JPS583281A - 光駆動形半導体装置 - Google Patents
光駆動形半導体装置Info
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- JPS583281A JPS583281A JP56101569A JP10156981A JPS583281A JP S583281 A JPS583281 A JP S583281A JP 56101569 A JP56101569 A JP 56101569A JP 10156981 A JP10156981 A JP 10156981A JP S583281 A JPS583281 A JP S583281A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
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- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、組立て製作の容易化と信頼性の向上を図った
光駆動形半導体装置に関する。
光駆動形半導体装置に関する。
光サイリスタ等に代表される光駆動形半導体装置は、そ
の主回路と制御回路との間の電気絶縁構成が容易である
、制御回路から混入する外米雑音に起因する誤動作がな
い、小塵化が容易で、安価で信頼性の高い装置が実現で
きる等の優れた特徴を有している。そして、これらの特
徴を活かして、直流送電用サイリスクバルブを始めとす
る各種超高電圧電力変換装置への応用が注目されている
。
の主回路と制御回路との間の電気絶縁構成が容易である
、制御回路から混入する外米雑音に起因する誤動作がな
い、小塵化が容易で、安価で信頼性の高い装置が実現で
きる等の優れた特徴を有している。そして、これらの特
徴を活かして、直流送電用サイリスクバルブを始めとす
る各種超高電圧電力変換装置への応用が注目されている
。
さて１直流送電用サイリスタパルプ等の超高電圧変換装
置では、光サイリスタを１００個以上も直列に接続し、
１００〜５００ ｋＶにも及ぶ超高電圧の電力変換が行
われる。この為、第１図に示すように数個の光サイリス
タ１ｍ、Ｉｂ。
置では、光サイリスタを１００個以上も直列に接続し、
１００〜５００ ｋＶにも及ぶ超高電圧の電力変換が行
われる。この為、第１図に示すように数個の光サイリス
タ１ｍ、Ｉｂ。
ＩＣを冷却フィン１ｍ、２ｂ、：ｌｃ、２ｄを介して直
列に接続し、これを１つのモジ、−ルとして一体化した
ものを複数個直列接続して上記すイリスタパルプを構成
している。この場合、各党サイリスタＪａ、Ｊｂ、Ｊｃ
には、発光ダイオード等の光源３１．Ｊｂ、ｊｃからの
信号光がライトガイド４ｍ、４ｂ、４ａを介して数メー
トル以上伝送される。そしてこれらの光信号は上記光サ
イリスタ１ｍ、１ｂ、ＩＣの外囲器にそれぞれ設けられ
た光４ｍ号導入窓５ｍ。
列に接続し、これを１つのモジ、−ルとして一体化した
ものを複数個直列接続して上記すイリスタパルプを構成
している。この場合、各党サイリスタＪａ、Ｊｂ、Ｊｃ
には、発光ダイオード等の光源３１．Ｊｂ、ｊｃからの
信号光がライトガイド４ｍ、４ｂ、４ａを介して数メー
トル以上伝送される。そしてこれらの光信号は上記光サ
イリスタ１ｍ、１ｂ、ＩＣの外囲器にそれぞれ設けられ
た光４ｍ号導入窓５ｍ。
５ｂ、５ｃを介して上記各党サイリスタ１−９ｌｂ、１
＠の受光向にそれぞれ与えられる。
＠の受光向にそれぞれ与えられる。
とζろで、このような光サイリスタモノニールｔ−ｍ成
する九サイリスタは、従来一般に第２図に示すように構
成される。
する九サイリスタは、従来一般に第２図に示すように構
成される。
光サイリスタ本体１１は、一方の面を金属板１２を介し
て７ノード電極ＪＩＫ接続すると共に、他方の面を金Ｍ
腰１４を介してカソード亀−１５に接続している。仁の
金ｌｌ４ｊｌｌ１１１４の中央部には光トリガ信号を入
力する窓が設けられて、受光面１６が形成されておシ、
上記カソード電極１５に設けられた＄ １５ ｍを介し
て上記光トリガ信号を導くライトガイド１７が上記受光
向１６にその一端を光結合すぺ〈配設されている。
て７ノード電極ＪＩＫ接続すると共に、他方の面を金Ｍ
腰１４を介してカソード亀−１５に接続している。仁の
金ｌｌ４ｊｌｌ１１１４の中央部には光トリガ信号を入
力する窓が設けられて、受光面１６が形成されておシ、
上記カソード電極１５に設けられた＄ １５ ｍを介し
て上記光トリガ信号を導くライトガイド１７が上記受光
向１６にその一端を光結合すぺ〈配設されている。
このライトガイド１１は、その一端をシリコンゴム等の
接着剤１８を用いて前記受光［Ｊ６に光結合して同定さ
れる。そして、この光サイリスタ本体１１は、セラミッ
ク製の円筒状絶縁体Ｉ９内部に収納され、絶縁体１９０
両端部に設けられた金属板２０ａ、ｊＯｂを介して前記
電極１３．１５にそれぞれ接合され、気密封止されるよ
うになっている。つまｐ光サイリスタ本体１１は、これ
らの各部品要素によって構成される外囲器の内部に気密
封止して設けられた構造とＸ＆りている。尚、光ナイリ
スタ本体１１は、アノード電極１１儒よシ、Ｐエミッタ
半導体層ＪＪａ、Ｎペース半導体層１１ｂ、？−４−ス
半導体層１１＠、Ｎエミッタ牛導体層１１４からなるも
ので、前記金属膜１４は、アル電ニウムをマスクを用い
て上記Ｎ工（、夕牛導体層ＪＪｄ上に蒸着する等して形
成されるもので、また金属板１２は光サイリスタ本体１
１を構成するシリコンの熱膨張係数に近い、例えばタン
グステンからなる％０である。一方、前記ライトガイド
１ｒの他端は金属筒１１に挿通されて低融点ｔ９ス等の
固定剤２１により上記金属筒２１に気密に固定され、更
にこの金属筒２１紘外囲器のｍ面、つｔｂ筒状絶縁体１
＃の壁面を貫通し、この１１面に気１１１１ｃ固定され
ている。そして、この１１面に固定された金属筒２１の
外側突出端には、前記ライトガイド４の一端部をネジ止
め固定する固定部材２１が設けられ、これによりてライ
トガイド４と前記２イトガイド１１とが相互に対向して
光学的に結合されゐようＫ ’＆−ｐている。即ち、ツ
イトガイＰＪＦＯ倫端部、金属筒１１、固定部材２１に
よりて光信号導入窓５逅形成されている。
接着剤１８を用いて前記受光［Ｊ６に光結合して同定さ
れる。そして、この光サイリスタ本体１１は、セラミッ
ク製の円筒状絶縁体Ｉ９内部に収納され、絶縁体１９０
両端部に設けられた金属板２０ａ、ｊＯｂを介して前記
電極１３．１５にそれぞれ接合され、気密封止されるよ
うになっている。つまｐ光サイリスタ本体１１は、これ
らの各部品要素によって構成される外囲器の内部に気密
封止して設けられた構造とＸ＆りている。尚、光ナイリ
スタ本体１１は、アノード電極１１儒よシ、Ｐエミッタ
半導体層ＪＪａ、Ｎペース半導体層１１ｂ、？−４−ス
半導体層１１＠、Ｎエミッタ牛導体層１１４からなるも
ので、前記金属膜１４は、アル電ニウムをマスクを用い
て上記Ｎ工（、夕牛導体層ＪＪｄ上に蒸着する等して形
成されるもので、また金属板１２は光サイリスタ本体１
１を構成するシリコンの熱膨張係数に近い、例えばタン
グステンからなる％０である。一方、前記ライトガイド
１ｒの他端は金属筒１１に挿通されて低融点ｔ９ス等の
固定剤２１により上記金属筒２１に気密に固定され、更
にこの金属筒２１紘外囲器のｍ面、つｔｂ筒状絶縁体１
＃の壁面を貫通し、この１１面に気１１１１ｃ固定され
ている。そして、この１１面に固定された金属筒２１の
外側突出端には、前記ライトガイド４の一端部をネジ止
め固定する固定部材２１が設けられ、これによりてライ
トガイド４と前記２イトガイド１１とが相互に対向して
光学的に結合されゐようＫ ’＆−ｐている。即ち、ツ
イトガイＰＪＦＯ倫端部、金属筒１１、固定部材２１に
よりて光信号導入窓５逅形成されている。
ところが、ζＯような構造の光ナイリスタ社、次のよう
な手順によりて製作される為、以下に示す如き欠点を有
していた。即ち、光ナイリスタ本体１１のＰエミッタ層
１１畠の表面と金属板１１とをアルにニウム箔を介して
含金化固定したのち、上記金属板１２をアノード電極１
１に半田付は固定する。 Ｆ−０段階で、絶縁体円筒１
９は、アノード電極ＪｊＫ金属＠ＪＯｂを介して気密に
固定する０次に、予め筒状絶縁体１＃に同定された金属
筒２１にライトガイド１１を神通し、またライトガイド
１１〇一端を受光部１６に合わせて、固定剤１−により
ｗｉ定し、同時に上記ライトガイド１１と金属筒２１と
を固定剤２１を用いて気密に固定する。しかるのち、ラ
イトガイドＪＦＫ接触しないように溝部１１１を合わせ
てカソード電極ＩＪを金属板１４に接合し、またカソー
ド電極１５を金属板ｊ０１を介して筒状絶縁体１９に気
密封止して固定することにより、光サイリスタが製作さ
れる。
な手順によりて製作される為、以下に示す如き欠点を有
していた。即ち、光ナイリスタ本体１１のＰエミッタ層
１１畠の表面と金属板１１とをアルにニウム箔を介して
含金化固定したのち、上記金属板１２をアノード電極１
１に半田付は固定する。 Ｆ−０段階で、絶縁体円筒１
９は、アノード電極ＪｊＫ金属＠ＪＯｂを介して気密に
固定する０次に、予め筒状絶縁体１＃に同定された金属
筒２１にライトガイド１１を神通し、またライトガイド
１１〇一端を受光部１６に合わせて、固定剤１−により
ｗｉ定し、同時に上記ライトガイド１１と金属筒２１と
を固定剤２１を用いて気密に固定する。しかるのち、ラ
イトガイドＪＦＫ接触しないように溝部１１１を合わせ
てカソード電極ＩＪを金属板１４に接合し、またカソー
ド電極１５を金属板ｊ０１を介して筒状絶縁体１９に気
密封止して固定することにより、光サイリスタが製作さ
れる。
然し乍らこのような製作過程によれば、ライトガイド１
１を受光部ＩＣに固定したのち、低融点ガラス等の固定
剤２２を用いて、筒状絶縁体１９の内部で上記ライトガ
イド１１を金属筒１１に気密封止する為、その作業性が
悪いばか９でなく、気密封止部分の信頼性低下の問題を
招いた。しかも、この気密封止は４００〜５００℃以上
の加熱によって行われるが、ライトガイドＺＦＫ与える
光伝送効率の低下等の悪影響も悪食され丸。
１を受光部ＩＣに固定したのち、低融点ガラス等の固定
剤２２を用いて、筒状絶縁体１９の内部で上記ライトガ
イド１１を金属筒１１に気密封止する為、その作業性が
悪いばか９でなく、気密封止部分の信頼性低下の問題を
招いた。しかも、この気密封止は４００〜５００℃以上
の加熱によって行われるが、ライトガイドＺＦＫ与える
光伝送効率の低下等の悪影響も悪食され丸。
本発明はこのような事情を考慮してなされた亀ので、そ
の目的とするとζろは、装置製作時の作業性の改善を図
ると共に、ライトガイドの光信号伝送、効率を十分確保
した上で、その気密性を確保し九信麺性の高い光駆動形
半導体装置を提供することにある。
の目的とするとζろは、装置製作時の作業性の改善を図
ると共に、ライトガイドの光信号伝送、効率を十分確保
した上で、その気密性を確保し九信麺性の高い光駆動形
半導体装置を提供することにある。
即ち本発明は、光信号導入用Ｏ光Ｉ＃部品を予め外囲器
壁面を貫通して気密封止して設け、内面を光反射処理し
た筒状の結合部品を用いて上記光学部品とライトガイド
とを光結蓄して固定化する構造とすることによシ、上記
ライトガイドの気密封止を不要として、上述した目的を
効果的に達成し九ものである。
壁面を貫通して気密封止して設け、内面を光反射処理し
た筒状の結合部品を用いて上記光学部品とライトガイド
とを光結蓄して固定化する構造とすることによシ、上記
ライトガイドの気密封止を不要として、上述した目的を
効果的に達成し九ものである。
以下、図面を参照して本発−の実施例につき説明する。
尚、実施例装置において、第３図に示す従来装置と同一
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
光サイリスタ本体１１は、従来装置と同様にしてアノー
ド電極１３に固定されて、筒状絶縁体１＃に取付けられ
る。この場合、カソード電極ＩＩＩ＠は、未だ気密側止
されない状態にある。
ド電極１３に固定されて、筒状絶縁体１＃に取付けられ
る。この場合、カソード電極ＩＩＩ＠は、未だ気密側止
されない状態にある。
一方、筒状絶縁体１９の壁面には、金属筒（結合部品）
３１が上記壁面を貫通して気密に固定されている。仁の
金属筒３１は、その内面をクロムメッキする等して光反
射率を著しく高められておシ、上記筒状絶縁体１＃への
取付けに先立ってライトガイドＪ２を光学部品として恢
合し、低融点、ｆ２ス等の固定剤３Ｊを用いて゛気密に
固定している。上記ライトガイドＪ２は、金属筒１１の
一開゛口部側よシ所定の深さまで嵌込まれ九ものであっ
て、他方開口部側に前記ライトガイド１１を挿入すべき
空間を形成した状態に設定されている。これによって、
筒状絶縁体１＃の壁面は、その孔部に金属筒３１、ライ
トガイドＪ２を設ゆ、既に気密封止した構造と表９てい
ゐ。
３１が上記壁面を貫通して気密に固定されている。仁の
金属筒３１は、その内面をクロムメッキする等して光反
射率を著しく高められておシ、上記筒状絶縁体１＃への
取付けに先立ってライトガイドＪ２を光学部品として恢
合し、低融点、ｆ２ス等の固定剤３Ｊを用いて゛気密に
固定している。上記ライトガイドＪ２は、金属筒１１の
一開゛口部側よシ所定の深さまで嵌込まれ九ものであっ
て、他方開口部側に前記ライトガイド１１を挿入すべき
空間を形成した状態に設定されている。これによって、
筒状絶縁体１＃の壁面は、その孔部に金属筒３１、ライ
トガイドＪ２を設ゆ、既に気密封止した構造と表９てい
ゐ。
しかるのち、ライトガイドＪＦｉｉその一端を光サイリ
スク本体１１の受光部に合せて、その周囲をシリコーン
・がム等の固定剤１１を用いて固定すると共に、ライト
ガイド１１の他端を上記シリコーンシム等の固定剤３４
を塗った前記金属筒ａｌＫ挿入し、ライトガイドＪ２と
の対向距離を調整して固定する。この固定剤１８゜１４
は光信号に対して透明で、且つライトガイドｘｒ、ｓｘ
と略同＠度の屈折率を有するもので、これによりて、ラ
イトガイドＪ Ｆ 、 ＪＪは一体的に固定されること
に＆る。尚、このシリコーンシムからなる固定剤１１の
同化は、１５０〜２００℃ｓ度の加熱によシ行われる。
スク本体１１の受光部に合せて、その周囲をシリコーン
・がム等の固定剤１１を用いて固定すると共に、ライト
ガイド１１の他端を上記シリコーンシム等の固定剤３４
を塗った前記金属筒ａｌＫ挿入し、ライトガイドＪ２と
の対向距離を調整して固定する。この固定剤１８゜１４
は光信号に対して透明で、且つライトガイドｘｒ、ｓｘ
と略同＠度の屈折率を有するもので、これによりて、ラ
イトガイドＪ Ｆ 、 ＪＪは一体的に固定されること
に＆る。尚、このシリコーンシムからなる固定剤１１の
同化は、１５０〜２００℃ｓ度の加熱によシ行われる。
その後、光サイリスク本体１１にカソード電極ＩＪを取
付け、筒状絶縁体１＃に気密封止して本装置が完成され
る。
付け、筒状絶縁体１＃に気密封止して本装置が完成され
る。
このように本装置の構造によれば、従来のようにライト
ガイド１１を金属筒ＪＪｔＣ気密封止して固定する必要
がない、つｔｂ本構造によれば、光導入窓５部分社、既
にライトガイド（光学部品）３２、金属筒Ｊ１、そして
固定剤ＳＸによって気密封止され九構造となっているか
ら、ライト、ｙイド１１を上記金属筒３１に挿入してラ
イトガイド３２と光学的に結合し、これを固定すれば十
分にその目的が達成される。しかも、固定剤３４として
゛シリコーンシムを用いることによって１５０〜２００
℃１！度の隼い温度で確実な固定を行うことができ、簡
易にして機械的強度も十分に確保することができる。ま
た上記の如く、固定化処理を低い温度で行い得るから、
ライトガイド１Ｆの光信号伝送特性の劣化を招＜ＩＩＩ
Ｉｏ虞れもない。また、ライトガイド１１゜３１は、金
属筒３１の内面の光反射によって効率真〈光結合される
上、固定剤Ｊ４としてのシリコーンがムをその内部に充
填した場合には、上記固定剤３４の固化によりて２本の
ライトガイド１ｒ、ＩＩはあたかも１本のライトガイド
の如く光学的に機能するととＫなるから、この点でも光
信号伝送効率の向上を図ることができる。その上、受光
部１６の位装置ずれを、ライトガイドＩＦ、８１の対向
距離によって調整することが可能となるから、光サイリ
スタ本体ＩＩの７ノード電極１３への固定化位置決め精
度を大幅に緩和することが可能となる。この結果、装置
組立ての全般に亘りてその作業性を容易化することがで
き、作業能率の着しい改善を図ることが可能となる。ま
た、本構造では、装置の組立てに先立りて、光信号導入
窓５が予め気密封止して設けられているので、組立て時
の不手際等による封止領域の特性劣化等の事故を効果的
に防止することがで色る等の絶大なゐ効果を奏する。
ガイド１１を金属筒ＪＪｔＣ気密封止して固定する必要
がない、つｔｂ本構造によれば、光導入窓５部分社、既
にライトガイド（光学部品）３２、金属筒Ｊ１、そして
固定剤ＳＸによって気密封止され九構造となっているか
ら、ライト、ｙイド１１を上記金属筒３１に挿入してラ
イトガイド３２と光学的に結合し、これを固定すれば十
分にその目的が達成される。しかも、固定剤３４として
゛シリコーンシムを用いることによって１５０〜２００
℃１！度の隼い温度で確実な固定を行うことができ、簡
易にして機械的強度も十分に確保することができる。ま
た上記の如く、固定化処理を低い温度で行い得るから、
ライトガイド１Ｆの光信号伝送特性の劣化を招＜ＩＩＩ
Ｉｏ虞れもない。また、ライトガイド１１゜３１は、金
属筒３１の内面の光反射によって効率真〈光結合される
上、固定剤Ｊ４としてのシリコーンがムをその内部に充
填した場合には、上記固定剤３４の固化によりて２本の
ライトガイド１ｒ、ＩＩはあたかも１本のライトガイド
の如く光学的に機能するととＫなるから、この点でも光
信号伝送効率の向上を図ることができる。その上、受光
部１６の位装置ずれを、ライトガイドＩＦ、８１の対向
距離によって調整することが可能となるから、光サイリ
スタ本体ＩＩの７ノード電極１３への固定化位置決め精
度を大幅に緩和することが可能となる。この結果、装置
組立ての全般に亘りてその作業性を容易化することがで
き、作業能率の着しい改善を図ることが可能となる。ま
た、本構造では、装置の組立てに先立りて、光信号導入
窓５が予め気密封止して設けられているので、組立て時
の不手際等による封止領域の特性劣化等の事故を効果的
に防止することがで色る等の絶大なゐ効果を奏する。
第４図は本発明の別の実施例装置０ＩＩＩ部構成を示す
もので、先の実施例における金属筒３１を２分割し、第
１の金属筒３Ｘ−と第２０金属筒Ｊｌｂ・とにより構成
している。第１の金属筒ＪＪａは、両端をそれぞれ突出
させてライトガイド３２を挿入し、気密封止して一定し
喪ものであ勺、同時に筒状絶縁体１１を貫通して気密封
止して固定されている。つまシ光童号導入窓５は、この
第１の金属筒１１ａｐｃ９イトガイド３２を挿通して外
囲器に気密封止して一定して設けられている。一方、第
３の金属筒３１ｂは、その内面を例えば鏡面研磨Ｊ６Ｊ
Ｉして光０１射亭を著しく高めてあり、その内ＩＳＫ光
学的に′ａ明で、且つライトガイドｘｒ、ｘｚと屈折率
Ｏ′＠等な固定剤Ｊ４を充填している。しかしてこＣ１
１Ｉ２１２）金属＠ＪＭｂにはその両端より前記ライト
ガイドｘｖ、ｓｚがそれぞれ対向して挿スされ、加重に
よりで両ライトガイド１７１３２カミ光学的且つ機棹的
に結合されるようになりでいる。
もので、先の実施例における金属筒３１を２分割し、第
１の金属筒３Ｘ−と第２０金属筒Ｊｌｂ・とにより構成
している。第１の金属筒ＪＪａは、両端をそれぞれ突出
させてライトガイド３２を挿入し、気密封止して一定し
喪ものであ勺、同時に筒状絶縁体１１を貫通して気密封
止して固定されている。つまシ光童号導入窓５は、この
第１の金属筒１１ａｐｃ９イトガイド３２を挿通して外
囲器に気密封止して一定して設けられている。一方、第
３の金属筒３１ｂは、その内面を例えば鏡面研磨Ｊ６Ｊ
Ｉして光０１射亭を著しく高めてあり、その内ＩＳＫ光
学的に′ａ明で、且つライトガイドｘｒ、ｘｚと屈折率
Ｏ′＠等な固定剤Ｊ４を充填している。しかしてこＣ１
１Ｉ２１２）金属＠ＪＭｂにはその両端より前記ライト
ガイドｘｖ、ｓｚがそれぞれ対向して挿スされ、加重に
よりで両ライトガイド１７１３２カミ光学的且つ機棹的
に結合されるようになりでいる。
とのような構造であれば、ライトガイド１１の気智封止
処理における金属筒３１ｂ内部の光反射特性の熱的な劣
化を招くことがないので、先の実施例以上Ｋｌｉ著な効
果が期待できる。
処理における金属筒３１ｂ内部の光反射特性の熱的な劣
化を招くことがないので、先の実施例以上Ｋｌｉ著な効
果が期待できる。
第５図轄更に別な実施例を示すもので、ライトガイド１
１に代えて、板状の光学的に透明な光学部品１ｊを用い
たものである。
１に代えて、板状の光学的に透明な光学部品１ｊを用い
たものである。
ζＯよう表構造であっても、上記光学部品ＳＳを予め外
囲器に対して気密封止して固定しておけばよいので、先
の実施例と同様な効果−ｄ！奏されること線云う壕でも
ない。
囲器に対して気密封止して固定しておけばよいので、先
の実施例と同様な効果−ｄ！奏されること線云う壕でも
ない。
要するに本発明は、光学部品や結合部品の形状を仕様に
応じて種々変形して用いること力孟でき、また光サイリ
スタに限らず光トランジスタ蝉、他の光駆動形の半導体
装置に対しても十分適用することができ、その実施形態
は特に限定されない。
応じて種々変形して用いること力孟でき、また光サイリ
スタに限らず光トランジスタ蝉、他の光駆動形の半導体
装置に対しても十分適用することができ、その実施形態
は特に限定されない。
以上説明したように本発明によれば、外囲器にお妙る気
密性を十分確保で龜る上、組立て時の作業性を大幅に改
善できる。しかも、光信号伝送効率の低下を招くヒとが
なく、信頼性の飛躍的な向上を図り得る勢の従来装置構
造から紘全く期待することので龜ない絶大なる効果を奏
する光駆動形半導体装置をＩＩ供することができる。
密性を十分確保で龜る上、組立て時の作業性を大幅に改
善できる。しかも、光信号伝送効率の低下を招くヒとが
なく、信頼性の飛躍的な向上を図り得る勢の従来装置構
造から紘全く期待することので龜ない絶大なる効果を奏
する光駆動形半導体装置をＩＩ供することができる。
第１図は光サイリスタモゾ、−ルＯ構成例を示す図、Ｊ
ｌｌＦ２図は従来装置Ｏ概略構成図、謔３図は本発明〇
−実施例鋏装を示す概略構成図、第４図および第５図は
それぞれ本発明の別の実施例を示す要部構成図である。 １１・・・光サイリスタ本体、ＪＪ−・アノード電極、
１５・・・カンード電極、１６−・受光部、１１・・・
ライトガイド、１９−・・筒状絶縁体、３１・・・金属
筒（結合ＩＳＪ＆）、Ｊｊ・−ライトガイド（光学部品
）、ＪＪ、ＪＪ・・・固定剤、ＪＪ−・・光学部品。
ｌｌＦ２図は従来装置Ｏ概略構成図、謔３図は本発明〇
−実施例鋏装を示す概略構成図、第４図および第５図は
それぞれ本発明の別の実施例を示す要部構成図である。 １１・・・光サイリスタ本体、ＪＪ−・アノード電極、
１５・・・カンード電極、１６−・受光部、１１・・・
ライトガイド、１９−・・筒状絶縁体、３１・・・金属
筒（結合ＩＳＪ＆）、Ｊｊ・−ライトガイド（光学部品
）、ＪＪ、ＪＪ・・・固定剤、ＪＪ−・・光学部品。
Claims (4)
- （１）光駆動形半導体素子と、この光駆動形半導体素子
を内部に収納して気密封止した外囲器と、この外Ｈ器の
壁面を貫通して気密に固定され上記外囲器外部からの光
信号を外囲器内部に導入する光学部品と、前記光駆動形
半導体素子の受光面に一端を接続してその他端から導入
された光を上記受光面に供給するライトガイドと、この
ライトガイドの他端に嵌合されて上記光学部品とライト
ガイドとを光学的に結合する内面を光反射処理した筒状
の結合部品とを具備したことを特徴とする光駆動形半導
体装置。 - （２）結合部品は光学部品を嵌入してこの光学部品と一
体的に外囲器壁面に気密に固定して設けられたもめであ
って、上記外囲器内側の筒状内部にライトガイドを嵌入
して固定保持するものである特許請求の範囲第１項記載
の光駆動形半導体装置 - （３）結合部品は、その筒状内部に光学的に結合するラ
イトガイドおよび光学部品と略１ｋＩｊ等な屈折率を有
する透光性光学材料を充填したものである特許請求の範
囲第１ｘｊ４記載の光駆動形半導体装置。 - （４） 筒状結合部品の内面光反射処理は、鏡面加工
あるいは、光反射体を塗布して行われるものである特許
請求の範囲第１項記載の光駆動半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101569A JPS583281A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光駆動形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101569A JPS583281A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光駆動形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583281A true JPS583281A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14304032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101569A Pending JPS583281A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光駆動形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583281A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094770A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光トリガサイリスタの製造方法 |
| JPS60157256A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光トリガサイリスタ |
| JPS6114615A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Kyocera Corp | 光通信用発光受光装置 |
| JPS6114614A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Kyocera Corp | 光通信用発光受光装置 |
| JPS61109010A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | Fuji Electric Co Ltd | 光駆動半導体装置 |
| EP0297802A3 (en) * | 1987-06-29 | 1990-05-23 | Powerex, Inc. | Isolated light-triggered thyristor module |
| EP1329753A1 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-23 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Opto-electronic module with insulated connector |
| JP2007256372A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ接続部品 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56101569A patent/JPS583281A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094770A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光トリガサイリスタの製造方法 |
| JPS60157256A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光トリガサイリスタ |
| JPS6114615A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Kyocera Corp | 光通信用発光受光装置 |
| JPS6114614A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Kyocera Corp | 光通信用発光受光装置 |
| JPS61109010A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | Fuji Electric Co Ltd | 光駆動半導体装置 |
| EP0297802A3 (en) * | 1987-06-29 | 1990-05-23 | Powerex, Inc. | Isolated light-triggered thyristor module |
| EP1329753A1 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-23 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Opto-electronic module with insulated connector |
| US7261473B2 (en) | 2002-01-21 | 2007-08-28 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | Optical sub assembly |
| JP2007256372A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ接続部品 |
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