JPS5826525Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5826525Y2
JPS5826525Y2 JP1977096121U JP9612177U JPS5826525Y2 JP S5826525 Y2 JPS5826525 Y2 JP S5826525Y2 JP 1977096121 U JP1977096121 U JP 1977096121U JP 9612177 U JP9612177 U JP 9612177U JP S5826525 Y2 JPS5826525 Y2 JP S5826525Y2
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JP
Japan
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electrode
bonding
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semiconductor substrate
wire
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JP1977096121U
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JPS5423563U (ja
Inventor
竹美 佐藤
Original Assignee
日本電気株式会社
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    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体装置、特に小さい電極のダイオードの
構造に関するものである。
従来、高周波用ダイオードの電極は同心円形状のものが
多く用いられている。
第１図は従来の高周波用ダイオードの１例の平面図であ
って、１は半導体基板、２は動作領域、３は電極である
。
しかし、外部電極との接続をＴＣボンディングといわれ
る熱圧着方法や、ＵＳボンディングといわれている超音
波ボンディングで行う場合は、ポンチ゛イング線といわ
れる外部電極との接続の為に使用される線と半導体基板
上の電極との接触面は円形をしておらずボンディング線
の線の方向に長い形状をしているのが普通である。
第２図はボンディング線と半導体基板上の電極との接触
状態を説明する図である。
ダイオードの半導体基板２１上の電極２３にＴＣボンデ
ィングされた場合のボンディング線２４の圧着された面
の形状は線の方向に長い形２５をしている。
これは超音波ボンディングの場合でも同様のことが言え
る。
接触面の形状を円形にする方法としてはネールヘッドＴ
Ｃボンディングがあるが、ＴＣボンディングや超音波ボ
ンディングでは円形にすることが出来ない。
これはポンチ゛イング線に比して電極の面積が充分に大
きくない場合はボンディング線の圧着面の一部が電極よ
りはみ出すことになり、接着強度が充分に得られないこ
とと、はみ出した部分の浮遊容量が増加するという二つ
の欠点につながる。
この二つの欠点を避けるために従来の様に円形パターン
でこの接触面をすべて電極内におさめるには２３の如き
形状にしなければならない。
すなわち斜線で示す部分２６はボンディング線との接続
には不要であり、その部分だけ電極面積を大きくとらな
ければならない欠点を生ずる。
この考案は上記欠点を除き、電極面積がポンチ゛イング
線に比して充分大きく出来ない場合、電極とポンチ゛イ
ング線との接触面積を増加させ接続強度を確保し、浮遊
容量を増加させない電極構造を有する半導体装置を提供
するものである。
この考案の半導体装置は、外部電極との接続のための半
導体基板上の電極が長円形であることを特徴とする。
この考案によれば電極面積を小さくでき、しかもボンデ
ィング線との接着強度を増大させることができる。
また、はみだし部分がないから浮遊容量を小さくできる
効果がある。
この考案を実施例により説明する。
第３図はこの考案の１実施例のダイオードの平面図であ
る。
半導体基板３１に長円形の動作領域３２が設けられ、そ
の内側に長円形の電極３３が設けられている。
動作領域と電極との大きさがこの実施例と逆であっても
良い。
第４図はこの考案の他の実施例のダイオードの平面図で
ある。
半導体基板４１に円形の動作領域４２が設けられ、設計
上の制限から動作領域面積を大きくできないとき、該動
作領域４２を覆って、これより面積の大きい長円形の電
極４３を設ける。
このようにすれば動作領域の面積が小さくてもポンチ゛
イング線との接着強度を大きくすることができる。
しかも、第２図および第３図においては、電極３３．３
４は長円形で形成されているため、角部がなく、その結
果端効果による電界集中や角部に現れる浮遊容量をも確
実に防止することができる。
従って、電極周辺の絶縁膜を素子動作時に破壊したり、
クラックを生じさせることなく、浮遊容量の少ない半導
体装置が得られる。
以上詳細に説明したように、この考案によれば電極面積
を不必要に大きくすることなく、ポンチ゛イング線との
接着強度が大きく、かつ浮容量の小さい半導体装置を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の高周波用ダイオードの１例の平面図、第
２図はボンディング線と半導体基板上の電極との接触状
態を説明する図、第３図はこの考案の１実施例のダイオ
ードの平面図、第４図はこの考案の他の実施例のダイオ
ードの平面図である。 １．２１．３１．４１・・・・・・半導体基板、２．３
２．４２・・・・・・動作領域、３．２３ 、３３．４
３・・・・・・電極、２４・・・・・・ボンディング線
、２５・・・・・・ボンディング線と電極との接触面、
２６・・・・・・不必要領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 接続用導体が圧着された半導体基板上の電極が長円形の
    形状をもち、上記接続用導体の圧着部分がこの電極の長
    手方向に延びるように上記導体が圧着されていることを
    特徴とする半導体装置。
JP1977096121U 1977-07-18 1977-07-18 半導体装置 Expired JPS5826525Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1977096121U JPS5826525Y2 (ja) 1977-07-18 1977-07-18 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1977096121U JPS5826525Y2 (ja) 1977-07-18 1977-07-18 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5423563U JPS5423563U (ja) 1979-02-16
JPS5826525Y2 true JPS5826525Y2 (ja) 1983-06-08

Family

ID=29029706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1977096121U Expired JPS5826525Y2 (ja) 1977-07-18 1977-07-18 半導体装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50156874A (ja) * 1974-06-06 1975-12-18
JPS5150661A (ja) * 1974-10-30 1976-05-04 Hitachi Ltd

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5316278Y2 (ja) * 1972-08-25 1978-04-28

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50156874A (ja) * 1974-06-06 1975-12-18
JPS5150661A (ja) * 1974-10-30 1976-05-04 Hitachi Ltd

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Publication number Publication date
JPS5423563U (ja) 1979-02-16

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