JPS592994B2 - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

磁気バブルメモリ素子

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Publication number
JPS592994B2
JPS592994B2 JP56174440A JP17444081A JPS592994B2 JP S592994 B2 JPS592994 B2 JP S592994B2 JP 56174440 A JP56174440 A JP 56174440A JP 17444081 A JP17444081 A JP 17444081A JP S592994 B2 JPS592994 B2 JP S592994B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
loop
read
boot
bubble
blocks
Prior art date
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Expired
Application number
JP56174440A
Other languages
English (en)
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JPS5877089A (ja
Inventor
研悟 野涯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5877089A publication Critical patent/JPS5877089A/ja
Publication of JPS592994B2 publication Critical patent/JPS592994B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は不良ループ情報を格納したブートルー5プの書
き込み、読み出しの迅速化を行なつた磁気バブルメモリ
素子に関する。
磁気バブルメモリ装置は不揮発性であり大容量高密度の
記憶が可能、低消費電力、小型軽量である等種々の特徴
をもつているため大容量メモリと 3して将来が期待さ
れている。
この磁気バブルメモリ装置は、磁性ガーネット等の磁性
薄膜内に発生させた磁気バブルを磁界により自由に動か
すことができることを利用したものであつて、第1図に
示す如く、磁気バブルメモリ素子1、バブルを駆動する
ための回転磁界発生用コイル2、7、バブワ ルを安定
に保持するためのバイアス磁界発生用磁石3、3’等に
より構成されている。そしてメモリ素子1は例えばガド
リニウム・ガリウム・ガーネット基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を形成し、
o その上にパーマロイ薄膜の微小パターンによるバブ
ル伝播路を形成しておき、バブルのあるところを゛01
−ないところを゛゛0’’として情報を記録するように
なつている。
この伝播路の構成にはシリアルループ方式とメジャーマ
イナー方式とがあ5 り大容量メモリとしては後者が用
いられる。第2図はメジヤーマイナー方式の1例の素子
構成を示したものである。図について説明すると4a、
4bはバブル発生器、5はバブル発生器に接続された書
き込み用メジャーライン、6−1〜ク 6−nは情報格
納用のマィナーループ、1は読み出し用メジャーライン
、8は読出し用メジャーラインに接続されたディテクタ
である。そしてマイナーループ6−1〜6−nはスワツ
プゲート9−1〜9−nを介して書き込みライン5に、
レ、・ ・ プリケートゲート10−1〜10−nを介
して読み出しライン1にそれぞれ接続されている。この
マイナーループ6−1〜6−nの接続はループにある幅
が必要であるため書き込みライン5及び読み出しライン
Tへはその2ビットおきに接続され(Jている。このた
めディテクタによるバブルの読み出しがバブル駆動用の
回転磁界の2回転に1回の割合となるため、読み出し効
率を上げるように図の如く同一構成のA、B2つのブロ
ックを、一素子上に形成してA、Bブロックを交互に読
み出すようにしている。またこのようなメモリ素子には
基板結晶の欠陥や、パーマロイ伝播路の欠陥によりマイ
ナーループに不良ループが生ずることが避けられない。
このため予めある数の不良ループを許容することにして
、その情報を記録しておくためにブートループ11が設
けられている。ところがこのブートループ11は従来A
,Bプロツクの何れか一方のみを使用するのが常であつ
た。この場合不良ループの情報はプートループに1ビツ
ト毎にあり、且つ不良ループ情報を読み出す場合のレプ
リケータは回転磁界の2サイクルに1回であるため、バ
ブルがレプリケータ位置にいない時はブートループを1
周+マーカー位置分だけ回わさなければならない。従つ
てテクセスタイムが遅くなり転送レートもマイナールー
プの半分になる。さらにデータ読み出し制御回路が使用
できずブートループ専用の回路が必要となる。本発明は
これらの欠点を改良するために案出されたものである。
このため本発明においては、メジヤーマイナ一構成のA
,B2個のプロツクを1組として構成し、A,Bプロツ
クを奇数・偶数方式で交互に書き込み又は読み出しを行
なうようにした磁気バブルメモリ素子において、不良マ
イナーループの情報を記憶させておくブートループをA
,B両プロツクにそれぞれ設け、それぞれのブートルー
プの書き込み用スワツプゲートのコンダクタ同士を直列
に接続すると共に、読み出し用のレプリケートゲートの
コンダクタ同士も直列に接続して、奇数・偶数方式でプ
ートループへの書き込み、読み出しを行なうことができ
るようにしたことを特徴とするものである。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に
説明する。
第3図に実施例の素子構成を示す。
図において第2図と同一部分は同一符号を付して示した
。従つて4a,4bはバブル発生器、5はバブル発生器
に接続された書込用メジヤーライン、6−,〜6−nは
情報格納用マィナーループ、7は読み出し用メジヤーラ
イン、8は読み出し用メジャーラインに接続されたディ
テクタ、9−1〜9〜。はスワツプゲート、10−1〜
10−oはレプリケートゲート、11はブートループ、
A及びBは同一構成の奇数及び偶数プロツクである。ま
た12はブートループ11と書き込みライン5とをつな
ぐスワツプゲート、13はそのコンダクタパターン、1
4はブートループ11と読み出しライン7とをつなぐレ
プリケートゲート、15はそのコンダクタパターンであ
る。本発明はこの奇数・偶数プロツクA,Bのブートル
ープ11のスワツプゲート12のコンダクタパターン1
3同士を端子Bsw4より端子Bsw●へ実線矢印の如
く直列に接続し、またブートループ11のレプリケート
ゲート14のコンダクタパターン15同士を端子BR4
より端子BReへ点線矢印の如く直列に接続したことで
ある。このように構成された本実施例の動作を次に説明
する。
書込み動作・・・・・・バブル発生器4a,4b(図に
おいてAプロツクは4b.Bプロツクは4aを用いてい
る)で連続に発生したループ不良情報のバプルはそれぞ
れ書き込み用メジャーライン5を通つてブートループの
スワツプゲート12の所に来る。
この場合、バブル発生器4a,4bでの情報発生はA,
Bプロツクで1ビツトずれて発生されるが、バブル発生
器4a又は4bからスワツプゲード12までの書き込み
ラインの長さを1ビツト違わしてあるため情報はA,B
プロツクのスワツプゲートへは同時に到達する。ここで
スヮップゲート12のコンダクタパターン13に、つま
り端子BR4よりBROに電流を流すとO番地の情報は
偶数プロツクBのブートループ11に、1番地の情報は
奇数プロツクAのブートループ11にそれぞれ入る。次
のバブルはダミーであり、その次の情報が2番地、3番
地の情報でそれぞれ偶数プロツクB、奇数プロツクAに
入る。読み出し動作・・・・・・ブートループ11のレ
プリケータ14のコンダクタパターン15に、つまり端
子BR4よりBR○に回転磁界の2周期に一回電流を流
すとO番地、1番地の情報がそれぞれ偶数プロツクB1
奇数プロツクAのブートループよりデイテクタ8に転送
され検出される。
この場合、レプリケータ14からデイテクタ8までの読
み出しライン7の長さをA,Bプロツクで1ビツト違わ
せてあるためデイテクタ8より出力されるデータぱA,
Bプロツクより回転磁界の1周期毎に連続して出力され
る。以上、説明した如く本発明は、奇数プロツクA及び
偶数プロツクBにあるブートループを一般データ領域の
マィナーループと同じ奇数・偶数方式で書き込み・読み
出しを行なうことができるようにしたことにより、アク
セスタイムが従来の2倍と早くなり、またデータ領域と
同じ方式のため書き込み・読み出し回路がブートループ
の読み出し・書き込みにも使用できるようになり周辺回
路の簡単化が可能となる。
【図面の簡単な説明】 第1図は磁気バブルメモリ装置の1例の斜視図、第2図
は従米の磁気バブルメモリ素子の1例の素子構成を説明
する説明図、第3図は本発明にかかる磁気バブルメモリ
素子の素子構成を説明する説明図である。 A・・・・・・奇数ブロツク、B・・・・・・偶数プロ
ツク、4a,4b・・・・・・バブル発生器、5・・・
・・・書き込み用メジヤーライン、6−1〜6−。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 メジャーマイナー構成のA、B2個のブロックを1
    組として構成し、A、Bブロックを奇数・偶数方式で交
    互に書き込み又は読出しを行なうようにした磁気バブル
    メモリ素子において、不良マイナーループの情報を記憶
    させておくブートループをA及びBブロックにそれぞれ
    設け、それぞれのブートループの書き込み用スワツプゲ
    ートのコンダクタ同士を直列に接続すると共に、読み出
    し用のレプリケートゲートのコンダクタ同士も直列に接
    続して、奇数・偶数方式でブートループへの書き込み、
    読み出しを行なうことができるようにしたことを特徴と
    する磁気バブルメモリ素子。
JP56174440A 1981-11-02 1981-11-02 磁気バブルメモリ素子 Expired JPS592994B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56174440A JPS592994B2 (ja) 1981-11-02 1981-11-02 磁気バブルメモリ素子

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JP56174440A JPS592994B2 (ja) 1981-11-02 1981-11-02 磁気バブルメモリ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5877089A JPS5877089A (ja) 1983-05-10
JPS592994B2 true JPS592994B2 (ja) 1984-01-21

Family

ID=15978553

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56174440A Expired JPS592994B2 (ja) 1981-11-02 1981-11-02 磁気バブルメモリ素子

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JP (1) JPS592994B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6125984A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 密閉形回転式圧縮機の冷媒注入管固定装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6125984A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 密閉形回転式圧縮機の冷媒注入管固定装置

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Publication number Publication date
JPS5877089A (ja) 1983-05-10

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