JPS5833857A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5833857A
JPS5833857A JP13132681A JP13132681A JPS5833857A JP S5833857 A JPS5833857 A JP S5833857A JP 13132681 A JP13132681 A JP 13132681A JP 13132681 A JP13132681 A JP 13132681A JP S5833857 A JPS5833857 A JP S5833857A
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JP
Japan
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resin
semiconductor element
heat sink
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP13132681A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Sakurai
桜井　文雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5833857A publication Critical patent/JPS5833857A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止溜半導体装置に関するものである。
従来の樹脂封止蟲半導体装置は、銅などの平らな金属製
の放熱板上に半導体素子を半田等により接着し、半導体
素子内電極をポンディング線で外部リード電極に接続さ
せ、これらまとめてモールド樹脂で覆うという工程を経
て形成されている。
このような半導体装置は構造的に機械的圧力に対する耐
久性が弱いため、装置自体或いは装置の組み込まれた筐
体の振動、衝突、落下部により半導体素子にクラックを
生じるという事故が多かつた。
この半導体素子クラックを防ぐ対策として、第１図の従
来の半導体装置の断面図に示すように、放熱板ｌに半田
４で接着された半導体素子３の周囲全体を、予めシリコ
ン樹脂等の柔軟なプリコート樹脂５で覆って、その上か
らエポキシ樹脂等のモールド樹脂６で成形する方法がと
られている。
この構造では柔軟なプリコート樹脂が半導体素子に加わ
る衝撃力を吸収し、やわらげ、半導体素子クララ・りを
防いでいる。
しかし半導体素子をプリコート樹脂で覆う場合粘度の低
いプリコート樹脂及びキ島ア（乾燥、焼きしめ等）に時
間を要するプリコート樹脂を用いた場合、更にプリコー
ト樹脂の塗布からキーアまでに時間を置いた場合等にお
いては、第１ｇｌに示すように平らな放熱板又は段状に
わずかな凹みを設けただけの放熱板では、プリコート樹
脂５が表面に沿って流れてしまい、そのため半導体素子
３の周辺部がプリフート樹脂にほとんど覆われず露光さ
れてしまい、その部分での半導体素子クラッタ防止の効
果が失なわれてしまう欠点があった。
この欠点を除くために第２図に示す様に、放熱板に凹み
２を設けることにより、前述したプリコート樹脂５の流
れだしを防ぐことができる。しかし、この構造では半導
体素子３の搭載部の放熱板の厚さが局部的に薄くなって
しまい、外力からの影響で放熱板の薄い部分に歪ができ
やすくなり、やはり半導体素子クラックを防ぐには不充
分なものとなってしまう。
本発明はこれらの欠点を除去し、耐素子クラック性に強
い構造の半導体装置を提供することを目的とするもので
、プリコート樹脂の流れ防止を施して半導体素子をプリ
コート樹脂で完全に覆った半導体素子搭載部を放熱板表
面から突出して設けることにより、放熱板に受ける外力
が半導体素子に伝わるのを最小にするとともに放熱板の
強度を損うことなく半導体素子クラックをなくした構造
とした樹脂封止型半導体装置を得るものである。
次に図面により本発明の詳細な説明する。本発明の半導
体装置の一実施例によれば、第３図の断面図に示すよう
に、熱伝導性が良く半導体素子３の厚さよりも深い門み
を持つ凹状金属部品７の中央に半田４等により半導体素
子を接着させ、さらにこの金属部品７を放熱板１に半田
８等により接着させる。次に、半導体素子の電極を外部
リードヘボンディング線でつないだ後、シリコン等のプ
リコート樹脂５を金属部品７の凹みに流し込み、半導体
素子３を完全に覆うようにし、さらにそれらを含めてエ
ポキシ等のモールド樹脂′６で成形した構造とする。
このような構造にすることにより、プリコート樹脂５は
金属部品７の凹みによってそれより外側へは流れ出さず
、又例え流れ出したとしても素子の周囲は十分に保護さ
れており、さらに放熱板に受けた外力は半導体素子３の
搭載部が他の部分より厚くなっているためその影響を受
けにくくなる。
同時に金属部品７を接着させた半田８の効果によっても
、放熱板１の外力を金属部品７へ伝えにくくしており、
半導体装置は外力に対して非常に竪固な高信頼度の装置
となる。
尚、第４図のように放熱板１と一体に又は別に突起９を
設け、その中に素子を入れてプリコートするようにして
もよい。又、この突起あるいは前記の部品７には金属で
はなく絶縁性の部材を用いてボンディング線との短絡を
防止するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２ｒＩＡは従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図、第３図は本発明の一実施例の樹脂封止型半導体装
置の断面図、第４図は本発明の他の実施例を示す断面図
である。 １、放熱板％　２．放熱板上の凹み、３．半導体素子、
４．半田、　＆　プリコート樹脂、６、モールド樹脂、
　７゜凹状の金ｔ４部品、８、半田、　　９．突起。 第２図 第３区 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を放熱板上に設けた突起部によってＨまれる
    内部に搭載し、この半導体素子を１９２−ト樹脂で覆う
    ようにしたことを特徴とする半導体装置。
JP13132681A 1981-08-21 1981-08-21 半導体装置 Pending JPS5833857A (ja)

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JP13132681A JPS5833857A (ja) 1981-08-21 1981-08-21 半導体装置

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JPS5833857A true JPS5833857A (ja) 1983-02-28

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JP13132681A Pending JPS5833857A (ja) 1981-08-21 1981-08-21 半導体装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6038841A (ja) * 1983-08-12 1985-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS63274152A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
US5053855A (en) * 1988-10-25 1991-10-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plastic molded-type semiconductor device
JP2015231027A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 住友電気工業株式会社 半導体装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6038841A (ja) * 1983-08-12 1985-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS63274152A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
US5053855A (en) * 1988-10-25 1991-10-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plastic molded-type semiconductor device
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