JPS6355988A - 半導体レ−ザ駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動装置Info
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- JPS6355988A JPS6355988A JP20041986A JP20041986A JPS6355988A JP S6355988 A JPS6355988 A JP S6355988A JP 20041986 A JP20041986 A JP 20041986A JP 20041986 A JP20041986 A JP 20041986A JP S6355988 A JPS6355988 A JP S6355988A
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- Japan
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- light
- semiconductor laser
- laser
- signal
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は光情報機器の光源として用いられる半導体レ
ーザの駆動装置に関する。
ーザの駆動装置に関する。
（ロ）従来の技術
従来、この種の半導体レーザの駆動装置は第３図のブロ
ック図に示すような駆動装置がよく用いられている。
ック図に示すような駆動装置がよく用いられている。
この装置において、半導体レーザ２５ａと同じパッケー
ジ２６ａ内に取り゛付けられたフォトダイオード２７ａ
が半導体レーザ２５ａの後側出射面より出射された光を
受光して光電流を出力し、この出力された光電流は光電
流を監視する差動アンプ２８ａに入力される。差動アン
プ２８ａはこの光電流が常に一定になるように半導体レ
ーザ２５ａに電流を供給するためのドライバ２９ａ／二
制御信号を入力し、これによって半導体レーザ２５ａの
光出力を一定に保つ。
ジ２６ａ内に取り゛付けられたフォトダイオード２７ａ
が半導体レーザ２５ａの後側出射面より出射された光を
受光して光電流を出力し、この出力された光電流は光電
流を監視する差動アンプ２８ａに入力される。差動アン
プ２８ａはこの光電流が常に一定になるように半導体レ
ーザ２５ａに電流を供給するためのドライバ２９ａ／二
制御信号を入力し、これによって半導体レーザ２５ａの
光出力を一定に保つ。
なお、３０ａは前側出射光、３１ａは後側出射光、３２
ａは光出力設定入力である。
ａは光出力設定入力である。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかし、上記半導体レーザ２５ａの駆動装置は後側出射
面より出射された光３１ａによって光出力を制御してい
るが、実際には前側出射面より出射される光３０ａが利
用されるため、この装置の場合は前側出射面の光出力と
後側出射面の光出力が比例するという条件のもとでしか
機能を果たすことができない。一般には、前側出射面の
光出力と後側出射面の光出力は、はぼ比例関係にあるの
でこの駆動装置でも問題とはならないが、高出力化のた
めに後側反射面の反射率を増加させて前側出射面の反射
率を減少させた半導体レーザでは、前側出射面より出射
した光が半導体レーザのパッケージより外部の光学系で
反射し、前側出射面に戻ってくる場合に、前側出射面の
光出力と後側出射面の光出力との出射光出力比が変動す
るため、上記の駆動方式では正確な光出力の制御ができ
なかった。第４図は半導体レーザの前側端面への戻り光
量に対する出射光出力比のグラフで、戻り光量が増加す
ると出射光出力比が変動するため、上記の制御方式では
正確な光出力の制御ができないことを表している。また
、先出力の厳密な安定性が要求される半導体レーザにお
いても上記の駆動装置では前側光出力を検知していない
ので正確な先出力の制御ができないという問題があった
。
面より出射された光３１ａによって光出力を制御してい
るが、実際には前側出射面より出射される光３０ａが利
用されるため、この装置の場合は前側出射面の光出力と
後側出射面の光出力が比例するという条件のもとでしか
機能を果たすことができない。一般には、前側出射面の
光出力と後側出射面の光出力は、はぼ比例関係にあるの
でこの駆動装置でも問題とはならないが、高出力化のた
めに後側反射面の反射率を増加させて前側出射面の反射
率を減少させた半導体レーザでは、前側出射面より出射
した光が半導体レーザのパッケージより外部の光学系で
反射し、前側出射面に戻ってくる場合に、前側出射面の
光出力と後側出射面の光出力との出射光出力比が変動す
るため、上記の駆動方式では正確な光出力の制御ができ
なかった。第４図は半導体レーザの前側端面への戻り光
量に対する出射光出力比のグラフで、戻り光量が増加す
ると出射光出力比が変動するため、上記の制御方式では
正確な光出力の制御ができないことを表している。また
、先出力の厳密な安定性が要求される半導体レーザにお
いても上記の駆動装置では前側光出力を検知していない
ので正確な先出力の制御ができないという問題があった
。
以上のことから光出力の厳密な制御をするためには前側
出射面の光出力をフォトダイオードで検知することによ
って光出力を制御する必要があることがわかる。
出射面の光出力をフォトダイオードで検知することによ
って光出力を制御する必要があることがわかる。
第５図は、他の従来例の駆動方式で、面側出射光により
制御を行うものである。
制御を行うものである。
この例では、前面出射光の光出力をフォトダイオード３
３ｂで検知するためにはフォトダイオード３３ｂが半導
体レーザ装置の構造上、光学系３４ｂ、３５ｂ、３６ｂ
を介した後の光を受光せざるを得ないので、半導体レー
ザ装置の組み立て調整時や保守点検時などに、フォトダ
イオード３３ｂに入射すべき光を遮蔽してしまう可能性
があり、この場合レーザ駆動回路が暴走して半導体レー
ザ２５ｂにｉ！ｆＪ電流が供給されてしまい、半導体レ
ーザ２５ｂが破壊されることもあった。
３ｂで検知するためにはフォトダイオード３３ｂが半導
体レーザ装置の構造上、光学系３４ｂ、３５ｂ、３６ｂ
を介した後の光を受光せざるを得ないので、半導体レー
ザ装置の組み立て調整時や保守点検時などに、フォトダ
イオード３３ｂに入射すべき光を遮蔽してしまう可能性
があり、この場合レーザ駆動回路が暴走して半導体レー
ザ２５ｂにｉ！ｆＪ電流が供給されてしまい、半導体レ
ーザ２５ｂが破壊されることもあった。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、その目
的は前側光出力を検知して光出力を制御する光出力制御
回路と、半導体レーザを過電流から保護するレーザ保護
回路とを設けることによって、半導体レーザの正確な光
出力制御を行い光出力の安定化を図るとともにレーザ駆
動回路の暴走を防ぎ半導体レーザの保護ができるように
することにある。
的は前側光出力を検知して光出力を制御する光出力制御
回路と、半導体レーザを過電流から保護するレーザ保護
回路とを設けることによって、半導体レーザの正確な光
出力制御を行い光出力の安定化を図るとともにレーザ駆
動回路の暴走を防ぎ半導体レーザの保護ができるように
することにある。
（ニ）問題点を解決するための手段
この発明は半導体レーザ駆動装置であって、半導体レー
ザに電流を通電する通電手段と、半導体レーザの前側出
射光の一部を受光して半導体レーザの光出力の変動を検
知する第１光検出手段と、この第１光検出手段からの出
力信号と予め設定した光出力設定信号とを比較し第１光
検出手段からの出力信号が前記光出力設定信号より小さ
いときには、これらの両信号が一致するようＪこ前記通
電手段に通［１１増加信号を出力する第１比較出力手段
と、半導体レーザの後側出射光を受光する第２光検出手
段と、この第２光検出手段からの出力信号と予め設定し
たレーザ保護レベル設定信号とを比較し、第２光検出手
段からの出力信号が前記レーザ保護レベル設定信号より
大きい時には通電手段に通電停止信号を出力し、第２光
検出手段からの出力信号が前記レーザ保護レベル設定信
号より小さい時には通電手段に通電信号を出力する第２
比較出力手段とを備えたものである。
ザに電流を通電する通電手段と、半導体レーザの前側出
射光の一部を受光して半導体レーザの光出力の変動を検
知する第１光検出手段と、この第１光検出手段からの出
力信号と予め設定した光出力設定信号とを比較し第１光
検出手段からの出力信号が前記光出力設定信号より小さ
いときには、これらの両信号が一致するようＪこ前記通
電手段に通［１１増加信号を出力する第１比較出力手段
と、半導体レーザの後側出射光を受光する第２光検出手
段と、この第２光検出手段からの出力信号と予め設定し
たレーザ保護レベル設定信号とを比較し、第２光検出手
段からの出力信号が前記レーザ保護レベル設定信号より
大きい時には通電手段に通電停止信号を出力し、第２光
検出手段からの出力信号が前記レーザ保護レベル設定信
号より小さい時には通電手段に通電信号を出力する第２
比較出力手段とを備えたものである。
（ホ）作用
この発明は半導体レーザの前側出射面から出射される光
を第１光検出手段で検知し、光出力に変動が生じると第
１比較出力手段が第１光検出手段の出力信号と光出力設
定信号とを比較し、第１光検出手段からの出力信号が光
出力設定信号より小さいときには、これらの両信号が一
致するように通電手段に通電量増加信号を出力して半導
体レーザの光出力を一定に保つ上うに動作し、また、半
導体レーザに異常電流が流れ光出力が増加すると後側出
射面から出射される光を第２光検出手段で検知し、第２
光検知手段からの出力信号とレーザ保護レベル設定信号
とを比較し、第２光検出手段からの出力信号がレーザ保
護レベル設定信号より大きいときには通電手段に通電停
止信号を出力し、第２光検出手段からの出力信号がレー
ザ保護レベル設定信号より小さいときには通電手段にａ
電信号を出力するように作用する。
を第１光検出手段で検知し、光出力に変動が生じると第
１比較出力手段が第１光検出手段の出力信号と光出力設
定信号とを比較し、第１光検出手段からの出力信号が光
出力設定信号より小さいときには、これらの両信号が一
致するように通電手段に通電量増加信号を出力して半導
体レーザの光出力を一定に保つ上うに動作し、また、半
導体レーザに異常電流が流れ光出力が増加すると後側出
射面から出射される光を第２光検出手段で検知し、第２
光検知手段からの出力信号とレーザ保護レベル設定信号
とを比較し、第２光検出手段からの出力信号がレーザ保
護レベル設定信号より大きいときには通電手段に通電停
止信号を出力し、第２光検出手段からの出力信号がレー
ザ保護レベル設定信号より小さいときには通電手段にａ
電信号を出力するように作用する。
（へ）実施例
以下図に示す実施例に基づいて、この発明を詳述する。
なお、これによってこの発明は限定されるものではない
。
。
第１図のブロック図に示すように半導体レーザ１の前側
出射光をビームスプリッタ２によって分岐し、出力光の
一部を受光した第１光検出手段としての第１フオトダイ
オード３の出力信号は第１比較出力手段としての第１差
動アンプ４に入力され、予め設定した光出力設定信号と
比較される。
出射光をビームスプリッタ２によって分岐し、出力光の
一部を受光した第１光検出手段としての第１フオトダイ
オード３の出力信号は第１比較出力手段としての第１差
動アンプ４に入力され、予め設定した光出力設定信号と
比較される。
その比較の結果により第１差動アンプ４は半導体レーザ
１に電流を供給する通電手段としてのドライバ５に制御
信号を出力し、ドライバ５はこの制御信号に基づいて半
導体レーザ１に供給する電流を増減させ、レーザの光出
力を一定の値に保フ。
１に電流を供給する通電手段としてのドライバ５に制御
信号を出力し、ドライバ５はこの制御信号に基づいて半
導体レーザ１に供給する電流を増減させ、レーザの光出
力を一定の値に保フ。
この方式によると、前側出射光の一部を監視して光出力
を制御できるので安定した正確な光出力を得ることがで
きる。一方、半導体レーザｌと同一パッケージ６に内蔵
されている第２光検出手段としての第２フオトダイオー
ド７の出力信号は、第２比較出力手段としての第２差動
アンプ８に入力され、この信号は、光出力レベルより大
きい、例えば２０％程度大きい予め設定した設定信号と
比較される。その結果、光出力が上記設定信号より大き
ければ半導体レーザｌに供給する電流をＯＦＦにし、逆
に光出力信号が設定信号より小さければ半導体レーザ１
に流れる電流をＯＮにするよう第２差動アンプ８はドラ
イバ５に制御信号を出力する。
を制御できるので安定した正確な光出力を得ることがで
きる。一方、半導体レーザｌと同一パッケージ６に内蔵
されている第２光検出手段としての第２フオトダイオー
ド７の出力信号は、第２比較出力手段としての第２差動
アンプ８に入力され、この信号は、光出力レベルより大
きい、例えば２０％程度大きい予め設定した設定信号と
比較される。その結果、光出力が上記設定信号より大き
ければ半導体レーザｌに供給する電流をＯＦＦにし、逆
に光出力信号が設定信号より小さければ半導体レーザ１
に流れる電流をＯＮにするよう第２差動アンプ８はドラ
イバ５に制御信号を出力する。
このようにすると、寮導体レーザＩが正常動作している
時には第２フオトダイオード７からの出力信号は設定信
号より小さいのでドライバ５は常にＯＮの状態を維持し
、前側出射光による制御が働いて安定した光出力動作を
継続する。しかし、前側出射光が遮蔽された場合などの
異状発生時には第２フオトダイオード７からの出力信号
に基づいて第２差動アンプ８がドライバ５を制御するこ
とによって半導体レーザｌはＯＦＦの状態となり、前側
出射光が遮蔽されたことによって駆動回路が暴走し、そ
の結果半導体レーザ１が破壊されるのを防止することが
できる。また、第２フオトダイオード７による制御の動
作レベルは、半導体レーザ１が劣化を起こさないために
なるべく低い光出力レベルにすることが望ましい。しか
し、第４図に示したように、もどり光などの影響により
後側出射光か前側出射光より相対的に大きくなることも
あるので、動作レベルはこの相対的な増加分を考慮して
設定しなければならない。増加分を考慮し几設定がなさ
れていないと前側光出力が所定の光出力に達していない
にもかかわらず後側出射光による制御が働いてしまい光
出力が減少してしまうことになる。
時には第２フオトダイオード７からの出力信号は設定信
号より小さいのでドライバ５は常にＯＮの状態を維持し
、前側出射光による制御が働いて安定した光出力動作を
継続する。しかし、前側出射光が遮蔽された場合などの
異状発生時には第２フオトダイオード７からの出力信号
に基づいて第２差動アンプ８がドライバ５を制御するこ
とによって半導体レーザｌはＯＦＦの状態となり、前側
出射光が遮蔽されたことによって駆動回路が暴走し、そ
の結果半導体レーザ１が破壊されるのを防止することが
できる。また、第２フオトダイオード７による制御の動
作レベルは、半導体レーザ１が劣化を起こさないために
なるべく低い光出力レベルにすることが望ましい。しか
し、第４図に示したように、もどり光などの影響により
後側出射光か前側出射光より相対的に大きくなることも
あるので、動作レベルはこの相対的な増加分を考慮して
設定しなければならない。増加分を考慮し几設定がなさ
れていないと前側光出力が所定の光出力に達していない
にもかかわらず後側出射光による制御が働いてしまい光
出力が減少してしまうことになる。
なお、９はレンズ、１０は光出力設定入力、１１はレー
ザ保護レベル設定入力である。
ザ保護レベル設定入力である。
次に、この発明を第２図の具体的な駆動回路図によって
説明する。
説明する。
２つのダイオード１５．ＩＧ及びレーザ保護レベル設定
用ボリューム１７を除くと、この駆動回路は従来より用
いられている前側出射光による定出力駆動回路と同じで
ある。この駆動回路において、前側光出力が増加すると
、第１フオトダイオード３の光電流が増え、光出力設定
ボリューム１８の両端の電圧が上昇する。すると、トラ
ンジスタ１９のベース電流が増え、これがトランジスタ
２００ベース電圧を下げ、この結果、半導体レーザ１の
順電流を減少させる。このような負帰還により前側先出
力は一定に保たれる。この駆動回路は、従来より用いら
れている駆動回路に、さらに後側出射光を受光する第２
フオトダイオード７からの光電流信号を利用して半導体
レーザｌを保護するという機能をもたせている。今、前
側出射光を受光する第１フオトダイオード３に何らかの
理由により光が入射しなくなると光出力設定用ボリュー
ム１８の両端には電圧は発生せず、負帰還が正常に働か
なくなる。すると、第２フオトダイオード７の光電流は
正常時より大きくなり、これによってレーザ保護レベル
設定用ボリューム１７の両端の電圧も上昇するため、ト
ランジスタ１９のベース電圧が上昇し、半導体レーザ１
の順電流を減少させる。このようにして、半導体レーザ
１を過電流から保護することができる。なお、ダイオー
ド１５及び１６は、前後の出射光のうちどちらか一方で
も過大出力になれば負帰還をかけるようにするＯＲゲー
トの機能を有する。また、レーザ保護レベル設定用ボリ
ューム１７は所定の光出力よりやや大きい光出力に対応
できるよう設定しておくのは前述のとおりである。なお
、２１は定電圧ダイオードである。
用ボリューム１７を除くと、この駆動回路は従来より用
いられている前側出射光による定出力駆動回路と同じで
ある。この駆動回路において、前側光出力が増加すると
、第１フオトダイオード３の光電流が増え、光出力設定
ボリューム１８の両端の電圧が上昇する。すると、トラ
ンジスタ１９のベース電流が増え、これがトランジスタ
２００ベース電圧を下げ、この結果、半導体レーザ１の
順電流を減少させる。このような負帰還により前側先出
力は一定に保たれる。この駆動回路は、従来より用いら
れている駆動回路に、さらに後側出射光を受光する第２
フオトダイオード７からの光電流信号を利用して半導体
レーザｌを保護するという機能をもたせている。今、前
側出射光を受光する第１フオトダイオード３に何らかの
理由により光が入射しなくなると光出力設定用ボリュー
ム１８の両端には電圧は発生せず、負帰還が正常に働か
なくなる。すると、第２フオトダイオード７の光電流は
正常時より大きくなり、これによってレーザ保護レベル
設定用ボリューム１７の両端の電圧も上昇するため、ト
ランジスタ１９のベース電圧が上昇し、半導体レーザ１
の順電流を減少させる。このようにして、半導体レーザ
１を過電流から保護することができる。なお、ダイオー
ド１５及び１６は、前後の出射光のうちどちらか一方で
も過大出力になれば負帰還をかけるようにするＯＲゲー
トの機能を有する。また、レーザ保護レベル設定用ボリ
ューム１７は所定の光出力よりやや大きい光出力に対応
できるよう設定しておくのは前述のとおりである。なお
、２１は定電圧ダイオードである。
（ト）発明の効果
この発明によれば、半導体レーザの光出力を正確に制御
することができ、安定した光出力を得ることができる。
することができ、安定した光出力を得ることができる。
また、前側出射光の遮蔽などによる異状時には半導体レ
ーザを破損から守ることができる。特に高出力用の駆動
回路として最適である。
ーザを破損から守ることができる。特に高出力用の駆動
回路として最適である。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ駆動ブ
ロック図、第２図はこの発明の半導体レーザ駆動回路図
、第３図は従来例の第１図相当図、第４図は半導体レー
ザの前側端面への戻り光量に対する出射光出力比を示し
たグラフ、第５図は他の従来例の第１図相当図である。 １・・・・・・半導体レーザ、 ５・・・・・・ドライバ（通電手段）、３・・・・・・
第１フオトダイオード（第１光検出手段）、４・・・・
・・第１差動アンプ（第１比較出力手段）、７・・・・
・・第２フオトダイオード（第２光検出手段）、８・・
・・・−第２差動アンプ（第２比較出力手段）。 代理人 弁理士 野 河 信太部 第１図 第２図 第３図 第４図 ０．０１ ０．１ １ 前償り端面への虜り光量 （’／、）
ロック図、第２図はこの発明の半導体レーザ駆動回路図
、第３図は従来例の第１図相当図、第４図は半導体レー
ザの前側端面への戻り光量に対する出射光出力比を示し
たグラフ、第５図は他の従来例の第１図相当図である。 １・・・・・・半導体レーザ、 ５・・・・・・ドライバ（通電手段）、３・・・・・・
第１フオトダイオード（第１光検出手段）、４・・・・
・・第１差動アンプ（第１比較出力手段）、７・・・・
・・第２フオトダイオード（第２光検出手段）、８・・
・・・−第２差動アンプ（第２比較出力手段）。 代理人 弁理士 野 河 信太部 第１図 第２図 第３図 第４図 ０．０１ ０．１ １ 前償り端面への虜り光量 （’／、）
Claims (1)
- １、半導体レーザに電流を通電する通電手段と、半導体
レーザの前側出射光の一部を受光して半導体レーザの光
出力の変動を検知する第１光検出手段と、この第１光検
出手段からの出力信号と予め設定した光出力設定信号と
を比較し第１光検出手段からの出力信号が前記光出力設
定信号より小さいときには、これらの両信号が一致する
ように前記通電手段に通電量増加信号を出力する第１比
較出力手段と、半導体レーザの後側出射光を受光する第
２光検出手段と、この第２光検出手段からの出力信号と
予め設定したレーザ保護レベル設定信号とを比較し、第
２光検出手段からの出力信号が前記レーザ保護レベル設
定信号より大きい時には通電手段に通電停止信号を出力
し、第２光検出手段からの出力信号が前記レーザ保護レ
ベル設定信号より小さい時には通電手段に通電信号を出
力する第２比較出力手段とを備えてなる半導体レーザ駆
動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20041986A JPS6355988A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20041986A JPS6355988A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355988A true JPS6355988A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16423996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20041986A Pending JPS6355988A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355988A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05110175A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
| US7959088B2 (en) | 2003-05-14 | 2011-06-14 | Methven Ltd. | Method and apparatus for producing droplet spray |
| JP2014093396A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Miyachi Technos Corp | レーザ電源装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225745A (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ送信回路 |
| JPS6035563B2 (ja) * | 1971-11-24 | 1985-08-15 | カヤバ工業株式会社 | サ−ボポンプの圧力補償装置 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP20041986A patent/JPS6355988A/ja active Pending
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