JPS5824788A - 温度勾配炉 - Google Patents
温度勾配炉Info
- Publication number
- JPS5824788A JPS5824788A JP12308781A JP12308781A JPS5824788A JP S5824788 A JPS5824788 A JP S5824788A JP 12308781 A JP12308781 A JP 12308781A JP 12308781 A JP12308781 A JP 12308781A JP S5824788 A JPS5824788 A JP S5824788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- heated
- control device
- furnace
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Vertical, Hearth, Or Arc Furnaces (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は1被加熱物の所定方向に沿って温度勾配を与え
る温度勾配炉に関する・ 例えば、牛導体等の結晶を特定方向に生長させる場合や
1薄鋼板の生産工程での加熱のシセユレーシ璽ンを行な
わせる場合、その特定方向に温度勾配(例えばs00〜
50℃/α)をつけ、その状態で高温まで急速に昇温す
る加熱炉すなわち温度勾配炉が必要である。
る温度勾配炉に関する・ 例えば、牛導体等の結晶を特定方向に生長させる場合や
1薄鋼板の生産工程での加熱のシセユレーシ璽ンを行な
わせる場合、その特定方向に温度勾配(例えばs00〜
50℃/α)をつけ、その状態で高温まで急速に昇温す
る加熱炉すなわち温度勾配炉が必要である。
従来、温度勾配炉として抵抗加熱炉かあるが、各ゾーン
に投入するエネルギに限度(20W/(11前後)があ
りSまた断熱の条件があるので、被加熱物に大幅の温度
差を生じさせることは不可りである・tたこのものは熱
春量も大きいので急速な昇温を被加熱物に与えることが
できない。
に投入するエネルギに限度(20W/(11前後)があ
りSまた断熱の条件があるので、被加熱物に大幅の温度
差を生じさせることは不可りである・tたこのものは熱
春量も大きいので急速な昇温を被加熱物に与えることが
できない。
また、一般に温度勾配炉では、各ゾーンを個別に温度制
御する場合箋互に熱的に干渉してしばしば制御がハンチ
ングする欠点があり、tた昇温しながら温度勾配を変化
する場合、各ゾーンを個別にプログラム制御するので、
構成上複雑である等O欠点がある。
御する場合箋互に熱的に干渉してしばしば制御がハンチ
ングする欠点があり、tた昇温しながら温度勾配を変化
する場合、各ゾーンを個別にプログラム制御するので、
構成上複雑である等O欠点がある。
これに対シ、赤外軸加熱炉は、投入熱量が100W /
exと抵抗加熱炉の5倍強大きく、且つその熱容量も
発熱体だけのため小さいから1被加熱物を急速に昇温さ
曽、シかもそれに大幅な温度。
exと抵抗加熱炉の5倍強大きく、且つその熱容量も
発熱体だけのため小さいから1被加熱物を急速に昇温さ
曽、シかもそれに大幅な温度。
差の温度勾配をつける温度勾配炉に達しているので、本
発明は、この赤外線加熱炉を用い1被′ 加熱物を所定
の温度勾1配をつ叶て急速に昇温することができるとと
もに、温度制御を安定に且つ簡単な構成で行わせること
ができる温度勾配炉を提供することをその目的とするも
ので、戻射面とその焦点位置に置かれ九ヒータとより成
る赤外線加熱:Lエラ)を複数個連設してなるものにお
いて1被加熱@0離隔した個所の温度を検知する少くと
もtIIの感温素子と1該感温素子のそれぞれに11!
統され、該感温素子の設置個所の濃度を設定値に制御す
る七−夕の加熱電力制御装置と、前記被加熱物を前記設
定値により規定され九温度勾ンで加熱する他のヒータへ
の供給電力を1前記感温素子に対応するE−夕への供給
電力値をもとにして内外挿計算する演算回路と、該演算
回路に接続され九前、配備Oと−タの加熱電力制御装置
とを具備することを特徴とする。
発明は、この赤外線加熱炉を用い1被′ 加熱物を所定
の温度勾1配をつ叶て急速に昇温することができるとと
もに、温度制御を安定に且つ簡単な構成で行わせること
ができる温度勾配炉を提供することをその目的とするも
ので、戻射面とその焦点位置に置かれ九ヒータとより成
る赤外線加熱:Lエラ)を複数個連設してなるものにお
いて1被加熱@0離隔した個所の温度を検知する少くと
もtIIの感温素子と1該感温素子のそれぞれに11!
統され、該感温素子の設置個所の濃度を設定値に制御す
る七−夕の加熱電力制御装置と、前記被加熱物を前記設
定値により規定され九温度勾ンで加熱する他のヒータへ
の供給電力を1前記感温素子に対応するE−夕への供給
電力値をもとにして内外挿計算する演算回路と、該演算
回路に接続され九前、配備Oと−タの加熱電力制御装置
とを具備することを特徴とする。
以下本発明の実施例を図面につき詳細に説明する・
図面において、放物反射面(1ム)(1・1)・←・(
IG)及び(1ム5(1s’>−(1asとその焦点位
置に置かれたヒータ(2ム)(2B) −(2G)及び
(2ffi)(2ffl)−・・(2d)とより成る赤
外線加熱x x−ツ) (3AX!III) ・・・(
!’ G)及び(! A)(s:i:)−・・(le)
は例えば7個を連ね且つ被加熱物(4)を介して互に対
向して配置するようにして、赤外線加熱炉を構成した。
IG)及び(1ム5(1s’>−(1asとその焦点位
置に置かれたヒータ(2ム)(2B) −(2G)及び
(2ffi)(2ffl)−・・(2d)とより成る赤
外線加熱x x−ツ) (3AX!III) ・・・(
!’ G)及び(! A)(s:i:)−・・(le)
は例えば7個を連ね且つ被加熱物(4)を介して互に対
向して配置するようにして、赤外線加熱炉を構成した。
被加熱物(4)の離隔された個所に接して設けられ良、
例えば熱電対のような2個c>all!素子(s m)
(s y) ハ、−tレソrt、+。
例えば熱電対のような2個c>all!素子(s m)
(s y) ハ、−tレソrt、+。
素子(sm)(sy)に近接配置された赤外線加熱炉二
’) ) (1B)(3m)、(51バ57)40と−
タ(2)) (2II)、(2y)(21)の加熱電力
制御装置(amX6y)に接続した。
’) ) (1B)(3m)、(51バ57)40と−
タ(2)) (2II)、(2y)(21)の加熱電力
制御装置(amX6y)に接続した。
この加熱電力制御装置(4II)(4F)は−それぞれ
1プ四ダツ^JLエツト(7)とアンプ:Lエラ)(8
)と比例、積分及び微分制御するFID制御二ニット(
9)と、蒙゛エエツ)(9)の出力に応じた位相のトリ
ガーパルスを発生するトリガーパルス発生回路(11と
、電源回路に介入ざrt〜出力をヒータ(2B)(2I
)、(zy)(zyF)に接続して前記)911−パル
スに応じた出力を該ヒータに供給するサイリスタaυと
で構成し大0演算回路aりは、前記加熱電力制御装置(
4B)(4ν)によって設定され大被加熱物(4)の離
隔した2点の高低湯度値に゛よって規定ざむる温度勾配
になるように、被加熱物(4)を赤外s 加熱−= y
) (si)(ir>(s o)(io) −(sm
)(sj)(e)(s e)の各ヒ−1(2A)(21
)、(2G)(20) s −(21)(2m)、(2
G)(2G)で加熱する大めに、その各加熱電力量を、
前記各制御装置(4m)(4?)の1r力制御ユニツト
(9)の出力を基にして内外挿計算する回路である。こ
の#i路の各出力はそれぞれ)リガーパ′ルス発生1路
aのと、この回路−によって制御されるサイリスタ(1
1とより成る加熱電力制御装置a、1を介してヒーa
(to)(2ffit % (to)(to)、(!
D)(2n)(口> <2i>及び(2G)(2G>に
接続した。(図面では* −# (2A)<21)−(
to) t’v イgx *、atomカa。
1プ四ダツ^JLエツト(7)とアンプ:Lエラ)(8
)と比例、積分及び微分制御するFID制御二ニット(
9)と、蒙゛エエツ)(9)の出力に応じた位相のトリ
ガーパルスを発生するトリガーパルス発生回路(11と
、電源回路に介入ざrt〜出力をヒータ(2B)(2I
)、(zy)(zyF)に接続して前記)911−パル
スに応じた出力を該ヒータに供給するサイリスタaυと
で構成し大0演算回路aりは、前記加熱電力制御装置(
4B)(4ν)によって設定され大被加熱物(4)の離
隔した2点の高低湯度値に゛よって規定ざむる温度勾配
になるように、被加熱物(4)を赤外s 加熱−= y
) (si)(ir>(s o)(io) −(sm
)(sj)(e)(s e)の各ヒ−1(2A)(21
)、(2G)(20) s −(21)(2m)、(2
G)(2G)で加熱する大めに、その各加熱電力量を、
前記各制御装置(4m)(4?)の1r力制御ユニツト
(9)の出力を基にして内外挿計算する回路である。こ
の#i路の各出力はそれぞれ)リガーパ′ルス発生1路
aのと、この回路−によって制御されるサイリスタ(1
1とより成る加熱電力制御装置a、1を介してヒーa
(to)(2ffit % (to)(to)、(!
D)(2n)(口> <2i>及び(2G)(2G>に
接続した。(図面では* −# (2A)<21)−(
to) t’v イgx *、atomカa。
路の接続を省略した。)
尚1wA面において、a4はプ田ダラ^&墓ツ)(7)
のスター)・ス)ツブ回路、四は感温素子(50)(5
m)に接Hされたモ!ター用2ペンレコーダ、a・は被
加熱物(4)を不活性領域内で加熱する良めに、不活性
ガス源に接続きれ良管材である。
のスター)・ス)ツブ回路、四は感温素子(50)(5
m)に接Hされたモ!ター用2ペンレコーダ、a・は被
加熱物(4)を不活性領域内で加熱する良めに、不活性
ガス源に接続きれ良管材である。
次にこの温度勾配炉の作動について説明する。
被加熱物(4)に対して所定の温度勾配をつけて急速昇
温するために、感温素子(5m)(5ν)の設置点の温
度をそれヤれプ田ダラ^エニツ) (7)(7) テy
定する・そしてこの工1ツ) (7)(7)Vtスター
ト・スジツブ回路α尋で始動する・かくして加熱電力制
御装置(4B)(4F)は感温素子(In)(5?)を
入力信号として、被加熱物(4)の感温素子(sm)(
sy)設置点の濃度がプ!ダラムエニツ[7)(7)の
設定値になるように作動し、と−タ(2m)(2y)を
加熱する。
温するために、感温素子(5m)(5ν)の設置点の温
度をそれヤれプ田ダラ^エニツ) (7)(7) テy
定する・そしてこの工1ツ) (7)(7)Vtスター
ト・スジツブ回路α尋で始動する・かくして加熱電力制
御装置(4B)(4F)は感温素子(In)(5?)を
入力信号として、被加熱物(4)の感温素子(sm)(
sy)設置点の濃度がプ!ダラムエニツ[7)(7)の
設定値になるように作動し、と−タ(2m)(2y)を
加熱する。
これと同時に、前記制御装置(4m)(4F)のyxn
制御エエツ) (9)t)出力が演算回路部に入力する
ので、と−でヒータ(2人><xi)、(2G)(2め
−(2G)(2G)に加える加熱電力値が内外挿計算に
よって算出畜れる。すなわち制御装置(4m)(4?)
のyzn:s−z −1) (9)(9)0出力を]I
I哀、罵νケす葛と1各ヒ−# (2A)(2ム)、(
20)(20)、(2:E))(2D)、(2m+)(
2m)及ヒ(2G)(2G) C対応する出力端子(1
2A)(1!OX1 !D)(12]1)及び(12G
)には y−Im 1ム=11− が出力し1この値に応じた位相のトリガーパルスがトリ
ガーパルス発生回路<10から出力し1このトリガーパ
ルスでサイリスタaυを制御し、所定O熱勾配になるよ
うにヒー#(2ム)(2る−(20)(2d)、(2D
)(2追、(2m)(2It)及び(2G)(2G)を
加熱する。
制御エエツ) (9)t)出力が演算回路部に入力する
ので、と−でヒータ(2人><xi)、(2G)(2め
−(2G)(2G)に加える加熱電力値が内外挿計算に
よって算出畜れる。すなわち制御装置(4m)(4?)
のyzn:s−z −1) (9)(9)0出力を]I
I哀、罵νケす葛と1各ヒ−# (2A)(2ム)、(
20)(20)、(2:E))(2D)、(2m+)(
2m)及ヒ(2G)(2G) C対応する出力端子(1
2A)(1!OX1 !D)(12]1)及び(12G
)には y−Im 1ム=11− が出力し1この値に応じた位相のトリガーパルスがトリ
ガーパルス発生回路<10から出力し1このトリガーパ
ルスでサイリスタaυを制御し、所定O熱勾配になるよ
うにヒー#(2ム)(2る−(20)(2d)、(2D
)(2追、(2m)(2It)及び(2G)(2G)を
加熱する。
フ四タラムエエツ)(7)(7)の設定値を変えること
により温度勾配を変えることができるし−また昇温速度
を任意に選定できる。
により温度勾配を変えることができるし−また昇温速度
を任意に選定できる。
温度制御するための濃度検出は、被加熱物14)の離隔
し九2点で行なっているので、互に熱的に干渉すること
がなく1そのため制御がハンチングすることがない。そ
してヒータ(2ム)(2ム)、(20)(2d)、<2
D)(バ)、(zm)(2]l′)、(2G)(2めの
加熱電力制御装置a3は、プログラム・エエツ)(7)
−%PxD制御ユニツ)(9)やアンプエエット(8)
を用いる必要がなく、各ヒータに共通な演算回路a’a
t設けるだけでよいので、構成が著しく簡略化される・
このように本発明によれば、赤外線加熱炉を用い、被加
熱物の離隔した少くとも291所の温度が所定の温度勾
配になる高低2つの値になるように、該2個所の温度を
検出して加熱電力制御装置でその個所のヒータを加熱制
御し、その他のと−タを、演算回路の出力を入力信号と
する加熱電力制御装置により加熱制御するようにし良の
で、被加熱物を所定の温度勾配をつけて急速に昇温でき
るとともに温度制御を安定に且つ簡単な構成で行わせる
ことができる効果を有する・
し九2点で行なっているので、互に熱的に干渉すること
がなく1そのため制御がハンチングすることがない。そ
してヒータ(2ム)(2ム)、(20)(2d)、<2
D)(バ)、(zm)(2]l′)、(2G)(2めの
加熱電力制御装置a3は、プログラム・エエツ)(7)
−%PxD制御ユニツ)(9)やアンプエエット(8)
を用いる必要がなく、各ヒータに共通な演算回路a’a
t設けるだけでよいので、構成が著しく簡略化される・
このように本発明によれば、赤外線加熱炉を用い、被加
熱物の離隔した少くとも291所の温度が所定の温度勾
配になる高低2つの値になるように、該2個所の温度を
検出して加熱電力制御装置でその個所のヒータを加熱制
御し、その他のと−タを、演算回路の出力を入力信号と
する加熱電力制御装置により加熱制御するようにし良の
で、被加熱物を所定の温度勾配をつけて急速に昇温でき
るとともに温度制御を安定に且つ簡単な構成で行わせる
ことができる効果を有する・
【図面の簡単な説明】
8!!1t1iは本発明の一実施例のプ冑ツク線図を示
すO (1ム>(1i>〜(I G)(I G)・・・放物−
反射面(2ム)(2A’)〜(29)<2 ())−・
・ヒ − タ(s*)(sffi) 〜(3G)(5G
) −赤外s加熱!”ツ)(4) −・・・・・・
・・・・・・・・・・被加熱物(5B)(S QXSJ
+(5・ν)−・−感温素子(iBX4yJ=−・・・
・・・・・・・・・・加熱電力制御装置02−
・・・演算回路 0 ・・・・・・・・・・・・・・・−・加熱電力
制御装置特許出願人 真空理工株式会社 外2名
すO (1ム>(1i>〜(I G)(I G)・・・放物−
反射面(2ム)(2A’)〜(29)<2 ())−・
・ヒ − タ(s*)(sffi) 〜(3G)(5G
) −赤外s加熱!”ツ)(4) −・・・・・・
・・・・・・・・・・被加熱物(5B)(S QXSJ
+(5・ν)−・−感温素子(iBX4yJ=−・・・
・・・・・・・・・・加熱電力制御装置02−
・・・演算回路 0 ・・・・・・・・・・・・・・・−・加熱電力
制御装置特許出願人 真空理工株式会社 外2名
Claims (1)
- 反射面とその焦点位置に置かれたと−タとより成る赤外
線加熱sI−エツ)を複数個連設してなるものにおいて
、被加熱物の離隔した個所の温度を検知する少(とも2
個の感温素子と、該感温素子のそれぞれに接続され、該
感温素子の設置個所の温度を設定値に制御すると−タの
加熱電力制御装置と、前記被加熱物を前記設定値により
規定された温度勾配で加熱する他のヒータへの供給電力
を、前記感温素子に対応するヒータへの供給電力値をも
とにして内外挿計算する演算回路と、該演算回路に接続
された前記他のヒータの加熱電力制御装置とを具備する
ことを特徴とする温度勾配炉・
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12308781A JPS5824788A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 温度勾配炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12308781A JPS5824788A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 温度勾配炉 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5824788A true JPS5824788A (ja) | 1983-02-14 |
JPS625272B2 JPS625272B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=14851879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12308781A Granted JPS5824788A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 温度勾配炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5824788A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62266385A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-19 | 光洋精工株式会社 | ランプアニ−ル炉の温度制御装置 |
JP2001296902A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Omron Corp | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 |
JP2001296901A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Omron Corp | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 |
JP2010502017A (ja) * | 2006-08-22 | 2010-01-21 | ブリリアント テレコミュニケーションズ, インコーポレイテッド | 密閉筐体内pcb実装電子部品の熱安定化用機器および方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53100767A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-02 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
-
1981
- 1981-08-07 JP JP12308781A patent/JPS5824788A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53100767A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-02 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62266385A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-19 | 光洋精工株式会社 | ランプアニ−ル炉の温度制御装置 |
JP2001296902A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Omron Corp | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 |
JP2001296901A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Omron Corp | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 |
JP2010502017A (ja) * | 2006-08-22 | 2010-01-21 | ブリリアント テレコミュニケーションズ, インコーポレイテッド | 密閉筐体内pcb実装電子部品の熱安定化用機器および方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS625272B2 (ja) | 1987-02-04 |
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