JPH0357286A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06258—Controlling the frequency of the radiation with DFB-structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
超高速光伝送システム用光源として好適な分布帰還型半
導体レーザと半導体変調器を一体化した半導体発光装置
に関し、 ＤＦＢ型半導体レーザと半導体変調器を一体化した半導
体発光装置に於いて、変調時に発生する波長チャーピン
グを更に低減し、良質の超高速光伝送を可能にすること
を目的とし、 レーザ光を発生する為の活性層を有すると共に光伝播方
向を横切る方向に三分割され且つ両端に在るものには駆
動電流が又中央に在るものには少なくとも発振波長補正
電流がそれぞれ流される電極が形成されてなる半導体レ
ーザ部分と、前記レーザ光が入射可能であるように前記
活性層に連なる光吸収層を有し且つ該レーザ光を変調す
る変調電流が流される電極が形成されてなる半導体変調
器部分とを同一基板上に集積化してなるよう構戒する。
導体レーザと半導体変調器を一体化した半導体発光装置
に関し、 ＤＦＢ型半導体レーザと半導体変調器を一体化した半導
体発光装置に於いて、変調時に発生する波長チャーピン
グを更に低減し、良質の超高速光伝送を可能にすること
を目的とし、 レーザ光を発生する為の活性層を有すると共に光伝播方
向を横切る方向に三分割され且つ両端に在るものには駆
動電流が又中央に在るものには少なくとも発振波長補正
電流がそれぞれ流される電極が形成されてなる半導体レ
ーザ部分と、前記レーザ光が入射可能であるように前記
活性層に連なる光吸収層を有し且つ該レーザ光を変調す
る変調電流が流される電極が形成されてなる半導体変調
器部分とを同一基板上に集積化してなるよう構戒する。
本発明は、超高速光伝送システム用光源として好適な分
布帰還（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａｃｋ
：ＤＦＢ）型半導体レーザと半導体変調器を一体化した
半導体発光装置に関する。
布帰還（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａｃｋ
：ＤＦＢ）型半導体レーザと半導体変調器を一体化した
半導体発光装置に関する。
現在、光伝送システムでは大容量化が進められ）
ていて、それを達戒するのには光源として用いられてい
るＤＦＢ型半導体レーザの高速応答性を向上することが
不可欠である。
るＤＦＢ型半導体レーザの高速応答性を向上することが
不可欠である。
ＤＦＢ型半導体レーザを例えば１０〔ギガビント／秒〕
程度の超高速で変調した場合、発振波長にチャービング
を招来する緩和振動を抑制しないと良質な光伝送を期待
できない。
程度の超高速で変調した場合、発振波長にチャービング
を招来する緩和振動を抑制しないと良質な光伝送を期待
できない。
そこで、ＤＦＢ型半導体レーザを直接変調する方式に比
較して緩和振動が著しく少ない外部変調方式が試みられ
ている。
較して緩和振動が著しく少ない外部変調方式が試みられ
ている。
第５図は本発明者が開発したＤＦＢ型半導体レーザと半
導体変調器を一体化した半導体発光装置を説明する為の
要部切断側面図を表している。
導体変調器を一体化した半導体発光装置を説明する為の
要部切断側面図を表している。
図に於いて、１はｎ型１ｎＰ基板、２は回折格子、３は
Ｇａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ導波層、４はｒｎＰエソチング停
止層、５はＧａｌｎＡｓＰ活性層、６はＧａｌｎＡｓＰ
光吸収層、７はＩｎＰクラッド層、８は高抵抗分離頭域
、９はｐ＋型ＧａｌｎＡｓＰキャソプ層、ＩＯＡ及びＪ
ＯＢはｐ側電極、１１はｎ側電極、ｌ２はＳｉＮからな
る無反射コーティング膜、ＬＤは半導体レーザ部分、Ｍ
Ｄは半導体変調器部分をそれぞれ示している。尚、高抵
抗分離領域８はレーザ部分ＬＤと変調器部分ＭＤを絶縁
する役割を果し、また、活性Ｎ５の組或はホトルミネセ
ンス波長にするとλ，Ｌ＝１．５４〔μｍ〕、そして、
吸収層６の組或はホトルミネセンス波長にするとＡＰＬ
＝１．４２（μｍ）である。
Ｇａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ導波層、４はｒｎＰエソチング停
止層、５はＧａｌｎＡｓＰ活性層、６はＧａｌｎＡｓＰ
光吸収層、７はＩｎＰクラッド層、８は高抵抗分離頭域
、９はｐ＋型ＧａｌｎＡｓＰキャソプ層、ＩＯＡ及びＪ
ＯＢはｐ側電極、１１はｎ側電極、ｌ２はＳｉＮからな
る無反射コーティング膜、ＬＤは半導体レーザ部分、Ｍ
Ｄは半導体変調器部分をそれぞれ示している。尚、高抵
抗分離領域８はレーザ部分ＬＤと変調器部分ＭＤを絶縁
する役割を果し、また、活性Ｎ５の組或はホトルミネセ
ンス波長にするとλ，Ｌ＝１．５４〔μｍ〕、そして、
吸収層６の組或はホトルミネセンス波長にするとＡＰＬ
＝１．４２（μｍ）である。
この半導体発光装置に於いては、電極１０Ａ並びに電極
１１間に電流を流すと、レーザ部分ＬＤで発振が起こり
、その活性層５で発生した波長が１．５５Ｃμｍ〕の光
は変調器部分ＭＤの吸収層６に導波される。
１１間に電流を流すと、レーザ部分ＬＤで発振が起こり
、その活性層５で発生した波長が１．５５Ｃμｍ〕の光
は変調器部分ＭＤの吸収層６に導波される。
そこで、電極ＪＯＢ並びに電極１１間に逆方向電圧が印
加されていない場合、吸収層６のエネルギ・バンド・ギ
ャソプは活性層５のそれと比較して大きいので、１．５
４（μｍ〕のレーザ光が入射しても電子並びに正孔を発
生することなく、無反射コーティングＭｌ２を介し、そ
のまま出射される。然しなから、電極１０Ｂ並びに電極
１１間に逆方向電圧が印加されている場合、光吸収層６
のエネルギ・バンド・ギャップは小さくなり、そこに前
記レーザ光が入射すると電子及び正札が発生し、所謂、
光電流となって費消されてしまうので、レーザ光は出射
されないことになる。
加されていない場合、吸収層６のエネルギ・バンド・ギ
ャソプは活性層５のそれと比較して大きいので、１．５
４（μｍ〕のレーザ光が入射しても電子並びに正孔を発
生することなく、無反射コーティングＭｌ２を介し、そ
のまま出射される。然しなから、電極１０Ｂ並びに電極
１１間に逆方向電圧が印加されている場合、光吸収層６
のエネルギ・バンド・ギャップは小さくなり、そこに前
記レーザ光が入射すると電子及び正札が発生し、所謂、
光電流となって費消されてしまうので、レーザ光は出射
されないことになる。
前記したところから明らかなように、電極１０Ｂ及び電
極１１間に電流を流すか否かに依って、出射光はオン・
オフされて変調が行われる。
極１１間に電流を流すか否かに依って、出射光はオン・
オフされて変調が行われる。
第５図について説明した半導体発光装置に於いて、変調
信号は、勿論、変調器部分ＭＤのみに加わるようになっ
ている。そのようにすると、出射光には位相変調が掛か
る状態となり、波長チャービングを生ずる。その波長チ
ャーピングは、直接変調方式のＤＦＢ型半導体レーザに
比較し、著しく少なくなってはいるものの零ではなく、
無視することはできない。
信号は、勿論、変調器部分ＭＤのみに加わるようになっ
ている。そのようにすると、出射光には位相変調が掛か
る状態となり、波長チャービングを生ずる。その波長チ
ャーピングは、直接変調方式のＤＦＢ型半導体レーザに
比較し、著しく少なくなってはいるものの零ではなく、
無視することはできない。
第６図は第５図に見られる半導体発光装置に於ける変調
の様子を説明する為の線図であり、そして、第７図は同
じく波長チャーピングの発生を説明する為の線図である
。
の様子を説明する為の線図であり、そして、第７図は同
じく波長チャーピングの発生を説明する為の線図である
。
第６図に於いては、縦軸に光出力を、横軸に時間をそれ
ぞれ採ってあり、また、第７図に於いては、縦軸に出力
波長を、また、横軸に時間をそれぞれ採ってある。
ぞれ採ってあり、また、第７図に於いては、縦軸に出力
波長を、また、横軸に時間をそれぞれ採ってある。
図から明らかなように、波長チ＋−ピングは、光の変調
に追随して現れ、光出力の立ち下がり時には波長が増加
し、そして、光出力の立ち上がり時には波長が減少し、
その変動｛Ｉｉ！Ｗ Ｌ Ｃは約０． ５〔人〕程度
であり、また、マルチギガビット変調時には約０．８〔
λ〕程度にも達する。
に追随して現れ、光出力の立ち下がり時には波長が増加
し、そして、光出力の立ち上がり時には波長が減少し、
その変動｛Ｉｉ！Ｗ Ｌ Ｃは約０． ５〔人〕程度
であり、また、マルチギガビット変調時には約０．８〔
λ〕程度にも達する。
本発明は、ＤＦＢ型半導体レーザと半導体変調器を一体
化した半導体発光装置に於いて、変調時に発生する波長
チャーピングを更に低減し、良質の超高速光伝送を可能
にしようとする。
化した半導体発光装置に於いて、変調時に発生する波長
チャーピングを更に低減し、良質の超高速光伝送を可能
にしようとする。
〔課題を解決するための手段）
第５図乃至第７図について説明したところから明らかな
ように、波長チャーピングは、光出力が立ち下がる際に
は長波長側にチャーブし、また、光出力が立ち上がる際
には短波長側にチャープしている。
ように、波長チャーピングは、光出力が立ち下がる際に
は長波長側にチャーブし、また、光出力が立ち上がる際
には短波長側にチャープしている。
従って、このような現象を打ち消すような手段を採って
やれば、問題は解消する筈である。
やれば、問題は解消する筈である。
第１図は本発明の原理を説明する為の半導体発光装置の
要部切断側面図を表している。
要部切断側面図を表している。
図に於いて、２ｌは半導体基板、２２は回折格子、２２
Ｓはλ／４シフト部分、２３は導波層、２４は活性層、
２５はクラッド層、２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃは三分割さ
れた表面側電極、２７は裏面側電極、２８は無反射コー
ティング膜、Ｐ３１は直流電流である駆動電流を流す為
の電源、Ｐ３Ｚは駆動電流（直流電流）十補正変調電流
を流す為の電源をそれぞれ示している。
Ｓはλ／４シフト部分、２３は導波層、２４は活性層、
２５はクラッド層、２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃは三分割さ
れた表面側電極、２７は裏面側電極、２８は無反射コー
ティング膜、Ｐ３１は直流電流である駆動電流を流す為
の電源、Ｐ３Ｚは駆動電流（直流電流）十補正変調電流
を流す為の電源をそれぞれ示している。
この半導体発光装置に於いては、電極２６Ａ乃至２６Ｃ
と電極２７との間に駆動電流を流すと所定波長で発振す
る。そこで、電極２６Ｃに流す電流を増加させると発振
波長は長波長側にシフトし、また、反対に電流を減少さ
せる発振波長は短波長側にシフトする．本発明では、こ
の場合の増加或いは減少させる電流を補正変調電流とし
て利用している。
と電極２７との間に駆動電流を流すと所定波長で発振す
る。そこで、電極２６Ｃに流す電流を増加させると発振
波長は長波長側にシフトし、また、反対に電流を減少さ
せる発振波長は短波長側にシフトする．本発明では、こ
の場合の増加或いは減少させる電流を補正変調電流とし
て利用している。
即ち、第１図に見られる半導体発光装置に対し、第５図
乃至第７図について説明した半導体変調器を組み合わせ
、変調器部分ＭＤに流す変調電流と反対位相の補正変調
電流を電極２６Ｃに流すことで、前記波長チャービング
は打ち消すことができる。
乃至第７図について説明した半導体変調器を組み合わせ
、変調器部分ＭＤに流す変調電流と反対位相の補正変調
電流を電極２６Ｃに流すことで、前記波長チャービング
は打ち消すことができる。
このようなことから、本発明に依る半導体発光装置に於
いては、レーザ光を発生する為の活性層（例えばＧａｌ
ｎＡｓＰ活性層〉を有すると共に光伝播方向を横切る方
向に三分割され且つ両端に在るものには駆動電流が又中
央に在るものには少なくとも発振波長補正電流がそれぞ
れ流される電極（例えば電極２６Ａ．２６Ｂ，２６Ｃ）
が形成されてなる半導体レーザ部分（例えば半導体レー
ザＬＤ）と、前記レーザ光が入射可能であるように前記
活性層に連なる光吸収層（例えばＧａＴｎＡｓＰ光吸収
層）を有し且つ該レーザ光を変調する変調電流が流され
る電極（例えば電極１０Ｂ）が形成されてなる半導体変
調器部分（例えば半導体変調器部分ＭＤ）とを同一基板
（例えばｎ型ＩｎＰ基板ｌ）上に集積化してある。
いては、レーザ光を発生する為の活性層（例えばＧａｌ
ｎＡｓＰ活性層〉を有すると共に光伝播方向を横切る方
向に三分割され且つ両端に在るものには駆動電流が又中
央に在るものには少なくとも発振波長補正電流がそれぞ
れ流される電極（例えば電極２６Ａ．２６Ｂ，２６Ｃ）
が形成されてなる半導体レーザ部分（例えば半導体レー
ザＬＤ）と、前記レーザ光が入射可能であるように前記
活性層に連なる光吸収層（例えばＧａＴｎＡｓＰ光吸収
層）を有し且つ該レーザ光を変調する変調電流が流され
る電極（例えば電極１０Ｂ）が形成されてなる半導体変
調器部分（例えば半導体変調器部分ＭＤ）とを同一基板
（例えばｎ型ＩｎＰ基板ｌ）上に集積化してある。
前記手段を採ることに依り、変調器部分で変調を行って
光出力に長波長側の波長チャーピングを生じるような場
合には、レーザ部分で発生させるレーザ光の波長を短波
長側にシフトさせ、また、反対に短波長側に波長チャー
ピングを生じるような場合には、レーザ部分で発生させ
るレーザ光の波長を長波長側にシフトさせるようにして
いるので、結果的に、光出力の波長チャーピングは低減
され、超高速で長距離大容量の通信を行う場合に用いて
好適である。
光出力に長波長側の波長チャーピングを生じるような場
合には、レーザ部分で発生させるレーザ光の波長を短波
長側にシフトさせ、また、反対に短波長側に波長チャー
ピングを生じるような場合には、レーザ部分で発生させ
るレーザ光の波長を長波長側にシフトさせるようにして
いるので、結果的に、光出力の波長チャーピングは低減
され、超高速で長距離大容量の通信を行う場合に用いて
好適である。
第２図は本発明一実施例の要部切断側面図を表し、第１
図及び第５図乃至第７図に於いて用いた記号と同記号は
同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
図及び第５図乃至第７図に於いて用いた記号と同記号は
同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、１３は駆動用電源、ｌ４は補正用電源、１
５は変調用電源をそれぞれ示している。
５は変調用電源をそれぞれ示している。
図から明らかなように、本実施例は、第５図乃至第７図
について説明した先行技術に依る半導体発光装置に於け
るレーザ部分ＬＤの表面側電極、即ち、ｐ側電極を本発
明の原理を説明する為の図である第１図に見られる半導
体発光装置に於ける表面側電極２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ
のように三分割した構成にしたものである。
について説明した先行技術に依る半導体発光装置に於け
るレーザ部分ＬＤの表面側電極、即ち、ｐ側電極を本発
明の原理を説明する為の図である第１図に見られる半導
体発光装置に於ける表面側電極２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ
のように三分割した構成にしたものである。
本実施例に於いては、変調用電源１５から電極１０Ｂに
逆方向変調電圧を印加する際、補正用電源１４から電極
２６Ｃに発振波長を短波長側に補正する為の電流を流し
、また、変調用電源１５から電極１０Ｂに印加していた
変調電圧を遮断する際、補正用電源ｌ４から電極２６Ｃ
に発振波長を長波長側補正する為の電流を流すようにし
ている。
逆方向変調電圧を印加する際、補正用電源１４から電極
２６Ｃに発振波長を短波長側に補正する為の電流を流し
、また、変調用電源１５から電極１０Ｂに印加していた
変調電圧を遮断する際、補正用電源ｌ４から電極２６Ｃ
に発振波長を長波長側補正する為の電流を流すようにし
ている。
第３図は第２図に見られる実施例に於ける発振波長を補
正する電流について説明する為の線図であり、縦軸に発
振波長補正電流値を、また、横軸に時間をそれぞれ採っ
てある。
正する電流について説明する為の線図であり、縦軸に発
振波長補正電流値を、また、横軸に時間をそれぞれ採っ
てある。
図に於いて、実線で表した特性線が発振波長補正電流、
ｉＨｓは短波長側ヘシフトさせる補正電流、ｉ０は長波
長側ヘシフトさせる補正電流、ｉｃは補正電流の値、ｉ
Ｂはバイアス電流をそれぞれ示している。
ｉＨｓは短波長側ヘシフトさせる補正電流、ｉ０は長波
長側ヘシフトさせる補正電流、ｉｃは補正電流の値、ｉ
Ｂはバイアス電流をそれぞれ示している。
図示例に於いては、バイアス電流ｉｌｌは例えば７０（
ｍＡ）、補正電流ｉ（は〜５〔ｍＡ〕、変調電圧は−５
〔ｖ〕である。
ｍＡ）、補正電流ｉ（は〜５〔ｍＡ〕、変調電圧は−５
〔ｖ〕である。
第４図は第２図に見られる実施例に於ける出力波長のチ
ャービングを説明する為の線図であり、縦軸に出力波長
を、また、横軸に時間をそれぞれ採ってある。
ャービングを説明する為の線図であり、縦軸に出力波長
を、また、横軸に時間をそれぞれ採ってある。
本実施例に於いても僅かな波長チャーピングが現れるが
、その｛直Ｗ，，は０．０５ｒ人〕と無視できる程度に
小さいものである。また、発振波長補正電流は高々５
（ｍＡ）であるから、変調器部分ＭＤに対する人力光の
レヘル変動は少ない。
、その｛直Ｗ，，は０．０５ｒ人〕と無視できる程度に
小さいものである。また、発振波長補正電流は高々５
（ｍＡ）であるから、変調器部分ＭＤに対する人力光の
レヘル変動は少ない。
本発明６こ依る半導体発光装置に於いては、レーザ光を
発生する為の活性層を有すると共に光伝播方向を横切る
方向に三分割され且つ両端に在るものには駆動電流が又
中央に在るものには少なくとも発振波長補正電流がそれ
ぞれ流される電極が形成されてＣる半導体レーザ部分と
、前記レーザ光が入射可能であるように前記活性層に連
なる光吸収層を有し且つ該レーザ光を変調する変調電流
が流される電極が形成されてなる半導体変調器部分とを
同一基板上に集積化してある。
発生する為の活性層を有すると共に光伝播方向を横切る
方向に三分割され且つ両端に在るものには駆動電流が又
中央に在るものには少なくとも発振波長補正電流がそれ
ぞれ流される電極が形成されてＣる半導体レーザ部分と
、前記レーザ光が入射可能であるように前記活性層に連
なる光吸収層を有し且つ該レーザ光を変調する変調電流
が流される電極が形成されてなる半導体変調器部分とを
同一基板上に集積化してある。
前記構威を採ることに依り、変調器部分で変調を行って
光出力に長波長側の波長チャービングを生じるような場
合には、レーザ部分で発生させるレーザ光の波長を短波
長側にシフトさせ、また、反対に短波長側に波長チャー
ピングを生しるような場合には、レーザ部分で発生させ
るレーザ光の波長を長波長側にシフトさせることができ
、結果的に、光出力の波長チャーピングは低減され、超
高速で長距離大容量の通信を行う場合に用いて好適であ
る。
光出力に長波長側の波長チャービングを生じるような場
合には、レーザ部分で発生させるレーザ光の波長を短波
長側にシフトさせ、また、反対に短波長側に波長チャー
ピングを生しるような場合には、レーザ部分で発生させ
るレーザ光の波長を長波長側にシフトさせることができ
、結果的に、光出力の波長チャーピングは低減され、超
高速で長距離大容量の通信を行う場合に用いて好適であ
る。
第１図は本発明の原理を説明する為の半導体発光装置の
要部切断側面図、第２図は本発明一実施例の要部切断側
面図、第３図は第２図に見られる実施例に於ける発振波
長を補正する電流について説明する為の線図、第４図は
第２図に見られる実施例に於ける出力波長のチャーピン
グを説明する為の綿図、第５図はＤＦＢ型半導体レーザ
と半導体変調器を一体化した半導体発光装置を説明する
為の要部切断側面図、第６図は第５図に見られる半導体
発光装置に於ける変調の様子を説明する為の線図、第７
図は同じく波長チャーピングの発生を説明する為の線図
をそれぞれ示している。 図に於いて、■はｎ型！ｎＰ基板、２は回折格子、３は
ＧａｌｎＡｓＰ導波層、４はＩｎＰエッチング停止層、
５はＧａｌｎＡｓｌ”活性層、６はＧａｌｎＡｓＰ光吸
収層、７はＩｎＰクラソド層、８は高抵抗分離頌域、９
はｐ′″型ＧａｌｎＡｓＰキャノプ層、２０Ａ及びＪＯ
Ｂはｐ側電極、ｌ１はｎ側電極、１２はＳｉＮからなる
無反射コーティング膜、１３は駆動用電源、１４は補正
用電源、１５は変調用電源、２１は半導体基板、２２は
回折格子、２２Ｓはλ／４シフト部分、２３は導波層、
２４は活性層、２５はクランド層、２６Ａ，２６Ｂ，２
６Ｃは三分割された電極、２７は裏面側電極、２８は無
反射コーティング膜、Ｐｉ，は直流電流である駆動電流
を流す為の電源、ｐｓｚは駆動電流（直流電流）十補正
変調電流を流す為の電源、ＬＤは半導体レーザ部分、Ｍ
Ｄは半導体変調器部分をそれぞれ示している。
要部切断側面図、第２図は本発明一実施例の要部切断側
面図、第３図は第２図に見られる実施例に於ける発振波
長を補正する電流について説明する為の線図、第４図は
第２図に見られる実施例に於ける出力波長のチャーピン
グを説明する為の綿図、第５図はＤＦＢ型半導体レーザ
と半導体変調器を一体化した半導体発光装置を説明する
為の要部切断側面図、第６図は第５図に見られる半導体
発光装置に於ける変調の様子を説明する為の線図、第７
図は同じく波長チャーピングの発生を説明する為の線図
をそれぞれ示している。 図に於いて、■はｎ型！ｎＰ基板、２は回折格子、３は
ＧａｌｎＡｓＰ導波層、４はＩｎＰエッチング停止層、
５はＧａｌｎＡｓｌ”活性層、６はＧａｌｎＡｓＰ光吸
収層、７はＩｎＰクラソド層、８は高抵抗分離頌域、９
はｐ′″型ＧａｌｎＡｓＰキャノプ層、２０Ａ及びＪＯ
Ｂはｐ側電極、ｌ１はｎ側電極、１２はＳｉＮからなる
無反射コーティング膜、１３は駆動用電源、１４は補正
用電源、１５は変調用電源、２１は半導体基板、２２は
回折格子、２２Ｓはλ／４シフト部分、２３は導波層、
２４は活性層、２５はクランド層、２６Ａ，２６Ｂ，２
６Ｃは三分割された電極、２７は裏面側電極、２８は無
反射コーティング膜、Ｐｉ，は直流電流である駆動電流
を流す為の電源、ｐｓｚは駆動電流（直流電流）十補正
変調電流を流す為の電源、ＬＤは半導体レーザ部分、Ｍ
Ｄは半導体変調器部分をそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ光を発生する為の活性層を有すると共に光伝播方
向を横切る方向に三分割され且つ両端に在るものには駆
動電流が又中央に在るものには少なくとも発振波長補正
電流がそれぞれ流される電極が形成されてなる半導体レ
ーザ部分と、 前記レーザ光が入射可能であるように前記活性層に連な
る光吸収層を有し且つ該レーザ光を変調する変調電圧が
印加される電極が形成されてなる半導体変調器部分と を同一基板上に集積化してなることを特徴とする半導体
発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19151289A JPH0357286A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19151289A JPH0357286A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357286A true JPH0357286A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16275891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19151289A Pending JPH0357286A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0357286A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635917A1 (en) * | 1993-07-23 | 1995-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical modulator |
| JPH0786686A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザおよびその電流注入方法 |
| EP0910138A1 (en) * | 1997-10-17 | 1999-04-21 | Lucent Technologies Inc. | Sub-carrier multiplexing in broadband optical networks |
| EP0911921A1 (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-28 | Lucent Technologies Inc. | Laser transmitter for reduced signal distortion |
| JP2010042277A (ja) * | 2009-10-09 | 2010-02-25 | Panasonic Corp | 医療用投与器具 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19151289A patent/JPH0357286A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635917A1 (en) * | 1993-07-23 | 1995-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical modulator |
| US5550855A (en) * | 1993-07-23 | 1996-08-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical modulator |
| JPH0786686A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザおよびその電流注入方法 |
| EP0910138A1 (en) * | 1997-10-17 | 1999-04-21 | Lucent Technologies Inc. | Sub-carrier multiplexing in broadband optical networks |
| US6081361A (en) * | 1997-10-17 | 2000-06-27 | Lucent Technologies Inc. | Sub-carrier multiplexing in broadband optical networks |
| EP0911921A1 (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-28 | Lucent Technologies Inc. | Laser transmitter for reduced signal distortion |
| US5991323A (en) * | 1997-10-20 | 1999-11-23 | Lucent Technologies Inc. | Laser transmitter for reduced signal distortion |
| JP2010042277A (ja) * | 2009-10-09 | 2010-02-25 | Panasonic Corp | 医療用投与器具 |
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