JPS5830148A - 集積回路装置用リ−ドピンの製造方法 - Google Patents

集積回路装置用リ−ドピンの製造方法

Info

Publication number
JPS5830148A
JPS5830148A JP12841481A JP12841481A JPS5830148A JP S5830148 A JPS5830148 A JP S5830148A JP 12841481 A JP12841481 A JP 12841481A JP 12841481 A JP12841481 A JP 12841481A JP S5830148 A JPS5830148 A JP S5830148A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
head
diameter
pin
lead pin
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12841481A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS647505B2 (ja
Inventor
Katsuyuki Takarasawa
宝沢 勝幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Priority to JP12841481A priority Critical patent/JPS5830148A/ja
Publication of JPS5830148A publication Critical patent/JPS5830148A/ja
Publication of JPS647505B2 publication Critical patent/JPS647505B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4885Wire-like parts or pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、集積回路装置のセラミックス基板にろう付す
るリベット型の集積回路装置用リードピノ(以下単にリ
ードピンという)の製造方法に関するものである。
従来、この種のリードピンの製造方法は、第1図に示す
如くリードビン10頭部2の付根に銀ろうリング3を嵌
込み、この銀ろうリングラ溶融して第2図に示す如くリ
ードピン1′にするものであった。
しかしfxからこの方法では、銀ろうリング3を1個ず
つリードビンIK恢め込むために、極めて生産性の低い
ものであった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、リードピン
1の頭部2の付根に銀ろうの層全設けたリードピンを能
率よく作ることのできる製造方法を提供せんとする鴨の
である。
本発明は、銀ろう片の上にリベット型リードビンの頭部
を下向きに載せた状態で、銀ろう片を溶融してリードピ
ンの頭部付根に鋏ろうを付けることを特徴とするもので
ある。
本発明に於いて、銀ろう片の上にリードピンの頭部を下
向きに載せる理由は、釧ろうf:溶融した際、リードピ
ンの自重又は重4しを載せることにより頭部を銀ろう中
に沈みこめ頭部付根に銀ろうが付くようにするためであ
る。
本発明を一実施例にて説明すると、llX3図に示す如
く直径1 m 、深さ0.5mの穴4を多数一定間隔に
設けたグラハイド板5の穴4に、直径05u。
長さ0.6gの銀72−−銅28チ合金より成る銀ろう
片611−入れ、次にこのグラハイド板5の上に、直径
0.6 mの孔7をグラハイド板5の穴4と同じ位li
tに設けたグラハイド@8の孔71C,頭部2の直径0
.8 y 、厚さ0.15 y 、足部9の直径0.4
5u、長さ8Iuのリードビン1を逆さに入れた状態で
、グラハイド板8を穴4と孔7のセンターが一致するよ
うに重ね、これt弱還元性雰囲気の炉にて800℃に加
熱して銀ろう6を浴融し、第4図に示す如く頭部2の付
根に銀ろう6′を付けたり−ドビン1#を得た。
本発明によるリードビンの製作時間と従来の方法による
リードビンの製作時間をリードビン1000本について
、比較測定したところ本発明による製作時間が7分間で
あったのに対し、従来の方法でFi70分間を要した。
またgR5図に示す如く上記実施例で得たリードビン1
′をセラミックス基板10に100本セットシ、ろう付
は後の強さを測定したところ、接合強さが全て5Kf以
上で従来のリードビン1′と同等に優れ穴ものであっ友
以上のことから判るように、本発明は従来の方法のよう
にリードビンに銀ろうりングを嵌め込む必要がないため
作業が単純で極めて生産性の高いものであり、またセラ
ミックス基板とのろう付は強さも従来の方法によるリー
ドビンと同等の優れたリードビンを得ることができるの
で、従来の方法にとって代わる画期的なリードビンの製
造方法といえる。
【図面の簡単な説明】
第1図及びaiZ図は従来の製造工程を示す断面図、第
3図及び第4図は本発明の製造工程を示す断面図、第5
図は本発明に係るリードビンをセラミックス基板にセッ
トし良状態を示す断面図である。 1“・・・・・・本発明に係るリードビン、2・・・・
・・頭部、5.8・・・・・−グラハイド板、6・・・
・・・鋏ろう片、6′・・・・・・銀ろう、10・・・
・・・セラミックス基板。 出願人  田中貴金属工業株式会社 第1図 第3図 第5図 第2図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 銀ろう片の上にリベット型リードビンの頭部を下向きに
    載せた状態で、前記銀ろう片を溶融して前記リードビン
    の頭部付根に鋏ろうを付けることfr特徴とする集積回
    路装置用リードビンの製造方法。
JP12841481A 1981-08-17 1981-08-17 集積回路装置用リ−ドピンの製造方法 Granted JPS5830148A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12841481A JPS5830148A (ja) 1981-08-17 1981-08-17 集積回路装置用リ−ドピンの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12841481A JPS5830148A (ja) 1981-08-17 1981-08-17 集積回路装置用リ−ドピンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5830148A true JPS5830148A (ja) 1983-02-22
JPS647505B2 JPS647505B2 (ja) 1989-02-09

Family

ID=14984170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12841481A Granted JPS5830148A (ja) 1981-08-17 1981-08-17 集積回路装置用リ−ドピンの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5830148A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990064755A (ko) * 1999-05-07 1999-08-05 홍성결 은이 부착된 헤딩 리드 핀의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990064755A (ko) * 1999-05-07 1999-08-05 홍성결 은이 부착된 헤딩 리드 핀의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPS647505B2 (ja) 1989-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6097634A (ja) マイクロパツク製作方法
JPH01161892A (ja) セラミックス回路基板およびその製造方法
US20190274357A1 (en) Ceramic heating element with multiple temperature zones
JPS5830148A (ja) 集積回路装置用リ−ドピンの製造方法
JPS60250872A (ja) ポンチにおけるシヤンクとタングステンカ−バイドチツプのろう付け法
CN1006613B (zh) 焊接型合成金刚石聚晶复合体及其制法
CN110248472A (zh) 一种电路板加工工艺
JPS61255032A (ja) 半導体集積回路素子交換方法
JPS63310143A (ja) 黒鉛製治具
JP3092830B2 (ja) Ag酸化物系接点材のろう付け方法
JPS59105346A (ja) Agろう付きリ−ドピンの製造方法
JPS5823466A (ja) 集積回路装置用リ−ドピン
JPS60113449A (ja) 難加工性ろう材付リ−ドピンの製造方法
JP4018991B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JPH03274108A (ja) セラミックス基板の製造方法
JPH0422961Y2 (ja)
JP2597024B2 (ja) 蛍光表示管用カバーガラスの製造方法
Tsuno Method of Producing Brazing Metals
JPS6419640A (en) Manufacture of rivet type contact
JPS60145972A (ja) セラミックス−金属接合体
JPH0462853A (ja) 半導体装置用パッケージ
JPH05145000A (ja) リードピンへのろう材融着用カーボン治具
JPS60150653A (ja) 半導体装置
JPS63308351A (ja) ハンダバンプの形成方法
JP2000349193A (ja) 配線基板へのピンの接合方法