JPS58225745A - 半導体レ−ザ送信回路 - Google Patents
半導体レ−ザ送信回路Info
- Publication number
- JPS58225745A JPS58225745A JP57108764A JP10876482A JPS58225745A JP S58225745 A JPS58225745 A JP S58225745A JP 57108764 A JP57108764 A JP 57108764A JP 10876482 A JP10876482 A JP 10876482A JP S58225745 A JPS58225745 A JP S58225745A
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- JP
- Japan
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- light
- semiconductor laser
- bias current
- current
- constant
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
（１）
一ザ送信回路に関するものである。
従来技術と問題点
半導体レーザ（以下ＬＤと略す）は、光通信Ｋ）いて光
送信信号発生用光源として広く用いられている。ＬＤの
発生する光は、その電界成分がストライブ面に平行なＴ
Ｅ偏光分と、電界成分がストライプ面に垂直なＴＭ偏偏
光色からなり、通信の目的には主としてＴＥ偏光分が利
用される。
送信信号発生用光源として広く用いられている。ＬＤの
発生する光は、その電界成分がストライブ面に平行なＴ
Ｅ偏光分と、電界成分がストライプ面に垂直なＴＭ偏偏
光色からなり、通信の目的には主としてＴＥ偏光分が利
用される。
第１図は、ＬＤ光におけるＴＥ偏光分とＴＭ偏偏光色を
示したものである。同図においてｌはＬＩ）、２はＬＤ
Ｉにおいて発光が行われる領域すなわちストライプを示
し、ストライプ２は極めて薄い帯状をなしている。３は
ＬＤ光であって、これを適当な偏光子４を通過させるこ
とによって、ＴＩ偏偏光分色ＴＭ偏偏光分色に分離する
ことができる。第１図において、ＴＦＪ偏光偏光分備光
子４を通過して直進するが、ＴＭ偏偏光分色これと直角
の方向に偏向することが示されている。
示したものである。同図においてｌはＬＩ）、２はＬＤ
Ｉにおいて発光が行われる領域すなわちストライプを示
し、ストライプ２は極めて薄い帯状をなしている。３は
ＬＤ光であって、これを適当な偏光子４を通過させるこ
とによって、ＴＩ偏偏光分色ＴＭ偏偏光分色に分離する
ことができる。第１図において、ＴＦＪ偏光偏光分備光
子４を通過して直進するが、ＴＭ偏偏光分色これと直角
の方向に偏向することが示されている。
一方、ＬＤ光における谷側光の強さはＬｌ）に流す駆動
電流の大きさによって変化する。第２図ｔよ、ＬＤ光に
おける各個光分の駆動電流（Ｉ）−光出力（Ｌ）特性を
示したものである。同図にみられるごとく、駆動電流が
一定のしきい値１．に達するまでは光出力は小さく、か
つ′ｒＥ偏光分（実線）とＴＭ偏偏光色破線）とはほぼ
一致している。この範囲は、発光ダイオード（以下ＬＥ
Ｄと略す）としての発光を行う領域である。駆動電流が
しきい値■。を超えるとＬＤ発光領域に入り、Ｔｇ偏光
分が急激に増加するが、ＴＭ０１１Ｉ光分の増加はＬＥ
ＤＥ光領域と同じ傾向を示す。
電流の大きさによって変化する。第２図ｔよ、ＬＤ光に
おける各個光分の駆動電流（Ｉ）−光出力（Ｌ）特性を
示したものである。同図にみられるごとく、駆動電流が
一定のしきい値１．に達するまでは光出力は小さく、か
つ′ｒＥ偏光分（実線）とＴＭ偏偏光色破線）とはほぼ
一致している。この範囲は、発光ダイオード（以下ＬＥ
Ｄと略す）としての発光を行う領域である。駆動電流が
しきい値■。を超えるとＬＤ発光領域に入り、Ｔｇ偏光
分が急激に増加するが、ＴＭ０１１Ｉ光分の増加はＬＥ
ＤＥ光領域と同じ傾向を示す。
さらに、ＬＤにおける電流（Ｉ）−光出力（Ｌ）特性が
変化する。第３図はＬＤにおけるＩ−Ｌ特性の温度変化
を示し、（Ａ）は温度が高い状態、（Ｂ）は温度が低い
状態を示し、温度が低くなるにつれてしきい値電流が減
少するとともに、微分効率ηが高くなる。同図において
ＩＯＡは温度が高い場合のしきい値電流、ｌ０１１は温
度が低い場合のしきい値電流である。。
変化する。第３図はＬＤにおけるＩ−Ｌ特性の温度変化
を示し、（Ａ）は温度が高い状態、（Ｂ）は温度が低い
状態を示し、温度が低くなるにつれてしきい値電流が減
少するとともに、微分効率ηが高くなる。同図において
ＩＯＡは温度が高い場合のしきい値電流、ｌ０１１は温
度が低い場合のしきい値電流である。。
このような特性を有するＬＤを光通信の目的に用（３）
いる場合には、例えば目的とする高速Ｉ）ＣＭ信けをバ
イアス電流に重畳して与えることによって、ＰＣＭ信号
パルスのピークによって■、０発光領域まで駆動される
ようにする。第３図においで（ａ）は温度が高い場合の
駆動電流を示し、そのバイアス電流値はＩＢＡ 、ピー
ク電流値はＩＰＡであって、ピーク電流ＩＰＡによって
ＬＤ発光領域におけるピーク光出力ＬＰに達する。−万
、（１））は温度が低くなった場合の駆動電流を示し、
そのバイアス電流値はＴｌＩＲ。
イアス電流に重畳して与えることによって、ＰＣＭ信号
パルスのピークによって■、０発光領域まで駆動される
ようにする。第３図においで（ａ）は温度が高い場合の
駆動電流を示し、そのバイアス電流値はＩＢＡ 、ピー
ク電流値はＩＰＡであって、ピーク電流ＩＰＡによって
ＬＤ発光領域におけるピーク光出力ＬＰに達する。−万
、（１））は温度が低くなった場合の駆動電流を示し、
そのバイアス電流値はＴｌＩＲ。
ピーク電流値はＩＰＢであって、ピーク電流ＩＰＢに対
応するピーク光出力は（ａ）の場合と等し、（Ｉ、Ｐと
なるように制御されている。このような制御は同・−・
の入力バルス振幅およびパルス幅において、ピーク光出
力が等しくなるようにバイアス電流値を変化させること
によって行われる。
応するピーク光出力は（ａ）の場合と等し、（Ｉ、Ｐと
なるように制御されている。このような制御は同・−・
の入力バルス振幅およびパルス幅において、ピーク光出
力が等しくなるようにバイアス電流値を変化させること
によって行われる。
この場合、低温では前述のように微分効率が高いので、
バイアス電流値ＩＢＢはＬＤのしきい値電流ＩＯＡより
著しく低く設定されることになる。従ってパルス電流を
加えてからＴ、Ｄが発振するまでの遅延時間が大きくな
シ、高温の場合に比べて光出力（４） パルス幅が狭くなり、温度によって光出力波形が変化す
ることになる。第３図におりて、■は温度が高い場合の
、■は温度が低い場合の光出力波形をそれぞれ示してい
る。なお光出力パルスのピークを一定にするように光出
力電力を制御するかわりに、光出力の平均レベルを一定
にするように制御する毘出力安定化方式の場合は、光出
力におけるＬＥＤ発光発光質化するため、光出力パルス
の振幅も同時に変化する。
バイアス電流値ＩＢＢはＬＤのしきい値電流ＩＯＡより
著しく低く設定されることになる。従ってパルス電流を
加えてからＴ、Ｄが発振するまでの遅延時間が大きくな
シ、高温の場合に比べて光出力（４） パルス幅が狭くなり、温度によって光出力波形が変化す
ることになる。第３図におりて、■は温度が高い場合の
、■は温度が低い場合の光出力波形をそれぞれ示してい
る。なお光出力パルスのピークを一定にするように光出
力電力を制御するかわりに、光出力の平均レベルを一定
にするように制御する毘出力安定化方式の場合は、光出
力におけるＬＥＤ発光発光質化するため、光出力パルス
の振幅も同時に変化する。
発明の目的
本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようと
するものであって、その目的は、ＩＪＤ発光領域におい
てＴＥ偏偏光色ＴＭ偏偏光色がほぼ等しいことを利用し
て、ＴＭ偏偏光色用いてバイアス電流による発光強度が
一定になるようにＬＤのバイアス電流を制御するととも
に、光出力電力を一定にするように入力電流の振幅また
はパルス幅を制御することによって、光出力レベルおよ
び光出力波形を安定化した半導体レーザ送信回路を提供
することにある。
するものであって、その目的は、ＩＪＤ発光領域におい
てＴＥ偏偏光色ＴＭ偏偏光色がほぼ等しいことを利用し
て、ＴＭ偏偏光色用いてバイアス電流による発光強度が
一定になるようにＬＤのバイアス電流を制御するととも
に、光出力電力を一定にするように入力電流の振幅また
はパルス幅を制御することによって、光出力レベルおよ
び光出力波形を安定化した半導体レーザ送信回路を提供
することにある。
発明の実施例
第４図は、本発明の半導体レーザ送信回路の一実施例の
構成を示（〜ている。同図において、１１はＬＤ、１２
は偏光子、１３はフォトデテクタ、１４）よアンプ、１
５はＬＤバイアスｗ１流副制御よび駆動回路、１６はフ
ォトデテクタ、１７はアンプ、１８はパルス振幅または
パルス幅制御および駆動回路である。
構成を示（〜ている。同図において、１１はＬＤ、１２
は偏光子、１３はフォトデテクタ、１４）よアンプ、１
５はＬＤバイアスｗ１流副制御よび駆動回路、１６はフ
ォトデテクタ、１７はアンプ、１８はパルス振幅または
パルス幅制御および駆動回路である。
第４図において、ＬＤ １１の発生した光は前述のよう
にＴＥ偏偏光色ＴＭ偏偏光色を含んでいる。今、ＬＤ
１１の発生した光を偏光子１２に入射すると、ＴＥ偏光
分Ｖｉ直進して送信光出力として取出され、ＴＭ偏偏光
色直角に偏向されてフォトデテクタ１３に入射される。
にＴＥ偏偏光色ＴＭ偏偏光色を含んでいる。今、ＬＤ
１１の発生した光を偏光子１２に入射すると、ＴＥ偏光
分Ｖｉ直進して送信光出力として取出され、ＴＭ偏偏光
色直角に偏向されてフォトデテクタ１３に入射される。
フォトデテクタ１３は、入射光の強度に応じた大きさの
電気信号を発生する。フォトデテクタ１３の出力信号は
アンプ１４に入力されＣ一定の基準電圧ＶＲと比較され
、差の信号が増幅きれて制御および駆動回路１５に入力
される。制御および駆動回路１５は、入力信号に応じて
バイアス電流を発生してＬＤ １１に与える。 このよ
うにして帰還制御が行われて、ＬＤ １１におけるバイ
アス発光分の出力Ｌ６が一定になるようにバイアス電流
が制御されている。
電気信号を発生する。フォトデテクタ１３の出力信号は
アンプ１４に入力されＣ一定の基準電圧ＶＲと比較され
、差の信号が増幅きれて制御および駆動回路１５に入力
される。制御および駆動回路１５は、入力信号に応じて
バイアス電流を発生してＬＤ １１に与える。 このよ
うにして帰還制御が行われて、ＬＤ １１におけるバイ
アス発光分の出力Ｌ６が一定になるようにバイアス電流
が制御されている。
またＩ、Ｉ）ＩＩの発生し、た後方光はフォトデテクタ
１６に入力されて、その強度に応じた大きさの電気信号
に変換される。フォトデテクタ１６の出力信号はアンプ
１７に入力されて、一定の基準電圧■′Ｒと比較され、
差の信号が増幅されて制御および駆動回路１８に入力さ
れる。制御および駆動回路１８は入力信号に応じたパル
ス振幅またげパルス幅のパルス電流を発生し、このパル
ス電流はバイアス電流に重畳してＬＤｌ、１に与えられ
る。このようにして帰還制御が行われて、ＬＤｌｌの光
出力電力は一定に保たれる。なおこの場合フォトデテク
タ１６０入力としてＬＤＩＩの後方光を用いる代シに、
ＬＤＩＩの前方向の一部を抽出【、て用いてもよいこと
は言うまでもない。またＬＤＩＩの前方光のうち偏光子
１２を通過したＴ１号偏光分の一部を用いて帰還しても
同じ結果が得られる。これはＬＤの光出力中で、 Ｔ
Ｋ偏光分の占める割合いが大きいためである。
１６に入力されて、その強度に応じた大きさの電気信号
に変換される。フォトデテクタ１６の出力信号はアンプ
１７に入力されて、一定の基準電圧■′Ｒと比較され、
差の信号が増幅されて制御および駆動回路１８に入力さ
れる。制御および駆動回路１８は入力信号に応じたパル
ス振幅またげパルス幅のパルス電流を発生し、このパル
ス電流はバイアス電流に重畳してＬＤｌ、１に与えられ
る。このようにして帰還制御が行われて、ＬＤｌｌの光
出力電力は一定に保たれる。なおこの場合フォトデテク
タ１６０入力としてＬＤＩＩの後方光を用いる代シに、
ＬＤＩＩの前方向の一部を抽出【、て用いてもよいこと
は言うまでもない。またＬＤＩＩの前方光のうち偏光子
１２を通過したＴ１号偏光分の一部を用いて帰還しても
同じ結果が得られる。これはＬＤの光出力中で、 Ｔ
Ｋ偏光分の占める割合いが大きいためである。
今、温度が変化してＬＤＩＩにおけるＩ−Ｌ特性が例え
ば第５図の（Ａ）から（Ｂ）のように変化したとすると
、この場合におけるバイアス電流は例えばＩＢＡ’から
ＩＢＨに変化し、その差は比較的小さい。
ば第５図の（Ａ）から（Ｂ）のように変化したとすると
、この場合におけるバイアス電流は例えばＩＢＡ’から
ＩＢＨに変化し、その差は比較的小さい。
これは第４図の回路において、ＬＤのＴ−Ｔ、特性が変
化してもバイアス発光分の強度■、。′管一定に保つ制
御が行われているためである。入力バルスはバイアス電
流ＩＢＡ′またはＩＢＢに重畳して加えられて光出力電
力を一定にするようにパルス振幅またはパルス幅を変化
する制御が行われる。第５図においてはバイアス電流Ｉ
Ｂλ′、 ＩＢＢ Ｋそれぞれ重畳して振幅の異なるパ
ルス（ａ） 、 （ｂ）が加えられて、一定の光出力電
力を有する送信光出力■を生じることが示されている。
化してもバイアス発光分の強度■、。′管一定に保つ制
御が行われているためである。入力バルスはバイアス電
流ＩＢＡ′またはＩＢＢに重畳して加えられて光出力電
力を一定にするようにパルス振幅またはパルス幅を変化
する制御が行われる。第５図においてはバイアス電流Ｉ
Ｂλ′、 ＩＢＢ Ｋそれぞれ重畳して振幅の異なるパ
ルス（ａ） 、 （ｂ）が加えられて、一定の光出力電
力を有する送信光出力■を生じることが示されている。
このように第４図の回路によれば、Ｉ−Ｌ特性が変化し
てもバイアス電流の変化が少いため、光出力波形の変化
は少ない。
てもバイアス電流の変化が少いため、光出力波形の変化
は少ない。
第６図は、本発明の半導体レーザ送信回路の他の実施例
の構成を示している。同図において、第 １４図
におけると同じ部分は同じ番号で示されており、２１は
ＬＤ、２２はフォトデテクタ、２３けアンプ、２４はパ
ルス振幅ま九はパルス幅制御および駆動口（７） 路である。
の構成を示している。同図において、第 １４図
におけると同じ部分は同じ番号で示されており、２１は
ＬＤ、２２はフォトデテクタ、２３けアンプ、２４はパ
ルス振幅ま九はパルス幅制御および駆動口（７） 路である。
第５図においてＬＩ）２１はＬＤＩＩに対し、ストライ
ブ軸が互に直交するとともに、ストライプ面が互に直交
するように配置されている。ＬＤ２１０発生したＴＥ偏
偏光上ＴＭ偏偏光上を含む光は偏光子１２に対し、ＬＤ
１１の発生する光と直角方向に入射し、ＴＥ偏偏光上
Ｉｎ角に偏向されてＬＤＩＩのＴＥ偏偏光上同一経路を
通って送信先出となる。−万ＬＤ ２１のＴＭ偏偏光上
ｆ１進して、ＬＤ １１のＴＭ偏偏光上同一経路を通っ
てフォトデテクタ１３に入射する。ＬＤ２１．フォトデ
テクタ２２．アンプ２３．制御および駆動回路２４から
なる系の動作ｄＬＤ１１．フォトデテクタ１３ 、アン
プ１４．制御および駆動回路１５からなる系の動作と全
く同様であって、一方が現用のとき他方はコールドスタ
ンバイの状態にあって予備とな）、二重化されたＬＤ光
源を構成している。
ブ軸が互に直交するとともに、ストライプ面が互に直交
するように配置されている。ＬＤ２１０発生したＴＥ偏
偏光上ＴＭ偏偏光上を含む光は偏光子１２に対し、ＬＤ
１１の発生する光と直角方向に入射し、ＴＥ偏偏光上
Ｉｎ角に偏向されてＬＤＩＩのＴＥ偏偏光上同一経路を
通って送信先出となる。−万ＬＤ ２１のＴＭ偏偏光上
ｆ１進して、ＬＤ １１のＴＭ偏偏光上同一経路を通っ
てフォトデテクタ１３に入射する。ＬＤ２１．フォトデ
テクタ２２．アンプ２３．制御および駆動回路２４から
なる系の動作ｄＬＤ１１．フォトデテクタ１３ 、アン
プ１４．制御および駆動回路１５からなる系の動作と全
く同様であって、一方が現用のとき他方はコールドスタ
ンバイの状態にあって予備とな）、二重化されたＬＤ光
源を構成している。
第５図の実施例においては、このような二重化され７ｔ
Ｌｎ光源に対し、フォトデテクタ１３．アンプ１４ 、
制御および駆動回路１５を設けて、ＴＭ偏偏光上よって
現用として動作中のＬＤに対するバイアス電（８） 流の帰還制御を行って、バイアス電流を一定に保つよう
にし、これによって温度変化時における光出力レベルお
よび光出力波形の変化を防止したものであるが、この場
合、二重化のために設けられた偏光子におけるＴＭ偏偏
光上出力を利用してバイアス電流の制御を行うので、新
たに偏光−７４付加する必要がない点において有利であ
る。
Ｌｎ光源に対し、フォトデテクタ１３．アンプ１４ 、
制御および駆動回路１５を設けて、ＴＭ偏偏光上よって
現用として動作中のＬＤに対するバイアス電（８） 流の帰還制御を行って、バイアス電流を一定に保つよう
にし、これによって温度変化時における光出力レベルお
よび光出力波形の変化を防止したものであるが、この場
合、二重化のために設けられた偏光子におけるＴＭ偏偏
光上出力を利用してバイアス電流の制御を行うので、新
たに偏光−７４付加する必要がない点において有利であ
る。
発明の詳細
な説明したように、本発明の半導体レーザ送信回路によ
れば、ＬＤを用いた送信回路において、ＬＥＤＥ光領域
においてＬＤ光におけるＴＫ偏光分とＴＭ偏偏光上がほ
ぼ等しいことを利用して、ＴＭ偏偏光上用いてバイアス
電流に基づく発光強度が一定になるようにＬＤのバイア
ス電流を制御するとともに、光出力電力を一定にするよ
うに入力電流の振幅またはパルス幅を制御し７ているの
で、光出力レベルおよび光出力波形を安定化することが
できて、ルだ効果的である。
れば、ＬＤを用いた送信回路において、ＬＥＤＥ光領域
においてＬＤ光におけるＴＫ偏光分とＴＭ偏偏光上がほ
ぼ等しいことを利用して、ＴＭ偏偏光上用いてバイアス
電流に基づく発光強度が一定になるようにＬＤのバイア
ス電流を制御するとともに、光出力電力を一定にするよ
うに入力電流の振幅またはパルス幅を制御し７ているの
で、光出力レベルおよび光出力波形を安定化することが
できて、ルだ効果的である。
第１図は半導体レーザの発生光におけるＴＥ偏光分とＴ
Ｍ偏光分とを示す説明図、第２図は半導体レーザの発生
光における各偏光分の駆動電流−光出力特性金示す図、
第３図は半導体レーザにおける駆動電流−光出力特性の
温度変化を示す図、第４図は本発明の半導体レーザ送信
回路の一実施例の構成金示すブロック図、第５図は第４
図の回路における各部信号を示す説明図、第６図は本発
明の半導体レーザ送信回路の他の実施例の構成を示すブ
ロック図である。 １・・・半導体レーザ（ＬＩ））、２・・・ストライプ
、３・・・半導体レーザの発生光、５・・・ＴＥ偏光分
、６・・・ＴＭ偏光分、１１・・・半導体レーザ（ＬＤ
）、■・・・偏光子、１３・・・フォトデテクタ、１４
・・・アンプ、１５・・・ＬＤバイアス電流制御および
駆動回路、１６・・・フォトデテクタ、１７・・・アン
プ、１８・・・パルス振幅まｆＣ，Ｆ！、パルス幅制御
および駆動回路、２１・・・半導体レーザ、２２・・・
フォトデテクタ、２３・・・アンプ、２４・・・パルス
振幅まタハパルス幅制御および駆動回路。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久 丘部（外３名）（１１） 第４図 第１図 条 第２図 舅 １ 。８、〜／。、〆 「し 第６図
Ｍ偏光分とを示す説明図、第２図は半導体レーザの発生
光における各偏光分の駆動電流−光出力特性金示す図、
第３図は半導体レーザにおける駆動電流−光出力特性の
温度変化を示す図、第４図は本発明の半導体レーザ送信
回路の一実施例の構成金示すブロック図、第５図は第４
図の回路における各部信号を示す説明図、第６図は本発
明の半導体レーザ送信回路の他の実施例の構成を示すブ
ロック図である。 １・・・半導体レーザ（ＬＩ））、２・・・ストライプ
、３・・・半導体レーザの発生光、５・・・ＴＥ偏光分
、６・・・ＴＭ偏光分、１１・・・半導体レーザ（ＬＤ
）、■・・・偏光子、１３・・・フォトデテクタ、１４
・・・アンプ、１５・・・ＬＤバイアス電流制御および
駆動回路、１６・・・フォトデテクタ、１７・・・アン
プ、１８・・・パルス振幅まｆＣ，Ｆ！、パルス幅制御
および駆動回路、２１・・・半導体レーザ、２２・・・
フォトデテクタ、２３・・・アンプ、２４・・・パルス
振幅まタハパルス幅制御および駆動回路。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久 丘部（外３名）（１１） 第４図 第１図 条 第２図 舅 １ 。８、〜／。、〆 「し 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力バルス電流をバ・イアスミ流に重畳して半導体レー
ザに与えることによって光信号に変換して出力する半導
体レーザ送信回路におい−〔、半導体レーザの発生し次
光ｆＴＥ偏光分とＴＭ偏偏光色に分離してそれぞれ出力
する手段と、該分離されたＴＭ偏偏光色出力が一定にな
るようにバイアス電流を制御して半導体レーザに与える
手段と、半導体レーザの発生光またり前記分離されたＴ
Ｅ偏偏光分出出力一定になるように入力バルス電流の振
幅またはパルス幅を制御して半導体レーザに与える手段
とを具えたことを特徴とする半導体レーザ送信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108764A JPS58225745A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 半導体レ−ザ送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108764A JPS58225745A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 半導体レ−ザ送信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58225745A true JPS58225745A (ja) | 1983-12-27 |
Family
ID=14492894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57108764A Pending JPS58225745A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 半導体レ−ザ送信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58225745A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355988A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| JPH0275764U (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-11 | ||
| EP0682390A2 (en) * | 1994-05-12 | 1995-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for driving oscillation polarisation selective light source, and optical communication system using the same |
| JP2014513357A (ja) * | 2011-04-25 | 2014-05-29 | マイクロソフト コーポレーション | レーザー・ダイオード・モード |
-
1982
- 1982-06-24 JP JP57108764A patent/JPS58225745A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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