(Wolfgang Knauer)の
米国特許No.3906270及びNo.3963960は、いずれもオ
ンおよびオフの双安定状態を持つスイツチの構造
をその対象としている。発明者ギヤラハー及びノ
イアーの米国特許No.3906270は、いずれの極性に
あつても即ち磁界の方向に関係なく実質的に一様
な導電性を電極間空間に与えるように磁界を形成
した単一電極間空間の交叉電磁界スイツチ装置が
開示されている。
上記2つの米国特許は、ペニング(Penning)
の米国特許No.2182736及びバウチヤー(Boucher)
の米国特許No.3215893及びNo.3215939に示されてい
るような従来の交叉電磁界装置と実質上同一視さ
れるものである。他方、ギヤラハー及びノイアー
の米国特許No.3963960は、3電極によつて2個の
内部電極空間を形成したスイツチ装置を示し、こ
れは、G.A.Gホフマン等(Hofman etal)の米国
特許No.3641384に述べられた2つの内部電極空間
を有する3電極構造を有する従来技術と略同一視
されるものである。
更に、ロビンJ.ハーベイ(Robin J.Harvey)
の米国特許No.4123683は更に他の構成の交叉電磁
界スイツチ装置を開示している。この装置におい
ては、2つの円筒状電極を同心状に配置し、その
円筒軸方向に延びる2つの円筒状電極の間に電極
間空間を与えている。以上述べた各米国特許は、
全てオン・オフの2つの安定状態を有するスイツ
チ装置であつて、それらのいくつかは、オフ時に
シヤープなカツトオフ状態が得られることから特
に有用であると思われる。
[発明が解決しようとする課題] この発明の目的は、電極間空間内のプラズマ密
度が磁界の制御によつて調整され、内部電極電流
を制御するグローモード放電を用いた交叉電磁界
形導電制御装置を提供するにある。
[課題を解決するための手段] この発明によれば、電極間空間をへだてて配置
した第1および第2の電極と、 前記第1、第2電極の間の電極間空間内に電界
を与えてこの第1、第2の電極間にグロー放電に
よるイオンを発生させるように、前記第1、第2
の電極間に電位差を与える手段と、 前記電極間空間内に所定ガスを維持し、このガ
スと前記グロー放電によるイオンとの間で連鎖的
にイオン化によるイオンを発生させるために充分
な所定圧力で前記所定ガスを維持するための囲繞
手段と、 前記電極間空間内の前記電界と所定角度で交叉
する磁界を発生させてこの電極間空間内に交叉磁
界領域を形成し、この交叉電磁界領域に生じた付
勢されたイオンによる連鎖的イオン化によりプラ
ズマを発生させ、第1、第2の電極間のプラズマ
密度、即ち前記連鎖的イオン化より生じた電極間
の電流を制御して、グローモードのプラズマ放電
による導電制御を行なうための磁界発生手段と、 を具備したグローモード放電を用いた交叉電磁
界形導電制御装置が提供される。
[作用] 本発明装置においては、両端に開口端を有する
磁性トラツプを有する交叉電磁界を形成するため
に、この両開口端で終端するトラツプ磁界を発生
させ、この磁性トラツプに対応する電極間空間内
のプラズマ密度を連続制御する。
そのプラズマ密度の連続制御により、電極間の
電流の連続制御を行なう。その作用は例えば、後
述の実施例では以下に記載するとおりである。
内部電極12の外面及び外部電極14の内面は
電極間空間16に対向し、これらの面は電極間空
間16内のプラズマに作用する電気的な作用面と
して働く。外部電極14は電極間空間の外囲器と
して働き、この電極間空間に所定圧力の所定ガス
を供給する。
電磁石の作用脚30は励磁された際に電極間空
間内に臨界値以上の磁界を生じさせる。電磁石の
コイルは電界に対して所定角度で交叉する(この
実施例では直交)磁界を生ずる。
ガス圧力及びガス組成が許容値内にあり、適切
な電界及び磁界が存在すれば、ガスと電子の衝突
により連鎖的なイオン化によるイオンを生じ、電
極間空間16内に導電性のプラズマを生ずる。こ
のようなプラズマは、内部及び外部電極間で電極
上の電界極性に依存する方向に電子電流導通を与
える。
すなわち、電界と磁界のベクトル積によつて与
えられる方向に導びかれる強力に付勢された電子
は、磁界端の終端領域48側のアノードで消失す
るが、領域48で電子が消失する前にこれらの電
子によつて発生された十分高いレベルのイオンが
存在するので、持続するプラズマを発生し、その
プラズマは磁界の電子トラツプの始端領域46の
上流端まで延在するようになりイオン、励起され
た中性子又はフオトンの衝突のような2次電子発
生過程によつて、領域46で新たに強力な電子を
再発生する。
電子経路長は幾何学的に領域46,48間の作
用脚30の長さL及び磁界の強さBに関係してい
ることから、これらの値が増加すればイオン化効
率が増加する。同様に、中性ガス密度nを増加す
れば、イオン化に対する平均自由行程が減少し、
イオン化効率が増加する。
磁界トラツプの両端の開放端におけるイオント
ラツプ特性は、端部の磁界の強さに関連してい
る。電子がトラツプ磁界Bの端部領域48から外
れると、トラツプから外れるために電子はアノー
ド電極12で消失する。但し、磁界を与えるコイ
ルが環状に連続したものであれば、電子は途中で
消失することなく、連続した磁界中を進み続け
る。
コイルが終端するとトラツプはその場所で開放
される。電極間空間16中の磁界は磁界コイルの
作用脚30下のみ強い。このことは一般に磁界が
作用する作用脚30下の領域に沿つてのみ電子ド
リフトする経路を与えることとなる。作用脚30
の長さは、少なくともイオンの平均自由行程長以
上を、トラツプの始端領域46から終端領域48
までの理論的な電子経路長に対して与えるだけの
寸法になつている。
十分な量の電流が作用脚30のコイルに供給さ
れた時には、外部電極14からのカソード・エミ
ツシヨンによつて領域46で生じた電子は、カー
ブした磁界ラインにより一時的にトラツプされ、
電子がアノード電位の内部電極12で消失される
電極間空間内の近接領域48に後述するような複
雑な態様で、ドリフトする。
[実施例] 以下図面を参照しながら、この発明の一実施例
について説明する。
この実施例のグローモード放電を用いた交叉電
磁界形導電制御装置は第1図及び第2図の符号1
0で示されている。この装置は、アノード電極即
ち、内部電極12及びカソード電極即ち、外部電
極14から成り、これらの電極は、電極間空間1
6の境界を定めている。内部電極12の外面及び
外部電極14の内面は電極間空間16に対向し、
これらの面は電極間空間16内のプラズマに作用
する電気的な作用面として働く。外部電極14は
電極間空間16の外囲器として働き、従つてこの
電極間空間16に所定圧力の所定ガスを囲繞する
ことができる。更に内部電極12は外部電極14
及び内部電極12が電気的に分離されるように例
えば、米国特許No.4123683(発明者ロビン・J・ハ
ーベイ)に示されるように絶縁塔18,20及び
22内の絶縁材によつて外部電極14内に支持さ
れている。第3図に示されるように電気接点がラ
イン24及び26に接続する為に両電極12,1
4に設けられている。このライン24及び26に
より電極間空間16に電界を印加することができ
る。
電極間空間16内で両端に開放端を有するトラ
ツプ磁界は、電磁石28によつて与えられる。こ
の電磁石28は、外部電極14外に隣接し、電極
12,14の軸方向に沿つて配置された作用脚3
0を有し、コイル形状に形成されている。この電
磁石28は側部脚34及び36のみならず不作用
脚32をも有している。この側部脚34,36及
び不作用脚32は、電極間空間16内に実質的な
磁気的影響を与えないように配置されている。然
しながら、作用脚30は励磁された際にこの作用
脚30が電極間空間16内に臨界値以上のトラツ
プ磁界を生じさせるように配置されている。電磁
石28の作用脚30のコイルは、第1図及び第2
図の矢印38によつて示されるトラツプ磁界が、
電極間空間16内の電界に対して所定角度で交叉
するように、この実施例では直交して生ずるよう
に巻回されている。第1図及び第3図に示される
ように、充電キヤパシタ42及びスイツチ44に
よつて表わされる電流源で形成された電力供給源
40は、よじられた供給ラインを介して電流を電
磁コイル28に供給して、外部からの電界、磁界
の影響を中性化している。このようにして、上述
した臨界値のトラツプ磁界が電極間空間16内の
電界に対して直角に発生され交叉電磁界が形成さ
れる。
電極間空間16内の交叉電磁界においてガス圧
力及びガス組成が許容値内にあり、適切な電界及
び磁界が存在すれば、ガスと電子の衝突により連
鎖的なイオン化を生じ、電極間空間16内に導電
性のプラズマを生ずる。このようなプラズマは、
内部及び外部電極12,14間で電極上の電界極
性に依存する方向に電流の導通を与えることとな
る。第1、第2図に示した実施例装置では領域4
8で電子が消失する前に、領域46からドリフト
して来た電子によつて発生された十分高いレベル
のイオンが電極間空間16内に存在するので、持
続するプラズマを発生し、そのプラズマはトラツ
プ磁界の領域46における始端まで延在するよう
になりイオン、励起された中性子及びフオトンの
衝突のような2次電子発生過程により領域46で
新たに強力な電子を再発生する。再発生の効率
は、各電子が磁界によつて旋回され、カソード降
下せずに反射され、領域46から領域48までの
チヤンネルをドリフトし、アノード電極12で消
失されるような状態での全電子経路長に依存して
いる。もしこの経路長がイオンの平均自由行程に
比べて長ければ、第2図の符号50で示されるよ
うな追加的なプラズマを発生する。電子経路長は
幾何学的に領域46,48間のコイルの作用脚3
0の長さL及び磁界の強さBに関係していること
から、これらの値が増加すればイオン化効率が増
加する。同様に、中性ガス密度nを増加すれば、
イオンの平均自由行程が減少し、電子再発生の効
率が向上する。
磁界トラツプの両開放端におけるトラツプ特性
は、電子に作用する両トラツプ端部の磁界の強さ
に関連している。電子がトラツプ磁界Bの端部領
域48から外れると、電子はアノード電極12で
消失する。トラツプという語は、電子が電極間空
間16をドリフトしているときに作用脚30によ
る磁界が作用する交叉電磁界内に電子が閉じ込め
られるという意味である。この作用脚30上のコ
イルによる磁界が終端するときには、トラツプは
その場所で開放される。従つてこの実施例ではト
ラツプ磁界は作用脚30に対応し、両端が開放さ
れるものとする。
第2図は、電極間空間16中の磁界が磁界コイ
ルの作用脚30下でのみ強いことを示している。
このことは一般に磁界が作用する作用脚30下の
領域に沿つてイオンがドリフトする経路を与える
こととなる。作用脚30の長さは、略イオンの平
均自由行程或いは、これよりも大きな、領域46
から領域48までの理論的な電子経路長を与える
ようになつている。十分な数のイオンとガスの衝
突があれば、連鎖的なイオン化が引き起こされ
る。イオン化はトラツプの長さ、磁界の強さ及び
電極間空間16中のガス圧の指数関数として増加
する。
第1及び第2図中の制御装置10における電極
間空間16には、パツシエンのブレーク・ダウン
限界以下の圧力のガスが充填されている。電極間
空間16内に作用脚30から与えられるトラツプ
磁界が零である場合には電極12,14間に高電
圧が印加されていても、グロー放電が生じるのみ
で殆んど無視できる電流が流れるのみである。作
用脚30は、外部電極14の外壁に平行であり、
十分な高電流がその作用脚30のコイルに供給さ
れた時には、外部電極14からのカソード・エミ
ツシヨンによつて領域46で生じた電子は、電極
間空間16内のカーブした磁力線例えば、磁力線
38によつて一時的にトラツプされ、電子がアノ
ード電位の内部電極12で消失されるまで、電極
間空間16内の領域48に向つて複雑な態様でド
リフトする。複数の磁界が相互干渉せず、プラズ
マ領域が結合しないならば、いくつかのそのよう
なトラツプ磁界を同一のハウジング内で、同様の
電極間空間を有する複数の異なる領域において設
けることができる。
第3図は電源として予め充電されたキヤパシタ
42を有し、更に電極12,14に直列の抵抗5
4を備え、電極12,14を流れる主電極電流を
この抵抗54で平滑並びに制限するテスト回路を
示している。第4図は時間の関数として電極間空
間16内を流れる電流Iを示す曲線50が示され
ている。この曲線50は、時間の関数として電極
間空間16内の作用脚30の前面のトラツプ磁界
内の磁界の強さBを示す曲線52と対応づけられ
る。t=0でスイツチ44を閉じた瞬間からの時
間の経過とともに曲線50に示すように、電極1
2,14間を流れる電流は、抵抗54、キヤパシ
タを介して安定化された電圧源56から印加され
るが、電圧が略一定であるにも拘らず、曲線52
で示す磁界の強さBの変化とともに変化する。曲
線50における電流のt=0からの初期増加は電
極間空間16のプラズマの形成並びに統計的な遅
れ時間に基いて磁界の強さの増加に対して通常遅
れる。曲線50におけるt=1の最初のピーク点
Pm′以降の電流波形は後述するように安定且つ再
現可能である。
第3図、第4図において、t=0の時点でスイ
ツチ44が閉じられると、充電されたキヤパシタ
42からの電流が電磁石28に流れ、磁界38が
作用脚30から発生される。電極間空間16にお
ける磁界の強さBは第4図の曲線52で示され、
時点t=1における最初のピーク値Pmまで増加
し、次いでt=2でゼロになる。t=2の時点で
キヤパシタ42は逆方向に充電され、電磁石28
のコイルにも反対方向にt=2からt=4まで電
流が流れ、磁界の強さはt=0からt=2までと
同様に増加し、減少する。尚、第4図でスイツチ
44が閉じられる時点t=0より以前では磁界3
8はゼロであり、従つて、電流Iもゼロである。
t=1で電極12,14間を流れる電流I(曲
線50)が第1のピーク値Pm′となり、磁界の減
少とともに減少するが、t=3では磁界が反転し
て最大となるので、第2のピーク値Pm″を示す。
電極12,14間の電流Iは最初のピーク値
Pm′以降では、後述する近似式(1)で示すように、
変数を含まない定数のみで表わされるため、安定
且つ再現可能であり、換言すれば、安定な導電制
御が行い得ることを示している。
第5図は、磁界B印加以前(第4図のt=0よ
り前)に印加された第3図のキヤパシタ56の両
端電圧の初期値を種々に変化させた場合におけ
る、時間に関するカソード電圧に対するアノード
電圧の変化を示している。電極12,14間に印
加された電圧は、電流の関数として抵抗54を介
して流れる電流に基いて低下する。前記従来の技
術の項に示した従来の交叉電磁界スイツチ装置に
おいては、この電圧は電極およびプラズマによる
電圧降下により固定値まで低下する。一方、この
実施例の場合には、電極12,14間の電圧は、
磁界強度Bと内部電極電流I及び始動電圧V0
関数として定まる平衡値Vnに達する。磁界Bの
所定の値に対して、内部電極電流Iは、始動電圧
V1の特定値で最大値を示す。この平衡値Vnは、
略磁界Bとともに増加する。内部電極電流Iにつ
いてのトラツプ長L、中性ガス密度n及び磁界B
に対する依存性をイオン化係数Aを用いて概略的
に表現すれば、略下記のように表わされる。
IA exp(L/L0・B/B0・n/n0・a)……(1) ここでサブスクリプトの0は、この値から変化
が始まる一般的な関係の特定例を表わし、指数関
数は、次の類数で累乗されるネイピア定数の関数
である。典型的なトラツプ磁界では、A0は略200
アンペアであり、L0は略20cm、B0は略200ガウ
ス、ガス密度n0は略1.7×1015cm-3及び幾何学的定
数aは通常1から2の間である。
もし、第1、第2図の実施例において、電極1
2,14間に高電圧が与えられた状態で作用脚3
0の領域46側に隣接して他のイオン発生源(例
えば、t=0より僅か前の短かい期間にパルス電
磁が与えられる作用部30と同様構成の他の磁界
コイル)から発生された追加的なイオンが領域4
6に存在すれば、イオン化が更に促進され、イオ
ン化係数Aは次式で表わされるものとなる。
A→A0+A1 exp(−X/L0−t/t0)……(2) ここで、X及びtは、領域46から上記他のイ
オン発生源までの空間の距離及び時間であり、上
記追加的なイオンが発生するまでの時間は、 t0120μsecである。
これらの実験結果は、前述したようにプラズマ
放電を再現可能な態様で制御することができるこ
とを示す。
その結果、電極間空間を通じて流れる電流を制
限することができるので、大電力での電流制御を
容易に実現することができる。
[発明の効果] 本発明装置は前述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
(1) 両端に開口端を有する磁気トラツプを有する
交叉電磁界を形成することによりこの両開口端
で終端するトラツプ磁界を発生させ、このトラ
ツプ磁界に対する電極間空間内のプラズマ密度
を連続制限することができる。
(2) 前記プラズマ密度の連続制御により、電極間
空間を介して流れる電流を連続制御することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明のグローモード放電を用い
た交叉電磁界形導電制御装置を示す斜視図、第2
図は、第1図の一部を破断して示す断面図、第3
図は、この発明に用いられるスイツチング制御装
置を示す回路図、第4図は、この発明の制御装置
における磁界の強さに対する電流の変化を示すグ
ラフ、第5図は、種々の内部電極始動電圧につい
ての時間に対する内部電極電圧の変化を示すグラ
フである。 10……交叉電磁界形導電制御装置、12……
内部アノード電極、14……外部カソード電極、
16……電極間空間、18,20,22……絶縁
塔、24,26……ライン、30……作用脚、3
2……不作用脚、34,36……側部脚、42…
…充電キヤパシタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 電極間空間をへだてて配置した第1及び第2
    の電極と、 前記第1、第2電極の間の電極間空間内に電界
    を与えてこの第1、第2の電極間にグロー放電に
    よるイオンを発生させるように、前記第1、第2
    の電極間に電位差を与える手段と、 前記電極間空間内に所定ガスを所定圧力で維持
    し、このガスと前記グロー放電によるイオンとの
    間で連鎖的にイオン化によるイオンを発生させる
    ために充分な所定圧力で前記所定ガスを維持する
    ための囲繞手段と、 前記電極間空間内で前記電界と所定角度で交叉
    し、且つ両端に開放磁界端を有する磁界を発生さ
    せてこの電極間空間内に前記開放磁界端で局限さ
    れた交叉電磁界領域を形成する手段であつて、こ
    の電極間空間内の前記両端の開放磁界端に対応す
    る第1の領域から第2の領域までの間に局限され
    た不連続の電流路を形成する手段を有し、前記電
    界および磁界が与えられると、この交叉電磁界領
    域に生じた付勢されたイオンによる連鎖的イオン
    化によりプラズマを発生させ、第1、第2の電極
    間のプラズマ密度が前記第1の領域の近傍におい
    てイオンの再発生を生じさせ第2の領域の近傍で
    第2の電極に集められる電子によつて制御される
    ように、このプラズマ密度、即ち前記連鎖的イオ
    ン化により生じた電極間の前記第1の領域から第
    2の領域までの帰還路を持たない一方向の前記電
    流路に於ける電流を制御して、グローモードのプ
    ラズマ放電による導電制御を行なうための磁界発
    生手段と、 を具備したグローモードプラズマ放電を用いた交
    叉電磁界形導電制御装置。 2 電極間空間をへだてて配置した第1及び第2
    の電極と、 前記第1、第2電極の間の電極間空間内に電界
    を与えてこの第1、第2の電極間にグロー放電に
    よるイオンを発生させるように、前記第1、第2
    の電極間に電位差を与える手段と、 前記電極間空間内に所定ガスを所定圧力で維持
    し、このガスと前記グロー放電によるイオンとの
    間で連鎖的にイオン化によるイオンを発生させる
    ために充分な所定圧力で前記所定ガスを維持する
    ための囲繞手段と、 前記電極間空間内で前記電界と所定角度で交叉
    し、且つ両端に開放磁界端を有する磁界を発生さ
    せてこの電極間空間内に前記開放磁界端で局限さ
    れた交叉電磁界領域を形成する手段であつて、こ
    の電極間空間内の前記両端の開放磁界端に対応す
    る第1の領域から第2の領域までの間に局限され
    た不連続の電流路を形成する手段を有し、前記電
    界および磁界が与えられると、この交叉電磁界領
    域に生じた付勢されたイオンによる連鎖的イオン
    化によりプラズマを発生させ、第1、第2の電極
    間のプラズマ密度が前記第1の領域の近傍におい
    てイオンの再発生を生じさせ第2の領域の近傍で
    第2の電極に集められる電子によつて制御される
    ように、このプラズマ密度、即ち前記連鎖的イオ
    ン化により生じた電極間の前記第1の領域から第
    2の領域までの帰還路を持たない一方向の前記電
    流路に於ける電流を制御して、グローモードのプ
    ラズマ放電による導電制御を行なうための磁界発
    生手段と、 を具備し、 前記交叉電磁界領域の第1の領域から第2の領
    域までの間に局限された不連続の電流路を形成す
    る手段は、 第1、第2の電極の一方に近接して設けられ、
    各電極の長軸の一部と平行な長軸を有し、前記局
    限された不連続の電流路を定める作用部と; この作用部の両端に設けられた各電極からその
    軸と直交する方向に離間して延びる側部と; 各電極から離れた方の側部の終端同士を互いに
    接続する非作用部を有し、前記作用部のみによつ
    て電極間空間内に一定値以上の磁界を発生させる
    ことを特徴とする、グローモードプラズマ放電を
    用いた交叉電磁界形導電制御装置。
JP18939580A 1979-12-26 1980-12-26 Cross electromagnetic conduction controller Granted JPS56111916A (en)

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US06/106,622 US4322661A (en) 1979-12-26 1979-12-26 Cross-field plasma mode electric conduction control device

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JPS56111916A JPS56111916A (en) 1981-09-04
JPH0512727B2 true JPH0512727B2 (ja) 1993-02-18

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JPS56111916A (en) 1981-09-04
FR2472830A1 (fr) 1981-07-03
US4322661A (en) 1982-03-30

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