JPS5827912B2 - 磁気バブル記憶装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は複数の情報蓄積伝播路と少なくとも１つの書込
み読出し伝播路を備え、該両伝播路間でバブルを転送し
て情報の書込み読出しを行なう所謂メジャー・マイナー
・ループ構成の磁気バブル記憶装置に関する。

近年磁気バブル記憶装置は実用化に向けて積極的に研究
が進められ、特に高密度化・高速、駆動化の研究が増々
盛んになってきている。

高密度化・高速駆動化が進むにつれて磁気バブル素子の
製造は、増々難しくなりつつあり、所望の動作マージン
を確保するために微細加工技術、パターン形状の改良等
各種の研究がなされているが、それでも素子の欠陥を皆
無にすることは不可能に近い。

そこで最近では、特に大容量のバブル記憶素子を得る場
合、欠陥救済の手段が講じられている。

磁気バブル記憶装置の記憶構成としては大別してメジャ
ー・マイナー・ループ方式とシングル・ループ方式があ
るが、メジャー・マイナー・ループ方式はこの欠陥の救
済が比較的容易に行なえるため特に大容量記憶装置にお
いてよく使用される。

メジャー・マイナー・ループ方式における欠陥の救済は
、具体的には予め多数の情報蓄積伝播路のうちのいくつ
かを予備として待機させ、一方動作試７験の結果欠陥領
域あるいは欠陥ビットの存在する情報蓄積伝播路（以下
単にマイナー・ループと称する）の使用を禁止するため
にその欠陥マイナー・ループのアドレス情報を外部に設
けられた半導体固定記憶装置に記憶させ、当該欠陥マイ
ナー・ループに書込み読出しアクセスがあった場合は固
定記憶装置によりアドレス変換されて予備のマイナー・
ループをアクセスするものである。

しかしこの欠陥救済法は、外部に固定記憶装置を設ける
必要があること、特にこの外部記憶装置が半導体記憶装
置の場合情報保始のために常時電流を供給する必要があ
ること、装置が大型化する等得策ではない。

また磁気バブル素子内のいくつかのマイナー・ループを
欠陥マイナー・ループのアドレス情報記憶に当てて行な
う方法も考案されているが、情報保持の信頼性の点で好
ましいとはいえない。

本発明は上述の問題点を解決し、小型化、低廉化に極し
、さらには情報保持の信頼性が高い全く新規な磁気バブ
ル記憶装置を実現することを目的としている。

本発明の目的は、複数のマイナー・ループと、少なくと
も１つの書込み読出し伝播略（以下単にメジャー・ルー
プと称する）とを備え、該両ループ間でバブルを転送し
て情報の書込み読出しを行なう磁気バブル記憶装置にお
いて、少なくとも上記マイナー・ループの１つに欠陥を
有するマイナー・ループのアドレス情報を記憶させ、こ
のマイナー・ループ内のアドレス情報を他のマイナー・
ループに対する情報の書込み読出しモードと異なる動作
モードで読出すことによって遠戚することができる。

以下本発明を図面を用いて説明する。

第１図は本発明にかかる磁気バブル装置の一実施例であ
る。

図において、１乃至９はマイナー・ループ、１０はメジ
ャー・ループ、１１はバブル発生器、１２はバブル複製
器、１３はバブル検出器、１４はバブル消去器、１５は
バブル検出器１３をなす磁気抵抗効果素子に電流を供給
する通電パターン、１６，１７は通電パターンの外部接
続端子、１８，１９は後に詳述するトランスファゲート
２１乃至２９に電流を供給する通電パターン２０の外部
接続端子である。

図に示す実施例では簡単のためにマイナー・ループが９
個のものを示し、マイナー・ループ１乃至７が予備マイ
ナー・ループを含むデータの情報蓄積領域として使用さ
れ、欠陥の存在するマイナー・ループはこの予備マイナ
ー・ループに置換されて外部よりアクセスされる。

マイナー・ループ８，９は、欠陥マイナー・ループのア
ドレス情報を記憶腰予備マイナー・ループのアドレス情
報を記憶するアドレス変換のための情報蓄積領域として
使用される。

本発明による磁気バブル記憶装置は次のような動作を行
なう。

先ずバブル素子の動作試験を行ない、欠陥マイナー・ル
ープを検知するとともに、欠陥マイナー・ループのアド
レス情報及びこの欠陥マイナー・ループに対応する予備
マイナー・ループのアドレス情報をマイナー・ループ８
，９に書込む。

書込みは、バブル発生器１１からこれらのアドレス情報
に対応するバブル列を発生し、該バブル列をメジャー・
ループ１０を介して転送し、マイナー・ループ８，９に
対応するトランスファ・ゲート２８，２９の位置まで転
送する。

このとき通電パターン２０に電流を供給して該バブル列
をトランスファ・ゲート２８，２９を介してマイナー・
ループ８，９へ送り込む。

ここでトランスファ・ゲート２８，２９は、実際のデー
タ情報が書込まれたマイナー・ループに対応するトラン
スファゲート２１乃至２７を駆動する条件とは異なる条
件で駆動される。

駆動条件とは、例えば電流の位相、電流値、電流印加時
間電流の極性等である。

尚電流の位相について条件を変えたトランスファゲート
の実施例を第３図に示しである。

第３図に示す実施例の動作説明は後に詳述する。

第２図は本発明に使用される磁気バブル記憶装置の他の
実施例である。

図中の番号は第１図のものを延用し、３１Ｐ１至３９は
レプリケートゲート。

４０は各レプリケートゲート３１乃至３９に電流を供給
する通電パターン、４１，４２は通電パターンの外部接
続端子である。

本実施例の第１図の実施例と異なる点は、第１図のもの
がメジャー・ループ１個であったのに対して第２図のも
のはそれが２個設けられていることである。

すなわち情報の書込みはメジャー・ループ１０をパブ、
ｊｌｚ列カ列送転送、通電パターン２０への電流の供給
によりトランファ・ゲー１−２１７”Ｊ至２９を介して
各マイナー・ループ１乃至９に転送されて行なわれる。

一方情報の読出しは、通電パターン４０への電流の供給
によりレプリケート・ゲート３１乃至３９を介してメジ
ャー・ループ１０′に転送し、更にこれらのバブル列を
メジャー・ループ１０′に沿って転送してバブル検出器
１３に導くことで行なわれる。

ここで読出し側のゲート３１乃至３９はレプリケート・
ゲートであるため、マイナー・ループからのバブル列は
ここで複製され一方はバブル検出器へ、一方は再びマイ
ナー・ループへ戻されるため蓄積されている情報が破壊
されることはない。

本実施例の場合もマイナー・ループ８，９は欠陥マイナ
ー・ループのアドレス情報記憶用として用いられる。

マイナー・ループ８，９に対応する２組のゲート２８，
２９および３８，３９は第１図の実施例と同様実際のデ
ータ情報が書込まれたマイナー・ループに対応するゲー
ト２１乃至２７および３１巧至３７を駆動する条件と異
なる条件で駆動される。

第３図は、第１図におけるトランスファ・ゲート２１乃
至２７の具体的構成を示す実施例、第４図は第１図にお
けるトランスファ・ゲート２８゜２９の具体的構成を示
す実施例である。

各図とも第１図の番号を延用している。

各ゲートにおけるバブルの転送は、図中ＨＲで示す外部
回転磁界により行なわれるが、第３図と第４図を比較し
て判るように両者のパターン構成はいく分界なる。

すなわち第３図に示すパターン構成では、マイナー・ル
ープ１の１部を威す通常パーマロイ等より構成されるパ
ターン１′において、外部回転磁界ＨＲがＨＲ＋の方向
にあるとき通電パターン２０にメジャー・ループ１０転
送のための電流を供給するのに対して、第４図に示すパ
ターン構成は、パターン８′において外部回転磁界ＨＲ
がＨＲ２の方向にあるとき通電パターン２０にメジャー
・ループ１０への転送のための電流が供給される。

従って本発明にかかる磁気バブル記憶装置を駆動する場
合、先ず最初にマイナー・ループ８，９に予め書込まれ
たアドレス情報を読出し、例えば外部の記憶装置（ＲＡ
Ｍ）にそのアドレス情報を書込む。

このとき、マイナー・ループ１乃至７に蓄えられている
情報はこの読出し動作に対して伺ら影響を受けない。

なぜなら第４図に示すゲートを作動させる電流の位相は
外部回転磁界ＨＲがＨＲ２の時点であってこのとき同時
に通電される第３図に示すゲートは電流の位相がＨＲ＋
の時点でのみ作動するものであるためマイナー・ループ
１乃至γ上のバブルにはこのアドレス情報読出しのため
の通電の悪影響は全くない。

次に外部記憶装置に記憶されたアドレス情報をもとにマ
イナー・ループ１乃至７の情報を読出しまたは書込む。

情報読出しの際トランスファゲートの通電パターン２０
に供給される電流位相は外部回転磁界ＨＲがＨＲ１の時
点であるためマイナー・ループ８，９に対応するトラン
スファ・ゲ・−ト２Ｂ、２９は動作しない。

従ってマイナー・ループ８，９内のアドレス情報は確実
に保存される。

以上の説明は電流位相を変えた場合の実施例についての
説明であるがこれに限定されるものではなく電流値、電
流供給幅あるいは電流の極性等を変えることによっても
上述の如き駆動を行なうことが可能である。

第２図に示す実施例の場合も全く同様にして上述した駆
動を行なうことが可能である。

以上説明したように本発明によれば、磁気バブル素子の
外部に固定記憶装置を用意する必要がないため小型で安
価な記憶装置を実現することができる。

さらに一旦書込んだ後は半永久的に消去したくない上述
の如き固定情報を誤動作等により操作を間違えても消滅
させることなく確実に同一素子内に格納することができ
る。

特に本発明は、書込み読出し制拝回路を備える本体装置
に対して磁気バブル素子のみが頻繁に結合、切離される
カセットタイプの磁気バブル記憶装置に適用して非常に
有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる磁気バブル記憶装置の一実施例
、第２図は本発明にかかる磁気バブル記憶装置の他の実
施例、第３図、第４図は第１図のトランスファ・ゲート
の具体的構成を示す図である。 図において、１乃至９はマイナー・ループ、１０はメジ
ャー・ループ、１１はバブル発生器、１２はバブル複製
器、１３はバブル検出器、１４はバブル消去器、２０は
通電パターン、２１乃至２９はトランスファゲートであ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数の情報蓄積伝播路と、少なくとも１つの書込み
   および／または読出し伝播路とを備え、該両伝播路間で
   バブルを転送して情報の書込み読出しを行う磁気バブル
   記憶装置において、複数の情報蓄積伝播路を複数群に分
   割するとともに該両伝播路間に配置される共通のゲート
   パターンを対応する該各群の情報蓄積伝播路毎に異なら
   しめ、該ゲートパターンの動作モードを規定することで
   複数の情報蓄積伝播路群のうちの１つの群を選択するこ
   とを特徴とする磁気バブル記憶装置。 ２ 上記複数の情報蓄積伝播路群のうちの少なくとも１
   つはデータ蓄積用に、他の１つはデータ蓄積用の情報蓄
   積伝播路のうちの欠陥を有する情報蓄積伝播路内アドレ
   ス情報を記憶するアドレス記憶用として使用されること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バブル記
   憶装置。