JPS5832426A - インナ−リ−ドボンダ−の集積回路チツプ受台 - Google Patents

インナ−リ−ドボンダ−の集積回路チツプ受台

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JPS5832426A
JPS5832426A JP13106081A JP13106081A JPS5832426A JP S5832426 A JPS5832426 A JP S5832426A JP 13106081 A JP13106081 A JP 13106081A JP 13106081 A JP13106081 A JP 13106081A JP S5832426 A JPS5832426 A JP S5832426A
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JP
Japan
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chip
receiving base
integrated circuit
circuit chip
inner lead
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JP13106081A
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JPS628020B2 (ja
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Sadazumi Uchiyama
内山　貞住
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路チップ（以下工０チップという》とテ
ープキャリアのインナーリードとを同時接合する際に１
０チップを載せるインナーリードボンダーの集積回路チ
ップ受台（以下工０受台と，３つ）Ｋ関するものである
． 従来のＩＯ受台は図１Ｋ示すよ゜うｋ耐熱性Ｋ優れたセ
ラミックを円板状に加工し，その中心ＫＩＣチップを吸
着する為の真空穴２があけられたものであった。しかし
ながらこのようなＩＣ受台では工Ｃチップとの接触面積
が広い為ボンディング時に熱が逃げやすく、そのためゲ
ンディング温度を高〈す・るかボンディング時間を長く
しなければならず、ＩＯへのダメージ及び作業効率の面
で悪影轡を与えていた。またこの欠点を解決する為にＩ
Ｃ受台の下にヒーターを埋め込み下から加熱する方法も
とられているが，そのためにはインナーリードボンダー
の構造が複雑Ｋならざるを得なかった● そこで本発明はかかる欠点を除去し、インナーリードボ
ンダーσ）構造を複雑化きせることなく，ボンディング
効率を向上させるＩＯ受台を提供する屯のである． 鮪３図は本発明〇一実施例であク、ＩＯ受台１の表面Ｋ
ＩＩＩ３をほったものである．ＩＯ受台１０表面に溝３
をほることＫよｌＩｏチップ４と工０受台１との接触面
積が減少し，オたｘＯチップ４とＩＣ受台１との間Ｋ外
気とＩＩＩＩＩＦｉされた９気層５ができる為κ保熱性
が良好となシ，従来のＩＯ台を用いた場合よ夛ボンディ
ング温度を低くするかポンディング時間を短かくするこ
とかでぎる（一例としてがンディン〆Ｉ１度４５０℃の
場合，従来の工○受台を用いるとボンディング時間が２
秒かかウたのに対し本発明の１０受台を採用するととκ
よりがンディング時間を１秒に短縮することが寸睡た）
．これκよシエＯチップへのダメージが軽滅され、作業
時間が大幅ｋＭｉ縮され，下部からの加熱も不要となる
．宴らＫ１０チップの下に入ってボンディング時のＩＣ
割れの原因となっていたＩＯチップの破片が溝に落ちる
ことＫよシエ０割れを防ぐことかで鯉る．第３図は本発
明の別の一夷施例であシ、ＩＯ受台１０表面Ｋ非買通の
小孔６をハニカ▲状κあけたものである，ＴＯ受台１０
表面に非貫通の小孔６をハニカム状にあけると、溝をほ
った場合と異なりどのような大鎗さの工０チツプＫ対し
てもＩＣチップとＩＣ受台との関Ｋ外気とＩ１断された
空気層を最大限に作ることができ、良好な保熱性を得て
ボンデイング効率を上げることがで−る．
【図面の簡単な説明】
第１図（ａＬ（ｂ）は従来の工０受台を示す平面図と正
面羽、ｔｓ２Ｉ！！！ｌｌ，第３図は本発明ｏｘｏ受台
Ｏ実施例を示す図で（ａ）は平面図、伽）は正面図の断
面図である。 １は工０受台２は真空穴 ３け溝４けＩＯチップ ５け工０チップと工０受台によって囲壇れ外気とＩＩ）
！Ｆｌされた空気層 ６は小孔である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）集積回路チップとテープキャリアのインナーリー
    ドとを同時接合する際に集積回路チップを載せるインナ
    ーリードがンダーの集積回路チップ受台Ｋおいて、前記
    集積回路チップと接触する面に多数のくぼみあるいは溝
    を設汁たことを％徴とするインナーリード〆ングーの集
    積回路チップ受台．
  2. （２）集積回路チップと接触する面に非貫通の小孔をハ
    ニカム状κあけたことを特徴とする特許請求の範囲館１
    項記載のインナーリードポンダーの集積回路チップ受台
    ．
JP13106081A 1981-08-20 1981-08-20 インナ−リ−ドボンダ−の集積回路チツプ受台 Granted JPS5832426A (ja)

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JP13106081A JPS5832426A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 インナ−リ−ドボンダ−の集積回路チツプ受台

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JP13106081A JPS5832426A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 インナ−リ−ドボンダ−の集積回路チツプ受台

Publications (2)

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JPS5832426A true JPS5832426A (ja) 1983-02-25
JPS628020B2 JPS628020B2 (ja) 1987-02-20

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ID=15049062

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JP13106081A Granted JPS5832426A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 インナ−リ−ドボンダ−の集積回路チツプ受台

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5864038A (ja) * 1981-10-13 1983-04-16 Nec Corp ボンデイングプレ−ト
JPH04171739A (ja) * 1990-11-02 1992-06-18 Shinagawa Refract Co Ltd テープボンダ用ステージ
FR2674465A1 (fr) * 1991-03-28 1992-10-02 Bosch Gmbh Robert Procede pour souder deux pieces, notamment un composant electrique, et/ou une plaquette semi-conducteur.

Cited By (4)

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FR2674465A1 (fr) * 1991-03-28 1992-10-02 Bosch Gmbh Robert Procede pour souder deux pieces, notamment un composant electrique, et/ou une plaquette semi-conducteur.

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JPS628020B2 (ja) 1987-02-20

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