JPS58115947A - 光注入送信装置 - Google Patents
光注入送信装置Info
- Publication number
- JPS58115947A JPS58115947A JP56210185A JP21018581A JPS58115947A JP S58115947 A JPS58115947 A JP S58115947A JP 56210185 A JP56210185 A JP 56210185A JP 21018581 A JP21018581 A JP 21018581A JP S58115947 A JPS58115947 A JP S58115947A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- injected
- signal
- optical
- light
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光注入送信装置、特に送信光源として働く半
導体レーザの他に、この半導体レーザに光注入する光を
出力する半導体レーザを偏えた光送信装置に関する。
導体レーザの他に、この半導体レーザに光注入する光を
出力する半導体レーザを偏えた光送信装置に関する。
光フアイバ通信装置等に用いる光送信装置では、光源に
半導体レーザを用い、この半導体レーザを変調信号電流
で面接駆動することによシ発振と変調とを同時に行なう
ことが一般的である。この場合、高レベルの出力光を得
るために、半導体レーザを大振幅の変調信号で駆動する
ことが多いが、そうすると半導体レーザの発振光スペク
トル幅は広がり、マルチ縦モードになるのが通例でめっ
た。
半導体レーザを用い、この半導体レーザを変調信号電流
で面接駆動することによシ発振と変調とを同時に行なう
ことが一般的である。この場合、高レベルの出力光を得
るために、半導体レーザを大振幅の変調信号で駆動する
ことが多いが、そうすると半導体レーザの発振光スペク
トル幅は広がり、マルチ縦モードになるのが通例でめっ
た。
送信光の光スペクトル幅が広いと、伝送路に使用される
光ファイバの材料分散により、伝送路出力端ではモード
分配雑音が生じたシ、信号光の周波数特性が劣化すると
いう欠点があった。また、受信側でヘテロダイン検波を
行なおうとする場合には、送信光が単一スペクトルでな
いと受信感度の劣化等が生じるという欠点があったＯ 半導体レーザはその構造にもよるが、通常は直流励起の
場合には単一スペクトルで発振するという特性を有する
。そのために、従来は直流励起によシ単一スベクトルで
発振している半導体レーザの出力光を、変調信号電流で
励起されてマルチ縦モードで発振している半導体レーザ
に注入することにより、光注入された半導体レーザの出
力光の光スペクトルを注入光の単一スペクトルに一致さ
せて単一スペクトル発振にするという技術が開発１
されている。
光ファイバの材料分散により、伝送路出力端ではモード
分配雑音が生じたシ、信号光の周波数特性が劣化すると
いう欠点があった。また、受信側でヘテロダイン検波を
行なおうとする場合には、送信光が単一スペクトルでな
いと受信感度の劣化等が生じるという欠点があったＯ 半導体レーザはその構造にもよるが、通常は直流励起の
場合には単一スペクトルで発振するという特性を有する
。そのために、従来は直流励起によシ単一スベクトルで
発振している半導体レーザの出力光を、変調信号電流で
励起されてマルチ縦モードで発振している半導体レーザ
に注入することにより、光注入された半導体レーザの出
力光の光スペクトルを注入光の単一スペクトルに一致さ
せて単一スペクトル発振にするという技術が開発１
されている。
しかし、従来のこの技術では、光注入を受ける半導体レ
ーザがパルス信号で変調されている場合、この半導体レ
ーザにはレーザ発振が生じない符号Ｉｔ ＯＨの時にも
光が注入されるために特に符号ＩＩ Ｏｆｉｒの時の雑
音の増加が起こるという欠点があった０ この発明の目的は、注入光による被注入半導体レーザの
雑音の増加を抑制した光注入送信装置を提供することに
ある。
ーザがパルス信号で変調されている場合、この半導体レ
ーザにはレーザ発振が生じない符号Ｉｔ ＯＨの時にも
光が注入されるために特に符号ＩＩ Ｏｆｉｒの時の雑
音の増加が起こるという欠点があった０ この発明の目的は、注入光による被注入半導体レーザの
雑音の増加を抑制した光注入送信装置を提供することに
ある。
この発明によれば、第１の半導体レーザと、該第１の半
導体レーザの出力光が注入される第２の半導体レーザと
、前記第１．ｇ２の半導体レーザに励起信号を与えるた
めの電気信号入力端子を有し、前記第２の半導体レーザ
に注入される注入光信号と前記第２の半導体レーザの励
起信号とを同期させることを特徴とする光注入送信装置
が得られる。
導体レーザの出力光が注入される第２の半導体レーザと
、前記第１．ｇ２の半導体レーザに励起信号を与えるた
めの電気信号入力端子を有し、前記第２の半導体レーザ
に注入される注入光信号と前記第２の半導体レーザの励
起信号とを同期させることを特徴とする光注入送信装置
が得られる。
この発明の光注入送信装置では、注入光を出力する第１
の半導体レーザは、光が注入される第２の半導体レーザ
を励起する信号と同じ情報の信号で変調されており、し
かも帖１の半導体レーザの出力光子８号である注入光信
号が第２の半導体レーザに注入逼れるときには、この第
２の半導体レーザの励起ａｔ号と同期されている。その
ために例えば電気信号入力端子に入力する信号がパルス
符号変調された信号の場合には、第２の半導体レーザの
励起信号の符号と注入元信号の符号とは一致している。
の半導体レーザは、光が注入される第２の半導体レーザ
を励起する信号と同じ情報の信号で変調されており、し
かも帖１の半導体レーザの出力光子８号である注入光信
号が第２の半導体レーザに注入逼れるときには、この第
２の半導体レーザの励起ａｔ号と同期されている。その
ために例えば電気信号入力端子に入力する信号がパルス
符号変調された信号の場合には、第２の半導体レーザの
励起信号の符号と注入元信号の符号とは一致している。
ところで、第１の半導体レーザの励起信号電流には、ス
レシホルド１ｔ’Ｒよシもわずかに大きい直流バイアス
電流と小振幅のパルス信号電流とを用い九ばこの泥ｌの
半導体レーザからは出力光の符号が１′″のときには単
一スペクトル発振のパルス変調された元信号が出力出来
る。−力、第２の半導体レーザの励起信号電流には、ス
レシホルド電流よりもわずかに小さい直流バイアス電流
と大振幅のパルス信号電流を用いれば、注入光が無い場
合には、発振スペクトルは単一ではないが高出力のパル
ス変調された光信号を第２の半導体レーザより出力させ
ることが出来る。
レシホルド１ｔ’Ｒよシもわずかに大きい直流バイアス
電流と小振幅のパルス信号電流とを用い九ばこの泥ｌの
半導体レーザからは出力光の符号が１′″のときには単
一スペクトル発振のパルス変調された元信号が出力出来
る。−力、第２の半導体レーザの励起信号電流には、ス
レシホルド電流よりもわずかに小さい直流バイアス電流
と大振幅のパルス信号電流を用いれば、注入光が無い場
合には、発振スペクトルは単一ではないが高出力のパル
ス変調された光信号を第２の半導体レーザより出力させ
ることが出来る。
ここで、第１の半導体レーザの出力光信号である注入光
信号を第２の半導体レーザに注入すれば、５− 第２の半導体レーザの励起信号の符号が′】″のときに
は注入光信号の符号も°“１″で注入光信号のレベルは
比較的んく、しかも注入光（１号の光スペクトルも単一
なので、第２の半導体レーザの発振元スペクトルは注入
光の単・−スペクトルと一致した単一スペクトルになる
とともに、ピーク値の大きい、符号がパ１″′の光パル
スが第２の半導体レーザより出力出来る。
信号を第２の半導体レーザに注入すれば、５− 第２の半導体レーザの励起信号の符号が′】″のときに
は注入光信号の符号も°“１″で注入光信号のレベルは
比較的んく、しかも注入光（１号の光スペクトルも単一
なので、第２の半導体レーザの発振元スペクトルは注入
光の単・−スペクトルと一致した単一スペクトルになる
とともに、ピーク値の大きい、符号がパ１″′の光パル
スが第２の半導体レーザより出力出来る。
一部、第２の半導体レーザの励起信号の符号がｔｌ Ｑ
ｌｊのときには、注入光信号の符号も°′０”でレベ
ルが低いために、第２の半導体レーザの動作に与える影
響は小さく、注入光により雑音が発生するということは
ほとんど無いし、また第２の半導体レーザから出力され
る光レベルも符号が１”の場合に比べると非常に小さい
。
ｌｊのときには、注入光信号の符号も°′０”でレベ
ルが低いために、第２の半導体レーザの動作に与える影
響は小さく、注入光により雑音が発生するということは
ほとんど無いし、また第２の半導体レーザから出力され
る光レベルも符号が１”の場合に比べると非常に小さい
。
次にこの発明を実施例によシ図面を参照して説１周する
。
。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示すブロック図、
第２図はこの実施例を説明するだめの各部の信号波形の
一部を示した図である。
第２図はこの実施例を説明するだめの各部の信号波形の
一部を示した図である。
６−
電気信号入力端子１に入力した変調信号は分岐回路２に
導びかれ、等価な２つの信号に分けられる。この分岐回
路２の出力の一方の信号は第１の駆動回路３に導びかれ
て増幅されたのち、直流バイアス電流に重畳されて第１
の半導体レーザ４に印加されている。この第１の半導体
レーザ４は、スレシホルド電流が温度２５℃で３０ｍＡ
、発振波長が約１．！ＲｍのＩｎＧａＡｓＰ 半導体Ｌ
／ −ｆ−ｒ、埋。
導びかれ、等価な２つの信号に分けられる。この分岐回
路２の出力の一方の信号は第１の駆動回路３に導びかれ
て増幅されたのち、直流バイアス電流に重畳されて第１
の半導体レーザ４に印加されている。この第１の半導体
レーザ４は、スレシホルド電流が温度２５℃で３０ｍＡ
、発振波長が約１．！ＲｍのＩｎＧａＡｓＰ 半導体Ｌ
／ −ｆ−ｒ、埋。
め込みへテロ構造を有している。電気信号入力端子１に
入力している変調信号は、ピットレイトが４００ Ｍ
ｂ ／ ｓ、デユーティファクタが約５０％のパルス符
号変調された信号で、この信号の波形を第２図（ｂ）に
、符号を第２図（ａ）に示す。
入力している変調信号は、ピットレイトが４００ Ｍ
ｂ ／ ｓ、デユーティファクタが約５０％のパルス符
号変調された信号で、この信号の波形を第２図（ｂ）に
、符号を第２図（ａ）に示す。
この信号は第１の駆動回路３でパルスピーク値がｌＱｍ
Ａの信号に変換されると共に、第１の半導体レーザ４の
スレシホルド電流よりもわずかに高いｊｌＩｔ（３５１
ｎＡ）の直流バイアス電流に重畳されて第１の半導体レ
ーザ４に印加されている。この第１の半導体レーザ４か
らは、パルスの符号が′１″のときの光パワーが１．５
ｍＷ 、光スペクトルが単一スペクトル、パルスの符
号がａｔ Ｏｎのときの光パワーが０．５ ｍＷの光パ
ルス信号が出力されている。
Ａの信号に変換されると共に、第１の半導体レーザ４の
スレシホルド電流よりもわずかに高いｊｌＩｔ（３５１
ｎＡ）の直流バイアス電流に重畳されて第１の半導体レ
ーザ４に印加されている。この第１の半導体レーザ４か
らは、パルスの符号が′１″のときの光パワーが１．５
ｍＷ 、光スペクトルが単一スペクトル、パルスの符
号がａｔ Ｏｎのときの光パワーが０．５ ｍＷの光パ
ルス信号が出力されている。
この元パルス信号の波形を第２図（ｂ）に対応させて第
２図（Ｃ）に示す。
２図（Ｃ）に示す。
第１の半導体レーザ４の出力の光パルス信号は、結合回
路５に入り、ここのレンズ系で集光されて第２の半導体
レーザ６に注入される注入光信号になっている。なお結
合回路５には光アイソ１ノータが備えられておシ、第１
の半導体レーザ４の出力光はこの光アイソレータをｌｄ
Ｂ以下の低損失で通過するが、第２の半導体レーザ６等
での反射光は２５ｄＢ以上の損失を受けるために、反射
光は第１の半導体レーザ４には戻りにくくなっている。
路５に入り、ここのレンズ系で集光されて第２の半導体
レーザ６に注入される注入光信号になっている。なお結
合回路５には光アイソ１ノータが備えられておシ、第１
の半導体レーザ４の出力光はこの光アイソレータをｌｄ
Ｂ以下の低損失で通過するが、第２の半導体レーザ６等
での反射光は２５ｄＢ以上の損失を受けるために、反射
光は第１の半導体レーザ４には戻りにくくなっている。
第２の半導体レーザ６には、第１の半導体レーザ４と同
じ構造で、はぼ同じ特性のものが使用されており、スレ
シホルド電流は温度２５℃で３０ＩｎＡ。
じ構造で、はぼ同じ特性のものが使用されており、スレ
シホルド電流は温度２５℃で３０ＩｎＡ。
発振波長は約１．５６μｍである。
分岐回路２の出力の２つの信号のうちの他方は、第２の
駆動回路７に導びかれ、パルスピーク値が６０ｍＡの信
号に変換されると共に％第２の半導体レーザ６のスレシ
ホルド電流よシもわずかに低い値（２９，５ｍＡ）の直
流バイアス電流に重畳されて第２の半導体レーザ６に印
加されている。
駆動回路７に導びかれ、パルスピーク値が６０ｍＡの信
号に変換されると共に％第２の半導体レーザ６のスレシ
ホルド電流よシもわずかに低い値（２９，５ｍＡ）の直
流バイアス電流に重畳されて第２の半導体レーザ６に印
加されている。
第２０牛導体レーザ６は、第１の半導体レーザ４からの
注入光信号が注入されないときは、出力光パルスピーク
値が５ｍＷ、パルスオン−オフ比が１ ｓｄＢ、光スペ
クトルがマルチ縦モード（縦モード間隔が４人、スペク
トル包絡線の牛値全幅が３ＯＡ）で発振する。
注入光信号が注入されないときは、出力光パルスピーク
値が５ｍＷ、パルスオン−オフ比が１ ｓｄＢ、光スペ
クトルがマルチ縦モード（縦モード間隔が４人、スペク
トル包絡線の牛値全幅が３ＯＡ）で発振する。
第２の半導体レーザ６の励起信号は注入光信号と同期す
るように、第２の駆動回路７の出力の信号の位相が定め
られている。この励起信号の波形を第２図（ｄ）に示す
。また、注入光信号の符号ｔｌ Ｉ ＩＩの場合の単一
スペクトルは、第２の半導体レーザ６のスペクトルであ
るマルチ縦モードのうちの一つに合致するように、第１
の半導体レーザ４の温度が制御されている。
るように、第２の駆動回路７の出力の信号の位相が定め
られている。この励起信号の波形を第２図（ｄ）に示す
。また、注入光信号の符号ｔｌ Ｉ ＩＩの場合の単一
スペクトルは、第２の半導体レーザ６のスペクトルであ
るマルチ縦モードのうちの一つに合致するように、第１
の半導体レーザ４の温度が制御されている。
このような状態で注入光信号が第２の半導体レーザ６に
注入されると、第２の半導体レーザ６の発振光スペクト
ルは注入光信号の発振光スペクト９− ルである単一スペクトルに一致した単一スペクトルにな
る。また、第２の半導体レーザ６の出方光パルスの符号
が′０”の場合には、注入光信号の符号もＩＩ ＯＥｌ
で注入光レベルが低いために、雑音の発生は小さく抑え
ることが出来る。なお、以上のような光注入により、第
２の半導体レーザ６の出力光パルスのピーク値は約５．
３ ｍ ＷＩＣなった。
注入されると、第２の半導体レーザ６の発振光スペクト
ルは注入光信号の発振光スペクト９− ルである単一スペクトルに一致した単一スペクトルにな
る。また、第２の半導体レーザ６の出方光パルスの符号
が′０”の場合には、注入光信号の符号もＩＩ ＯＥｌ
で注入光レベルが低いために、雑音の発生は小さく抑え
ることが出来る。なお、以上のような光注入により、第
２の半導体レーザ６の出力光パルスのピーク値は約５．
３ ｍ ＷＩＣなった。
このときの第２の半導体し〜ザ６の出力光パルス信号の
波形を第２図（ｅ）に示す。
波形を第２図（ｅ）に示す。
なお、以上の実施例では、第１．第２の半導体レーザ４
，６は波長が約１，５６μｍで、埋め込みへテロ構造の
ＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザであるとしたが、他の波長
〜、他の材料、他の構造のものであってもよい。例えば
、注入光を出力する第１の半導体レーザには、光出力が
小さくても単色性の高い光スペクトルが得やすいもの、
注入光が注入される第２０牛導体レーザには大出力光が
得やすいものというような使い分けをしてもよい。
，６は波長が約１，５６μｍで、埋め込みへテロ構造の
ＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザであるとしたが、他の波長
〜、他の材料、他の構造のものであってもよい。例えば
、注入光を出力する第１の半導体レーザには、光出力が
小さくても単色性の高い光スペクトルが得やすいもの、
注入光が注入される第２０牛導体レーザには大出力光が
得やすいものというような使い分けをしてもよい。
′まだ、注入光が注入される第２の半導体レーザの励起
信号を、注入光信号よりも数１０ＰＳがら数）、０〜 １００ｐｓの時間だけ遅らせてもよい。このようにすれ
ば、注入光信号は第２の半導体レーザにその発撰の直前
に注入されるので、単一スペクトルの注入光が１重にな
って第２の半導体レーザは単一スペクトルで発振し易く
なるし、また注入光信号によって第２の半導［ドレープ
の緩；４’Ｏｍ励が抑圧され易くなる。
信号を、注入光信号よりも数１０ＰＳがら数）、０〜 １００ｐｓの時間だけ遅らせてもよい。このようにすれ
ば、注入光信号は第２の半導体レーザにその発撰の直前
に注入されるので、単一スペクトルの注入光が１重にな
って第２の半導体レーザは単一スペクトルで発振し易く
なるし、また注入光信号によって第２の半導［ドレープ
の緩；４’Ｏｍ励が抑圧され易くなる。
なお、第１を第２の半導体レーザの発振波長は、第２の
半導体１／−ザに注入光である第１の半導体レーザの出
力光が注入された時に、第２の半導坏レーザの発ｊ：ｉ
波長が注入光の波長に引込込まｎて一致する程度に合致
していればよい＠ずｌわら、富２の半導体レーザの発振
波長が第１の半導体レーザの発楡波長に引き込まれて一
致することが可能な波長の最大分貼全は０．１λ〜工λ
程度なので、真１．躬２の半導体レーザの発振波長はこ
の程度の範囲丙で一紅していればよい。
半導体１／−ザに注入光である第１の半導体レーザの出
力光が注入された時に、第２の半導坏レーザの発ｊ：ｉ
波長が注入光の波長に引込込まｎて一致する程度に合致
していればよい＠ずｌわら、富２の半導体レーザの発振
波長が第１の半導体レーザの発楡波長に引き込まれて一
致することが可能な波長の最大分貼全は０．１λ〜工λ
程度なので、真１．躬２の半導体レーザの発振波長はこ
の程度の範囲丙で一紅していればよい。
また、第２の半導体レーザ６と鎮２の駆動回路７には、
慇２の半導体レーザ６のスレシホルド電流の温度変化や
経年変化を補償するための自動出力制御回路を設け、第
２の半導体レーザ６の出力光パワーが温度等によらずに
常に一定値になるように直流バイアス電流を制御しても
よい。同様に、第１の半導体レーザ４の出力光パワーが
一定になるように、その直流バイアス電流を制御しても
よい０ この発明によれば、以上説明したように注入光による被
注入半導体レーザの雑音を制御した光注入送信装置が借
られる。
慇２の半導体レーザ６のスレシホルド電流の温度変化や
経年変化を補償するための自動出力制御回路を設け、第
２の半導体レーザ６の出力光パワーが温度等によらずに
常に一定値になるように直流バイアス電流を制御しても
よい。同様に、第１の半導体レーザ４の出力光パワーが
一定になるように、その直流バイアス電流を制御しても
よい０ この発明によれば、以上説明したように注入光による被
注入半導体レーザの雑音を制御した光注入送信装置が借
られる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示すブロック図、
第２図はこの実施例を説明するための各部の信号波形図
である◇ １・・・・・・電気信号入力端子、２・・・・・・分岐
回路、３゜７・・・・・・駆動回路、４．６・・・・・
・半導体レーザ、５・・・・・・結合回路。 へ ヘ ハ
第２図はこの実施例を説明するための各部の信号波形図
である◇ １・・・・・・電気信号入力端子、２・・・・・・分岐
回路、３゜７・・・・・・駆動回路、４．６・・・・・
・半導体レーザ、５・・・・・・結合回路。 へ ヘ ハ
Claims (4)
- （１）第１の半導体レーザと、該第１の半導体レーザの
出力光が注入される第２の半導体レーザと前記第１．第
２の半導体レーザに励起信号を与えるための電気信号入
力端子を有し、前記第２の半導体レーザに注入される注
入光信号と前記第２の半導体レーザの励起信号とを同期
させることを特徴とする光注入送信装置。 - （２）第２の半導体レーザの励起信号が前記第２の半導
体レーザに注入される注入光信号に対して１０Ｐ８−釈
１００Ｐ８の時間遅延を持つことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の光注入送信装置。 - （３）第１の半導体レーザの発振光スペクトルが単一ス
ペクトルであることを特徴とする特許請求の範囲第（１
〕項または第（２）項記載の光注入送信装置０ - （４）第２の半導体レーザの発振光スペクトルが前記注
入光信号により単一スペクトルになると共に、注入光信
号の単一スペクトルに一致することを特徴とする特許請
求の範囲第（３）項記載の光注入送信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56210185A JPS58115947A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 光注入送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56210185A JPS58115947A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 光注入送信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115947A true JPS58115947A (ja) | 1983-07-09 |
| JPS6160622B2 JPS6160622B2 (ja) | 1986-12-22 |
Family
ID=16585186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56210185A Granted JPS58115947A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 光注入送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10245717A1 (de) * | 2002-09-25 | 2004-04-22 | Technische Universität Berlin | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines optischen Laserpulses |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0514730Y2 (ja) * | 1986-08-11 | 1993-04-20 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56210185A patent/JPS58115947A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10245717A1 (de) * | 2002-09-25 | 2004-04-22 | Technische Universität Berlin | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines optischen Laserpulses |
| WO2004030167A3 (de) * | 2002-09-25 | 2004-08-05 | Univ Berlin Tech | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines optischen laserpulses |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6160622B2 (ja) | 1986-12-22 |
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