JPS5832419A - ラスタ−スキヤン型電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
ラスタ−スキヤン型電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS5832419A JPS5832419A JP13096881A JP13096881A JPS5832419A JP S5832419 A JPS5832419 A JP S5832419A JP 13096881 A JP13096881 A JP 13096881A JP 13096881 A JP13096881 A JP 13096881A JP S5832419 A JPS5832419 A JP S5832419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- delay time
- circuit
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積１賜の製造中、それに由−るネーマスタの
製造に使用されるラヌタースキャン型電子ビーム露光装
置に関する・ 周知の如く、ラスタースキャンＩｎ１！１子ビーム露光
装置では、描ｉｉｉ＋ｍ斌を１ｒレスと呼ばれる賽の目
ＫＪｌ横に分割し１図形の有無によりて１図形の有るＩ
Ｆシーには１１１．無１ア、ｒ！／スにはａｇ＃を側御
てておき、一方、電、子ビームは、描ｗｉｌｔａｗｃ＊
面に夏うて軸方向に走査し１例えば１１１を割当てられ
たＩＦレヌ位置ではビーム照射しくアンブランキング）
＊ ”ｏ’が割当てられた１ｒレス位置ではビーム照
射しない（ブランキング）。
製造に使用されるラヌタースキャン型電子ビーム露光装
置に関する・ 周知の如く、ラスタースキャンＩｎ１！１子ビーム露光
装置では、描ｉｉｉ＋ｍ斌を１ｒレスと呼ばれる賽の目
ＫＪｌ横に分割し１図形の有無によりて１図形の有るＩ
Ｆシーには１１１．無１ア、ｒ！／スにはａｇ＃を側御
てておき、一方、電、子ビームは、描ｗｉｌｔａｗｃ＊
面に夏うて軸方向に走査し１例えば１１１を割当てられ
たＩＦレヌ位置ではビーム照射しくアンブランキング）
＊ ”ｏ’が割当てられた１ｒレス位置ではビーム照
射しない（ブランキング）。
とζろが、走査方向に対して斜方向に配置された図形の
場合、１アｒレスにりＩ／％’ｌ：完全に’１′かｓＯ
“か定義できずその１！１３がｗＪ形Ｖ外にあ夛。
場合、１アｒレスにりＩ／％’ｌ：完全に’１′かｓＯ
“か定義できずその１！１３がｗＪ形Ｖ外にあ夛。
ａ弗の１１１がＷＪ形の中にある場合があ）、その時で
も従来の装置では強制的に’Ｏ“か％１１の何れかを割
当てて―た。
も従来の装置では強制的に’Ｏ“か％１１の何れかを割
当てて―た。
しかし何れの場合であフても、正確なｗＪ＃の描画は期
待でき１に％／％。このようなツスタース中ヤン方式の
欠点は、アドレスが１０′か”１”かの２値情報しかも
たなｉために起因するのであフで。
待でき１に％／％。このようなツスタース中ヤン方式の
欠点は、アドレスが１０′か”１”かの２値情報しかも
たなｉために起因するのであフで。
何等かの工夫によフて２値情報からその中部の値を表現
する事を′ＷＩ能としたとＣろに本発明の趣旨がある。
する事を′ＷＩ能としたとＣろに本発明の趣旨がある。
さて１１１１１１（４の如（、軸方向の矩形パターン（
１）と斜方同の平行８辺屡パターン１２）を電子ビーム
露光すると龜に、先ずｉｇ意図（句の点線の如（錨圃頷
斌１１１１声劇のアドレスに分割し１図形（３）、（２
）に含まれないアｒレス四には＠０１を割当で、完全に
含ルル７ Ｆ ｖＸ１６１． Ｖｌ）ＩＩＣｔｌ ％
１ ’を割当てるが。
１）と斜方同の平行８辺屡パターン１２）を電子ビーム
露光すると龜に、先ずｉｇ意図（句の点線の如（錨圃頷
斌１１１１声劇のアドレスに分割し１図形（３）、（２
）に含まれないアｒレス四には＠０１を割当で、完全に
含ルル７ Ｆ ｖＸ１６１． Ｖｌ）ＩＩＣｔｌ ％
１ ’を割当てるが。
境界線がアｙｖｘｔ＃横匈ると自には遍轟なｍ則をａｎ
−ｃ １１１ｔｑ’ｒ又ｍ １ｏ ａｔｔｒ＊割ｐＩＩ
ＩＡチーｃｖｓル＊即ちパターン圃−斜行Ｔる境界線に
依９て横切られるアドレスがパターン−の内側の場合は
１０＃。
−ｃ １１１ｔｑ’ｒ又ｍ １ｏ ａｔｔｒ＊割ｐＩＩ
ＩＡチーｃｖｓル＊即ちパターン圃−斜行Ｔる境界線に
依９て横切られるアドレスがパターン−の内側の場合は
１０＃。
外側の場合紘＠１＃としている。このようにアドレスを
１１１とａ□＃とで表現Ｔるとパターン（１）（２）の
墳斤は第１Ｅ向で示Ｔ太線１看を虻蒐大向器員わＴ境界
＠ｇｌｌｌＫｊＥ化Ｔｉｅ ’ＩＣ子ヒーＡ（８）ｇＥ
）走査７３崗に対して直交並びに平行な境界４Ｉからの
みなるパターン（１）の場合は変化しな−か、斜行Ｔる
境界線を持つパターン（２）の場合は１本来の中心１１
輪が域実の中心線４ＬＩＫずれてしまうて−る。従うて
図形を幾重に％皿受する必要のある集積回路の直接描画
等の場合、その重ね会せ精度上、好ましくな−ｅ７Ｆレ
スナイズｔ−（Ｌ５戸調からもうと細かくＴればＣのパ
ターンのずれは少くなるがアドレスの個数が増加して電
子ビーム露光時間が長くな夛。
１１１とａ□＃とで表現Ｔるとパターン（１）（２）の
墳斤は第１Ｅ向で示Ｔ太線１看を虻蒐大向器員わＴ境界
＠ｇｌｌｌＫｊＥ化Ｔｉｅ ’ＩＣ子ヒーＡ（８）ｇＥ
）走査７３崗に対して直交並びに平行な境界４Ｉからの
みなるパターン（１）の場合は変化しな−か、斜行Ｔる
境界線を持つパターン（２）の場合は１本来の中心１１
輪が域実の中心線４ＬＩＫずれてしまうて−る。従うて
図形を幾重に％皿受する必要のある集積回路の直接描画
等の場合、その重ね会せ精度上、好ましくな−ｅ７Ｆレ
スナイズｔ−（Ｌ５戸調からもうと細かくＴればＣのパ
ターンのずれは少くなるがアドレスの個数が増加して電
子ビーム露光時間が長くな夛。
実月面でｉｉ！史しｌｈａ
訴るラスタースキャン方式（於ける電子ビームのアンシ
ランキング（ＯＩＩ）、ブランキング（・の ｒｒ場施回路構成は第２図に示す如く、パターンを記憶
しているパターンメモ５（ａｌと、読み出し回路シυと
、読み出し回路（２〃から得゛られる１ピツ）づりのａ
１＃、ｕ□＃の信号に応じてアンブランキング、ブラン
キング指令を露光装置のグランキング［極に印ｎｏＴる
印加回＠（２）と、から成りてお参。
ランキング（ＯＩＩ）、ブランキング（・の ｒｒ場施回路構成は第２図に示す如く、パターンを記憶
しているパターンメモ５（ａｌと、読み出し回路シυと
、読み出し回路（２〃から得゛られる１ピツ）づりのａ
１＃、ｕ□＃の信号に応じてアンブランキング、ブラン
キング指令を露光装置のグランキング［極に印ｎｏＴる
印加回＠（２）と、から成りてお参。
電子ビーム（８）の軌跡に沿りて走査する時、ブランキ
ング状態で走査を關始し、パターン１２Ｊの始点ａＳ及
びパターン（１）の始点〔ηでアンブランキング信号を
、パターン（２）の終点１ｅ及びパターン（１）の終点
鵠ではブランキング信号を発生して−る。
ング状態で走査を關始し、パターン１２Ｊの始点ａＳ及
びパターン（１）の始点〔ηでアンブランキング信号を
、パターン（２）の終点１ｅ及びパターン（１）の終点
鵠ではブランキング信号を発生して−る。
本発明装置に於てはパターン（２）の終点−パターン錫
）の始点０．即ち電子ビーム（８）の走査方向と斜行ｆ
るパターンエツジのｉｕｒでのブランキング。
）の始点０．即ち電子ビーム（８）の走査方向と斜行ｆ
るパターンエツジのｉｕｒでのブランキング。
アンブランキング信号を逼らせてアンプフンキング、グ
ランキンゲ期喝な夫々畏（Ｔる事に依りて終点舖、及び
始息四は第１図（Ｃ）で示した太線より少し上方に移動
し、正確な位置での露光が期待出来る。
ランキンゲ期喝な夫々畏（Ｔる事に依りて終点舖、及び
始息四は第１図（Ｃ）で示した太線より少し上方に移動
し、正確な位置での露光が期待出来る。
ｆｉｌｌは本発明露光５ａｗの構成な示Ｔブロック図で
あフて、（至）３１＠は犬−第２図に示したパターンメ
モリ、読み出し回路、並びに印加回路であ〕。
あフて、（至）３１＠は犬−第２図に示したパターンメ
モリ、読み出し回路、並びに印加回路であ〕。
（２）はブランキング、アンブランキング各信号を遅延
する時間を選択する遅延時間選択メモリで、第１図（Ｃ
）に示したような斜行ｗ１所員四のアドレスな予め記憶
せしめておくものである。（至）はこの遅延時間選択メ
モ［關と読み出し回路ＱＤとに連−）九遍延時間切〕換
え回路で、遅延回路（至）での遅延時間の切１１１見を
指示する・ 回し、てタロツク周波数４０舅Ｈ凰（アドレスから次の
７Ｆ＆／スへの移動時開２５！Ｉｇ） 、アドレスナイ
ス１５声層のラスタースキャン型電子ビーム露光装置を
使用し、パターンメモリ（至）にパターンのｓ１＃１ｍ
０ｊＦ情報な格納すると共に、遅延時聞選択ノＪｌｌす
（２１には、アンプランキング開始点と、プランキング
開始点のそれぞれのパターンメモリ番地情報と遅延時間
情報な、走査ｊ［Ｋ並べて格納してシ（・一方、遅延回
路（ハ）は例えば０膳１か６２．５ ！１ ｇ自ざみに
２５ｍ１！で設けてＴｏ）遅延時間の切換えは遅延時間
情報り回路−にようでなされる。
する時間を選択する遅延時間選択メモリで、第１図（Ｃ
）に示したような斜行ｗ１所員四のアドレスな予め記憶
せしめておくものである。（至）はこの遅延時間選択メ
モ［關と読み出し回路ＱＤとに連−）九遍延時間切〕換
え回路で、遅延回路（至）での遅延時間の切１１１見を
指示する・ 回し、てタロツク周波数４０舅Ｈ凰（アドレスから次の
７Ｆ＆／スへの移動時開２５！Ｉｇ） 、アドレスナイ
ス１５声層のラスタースキャン型電子ビーム露光装置を
使用し、パターンメモリ（至）にパターンのｓ１＃１ｍ
０ｊＦ情報な格納すると共に、遅延時聞選択ノＪｌｌす
（２１には、アンプランキング開始点と、プランキング
開始点のそれぞれのパターンメモリ番地情報と遅延時間
情報な、走査ｊ［Ｋ並べて格納してシ（・一方、遅延回
路（ハ）は例えば０膳１か６２．５ ！１ ｇ自ざみに
２５ｍ１！で設けてＴｏ）遅延時間の切換えは遅延時間
情報り回路−にようでなされる。
標準の遅延時間は１２．５１１８であり、それよｐ後の
位置へ凰ばしたいときは１辺ｍｌｉ以上に１手前の位置
へもりで自たいときは１１０勅邸以下に遅延時間を設定
する。描画１！ｌ域の走査が始まると、遅凰時間選択メ
そ５（ハ）の中の最初のパターンメモリ番地情報と、遅
延時間が読出畜れ、一方バターンメモリ（至）の内容が
順次続出し回５（２）によりて読ｍされて次へ送られる
ときに１番地が一致したらそのときの前記遅延時間にも
とず−で、遅延時間＠換え回路−によりて遅延回路−を
匈換見、ブランキング、１ングランキング情報な印加回
Ｗ＆＠に送る。
位置へ凰ばしたいときは１辺ｍｌｉ以上に１手前の位置
へもりで自たいときは１１０勅邸以下に遅延時間を設定
する。描画１！ｌ域の走査が始まると、遅凰時間選択メ
そ５（ハ）の中の最初のパターンメモリ番地情報と、遅
延時間が読出畜れ、一方バターンメモリ（至）の内容が
順次続出し回５（２）によりて読ｍされて次へ送られる
ときに１番地が一致したらそのときの前記遅延時間にも
とず−で、遅延時間＠換え回路−によりて遅延回路−を
匈換見、ブランキング、１ングランキング情報な印加回
Ｗ＆＠に送る。
第１ Ｅ（（：Ｊｇ）ｌＩ形ノ場合、（１ｃｊ、 ａ＠
１．１１． （１１１，１１１点の遅延時開を１２．５
１１５１一定にした露光図を現像して光波干渉式座標調
定機で測定すると、斜方向パターン（２Ｊの中心ＩＩｕ
は本来のパターンの中心線ｌよｐ右下方向へα５墨声Ｉ
ＩＩＶフトして−たが、篩１点ｅｊ！延時開ｔ＃２２ｊ
１１１とし、他の走査軌跡の斜方向階段状点も同様に２
２．５１１１１に設定すると、シフト量は完全にαＯｏ
声麿でＴｏｇて、パターンのずれは一切認められ１ｋか
りた。
１．１１． （１１１，１１１点の遅延時開を１２．５
１１５１一定にした露光図を現像して光波干渉式座標調
定機で測定すると、斜方向パターン（２Ｊの中心ＩＩｕ
は本来のパターンの中心線ｌよｐ右下方向へα５墨声Ｉ
ＩＩＶフトして−たが、篩１点ｅｊ！延時開ｔ＃２２ｊ
１１１とし、他の走査軌跡の斜方向階段状点も同様に２
２．５１１１１に設定すると、シフト量は完全にαＯｏ
声麿でＴｏｇて、パターンのずれは一切認められ１ｋか
りた。
本発明は以上の説明から明らかな如＜、ｉｉ党ビームの
走査方向に対して斜行するパターンエツジのアドレスに
該当する遅延特開をその他Ｖ箇所のそれと異らしめてい
るので、斜行ＩＩＦｒｇ３露光が原パターンに対して忠
実に行われ、パターンのずれな皆無とＴる事が出来、集
積１馬の直ＩＩｌ描画の場合にパターンの重ね合（精度
を向上せしめる事が出来る。
走査方向に対して斜行するパターンエツジのアドレスに
該当する遅延特開をその他Ｖ箇所のそれと異らしめてい
るので、斜行ＩＩＦｒｇ３露光が原パターンに対して忠
実に行われ、パターンのずれな皆無とＴる事が出来、集
積１馬の直ＩＩｌ描画の場合にパターンの重ね合（精度
を向上せしめる事が出来る。
第１ｖＡ（Ａ）、−八（Ｃ）は大々パタニンの状態図、
第２図は従来装置の構成を示すブロック図、第番図は本
発明装置の構成な示すブロック図でありて。 橢はパターンノ’ｅ ９ ＊（２）は印加回路、ｃ！１
は遥過時聞塙択メモラ、（至）は遅延時間選択回路、（
２）は遅凰回路、を犬々示している。
第２図は従来装置の構成を示すブロック図、第番図は本
発明装置の構成な示すブロック図でありて。 橢はパターンノ’ｅ ９ ＊（２）は印加回路、ｃ！１
は遥過時聞塙択メモラ、（至）は遅延時間選択回路、（
２）は遅凰回路、を犬々示している。
Claims (1)
- １）ＦＦｖＸ付けされた錨装置ＩＩ！、を噴火ビーム露
光するツエタースキャン型電子ビーム露光装置ｔｃ Ｉ
ｋ テ＊ 錨ｗｔｔ ／（ターンを記憶しているづター
ンノそヲと、描画パターンに６じた露光遅延時＊１−遥
択する遥延時四遍択ノモヲと、これ啼の両）そりＦＤ円
容に応じて露光時−の設定を行う！光時間設定回路と、
から威）、上記遅延時閏遥択ノモツには露光ビームのス
キャン方向に対して斜行するパターンエツジのアドレス
に該轟する遅延時間をその他の箇所のそれと異らしめた
情報をε億セしめ九事を特徴とするツスタース命ヤン型
電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13096881A JPS5832419A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | ラスタ−スキヤン型電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13096881A JPS5832419A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | ラスタ−スキヤン型電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832419A true JPS5832419A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15046820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13096881A Pending JPS5832419A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | ラスタ−スキヤン型電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4973818A (en) * | 1988-03-26 | 1990-11-27 | Leybold Aktiengesellschaft | Device and method for the control and monitoring of an electron beam for metal working |
| EP0653103A1 (en) * | 1993-05-28 | 1995-05-17 | Etec Systems, Inc. | Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP13096881A patent/JPS5832419A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4973818A (en) * | 1988-03-26 | 1990-11-27 | Leybold Aktiengesellschaft | Device and method for the control and monitoring of an electron beam for metal working |
| EP0653103A1 (en) * | 1993-05-28 | 1995-05-17 | Etec Systems, Inc. | Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography |
| EP0653103A4 (en) * | 1993-05-28 | 1998-12-16 | Etec Systems Inc | DOSIS MODULATION AND PIXEL DEFLECTION FOR GRID SCANNED LITHOGRAPHY PROCESS. |
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