JPS5831405A - 加熱炉内温度制御方式 - Google Patents

加熱炉内温度制御方式

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Publication number
JPS5831405A
JPS5831405A JP56128765A JP12876581A JPS5831405A JP S5831405 A JPS5831405 A JP S5831405A JP 56128765 A JP56128765 A JP 56128765A JP 12876581 A JP12876581 A JP 12876581A JP S5831405 A JPS5831405 A JP S5831405A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
furnace
wafer
furnace wall
wall
Prior art date
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Pending
Application number
JP56128765A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Matsuba
松葉 育雄
Kuniaki Matsumoto
松本 邦顕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5831405A publication Critical patent/JPS5831405A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1927Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
    • G05D23/1928Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperature of one space

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ベーキング炉や拡散炉など測定不可能な加熱
炉内の温度制御方式に関し、たとえばベーキング炉内の
ウェハーを設計で定められた温度でウェハー全体を均一
にベータするためのベーキング炉の温度制御に応用でき
る。
従来、ベーキング炉は、炉壁面全体が一定温度になるよ
うに制御されていたが、炉内部のガスの温度分布に関す
る測定がないためウェハ一温度かはとんど分っていなか
った。ウェハー附近に温度センサー會装備するとカスが
乱流状態となり、ウェハ一温度の均一性を損うことにな
るため、センサーによる炉内部での温度測定を避けなけ
ればならない。このような理由から炉壁温度より炉内部
のウェハ一温度を推定するモデルの開発が要求される。
従来のようにベーキング炉の炉壁を一定温度に加熱する
方法によると、ウェハーが位置に関し不均一にベークさ
することKなり、温度に大きく依存するレジストの乾燥
度がウェハーの位置により異なり、最終的に完成した半
導体特性のはらつきを生じ、歩留りを減少させる結果と
なる欠点をもつ。
したがって、本発明は、上記のように加熱炉内の温度が
測定不可能なとき、炉壁温就會一定にしておくと、被加
熱物が不均一に加熱古ムるという欠点を改善することを
目的とする。この目的を達成するため本発明においては
、炉内部状態を推定するモデルに基づき、加熱炉壁の温
度をたとえば炉壁に装備されたヒーターで鉤整すること
により被加熱#IJを均一温度で加熱するように制御す
る点に特徴かめる。
以下、実施例にもとづき本発明の詳細な説明する。第1
図は本発明によるベーキング炉とその温度制御装置との
接続関係の一実施例を示す。第1図において、対象とす
るベーキング炉101は円筒型をチューブで、ウェハー
102はその中央部のステンレスベルト103に乗せら
れ搬送されながらベークされる。炉内に導入される室温
のガス104が炉入口より出口まで温度勾配一定となる
ようにヒーター105により加熱されると考えられるの
で、炉内の温度分布は炉軸(Z軸)方向に対しては一様
となるが、問題は炉軸に対して垂直に切った2次元(x
−y)平面内での温度分布の推定となる。ウェハー自体
は炉入口より搬送されつつ時間的に徐々に加熱きれるが
、x−y平面内における温度分布は時間的に定常でろる
。ウェハーを均一温度でベークするためのベーキング炉
の温度制御は以下のようにしておこなわれる。ます、設
計温度01を最適計算装置106−入力し、後述の計算
方法により、ウェハーを均一温度θ、でベークするよう
な炉壁温度を決定する。炉壁温度が決定されると、Pよ
りコントローラー107を用いることにより、センサー
108の炉壁温度測定結果に基づき電源109を調整し
、前記ヒーター105により最適計算装置106で決定
された温度に加熱する。
つぎに、炉壁温度を設定する計算手順について説明する
ガスの一度をT、Z軸方向の速度成分をvl、熱伝導率
tαとするとガスの温度分布は次式に示す二次元調和方
程式を解くことにより得られる。
θ!   θ! ここで、!  =、、+;B、  は二次元ラプラシア
ンを示し、θT/#Zは上述のように一定となるように
制御されている。ウエノ・−102の厚みは炉の内径に
比較して非常圧薄いのでこれを無[fると、v、とじて
ボアズイユ流れの速f【とることが出来る。
v、=:v、、、 T (1’/ R” )     
    ”(2)ここで、%axは炉中央部におけるガ
ス速度の最大値、γは炉中央部からの距離、kLは炉の
半径を示す。
ウェハ一温度をθ(Xw)(X−;ウェハー上の位置管
示すベクトル)、炉壁面での温度をTo(XH:壁面上
での位置を示すベクトル)とすると、問題は、ウェハー
上のすべての位置Xwにおいて設計により定められた温
度θ、に設定するためにいかKしてTo(X!I)を決
めるかである。このような解T。
は一般に無数に存在するが、次式に示す評価関数を最小
にするように%’tユニークに決める。
・・・(3) 上記の評価関数の第一項はウェハ一温度を設計値0、に
保つこ七を目的とし、すなわち精度に関するものでるり
、第二項は炉温度がθ、に近づけるといった意味で、炉
を加熱するのに必要なエネルギーの大きさを示す。従っ
て定数には、精度と消費エ □ネルギーとの比を表わす
パラメターと考えられる。
この評価関数を最小にするような炉壁面での温度分布の
解Toは、ウエノ・−全体にわた抄均−にベークする解
の内、炉壁温度とウェハ一温度との差が最小罠なる°炉
壁温度分布である0、すなわち炉を加熱するのに必要な
熱エネルギーが最小となる温度分布である。
第2図は、炉軸(2軸)に垂直に切った(x−・y)断
面において、有限要素法を適用するための三角要素O゛
構成断面の1/4について示したものである。第2図に
おいては、炉壁における節点iとしてi=1〜6、ウエ
ノ・−表面における節点jとしてj=1〜4が設定され
ている。炉壁のヒーター105およびセンサー108は
i壁の節点に位置している。第2図の例では、炉壁節点
数nは6、ウェハー節点数m#i4である。基礎方程式
(1)、(2)のyism性により、炉壁面温度を To”ΣTotδ、             ・(4
)−1 のように、炉壁面の各節点iでのみ単位の大きさの温[
會もつ一覧の重みTo+つきの和として懺わす。 ・・
’r(x、y)=ΣTt (X、 Y)       
 ”(5)@sl と表わすことが出来る。T+riそれぞれ次式を満たす
ように選ぶ。
”Tl=Pt (1=1e 2. ”・+ n)   
  ”・(6)ただし、 ΣP+=P 場−凰 Plは上式の拘束条件を満たす限り自由に遇ぶことが出
来るので P L= aTot              ”・
(7’)のように、定数a’6用いて、上記重みToI
に比例する童としてPst表わす。従って a = P/ Σ To鳳             
          ・・・(8)mt (7)式の両辺tTo+で割れば(6)式より次式を得
る。
”(’r+/To+3=as(i=x、2.−・・、n
)  −・(9)(9)式を、T+/Totが炉壁でδ
lとなる境界条件のもとで解き、その解のつ二ノ・−上
の節点jでの値をXIJとする。(5)式により、ウエ
ノ・−の各節点jでの温度θ、は次のように表わせる。
θ1=J TOIxlJvf(J=1s””1 m) 
    ”・nl集−息 次に評価関数(3)を最小にするような炉壁温度T。
を求める式を導く。JをToI(i= 1 +・・・e
”)の関数と見なし、J?To+で変分してOK置くと
とKより、次式を得る。
ΣA15To+=θt・Bs (J==l、、−、n)
     −nl)ト1 ここで 1■         I AI I=−Σ(X Jm Xth+X Jk−IXs
h−+ +i X1h−tX+h3 k、1 十X 5kX 1h−t ) +5”(2J1.、+”15t、h。t+’as、h−
r)3 b−*     2   2 +16j濱δ置2.+16+、*)+  ’+、−(δ
鳳9.←転、−1)3     2   3    2 1■ B、=−Σ(xjk+xJk−t )−4−12h霊 ここで、 上式でA1+ 、Batと4X3+により表わされてい
るので、Tolの関数でもある。従って10式は炉壁温
度に関する非線型方程式となっているので、直接T。J
を求めるのは困難である。くり返し法により非線型方程
式Iを解く。すなわち初期のTom(ここではθ1に等
しくとる)を仮定し、その値を境界条件にして(9)式
を解きXtSt”求める。そのX+t を用いても0式
を解くことにより新たなTOJ’を求める。このように
して求めたT、、/と初期のToJと比較し、異ってい
ればTOJ = rom’とおき計算をくり返し、同じ
であればその時のTom’が求めるべき炉壁温度となる
以上のようにして、ウェハ一温度を設計値にするための
炉壁温度全決定出来る。第3図は上記の方法管計算機を
用いて実行するときのアルゴリズムを示す。第3図にお
けれそれぞれのステップでは、つぎのような処理をお仁
なう。
301:設計で決められたウェハ一温度を入力する。
302:(9)式を解くための初期境界条件としてTo
+=θg(’=i*・・・w”)を設定する。
303:(9)式を解き、第ill目の方程式のつ二ノ
・−の第1節点での解xIJ′t−求める。
304:XIJを用いて、評価関数(3)を最小にする
ようなTom’を決める。
305:初期に設定したTOIとTot’を比較判定す
る。
306:もし加キTo+であればT(11’を新たに境
界条件に設定しステップ302へ戻る。
307 : Tos = Tos’でおれば、ヒーター
をその温度に設定して処理を終了する。
たとえばウエノ・一温度θ、を100°としたときの、
上記アルゴリズムを用いた炉壁温度分布を第4図に示す
。ただしこの計算例で1ll(=17100としである
。このときのウエノ・−温fは中央部で1001端部で
は99.1°でわずか0.9%の不均一性をもつだけで
ある。11さらに小さくして、11500とすると0.
31Gの不均一性を示すにすぎなくなる。
以上説明したように、本発明によればウエノ・一温度分
布の均一性を著しく向上させることができその効果は大
きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるベーキング炉の基本構成図、第2
図はベーキング炉のz@に垂直に切った断面図、第3図
は本発明による温度制御方式のフローチャート、第4図
は本発明に19制御された炉断面における炉壁温度分布
の一例を示す。 101:ベーキング炉、102:ウェハー。 代理人 弁理士 薄田利幸 ■・1図 第2図 第 3  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. t 加熱炉内を被加熱物を搬送させながら、核加熱炉壁
    の第1の温度と該被加熱物の第2の温度とを入力変数と
    する評価関数を定め、あらかじめ設定された上記第2の
    温度にたいして上記評価関数が所定の値となるように上
    記第1の温度を制御することを特徴とする加熱炉内温度
    制御方式。
JP56128765A 1981-08-19 1981-08-19 加熱炉内温度制御方式 Pending JPS5831405A (ja)

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JP56128765A JPS5831405A (ja) 1981-08-19 1981-08-19 加熱炉内温度制御方式

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JP56128765A JPS5831405A (ja) 1981-08-19 1981-08-19 加熱炉内温度制御方式

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JPS5831405A true JPS5831405A (ja) 1983-02-24

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ID=14992911

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JP56128765A Pending JPS5831405A (ja) 1981-08-19 1981-08-19 加熱炉内温度制御方式

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60151709A (ja) * 1984-01-18 1985-08-09 Kawasaki Steel Corp 工業炉の炉温制御装置
JPS62132541A (ja) * 1985-12-02 1987-06-15 Idemitsu Petrochem Co Ltd 反応器の内部温度制御方法
JPH02216226A (ja) * 1988-12-22 1990-08-29 Mas Fab Rieter Ag コーミングマシン
US6730885B2 (en) 2000-07-06 2004-05-04 Tokyo Electron Limited Batch type heat treatment system, method for controlling same, and heat treatment method

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