JPS5823673B2 - 磁気バブル・ドメイン素子の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般的には超小型電子的構造体の製造方法に係
り、更に具体的に云えば、素子の最小寸法が１．０μｍ
以下である磁気バブル・ドメイン素子の製造方法に係る
。

この方法は厚いレジスト層を用いる必要のない単一の厳
密なマスク工程を用いた乾式の除去的方法である。

極めて微細な線のパターンが形成されねばならない超小
型電子的構造体の製造に於ては、高品質の素子構造体を
形成する付加的又は除去的製造方法を実現することが困
難である。

具体的に云えば、増々小さい磁気バブル・ドメインが用
いられることによって磁気バブル・ドメイン素子はより
小さくなるため、特に２重の金属層を有する磁気バブル
・ドメイン素子に於て大きな縦横比及び良好なパターン
の尖鋭度を有している素子を形成するオーバーレイ処理
方法を実現することが難しい。

例えば、磁気バブル・ドメインを成る径路から他の径路
へ転送させるために用いられる如き導電機能を設けるた
めに磁気バブル・ドメイン記憶層の近傍に導電層（Ａｕ
又はＡｌ−Ｃｕの妬き）がしばしば必要とされる。

上記導電層上に於けるＮｉＦｅ等の如き軟磁性材料の層
が、そのＮｉＦｅ層の平面に於ける磁界の再配向に応答
して磁気バブル・ドメインを移動させる磁気バブル・ド
メイン伝搬素子を設けるためにパターン化される。

上記導電層は略２０００人の厚さを有し、上記ＮｉＦｅ
層は略３ｏｏｏＡの厚さを有している。

単一レベルのマスクを用いている従来の磁気バブル・ド
メイン素子の製造方法は厚いレジスト層を必要とする。

例えば、ＮｉＦｅ伝搬素子がレジスト層のマスクを経て
電気めっきされる付加的方法に於ては、レジスト層が少
くとも必要な伝搬素子と同一の厚さを有していなければ
ならない。

その厚さは典型的には３０００乃至５０００人である。

磁気バブル・ドメイン素子の除去的製造方法に於ては、
下に連続的導電層を有している連続的な軟磁性材料の層
がレジスト層のマスクを用いてイオン・ミリングされる
。

この場合、レジスト層のマスクはその下のそれら金属層
よりも迅速に食刻されるので１μｍに近い厚さを有して
いなければならない。

レジスト層がプラズマ食刻の如き他の除去的方法により
イオン・ミリング用金属マスク、を形成するための第２
マスクとして用いられる場合であっても、そのレジスト
層は４０００乃至５０００人のオーダーの厚さを有して
いる必要がある。

これらの両方の除去的方法に於て直接電子ビームにより
書込が行なわれる場合には、レジスト層はポジティブ型
レジスト（露光領域に於て溶解度が増加するレジスト）
でなくネガティブ型レジスト（露光領域に於て溶解度が
低下するレジスト）から成っていなければならない。

ネガティブ型レジスト層はポジティブ型レジスト層の分
解能を有しておらず、更に用いられたときに膨潤（ｓｗ
ｅｌｌｉｎｇ）等の如き問題を生じるので、その使用は
不利である。

前述の寸法を有する微細な線のパターンを形成するため
には、電子ビームによる書込の如きリソグラフィ露光技
術を用いることが通常必要である。

しかしながら、これらのりソグラフイ露光技術により最
適な分解能を得るためには、レジスト層が可能な限り薄
いことが必要である。

厚いレジスト層は入射する電磁放射を逆散乱及び二次電
子放出の如き現象によって散乱させて好ましくない分解
能な有するパターンを生じがちである。

更に、レジスト層のパターンが食刻マスクとして用いら
れる場合には、レジスト層の側面が面取りされて、真直
ぐでない側壁を有する食刻パターンが形成されてしまう
。

一般的に、レジスト層は該レジスト層を経てパターン化
されるべき下の金属層よりも迅速に食刻されるため、除
去的方法に用いられるレジスト層は付加的方法に用いら
れるレジスト層よりも厚（なる。

本発明による方法に於ては、厚いレジスト層を用いる必
要がなくそしてネガティブ型レジストを必要としない除
去的方法が用いられている。

この除去的方法に於ては、１０００人のオーダーの厚さ
を有する極めて薄い単一のレジスト層が用いられる。

そのレジスト層は付加的にめっきされた金属マスク層を
設けるために用いられるポジティブ型レジスト層であり
、上記金属マスク層はその下の金属マスク層をパターン
化するために用いられる。

更に、本発明による方法に於ては、選択された相対的食
刻速度を有するマスク材料を用いて大きな縦横比及び良
好なパターンの尖鋭度を有する高品質のパターンが達成
される。

レジスト層及び素子の金属層の食刻速度に対するそれら
のマスク材料の食刻速度は、厚いレジスト層及びネガテ
ィブ型レジスト層を用いずに素子が製造されることを可
能にする。

従って、本発明の目的は、厳密に整合された単一レベル
のマスクを用いて磁気バブル・ドメイン素子を形成する
ための改良された製造方法を提供することである。

本発明の他の目的は、縦横比の大きいレジスト層を用い
ずに素子の最小寸法が１μｍ以下である磁気バブル・ド
メイン素子を形成するための製造方法を提供することで
ある。

本発明の他の目的は、大きい縦横比及び良好なパターン
の尖鋭度を有し、最小寸法が約１μｍ以下の、多数の金
属層を有している磁気バブル・ドメイン素子の製造方法
を提供することである。

本発明の他の目的は、薄いポジティブ型レジスト層を用
いた単一レベルのマスク技術を用いている磁気バブル・
ドメイン素子の製造方法を提供することである。

本発明の他の目的は、極めて薇細な線の構造体を形成す
るための金属層のパターン化に於てリソグラフィの分解
能が最適化されている、磁気バブル・ドメイン素子の製
造方法を提供することである。

本発明の他の目的は、極めて薄いレジスト層を用いて、
大きい縦横比及び良好なパターンの尖鋭度を有する２重
の金属層から成る微細な線の・々ターンが形成される、
磁気バブル・ドメイン素子の製造方法を提供する゛こと
である。

本発明の更に他の目的は、電子ビーム、Ｘ線、又は光学
的レジスト層とともに用いられ得る単一レベルのマスク
技術を用いている、磁気バフル・ドメイン素子の製造方
法を提供することである。

次に、本発明による方法について概略的に説明する。

本発明による方法に於ては、厚いレジスト層を用いずに
磁気バブル・ドメイン素子が形成される。

この方法は、２重の素子金属層が極めて薄い金属マスク
層を用いてイオン・ミリングされることによりパターン
化される除去的製造方法である。

その金属マスク層は、それらの素子金属層の食刻速度よ
りも相当に遅い速度で食刻され且つ面取り又は選択的食
刻を生じない材料から成っている。

ＮｉＦｅ層とＡｕ層とから成る２重層構造体の食刻に特
に良好なマスク材料はＴｉである。

用いられ得る他のマスク材料はＣｒである。

素子構造体がＮｉＦｅ及びＡｕ以外の層から成っている
場合には、本発明による方法に従って他のマスク材料が
選択され得ることは勿論である。

上記金属マスク層即ち第１金属マスク層は電気めっきさ
れた薄い第２金属マスク層を用いて反応性イオン食刻さ
れることによってパターン化される。

その電気めっきされた第２金属マスク層はパターン化さ
れた薄いポジティブ型レジスト層を経てめっきされた金
属層から成る。

従って、ネガティブ型レジスト又は極めて厚いレジスト
層を用いる必要のない完全な除去的方法による磁気バブ
ル・ドメイン素子の製造方法が達成される。

薄い第２金属マスク層がパターン化された薄いポジティ
ブ型レジスト層を経て電気めっきされ、この第２金属マ
スク層が第１金属マスク層をパターン化するために用い
られる。

その第１金属マスク層は素子金属層をパターン化するた
めに用いられ、素子金属層は多くの場合に於て非磁性導
電材料の層とその上の磁性材料の層との２重層から成る
。

次に、図面を参照して、本発明による方法をその好実施
例について更に詳細に説明する。

第１図及び第２図は２重の素子金属層を有する磁気バブ
ル・ドメイン素子を示している。

第１図は、表面上にＴルバーの伝搬素子１４及びＩルバ
ーの伝搬素子１６のパターン１２を有している磁気バブ
ル・ドメイン記憶層１８を含む基体１０を示している上
面図である。

基体１０の平面に於ける磁界Ｈの再配向に応答して磁気
バブル・ドメインＢを移動させるためのこの型のパター
ンは従来技術に於て周知のパターンである。

磁気バブル・ドメインの直径は垂直バイアス磁界Ｈｂに
よって安定化されている。

第１図に於ける伝搬素子のパターン１２は相互に離隔し
ている伝搬素子１４及び１６から成っている。

これらの伝搬素子の線幅Ｗ及び伝搬素子相互間の間隙ｇ
は磁気バブル・ドメインＢの直径に従って選択される。

一般的に、間隙ｇは磁気バブル・ドメインの直径の約３
分の１よりも小さく、線幅Ｗは磁気バブル・ドメインの
直径の約２分の１である。

例えば、１１ｔｍの直径を有する磁気バブル・ドメイン
の場合には、Ｗは約０．５μｍであり、ｇは約０．２５
μｍにされる。

当技術分野に於て周知の如（、Ｔ形及びＩルバーから成
る伝搬素子のパターンを用いた場合の間隙ｇに於ける制
約はＣルバー又は非対称のハーフ・ディスクから成る伝
搬素子のパターンを用いた場合よりも大きい。

本発明による方法の原理は、任意の型の伝搬素子のパタ
ーン又は他の素子のパターンを形成するための単一レベ
ルのマスク技術に適用され得る。

第２図は第１図の線２−２に於ける断面図である。

その構造体は軟磁性材料の層と非磁性導電材料の層とか
ら成る２重の素子金属層を含んでいる。

基体１０は一般的に基板２０上に成長又は付着された磁
気バブル・ドメイン記憶層１８から成っている。

ガーネットの磁気バブル・ドメイン記憶層の場合には、
基板２０は該記憶層１８が表面上にエピタキシャル成長
され得る様に適当に選択された非磁性ガーネットである
。

電包的絶縁性スペーサ層２２が一般的に磁気バブル・ド
メイン記憶層１８上に設けられる。

このスペーサ層はガーネットの記憶層から伝搬素子を離
隔させるため及びオーバーレイ処理中に記憶層の表面を
保護するために用いられる。

伝搬素子のパターン１２を有する素子構造体は、非磁性
導電材料の層から成る第１素子金属層２４と軟磁性材料
の層から成る第２素子金属層２６との２重層を有する構
造体である。

層２４に適した材料は金（Ａｕ ） であり、層２６に
適した材料はＮ ｉ Ｆ ｅである。

伝搬素子のパターン１２を設けるために層２４及び２６
がパターン化される。

従って、Ｔルバー及びＩルバーは２重層の構造体である
。

当技術分野に於て知られている如く、導電機能を設ける
ために用いられる導電材料の層は伝搬素子を設けるため
に用いられる軟磁性材料の層よりも磁気バブル・ドメイ
ン記憶層に近く配置されることが望ましい場合が多い。

伝搬素子の下に設けられた導電材料の層２４は、導電機
能を要しない磁気バブル・ドメイン素子に於ける伝搬素
子の動作に悪影響を与えることはない。

伝搬素子のパターン１２の如きパターンの形成は極めて
微細な線幅及び小さな間隙が必要とされる場合には極め
て困難である。

極めて尖鋭な側壁即ち良好なパターンの尖鋭度が得られ
る様に２重の素子金属層がパターン化されねばならない
場合には特に困難となる。

即ち、間隙の寸法が減少するに従って、大きな縦横比を
有する２重層のパターンを形成することはより困難にな
る。

従来技術に於ては、磁気バブル・ドメイン素子は付加的
方法又は除去的方法のいずれかを用いて形成されている
。

これらの方法はいずれも、一般的に厚いレジスト層を用
いることを要し、これは極めて不利な点である。

第３Ａ図乃至第３Ｆ図に示されている本発明による方法
は厚いレジスト層を用いずに完全な磁気バブル・ドメイ
ン素子を形成する。

第３Ａ図乃至第３Ｆ図に於ては、磁気バブル・ドメイン
記憶層１８のための基板２０は示されていない。

第３Ａ図に於て、絶縁性スペーサ層２２上に非磁性導電
材料の層から成る第１素子金属層２８が付着される。

その上に軟磁性材料の層から成る第２素子金属層３０が
付着される。

第１図に示されている如き磁気バブル・ドメイン素子を
形成するためには、層２８は典型的には約２０００人の
蒸着されたＡｕ （又はＡＩ−Ｃｕ）から成り、層３０
は典型的には約３０００人のスパッタリングされた非晶
質の磁性材料又はパーマロイ（ＮｉＦｅ）から成る。

当技術分野に於て周知の如く、これらの２つの層に他の
材料も用いられ得ることは勿論である。

層２８及び３０は第２図の層２４及び２６に対応し、即
ちそれらの層はＴルバーの伝搬素子１４及び■ルバーの
伝搬素子１６を形成するためにパターン化される。

第３Ａ図には示されていないが、Ｎｉ ＦｅＮｊ ３０
が付着される前にＡｕ層２８上に薄い（約３００人）Ｎ
ｉＰ層がしばしば付着される。

このＮｉＰ層はＡｕ層を平滑にしそしてＮ ｉ Ｆ ｅ
層の磁気特性を増す。

次に、素子金属層２８及び３０をパターン化するための
第１金属マスク層３２が層３０上に付着される。

ｌ実施例に於ては、層３２は略１５００人の厚さを有す
る薄い層である。

素子金属層２８及び３０が各々Ａｕ及びＮｉＦｅから成
っている場合には、層３２のための適当な材料はチタン
（Ｔｉ） である。

層３２のために用いられ得る他の適当な材料はクロム（
Ｃｒ）である。

本発明による方法に於て、パターン化された薄い第１金
属マスク層３２は素子金属層２８及び３０を限定するた
めに用いられる。

層３２が薄いので、微細な線の構造体の形成に於てその
下の層２８及び３０の正確なパターン化が達成され得る
。

更に、層３２は下の層２８及び３０と同程度に迅速に食
刻されない材料から成る様に選択され、従って薄い層３
２しか必要とされない。

この薄い層３２は層２８及び３０に於てより正確なパタ
ーンを形成する。

層３２はその上の第２金属マスク層によってパターン化
される。

その第２金属マスク層のためのめつきベース層３４は典
型的には金の如き材料の薄い層から成る。

層３４は約４００人の厚さを有している。

ｉａＢ図に於て、めっきベース層３４上にポリメタクリ
ル酸メチル（ＰＭＭＡ）の如きパターン化されたポジテ
ィブ型レジスト層３６が形成される。

パターン化されたレジスト層３６は典型的には１０００
乃至２０００人の厚さを有し、ポジティブ型レジスト材
料から成る。

除去的製造方法に於ては通常ネガティブ型レジストが必
要とされるが、本発明による方法に於てはＰＭＭＡの如
きポジティブ型レジストが用いられ得る。

更に、このレジスト層３６の厚さは、従来に於て直径１
μｍ以下の磁気バブル・ドメインを有する磁気バブル・
ドメイン素子を製造する場合に用いられていたレジスト
層の厚さよりも著しく薄い。

レジスト層３６は直接的電子ビーム露光の如き従来の露
光技術によってパターン化される。

レジスト層３６が極めて薄いため、０．５μｍ以下の寸
法を得るための最適な分解能が達成され得る。

第３Ｃ図に於て、めっきベース層３４上に第２金属マス
ク層３８がめつきされる。

第２金属マスク層３８はレジスト層３６を経てめっきさ
れた厚さ５００乃至１０００λのＮｉＦｅから成り得る
。

第２金属マスク層３８は第１金属マスク層３２を。

パターン化するために用いられ、第１金属マスク層３２
は素子金属層２８及び３０をパターン化するために用い
られる。

第３Ｄ図に於て、レジスト層３６が除去された後、その
下の金のめつきベース層３４がイオン・ミリングによっ
て除去される。

金のめつキヘース層３４は数百オングストロームの厚さ
しか有しておらず、又金はＮｉＦｅよりも相当速い速度
でイオン・ミリングされるので（Ａｕ／ＮｉＦｅのイオ
ン・ミリング比−酸素中で１５／１）、ＡｕのめつきΣ
ベース層３４がイオン・ミリングされる間にＮｉＦｅの
マスク層３８は４０λ以下しか除去されない。

従って、めっきベース層３４の一部が除去される間、パ
ターンの尖鋭度は何ら低下されない。

ＮｉＦｅの第２金属マスク層３８がＴｉの第１金。

属マスク層３２をパターン化するために用いられ、Ｔｉ
の第１金属マスク層３２が実際の素子金属層２８及び３
０をパターン化するために用いられ得る。

第３Ｅ図はＴｉの第１金属マスク層３２がバタ。

−ン化された後の構造体を示している。

マスク層３２はマスク層３８は用いて純粋なＣＦ４中に
於て異方性反応性イオン食刻を施すことによってパター
ン化され得る。

反応性イオン食刻及びそのための装置は、例えばＡｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ・３２
、（３ｊ１．１９７８年２月、第１６３頁に於てＨ，Ｗ
、 Ｌｅｈｍａｎｎ等により記載されている如（、当技
術分野に於て周知である。

ＣＦ４が用いられているとき、Ｔｉのマスク層３２は異
方性食刻され、即ち垂直方向に食刻されて、真直ぐな側
壁を有するマスクが形成される。

この食刻方法はマスク層３８を殆ど食刻せず、従って薄
いＮ ｉ Ｆ ｅのマスク層３８が用いられ得る。

更に、これによって、極めて薄いポジティブ型レジスト
層がマスク層３８をめっきするために用いられ得る。

即ち、マスク層３８が極めて薄くされ得るので、電気め
っき用マスクとして薄いレジスト層３６しか必要とされ
ない。

マスク層３８は最終的素子構造体の機能的部分を構成し
ないので、その磁気特性は重要でない。

マスク層３８のためにＮ ｉ Ｆ ｅＯ代りに用いられ
得る他の材料にはＮｉ、Ｃｕ及びＦｅ等がある。

マスク層３８の材料は、マスク層３８が極めて薄くされ
得る様に、マスク層３２にパターンを限定するための異
方性反応性イオン食刻処理中に於て極めて少量しか又は
本質的に全く食刻されてはならない。

例えば、ＣＦ４中に於げるＴｉの反応性イオン食刻速度
は略７００λ／分であり、同一条件の下に於けるＮｉＦ
ｅの食刻速度・は２５人／分であることが測定されてい
る。

更に、その材料は高分解能を有するマスクが形成される
様にマスクを経てめっきされ得る材料でなければならな
い。

本発明による方法に於て、マスク層３８はマスクを経て
電気め、つきされることにより形成される必要のあるこ
とが解った。

マスク層３８が連続的な層として付着されてからレジス
ト層のマスクを経てイオン・ミリングされることにより
パターン化された場合には、微細な線幅及び小さな間隙
のパターンを形成するために必要な高い分解能が達成さ
れない。

第３Ｆ図はイオン・ミリング用マスクとしてマスク層３
２を用いて素子金属層２８及び３０がパターン化されて
いる最終的素子構造体を示している。

ＮｉＦｅ／Ｔｉ及びＡｕ ／ ’ｌ’ １ は酸素中
に於てイオン・ミリングされるとき各々８／１及び３０
／ｌの食刻速度を有しているので、約１５００人のＴｉ
Ｌか必要とされない。

マスク層３２がこの様に薄いので、イオン・ミリング工
程中により急峻な傾斜角度が用いられ、これは層２８及
び３０に形成されるパターンの完全性が維持されること
を助ける。

素子金属層２８及び３０がイオン・ミリングされた後に
は、Ｔｉのマスク層３２の残渣しか残さ）れていない。

即ち、Ｔｉのマスク層３２の始めの厚さは、素子金属層
２８及び３２の完全なイオン・ミリングを達成し得るだ
けの出来る限り薄い厚さにされる様に選択される。

ＴｉはＮｉＦｅ及びＡｕに対して前述の如き食刻速度を
有しているので、Ｔｉのマスク層３２は極めて薄（形成
されることが出来、その結果極めて良好なパターンの尖
鋭度が最終的素子構造体に達成される。

電気的絶縁性及び非磁性のスペーサ層２２は素子構造体
のための磁気的スペーサ層として働きそして又金属層２
８及び３０がパターン化されるイオン・ミＩＪング工程
が行なわれる間磁気バブル・ドメイン記憶層１８の表面
を保護する。

しかしながら、スペーサ層２２は必ずしも必要ではな（
、適用例に応じて削除され得る。

本発明による方法に於て、非レジスト材料から成る薄い
マスクの使用は、電子ビーム、Ｘ線、及び光学的リソグ
ラフィを含む種々のリングラフィ技術に適用され得る。

更に、磁気バブル・ドメイン素子構造体は、既に述べた
如（、パターン化される複数の素子金属層を含み得る。

本発明による方法は複数の素子金属層がパターン化され
る場合に更に有利であり、従来の技術ではそれらの複数
の素子金属層の全体の厚さに於て大きい縦横比及び良好
なパターンの尖鋭度を有する微細な線のパ。

ターンを達成し得ない。

本発明による方法に於て、マスク層３２は下の素子金属
層の食刻速度に対するその食刻速度に関して選択される
。

ＮｉＦｅ層及びＡｕ層の素子金属層が用いられている場
合には、Ｔｉのマスク層 。

３２が特に適している。

実際に於て、Ｔｉは導電材料の層から成る第１素子金属
層２８を構成している材料とは無関係に最良のイオン・
ミリング用マスクである。

Ｔｉ程好ましくはないが、他にＣｒも用いられ得る。

同様にして、下のマスク層。３２をパターン化する為に
Ｎ ｉ Ｆ ｅがマスク層３８として用いられる。

ＮｉＦｅはＴｉの食刻速度に対するその食刻速度により
この目的に適している。

即ち、ＮｉＦｅのマスク層３８はＴｉのマスク層３２が
パターン化されるとき著しく食刻されないので、マスク
層３８は極めて薄くされ得る。

従って、マスク層３８及び３２は、マスク層３２をパタ
ーン化するために用いられる食刻方法及びパターン化さ
れる下の素子金属層の材料の両方に関して選択される。

パターン化されたＴｉ又はＣｒのマスク層は最終的に素
子をパターン化するためのマスク層として好ましい。

困難な問題は、マスク層３２を経て素子金属層２８及び
３０がパターン化されるとき、それらの素子金属層の面
取りが最小限に留められて素子のパターンが良好な尖鋭
度を有する様に、垂直な側壁を有するイオン・ミリング
用マスク層３２を設けることである。

Ｔｉ及びＣｒはマスクを経て容易に電気めっきされず、
又リフト・オフ方法によっても容易にパターン化され得
ないので、異方性の反応性イオン食刻が用いられる。

従来技術の場合と異なり、厚いレジスト層のマスクでな
くめっきされた薄い金属マスク（マスク層３８）が反応
性イオン食刻用マスクとして用いられる。

これにより、極めて薄いレジスト層３６の使用が可能と
なる。

Ｔｉの金属マスクは従来に於ても下の層をパターン化す
るために用いられていたが、Ｔｉをパターン化する技術
の殆どがパターンの尖鋭度に悪影響を与えた。

更に、それらの従来技術は後にパターン化されて素子自
体を構成する下の層に悪影響を与えた。

従って、イオン・ミリング、スパッタリング食刻、化学
的食刻等を用いてＴｉをパターン化する従来技術は最終
的素子に悪影響を与えそしてＴｉ層に良好なパターンを
形成しない。

この問題は、本発明による方法に従って、Ｔｉ層がパタ
ーン化される異方性反応性イオン食刻工程に適した薄い
マスクである、めっきされたＮｉＦｅのマスク層３８を
用いることによって解決され得る。

以上に於て説明した如（、本発明による方法は、特に複
数の素子金属層を有する素子の場合に於て、大きな縦横
比を有する微細な線のパターンを可能にする除去的方法
である。

本発明による方法はより大きな線幅及び間隙の寸法を有
する素子の形成にも用いられ得るが、その場合には他の
代替的方法によっても良い結果が得られるので、本発明
による方法の利点が余り顕著に示されない。

従来のリングラフィ技術が用いられ得ないのは、線幅及
び間隙の寸法が極めて小さくされねばならない場合であ
る。

例えば、約１μｍ以下の直径を有する磁気バブル・ドメ
イン素子を形成するためには、０．５μｍ以下の直径を
有する最小寸法を達成するために電子ビームによるリン
グラフィ露光技術が必要である。

しかしながら、電子ビームによるリングラフィ露光技術
により最適な分解能を得るためには、レジスト層が出来
る限り薄いことが必要である。

従来技術はこの目的のためにレジスト・マスクを用いた
方法を実現し得なかった。

【図面の簡単な説明】

第１図は典型的な磁気バブル・ドメイン伝搬素子のパタ
ーンを有している磁気バブル°ドメイン素子を示してい
る上面図であり、第２図は第１図の線２−２に於ける断
面図であり、第３Ａ図乃至第３Ｆ図は本発明による方法
に於ける一連の工程を示している断面図である。 １０・・・・・・本体、１２・・・・・・磁気バブル・
ドメイン伝搬素子のパターン、１４・・・・・・Ｔルバ
ーの伝搬素子、１６°°°°”°■形ガバー伝搬素子、
１８・−・・・・磁気バブル・ドメイン記憶層、２０・
・・・・・基板、２２・・・・・・電気的絶縁性及び非
磁性のスペーサ層、２４ン２８・・・・・−第１素子金
属層（非磁性導電材料の層−Ａｕ、Ａｌ−Ｃｕ）、２６
，３０・・・・・・第２素子金属層（軟磁性材料の層−
ＮｉＦｅ ）３ ’ｌ・−・・・・第１金属マスク層（
Ｔｉ、 Ｃｒ ）、３４・・・・−・めっきベース層、
３６・・・・−・ポジティブ型レジスト層、３８・・−
・・・第２金属マスク層（ＮｉＦｅ、、Ｎｉ １Ｃｕ、
Ｆｅ） 、ｗ−”線幅、ｇ・・・・・・間隙、Ｂ・・・
・・・磁気バブル・ドメイン、Ｈｂ・・・・・・垂直バ
イアス磁界、Ｈｘｙ・・・・・−磁界。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブル・ドメインが移動され得る磁性層から成
   る磁気バブル・ドメイン記憶層を含む基体上に非磁性導
   電材料の層から成る第１素子層を付着し、上記第１素子
   層上に軟磁性材料の層から成る第２素子層を付着し、上
   記第２素子層上に上記第１素子層及び第２素子層のいず
   れの材料よりも食刻速度の遅い材料から成る薄い第１マ
   スク層を付着し、上記第１マスク層上に上記第１素子層
   及び第２素子層のいずれの厚さよりも薄いレジスト層を
   用いてパターン化された薄い第２マスク層を形成し、上
   記のパターン化された第２マスク層を経て食刻すること
   により上記第１マスク層をパターン化し、上記のパター
   ン化された第１マスク層を経て食刻することにより上記
   第１素子層及び第２素子層をパターン化することによっ
   て上記磁気バブル・ドメイン記憶層に於て磁気バブル・
   ドメインを移動させるための相互間に０．５μｍ以下の
   間隙を有する磁気バブル・ドメイン伝搬素子を上記第２
   素子層に形成することを含む、磁気バブル。 ドメイン素子の製造方法。