JPS5823156A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS5823156A JPS5823156A JP12115081A JP12115081A JPS5823156A JP S5823156 A JPS5823156 A JP S5823156A JP 12115081 A JP12115081 A JP 12115081A JP 12115081 A JP12115081 A JP 12115081A JP S5823156 A JPS5823156 A JP S5823156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ion implantation
- wedge
- radiations
- projections
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン注入中のクエへ温度上昇を抑えるための
冷却手段を有するイオン注入装置に関するものである。
冷却手段を有するイオン注入装置に関するものである。
従来のこの種の装置では、ウェハの冷却を積極的に行な
りた例はあまシなく、ウェハと金属製ウェハホルダとの
接触による伝導冷却を利用する程度が＃１とんどであっ
た。しかし、イオン注入が行なわれる際のウェハ周囲は
高真空状態にある九め、接触による熱伝導は実際はほと
んど期待できず、特にクエハが高温になる場合には、ウ
ェハからの輻射による冷却のほうが接触による熱伝導よ
ル大きな割合で冷却に寄与することがある。
りた例はあまシなく、ウェハと金属製ウェハホルダとの
接触による伝導冷却を利用する程度が＃１とんどであっ
た。しかし、イオン注入が行なわれる際のウェハ周囲は
高真空状態にある九め、接触による熱伝導は実際はほと
んど期待できず、特にクエハが高温になる場合には、ウ
ェハからの輻射による冷却のほうが接触による熱伝導よ
ル大きな割合で冷却に寄与することがある。
本発明は、この輻射による冷却をさらに積極的に利用し
て、イオン注入中のウェハの温度上昇を抑えるイオン注
入装置を提供することを目的としている。
て、イオン注入中のウェハの温度上昇を抑えるイオン注
入装置を提供することを目的としている。
本発明の特徴は、イオン注入装置において、ウェハ面に
相対するウェハホルダ表面とウェハ面に相対するグロセ
スチャンパ壁面の一方または両方に錐体、錐台あるいは
くさび状の輻射吸収を目的とした多数の金属製突起を有
するイオン注入装置にある。
相対するウェハホルダ表面とウェハ面に相対するグロセ
スチャンパ壁面の一方または両方に錐体、錐台あるいは
くさび状の輻射吸収を目的とした多数の金属製突起を有
するイオン注入装置にある。
以下１本発明の実施例について１図面を用いて説明する
。
。
第１図は本発明のウェハホルダへの実施例である。ウェ
ハｌからの輻射２はウェハホルダ３の表面に設けられた
多数のくさび状突起４の表面で多重反射されて、最後に
ウェハホルダ３に吸収される。突起４を輻射２に対し適
度の向夏を持たせて、かつ十分な熱伝導率と滑らかな表
面を持つ材料で作シ、同時にウェハホルダ３にも、十分
な熱伝導率を有する材料を用ｒて、フレオン等による冷
却５を施すことによシ、ウェハ１から見た突起４の輻射
吸収能力を高めることができる。
ハｌからの輻射２はウェハホルダ３の表面に設けられた
多数のくさび状突起４の表面で多重反射されて、最後に
ウェハホルダ３に吸収される。突起４を輻射２に対し適
度の向夏を持たせて、かつ十分な熱伝導率と滑らかな表
面を持つ材料で作シ、同時にウェハホルダ３にも、十分
な熱伝導率を有する材料を用ｒて、フレオン等による冷
却５を施すことによシ、ウェハ１から見た突起４の輻射
吸収能力を高めることができる。
第２図は本発明のプロセスチャンバ壁への実施例である
。
。
メカニカルスキャン方式のプロセスチャンバでは、ウェ
ハがプロセスチャンバ壁に相対している時間は、ウェハ
にイオンビームがあたりている時間に比較してはるかに
長いので、実施例１と同様の構造をプロセスチャンバ壁
に設けることによシウェハからの輻射を有効に吸収する
ことがでとる。
ハがプロセスチャンバ壁に相対している時間は、ウェハ
にイオンビームがあたりている時間に比較してはるかに
長いので、実施例１と同様の構造をプロセスチャンバ壁
に設けることによシウェハからの輻射を有効に吸収する
ことがでとる。
ここでは回転ディスク型のプロセスチャンバを例にとる
。ウェハ７を乗せたディスク８は真空シール９を介して
モーター１０によって回転する。プロセスチャンバ１１
の前面には実施例１と同様の突起１２ｔ−設け、イオン
ビーム１３により加熱されたウェハ７からの輻射１４を
吸収する。この際、チャンバ１１の壁面に水冷等の冷却
機構１５を設けて、よル輻射吸収の効率を良くする。
。ウェハ７を乗せたディスク８は真空シール９を介して
モーター１０によって回転する。プロセスチャンバ１１
の前面には実施例１と同様の突起１２ｔ−設け、イオン
ビーム１３により加熱されたウェハ７からの輻射１４を
吸収する。この際、チャンバ１１の壁面に水冷等の冷却
機構１５を設けて、よル輻射吸収の効率を良くする。
以上説明したように、本発明実施例では輻射の吸収体と
してなめらかで清浄な表面を持ち、熱伝導の良好な金属
を用いるため、吸収体として炭素１酸化鉄等、輻射率は
高いが同時に多孔質であったシ、熱伝導率が悪い材料を
用いた場合に比較して、真空中でのガス放出量、吸収体
自体の冷却の容易さ等の面でよシ優れた特性を有する。
してなめらかで清浄な表面を持ち、熱伝導の良好な金属
を用いるため、吸収体として炭素１酸化鉄等、輻射率は
高いが同時に多孔質であったシ、熱伝導率が悪い材料を
用いた場合に比較して、真空中でのガス放出量、吸収体
自体の冷却の容易さ等の面でよシ優れた特性を有する。
第１図は本発明の一実施例の側面図、第２図は本発明の
一実施例の側断面図である。 なお図において、ｌ・・・ウェハ、２・・・ウェハから
の輻射、３・・・ウェハホルダ、４・・・突起、５・・
・冷却機構、６・・・ウェハ保持具、７・・・ウェハ、
８・・・回転ディスクｓ９””真空シール、１０・・・
モーター、１１・・・プロセスチャンバ％１２・・・突
起ｓ１３・・・イオンビーム、１４・・・輻射、１５−
・・冷却機構、である。 第１図 第Ｚ図
一実施例の側断面図である。 なお図において、ｌ・・・ウェハ、２・・・ウェハから
の輻射、３・・・ウェハホルダ、４・・・突起、５・・
・冷却機構、６・・・ウェハ保持具、７・・・ウェハ、
８・・・回転ディスクｓ９””真空シール、１０・・・
モーター、１１・・・プロセスチャンバ％１２・・・突
起ｓ１３・・・イオンビーム、１４・・・輻射、１５−
・・冷却機構、である。 第１図 第Ｚ図
Claims (1)
- イオン注入装置において、ウェハ面に相対するウェハホ
ルダ表面とウェハ面に相対するグロセスチャンパ壁面の
一方または両方に錐体、錐台あるいはくさび状の多数の
金属製突起を有することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12115081A JPS5823156A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12115081A JPS5823156A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823156A true JPS5823156A (ja) | 1983-02-10 |
Family
ID=14804082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12115081A Pending JPS5823156A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823156A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252079A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | G T C:Kk | イオン注入方法及びその装置 |
| JP2009266391A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 酸素イオン注入装置 |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP12115081A patent/JPS5823156A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252079A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | G T C:Kk | イオン注入方法及びその装置 |
| JP2009266391A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 酸素イオン注入装置 |
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