SU525377A1 - Плазменный источник ионов - Google Patents

Description

дитс  под отрицательным потенциалом относительно электродов 1 и 3. Магнитные катушки 5 и 6 создают магнитное поле пробочной конфигурации. Электроны, эммитируемые термокатодом 1, ускор ютс  полем анода 2, пролетают его и, отража сь от антикатода 3, осциллирзют около анода 2. Магнитные пробки ограничивают уход частнц иа торцовые стенки камеры и привод т к осцилл ции электронов в продольном направлении, что способствует дополнительной ионизацип газа. Радиальный поток ионов выт гиваетс  из плазмы под действием пол  извлекающего электрода 4. Величину магнитного нол  подбирают так, чтобы Ларморовскне радиусы электронов были малы по сравнению с характерными цонеречными размерами камеры mcVt

В

еа

где 1/1 - компонента скорости

.магнитного пол .

При давлении пор дка 10- мм рт. ст. выигрыш в токе по сравнению с источником без адиабатической логзушки составл ет 2-3 раза. Ионный ток нри этом может сниматьс  со всей боковой поверхности источника.

Другое преимуш ество ионного источника с адиабатической магнитной ловушкой заключаетс  в том, что осцилл ции электронов между област ми сильного магнитного пол  увеличивают полный пробег электронов и, следовательно, число образуемых ими ионов.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Плазменный источник ионов, содержаший цилиндрическую камеру, помещенную внутри магнитной системы, термокатод, коаксиальный сеточный анод, отличающийс тем , что, с целью увеличени  полного тока, между цилиндрической стенкой камеры и анодом коаксиально помещен сепоперек точный антикатод, а магнитна  система образована двум  соленоидами, расположенны .ми на торцах камеры.

   4г±г

   X

   I I I

   L