JPS5827538Y2 - Complementary push-pull amplifier - Google Patents

Complementary push-pull amplifier

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JPS5827538Y2
JPS5827538Y2 JP1976014087U JP1408776U JPS5827538Y2 JP S5827538 Y2 JPS5827538 Y2 JP S5827538Y2 JP 1976014087 U JP1976014087 U JP 1976014087U JP 1408776 U JP1408776 U JP 1408776U JP S5827538 Y2 JPS5827538 Y2 JP S5827538Y2
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JP
Japan
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transistors
transistor
resistor
emitter
resistors
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JP1976014087U
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JPS52107552U (en
Inventor
伸悟 神谷
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ヤマハ株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、相補形トランジスタを用いたコンプリメン
タリ・プッシュプル増幅器に係り、特にS/N釦よび歪
率を改善するとともにバイアスの安定度を高めたものに
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION This invention relates to a complementary push-pull amplifier using complementary transistors, and particularly relates to an amplifier that improves the S/N ratio and distortion rate and enhances bias stability.

第1図は、コンプリメンタリ・プッシュプル増幅器にお
いて従来一般に採用されているバイアス回路である。
FIG. 1 shows a bias circuit conventionally generally employed in complementary push-pull amplifiers.

このバイアス回路は、動作電源+EB。=EB間にプッ
シュプル接続された相補形トランジスタT、1(例えば
NPN形)、Tr2(例えばPNP形)のベースにバイ
アス電源+Ec。
This bias circuit has an operating power supply +EB. A bias power supply +Ec is applied to the bases of complementary transistors T, 1 (for example, NPN type), and Tr2 (for example, PNP type), which are push-pull connected between =EB and EB.

ECを接続するとともに、各トランジスタTr1゜Tr
2の動作点つ1リコレクタ電流の周囲温度に対する安定
度を向上するために、両トランジスタTr1.Tr2の
エミッタ回路に安定化抵抗R81゜Re2を挿入してい
る。
In addition to connecting EC, each transistor Tr1゜Tr
In order to improve the stability of the collector current with respect to ambient temperature at the two operating points, both transistors Tr1. A stabilizing resistor R81°Re2 is inserted in the emitter circuit of Tr2.

しかし、このような従来のバイアス回路では安定化抵抗
Rc1.Re2を挿入する結果、この抵抗Re1 、R
62がトランジスタTr□、Tr2自体のrbbの増加
と同様の効果を有し、これにより小信号に対してこの抵
抗Re1.Re2の発生する熱雑音のため増幅器のS/
Nが悪化してし捷う。
However, in such a conventional bias circuit, the stabilizing resistor Rc1. As a result of inserting Re2, this resistance Re1, R
62 has an effect similar to the increase in rbb of the transistors Tr□, Tr2 themselves, thereby increasing the resistor Re1.62 for small signals. Due to the thermal noise generated by Re2, the amplifier's S/
N is getting worse and I have to give up.

この考案は、叙上の欠点に鑑み、バイアス付与の構成に
工夫をこらしてトランジスタのエミッタに安定化抵抗を
挿入することなくトランジスタのバイアス電流を周囲温
度等の外部条件の変化に対して安定化するとともに、安
定化抵抗の熱雑音によるS/N低下を防止し、しかもプ
ッシュプル接続される1対の相補形トランジスタの非対
称性に基づく2次歪の発生をS /Nを悪化させること
なく容易に防止できるコンプリメンタリ・プッシュプル
増幅器を提供しようとするものである。
In view of the above-mentioned drawbacks, this device stabilizes the bias current of the transistor against changes in external conditions such as ambient temperature without inserting a stabilizing resistor into the emitter of the transistor by devising a biasing configuration. At the same time, it prevents S/N deterioration due to thermal noise of the stabilizing resistor, and also easily generates secondary distortion due to the asymmetry of a pair of complementary transistors connected in push-pull without deteriorating S/N. The purpose of the present invention is to provide a complementary push-pull amplifier that can prevent such problems.

しかして、この考案に係る増幅器の特徴は、1対のプッ
シュプル接続した相補形のトランジスタの各エミッタ回
路を直接接地し、各コレクタ回路に負荷抵抗を各々直列
接続し、これら抵抗によって上記各トランジスタに印加
される動作電源の電圧の相当部分を電圧降下させ、捷た
当該各トランジスタのエミッタ・コレクタ間にかかる電
圧を分圧して当該各トランジスタのベース・エミッタ間
バイアス電圧を得るように構成するとともに、上記各負
荷抵抗の少なくとも一方を可変抵抗器として上記各トラ
ンジスタの動作対称性を補償するようにした点にある。
The characteristics of the amplifier according to this invention are that each emitter circuit of a pair of push-pull connected complementary transistors is directly grounded, and a load resistor is connected in series to each collector circuit, and these resistors are used to connect each of the above transistors. The structure is configured to drop a considerable portion of the voltage of the operating power supply applied to the transistor, and divide the voltage applied between the emitter and collector of each of the switched transistors to obtain a base-emitter bias voltage of each of the transistors. The present invention is characterized in that at least one of the load resistors is a variable resistor to compensate for the symmetry of operation of the transistors.

以下、図面に基づき、この考案を詳細に説明する。This invention will be explained in detail below based on the drawings.

第2図は、この考案に係る増幅器の原理を示すものであ
る。
FIG. 2 shows the principle of the amplifier according to this invention.

プッシュプル接続された1対の相補形トランジスタTr
□、Tr2と中点接地の正極性、負極性の動作電源+E
B、−EBとの間に抵抗R1,R2が直列に挿入される
A pair of complementary transistors Tr connected in a push-pull manner
□, Tr2 and midpoint grounding positive polarity, negative polarity operating power supply +E
Resistors R1 and R2 are inserted in series between B and -EB.

な訃、両トランジスタTr□、Tr2の各部の電位・電
流を対称にするため抵抗R1,R2は一般に同一抵抗値
に決定される。
However, in order to make the potentials and currents of each part of both transistors Tr□ and Tr2 symmetrical, the resistors R1 and R2 are generally determined to have the same resistance value.

両トランジスタTr1.Tr2間に抵抗R3,R4,R
5の直列回路(分圧器)が並列接続され、この分圧器に
よって両トランジスタTr工、Tr2のベース・エミッ
タ間にバイアス電圧が供給される。
Both transistors Tr1. Resistors R3, R4, R between Tr2
5 series circuits (voltage dividers) are connected in parallel, and this voltage divider supplies a bias voltage between the base and emitter of both transistors Tr2.

なお一般に、上記分圧器に流れる電流は両トランジスタ
Tr□、Tr2のベース電流値よりも充分大きな値に設
定される。
Generally, the current flowing through the voltage divider is set to a value sufficiently larger than the base current values of both transistors Tr□ and Tr2.

上記抵抗R1,R2の抵抗値は、該抵抗を流れる電流に
よって動作電源+EB、−EBO相当部分に相当する電
圧降下が生ずるように設定されるものであるが、理解を
容易にするために、各抵抗R□。
The resistance values of the resistors R1 and R2 are set so that the current flowing through the resistors causes a voltage drop corresponding to the operating power supply +EB, -EBO. Resistance R□.

R2t R3t R4t R5に具体的抵抗値を与えて
説明する。
This will be explained by giving specific resistance values to R2t, R3t, R4t, and R5.

今、抵抗R1,R2を5に、2.抵抗R3,R5を2に
、Q、抵抗R4を4にβとする。
Now, set resistors R1 and R2 to 5, 2. Resistors R3 and R5 are set to 2 and Q, and resistance R4 is set to 4 and β.

トランジスタTr0.Tr2のベース・エミッタ間電圧
がそれぞれ0.6 Vであるとすれば、抵抗R4間の電
圧■2は1.2Vとなる。
Transistor Tr0. If the base-emitter voltages of Tr2 are each 0.6 V, then the voltage 2 across resistor R4 will be 1.2 V.

そして抵抗R3,R4゜R5に流れる電流は同一とみな
せるから、抵抗R3,R5間の電圧■1.v3/riそ
れぞれ0.6Vとなる。
Since the currents flowing through the resistors R3, R4 and R5 can be considered to be the same, the voltage between the resistors R3 and R5 1. v3/ri are each 0.6V.

そして、動作電源+EB、−EBの電圧がそれぞれ+3
0V、−30Vとすれば、トランジスタTr1.Tr3
のコレクタ電流U60V2.4V/IOK、Qとなる。
Then, the voltages of the operating power supplies +EB and -EB are each +3
If the voltages are 0V and -30V, the transistor Tr1. Tr3
The collector current is U60V2.4V/IOK,Q.

このことから、周囲温度の変動等によりトランジスタT
r1.Tr2のベース・エミッタ間順方向電圧が変化し
、したがって電圧(V1+v2+■3)が多少変化して
もトランジスタTr0.Tr3のコレクタ電流は動作電
源電圧と抵抗R1,R2によって決する略一定値に保た
れることが理解される。
For this reason, due to fluctuations in ambient temperature, etc., the transistor T
r1. The forward voltage between the base and emitter of Tr2 changes, so even if the voltage (V1+v2+3) changes somewhat, the transistor Tr0. It is understood that the collector current of Tr3 is maintained at a substantially constant value determined by the operating power supply voltage and resistors R1 and R2.

なト、この例ニフ゛いては、抵抗R,,R2によつ”r
57.6V(60V−2,4V )の電圧降下が生じせ
しめられるが、トランジスタTr1.Tr3のベース・
コレクタ間電圧を0.6V以上にする必要がある場合は
、抵抗R1、R2の抵抗値を減らしかつ抵抗R3t R
42R5の抵抗値を適当に変更すればよい。
In addition, in this example, due to the resistances R, , R2,
Although a voltage drop of 57.6V (60V-2.4V) is caused, the transistor Tr1. Tr3 base
If it is necessary to increase the voltage between the collectors to 0.6V or higher, reduce the resistance values of resistors R1 and R2 and increase the resistance of resistor R3t R
The resistance value of 42R5 may be changed appropriately.

抵抗R1tR2による電圧降下を大きくする程、温度変
化等に対する安定度が向上することば云う1でもない。
It goes without saying that the greater the voltage drop caused by the resistor R1tR2, the better the stability against temperature changes and the like.

このように、この増幅器によれば、増幅器のトランジス
タのコレクタ電流値が周囲温度の変動等に対して極めて
安定となり、またトランジスタのエミッタ回路に安定化
抵抗等を挿入しないためS/Nが改善される。
In this way, according to this amplifier, the collector current value of the transistor in the amplifier is extremely stable against fluctuations in ambient temperature, etc., and the S/N ratio is improved because no stabilizing resistor is inserted in the emitter circuit of the transistor. Ru.

またこの考案の増幅器は、前述のように、プッシュプル
接続された1対のトランジスタのエミッタ回路を除く部
分に各トランジスタのコレクタ電流を調節して各トラン
ジスタの非対称性を補償し2次歪の発生を防止するため
の手段が設けられる。
In addition, as mentioned above, the amplifier of this invention compensates for the asymmetry of each transistor by adjusting the collector current of each transistor except for the emitter circuit of a pair of push-pull connected transistors, thereby generating secondary distortion. Means are provided to prevent this.

この手段としては例えば第2図において、トランジスタ
Tr□、Tr2のコレクタ回路に挿入された抵抗R1,
R2のいずれか一方または両方を可変抵抗器とするか(
固定抵抗と可変抵抗器の組合せでも勿論よい)、動作電
源+EB、−EBの一方または両方を可変電圧源とする
か、またバイアス回路の抵抗R3t R5の一方または
両方を可変抵抗器とすればよい。
As this means, for example, in FIG. 2, resistors R1,
Either one or both of R2 is a variable resistor (
(Of course, a combination of a fixed resistor and a variable resistor may be used), one or both of the operating power supplies +EB and -EB may be a variable voltage source, or one or both of the bias circuit resistors R3t and R5 may be a variable resistor. .

かかるコレクタ電流調節手段で各トランジスタTr1.
Tr2のコレクタ電流を調節することによって、両トラ
ンジスタTr1゜Tr2のゲインを一致させて2次歪を
除去することができる。
Each transistor Tr1.
By adjusting the collector current of Tr2, the gains of both transistors Tr1 and Tr2 can be matched to eliminate second-order distortion.

しかも、かかる調節手段はエミッタ回路以外に設けられ
るためS/Nが悪化することはない。
Moreover, since such adjustment means is provided outside the emitter circuit, the S/N ratio does not deteriorate.

以下、この考案を適用したエミッタ接地形式の増幅器の
実施例について説明する。
An embodiment of a common emitter type amplifier to which this invention is applied will be described below.

なお、以下、各実施例を通じて同等部分は同符号を用い
て説明する。
Note that, hereinafter, equivalent parts will be explained using the same reference numerals throughout each embodiment.

第3図はこの考案の一実施例を示し、PNP形耘よびN
PN形のトランジスタTr□lj T l−1゜のエミ
ッタは共通に接続されて接地され、またコレクタはそれ
ぞれ可変抵抗器vR1□および抵抗R12を介して中点
接地の正・負動作電源+EB。
FIG. 3 shows an embodiment of this invention, in which PNP type and N
The emitters of the PN type transistors Tr□lj T l-1° are commonly connected to ground, and the collectors are connected to the positive and negative operating power supply +EB with the center point grounded via the variable resistor vR1□ and resistor R12, respectively.

−EBに接続されている。- Connected to EB.

可変抵抗器■R1、は第2図における抵抗R1に相当す
るもので、可変抵抗器vR1、は前述のコレクタ電流調
節手段として用いられる。
The variable resistor ■R1 corresponds to the resistor R1 in FIG. 2, and the variable resistor vR1 is used as the collector current adjusting means described above.

筐た抵抗R12(ri第2図の抵抗R2に相当する。The resistor R12 (corresponds to the resistor R2 in FIG. 2).

トランジスタTr1□、Tr12のコレクタ・エミッタ
間の電圧は、抵抗R13、R14および抵抗R15J
R16によって分圧されて両トランジスタTr10.T
r□2のベースに印加されている。
The voltage between the collector and emitter of transistors Tr1□ and Tr12 is determined by resistors R13, R14 and resistor R15J.
R16 divides the voltage between both transistors Tr10. T
It is applied to the base of r□2.

両トランジスタTr10.Tr12のベースは共通の入
力端子INにコンデンサC13,C14を介して接続さ
れ、昔たこの入力端子INH抵抗R18を介して接地さ
れている。
Both transistors Tr10. The base of the Tr12 is connected to the common input terminal IN via capacitors C13 and C14, and is grounded via the input terminal INH resistor R18.

出力端子OUTはコンデンサC117C12を介して両
トランジスタTr1□、Tr1゜のコレクタから引き出
されるとともに、抵抗R17を介して接地されている。
The output terminal OUT is drawn out from the collectors of both transistors Tr1□ and Tr1° via a capacitor C117C12, and is grounded via a resistor R17.

この実施例は、各トランジスタTr11 、Tr 12
(7)バイアス電流の安定化という点については前述の
原理回路(第2図)と同等であることは明らかである。
In this embodiment, each transistor Tr11, Tr12
(7) In terms of stabilizing the bias current, it is clear that this circuit is equivalent to the circuit principle described above (FIG. 2).

可変抵抗器VR11によってトランジスタTrll(7
)コレクタ電流を調節することにより、両トランジスタ
Tr□□、Tr□2のゲインを一致させて両トランジス
タTr11.Tr□2の非対称性に起因する2次歪の発
生を最少化することができる。
Transistor Trll (7
) By adjusting the collector current, the gains of both transistors Tr□□ and Tr□2 are matched, and both transistors Tr11. The occurrence of second-order distortion due to the asymmetry of Tr□2 can be minimized.

第4図は、第3図の実施例の変形例を示すものである。FIG. 4 shows a modification of the embodiment shown in FIG. 3.

すなわち、出力信号を抵抗R□、を介してトラ7ジ7り
Tr11フTl−12のベース側に負帰還するように構
成したもので、これ以外は第3図のものと同様である。
That is, the configuration is such that the output signal is negatively fed back to the base side of Tr 7, Tr 11, and Tr 1-12 via resistor R□, and other than this, it is the same as that of FIG. 3.

第5図は、1個のポテンショメータ■R2゜によって両
トランジスタTr□□ 2.Tr12のコレクタ電流を
同時に調節し得るように構成した一実施例を示す。
FIG. 5 shows that both transistors Tr□□2. An embodiment is shown in which the collector current of Tr12 can be adjusted at the same time.

すなわち、両トランジスタTr 11 j ’rr12
のエミッタがそれぞれ動作電源+EB、−EBに直接接
続され、渣た両トランジスタTr□1.Tr□2のコレ
クタ間は抵抗R2□で接続されている。
That is, both transistors Tr 11 j 'rr12
The emitters of the transistors Tr□1. The collectors of Tr□2 are connected through a resistor R2□.

そして抵抗Rと並列にポテンショメータvR2゜が1 接続され、このポテンショメータVR2゜の摺動端子は
接地されている。
A potentiometer vR2° is connected in parallel with the resistor R, and the sliding terminal of the potentiometer VR2° is grounded.

しかして、ポテンショメータVR22の摺動端子を中点
から例えばトランジスタTr1、側へ摺動させれば、ト
ランジスタTl−11のコレクタ電流は増加しまたトラ
ンジスタTr□2のコレクタ電流が減少する。
Therefore, if the sliding terminal of the potentiometer VR22 is slid from the middle point toward the transistor Tr1, for example, the collector current of the transistor Tl-11 increases and the collector current of the transistor Tr2 decreases.

このように、ポテンショメータVR2゜の操作により一
方のトランジスタのコレクタ電流を増加し同時に他方の
トランジスタのコレクタ電流を減少せしめることができ
、両トランジスタTr1□、Tr12の非対称性が大き
い場合でもコレクタ電流の標準値からの変化量が比較的
小さくてよい。
In this way, by operating the potentiometer VR2°, the collector current of one transistor can be increased and the collector current of the other transistor can be simultaneously decreased. The amount of change from the value may be relatively small.

第6図は、1個の動作電源+EBだけで動作できるよう
にしたこの考案の一実施例を示す。
FIG. 6 shows an embodiment of this invention which can be operated with only one operating power supply +EB.

一方のトランジスタTr1□のエミッタは接地され、ま
たコレクタはコレクタ電流調節手段としての可変抵抗器
VRHを介して動作電源子EBに接続されている。
The emitter of one transistor Tr1□ is grounded, and the collector is connected to the operating power supply element EB via a variable resistor VRH serving as collector current adjusting means.

他方のトランジスタTr1□の工□ツタは動作電源+E
Bに直接接続され、またコレクタは抵抗R1゜を介して
接地されている。
The terminal of the other transistor Tr1□ is the operating power supply +E
B, and its collector is grounded via a resistor R1°.

これ以外は、前記各実施例と同様である。Other than this, this embodiment is the same as each of the embodiments described above.

なお説明する筐でもなく、各トランジスタTr□1.T
r□2のエミッタは直接または動作電源+EBを介して
接地されており、この実施例はエミッタ接地形式のプッ
シュプル増幅器である。
Note that this is not a case to be explained, but each transistor Tr□1. T
The emitter of r□2 is grounded directly or via the operating power supply +EB, and this embodiment is a push-pull amplifier of the common emitter type.

以上に述べたこの考案に係る増幅器の出力の取り出し方
の他の例を第7図に示す。
Another example of how to take out the output of the amplifier according to the invention described above is shown in FIG.

第3図に釦ける出力取出用コンデンサC11とC12の
間に抵抗R30t R32およびポテンショメータvR
3、を直列に接続し、該ポテンショメータvR3、のス
ライダタップをグランドにおとし、出力端子OUTを抵
抗R33tR34を介してコンデンサC1□、C□2に
接続する。
Resistor R30t R32 and potentiometer vR are connected between the output extraction capacitors C11 and C12 shown in Figure 3.
3 are connected in series, the slider tap of the potentiometer vR3 is grounded, and the output terminal OUT is connected to the capacitors C1□ and C□2 via the resistor R33tR34.

このようにすると、ポテンショメータVR3□のスライ
ダタップの位置を変えることにより各トランジスタTT
の交流負荷抵r 112 r12 抗を調整し、トランジスタTr□□、Tr12の作用を
補償し、トランジスタTr11.Tr12の各交流出力
を抵抗で混合して取り出すようにしているため増幅器の
利得を一定に保持して調整できる。
In this way, by changing the position of the slider tap of potentiometer VR3□, each transistor TT
The alternating current load resistance r 112 r12 of the transistors Tr 11 . Since each alternating current output of the Tr 12 is mixed and extracted using a resistor, the gain of the amplifier can be maintained constant and adjusted.

したがって、この実施例にあっては製品においての利得
のばらつきをなくすことが可能である。
Therefore, in this embodiment, it is possible to eliminate variations in gain among products.

これ以外は第3図と略同様である。Other than this, it is substantially the same as FIG. 3.

以上に述べたように、この考案の増幅器は、1対のプッ
シュプル接続した相補形のトランジスタの各エミッタ回
路を直接接地し、各コレクタ回路に負荷抵抗を各々直列
接続し、これら抵抗によって上記各トランジスタに印加
される動作電源の電圧の相当部分を電圧降下させ、また
当該各トランジスタのエミッタ・コレクタ間にかかる電
圧を分圧して当該各トランジスタのベース・エミッタ間
バイアス電圧を得るように構成するとともに、上記各負
荷抵抗の少なくとも一方を可変抵抗器として上記各トラ
ンジスタの動作対称性を補償するようにしたものである
As described above, in the amplifier of this invention, each emitter circuit of a pair of push-pull connected complementary transistors is directly grounded, a load resistor is connected in series to each collector circuit, and these resistors are used to The transistor is configured to drop a considerable portion of the operating power supply voltage applied to the transistor, and to divide the voltage applied between the emitter and collector of each transistor to obtain a base-emitter bias voltage of each transistor. , at least one of the load resistors is a variable resistor to compensate for the symmetry of operation of the transistors.

したがって、各トランジスタのエミッタ回路に従来の如
き熱雑音発生源となる安定化抵抗等を挿入することなく
バイアス安定度を高めることができ、渣た良好なS/N
を達成でき、さらに、負荷抵抗の少なくとも一方を可変
抵抗器としたことにより各トランジスタの非対称に起因
する2次歪の発生を防止でき極めて低歪率とすることが
できるとともに、該負荷抵抗は各トランジスタのコレク
タ回路に設けられるため当該負荷抵抗の設置によってS
/Nが悪化することもない等の多くの効果が得られる。
Therefore, it is possible to improve bias stability without inserting a stabilizing resistor, etc., which is a source of thermal noise, into the emitter circuit of each transistor, and a good S/N ratio can be achieved.
In addition, by using a variable resistor as at least one of the load resistors, it is possible to prevent the occurrence of secondary distortion due to the asymmetry of each transistor, and to achieve an extremely low distortion factor. Since it is installed in the collector circuit of the transistor, the S
Many effects such as no deterioration of /N can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来技術を説明するための電気回路図、第2図
はこの考案の基本原理を説明するための電気回路図、第
3図ないし第6図はそれぞれこの考案の別異の実施例を
示す電気回路図であり、第7図はこの考案に係る増幅器
の出力の取り出し方の他の例を示す電気回路である。 +EB? EB・・・・・・動作電源、Tr□、Tr
2Tr1□、Tr□2・・・・・・トランジスタ、R1
,R2−、R5ツR11ツ°”tR19ツR21アR3
0フR32、R33tR34・・・・・・抵抗、■R□
□・・・・・・可変抵抗、■R22,■R3□・・・・
・・ポテンショメータ、C1□、・・・Ci4・・・・
・・コンデンサ。
Figure 1 is an electric circuit diagram for explaining the prior art, Figure 2 is an electric circuit diagram for explaining the basic principle of this invention, and Figures 3 to 6 are examples of different embodiments of this invention. FIG. 7 is an electric circuit diagram showing another example of how to extract the output of the amplifier according to the invention. +EB? EB...Operating power supply, Tr□, Tr
2Tr1□, Tr□2...Transistor, R1
,R2-,R5ツR11ツ°"tR19ツR21AR3
0f R32, R33tR34...Resistance, ■R□
□・・・・・・Variable resistance, ■R22, ■R3□・・・
...Potentiometer, C1□, ...Ci4...
...Capacitor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 1対のプッシュプル接続した相補形のトランジスタの各
エミッタ回路を直接接地し、各コレクタ回路に負荷抵抗
を各々直列接続し、これら抵抗によって上記各トランジ
スタに印加される動作電源の電圧の相当部分を電圧降下
させ、また当該各トランジスタのエミッタ・コレクタ間
にかかる電圧を分圧して当該各トランジスタのベース・
エミッタ間バイアス電圧を得るように構成するとともに
、上記各負荷抵抗の少なくとも一方を可変抵抗器として
上記各トランジスタの動作対称性を補償するようにした
ことを特徴とするコンプリメンタリ・プッシュプル増幅
器。
Each emitter circuit of a pair of complementary transistors connected in a push-pull manner is directly grounded, and a load resistor is connected in series with each collector circuit, and a considerable portion of the operating power supply voltage applied to each of the transistors is handled by these resistors. By lowering the voltage and dividing the voltage applied between the emitter and collector of each transistor,
A complementary push-pull amplifier characterized in that it is configured to obtain an emitter-to-emitter bias voltage, and that at least one of the load resistors is a variable resistor to compensate for the symmetry of operation of each of the transistors.
JP1976014087U 1976-02-12 1976-02-12 Complementary push-pull amplifier Expired JPS5827538Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1976014087U JPS5827538Y2 (en) 1976-02-12 1976-02-12 Complementary push-pull amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1976014087U JPS5827538Y2 (en) 1976-02-12 1976-02-12 Complementary push-pull amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS52107552U JPS52107552U (en) 1977-08-16
JPS5827538Y2 true JPS5827538Y2 (en) 1983-06-15

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JP1976014087U Expired JPS5827538Y2 (en) 1976-02-12 1976-02-12 Complementary push-pull amplifier

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JP (1) JPS5827538Y2 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4940047A (en) * 1972-07-31 1974-04-15

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4940047A (en) * 1972-07-31 1974-04-15

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JPS52107552U (en) 1977-08-16

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