JPS5826482A - 赤外線加熱装置 - Google Patents
赤外線加熱装置Info
- Publication number
- JPS5826482A JPS5826482A JP12359181A JP12359181A JPS5826482A JP S5826482 A JPS5826482 A JP S5826482A JP 12359181 A JP12359181 A JP 12359181A JP 12359181 A JP12359181 A JP 12359181A JP S5826482 A JPS5826482 A JP S5826482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared ray
- heater
- heated
- heating
- ray heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば薄板鋼板やシリコンウェーハーのよう
な薄板拐の熱処理に用いられる赤外線力（ｌ熱装置に関
する。
な薄板拐の熱処理に用いられる赤外線力（ｌ熱装置に関
する。
Ｖａｆ ＆ｍ板やシリコンウェーハーはその特性を向上
させるために急速加熱の熱処理がなされるが、その際、
温度分布が悪いと被加熱物に熱歪みのためにそシや〜わ
れが生ずる。
させるために急速加熱の熱処理がなされるが、その際、
温度分布が悪いと被加熱物に熱歪みのためにそシや〜わ
れが生ずる。
従来、急速加熱のために高周波炉などがあるが〜被加熱
物が薄板のように平板状の場合には、温度分布のよい加
熱を望むのは困難である。この点、第１図（Ａ）示のよ
うに、放物反射面ａとその焦点に置かれだヒータｂとよ
シ成る加熱ユニットｏを複数個連設した赤外線加熱装Ｊ
ｉｆｆは、原理的にある程度の精度で加熱することがで
きる。
物が薄板のように平板状の場合には、温度分布のよい加
熱を望むのは困難である。この点、第１図（Ａ）示のよ
うに、放物反射面ａとその焦点に置かれだヒータｂとよ
シ成る加熱ユニットｏを複数個連設した赤外線加熱装Ｊ
ｉｆｆは、原理的にある程度の精度で加熱することがで
きる。
しかし尚、第１図（Ｂ）に示すように小さな温度むらが
生じる。
生じる。
この温度むらは、ヒータｂから被加熱物ｄに至る直接光
の光路長が、その照射個所によりＢ、があることに起因
する。
の光路長が、その照射個所によりＢ、があることに起因
する。
本発明は、このことに着目して、従来の赤外線加熱装置
の広い良好な温度分布ゾーン中の更に挙式な温度むらを
少なくすることをその目的とするもので、放物反射面と
その焦点に置かれたヒータとよシなる加熱ユニットを対
向させ、そのヒータを互に半ピツチずらしたことを特徴
とする。
の広い良好な温度分布ゾーン中の更に挙式な温度むらを
少なくすることをその目的とするもので、放物反射面と
その焦点に置かれたヒータとよシなる加熱ユニットを対
向させ、そのヒータを互に半ピツチずらしたことを特徴
とする。
以下本発明の実施例を図面につき説明する。
第２図（ｉ）において、放物反射面（１）とその焦点に
置かれたヒータ（２）とよシ成る加熱ユニット（３）は
複数何遍なって被加熱物である薄板材（４）の−面に対
向して配置され、またその他面にも同様にロυ記加熱ユ
ニット（３）が連なって配置される。そして、対向する
加熱ユニット（３）のヒータ（２）は互に半ピツチずら
された位置関係に配置される。
置かれたヒータ（２）とよシ成る加熱ユニット（３）は
複数何遍なって被加熱物である薄板材（４）の−面に対
向して配置され、またその他面にも同様にロυ記加熱ユ
ニット（３）が連なって配置される。そして、対向する
加熱ユニット（３）のヒータ（２）は互に半ピツチずら
された位置関係に配置される。
力）〈シて、被加熱物の薄板材（４）は−面のある位置
で赤外線強度の大きい直接光を受け、他面のその位置で
強度の小さい直接光を受けるから、該薄板材が吸収する
輻射熱は全ｍ１に亘ってほぼ均一化され飄したがって温
度分布も第２図（Ｂ）に示すようになシ渇度むらが小さ
くなる。
で赤外線強度の大きい直接光を受け、他面のその位置で
強度の小さい直接光を受けるから、該薄板材が吸収する
輻射熱は全ｍ１に亘ってほぼ均一化され飄したがって温
度分布も第２図（Ｂ）に示すようになシ渇度むらが小さ
くなる。
このように本発明によるときは、放物反射向とその焦点
に置かれたヒータとよシ成る力Ｕ熱ユニッ）’（ｃ一対
向させ、そのヒータを互に半ピツチずらしたので、たと
え薄板材のように熱容墓の小さい被加熱物でも広いゾー
ンに亘って温度分布のよい加熱を行なうことができる効
果を有する。
に置かれたヒータとよシ成る力Ｕ熱ユニッ）’（ｃ一対
向させ、そのヒータを互に半ピツチずらしたので、たと
え薄板材のように熱容墓の小さい被加熱物でも広いゾー
ンに亘って温度分布のよい加熱を行なうことができる効
果を有する。
第１図体）は従来の赤外線加熱装置の縦断側面図、第１
図（Ｂ）はその温度分布特性図、第２図ＣＡ）は本発明
の赤外線加熱装置の一例の縦断側面図、第２図（Ｅ）は
その温度分布特性図である。 （１）・・・・・・・・・放物反射向 （２）・・・・・・・・・ヒ − タ （３）・・・・・・加熱ユニット （４）・・・・・・・・・薄板材 特許出願人 真空理工 株式会礼 代 理 人 北 村 欣 −１、ｉ＊
、・〜゛ＪＪパ ′名 ！−Ｖ− ４１ｆ： ！ｌｉｔ：ヘ
ヘ 城 瀘
図（Ｂ）はその温度分布特性図、第２図ＣＡ）は本発明
の赤外線加熱装置の一例の縦断側面図、第２図（Ｅ）は
その温度分布特性図である。 （１）・・・・・・・・・放物反射向 （２）・・・・・・・・・ヒ − タ （３）・・・・・・加熱ユニット （４）・・・・・・・・・薄板材 特許出願人 真空理工 株式会礼 代 理 人 北 村 欣 −１、ｉ＊
、・〜゛ＪＪパ ′名 ！−Ｖ− ４１ｆ： ！ｌｉｔ：ヘ
ヘ 城 瀘
Claims (1)
- 放物反射面とその焦点に置かれたヒータとよりなる加熱
ユニットを対向させ、そのヒータを互に半ピツチずらし
たことを特徴とする赤外線加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12359181A JPS5826482A (ja) | 1981-08-08 | 1981-08-08 | 赤外線加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12359181A JPS5826482A (ja) | 1981-08-08 | 1981-08-08 | 赤外線加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5826482A true JPS5826482A (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=14864388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12359181A Pending JPS5826482A (ja) | 1981-08-08 | 1981-08-08 | 赤外線加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826482A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178722A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-10-11 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 半導体の熱処理炉 |
| US7006763B2 (en) * | 2001-08-27 | 2006-02-28 | Extol, Inc. | Method and apparatus for infrared welding of thermoplastic parts |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147237A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Sony Corp | Heat treatment device |
-
1981
- 1981-08-08 JP JP12359181A patent/JPS5826482A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147237A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Sony Corp | Heat treatment device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178722A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-10-11 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 半導体の熱処理炉 |
| US7006763B2 (en) * | 2001-08-27 | 2006-02-28 | Extol, Inc. | Method and apparatus for infrared welding of thermoplastic parts |
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