JPS58219816A - 増幅器 - Google Patents
増幅器Info
- Publication number
- JPS58219816A JPS58219816A JP57101663A JP10166382A JPS58219816A JP S58219816 A JPS58219816 A JP S58219816A JP 57101663 A JP57101663 A JP 57101663A JP 10166382 A JP10166382 A JP 10166382A JP S58219816 A JPS58219816 A JP S58219816A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- transistor
- amplifier
- capacitive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、広帯域で高速動作可能の増幅器に関するもの
である。
である。
従来技術と問題点
(1)
一般に2つの入力電圧の差を増幅する機能を有する演算
増幅器を用いて電圧比較器を構成することができる。例
えば、演算増幅器の非反転入力端子に比較電圧を入力し
、反転入力端子に基準電圧を入力することにより、比較
電圧が基準電圧より大きい場合には出力電圧が正の最大
出力電圧近い値の電圧となり、その逆の場合には負の最
大出力電圧近い値の電圧となる。この出力電圧をロジッ
ク回路に入力することにより、電圧比較結果を論理″1
”又は論理“O″としてディジタル信号処理することが
できる。
増幅器を用いて電圧比較器を構成することができる。例
えば、演算増幅器の非反転入力端子に比較電圧を入力し
、反転入力端子に基準電圧を入力することにより、比較
電圧が基準電圧より大きい場合には出力電圧が正の最大
出力電圧近い値の電圧となり、その逆の場合には負の最
大出力電圧近い値の電圧となる。この出力電圧をロジッ
ク回路に入力することにより、電圧比較結果を論理″1
”又は論理“O″としてディジタル信号処理することが
できる。
第1図は、CMO3)ランジスタにより構成した従来例
の演算増幅器の一例を示すもので、M1〜M3はバイア
ス回路を構成するトランジスタ、M4〜M8は差動増幅
回路を構成するトランジスタ、M9.MIOは位相補償
用のソースホロワ回路を構成するトランジスタ、Mll
、M12は電圧増幅用のソース接地回路を構成するトラ
ンジスタ、CIは位相補償用の容量素子、OUTは出力
端子、INIは反転入力端子、IN2は非反転入(2) 力端子、■市、■5.は電源電圧である。この回路構成
は比較的簡単であるところがら広く使用されている。
の演算増幅器の一例を示すもので、M1〜M3はバイア
ス回路を構成するトランジスタ、M4〜M8は差動増幅
回路を構成するトランジスタ、M9.MIOは位相補償
用のソースホロワ回路を構成するトランジスタ、Mll
、M12は電圧増幅用のソース接地回路を構成するトラ
ンジスタ、CIは位相補償用の容量素子、OUTは出力
端子、INIは反転入力端子、IN2は非反転入(2) 力端子、■市、■5.は電源電圧である。この回路構成
は比較的簡単であるところがら広く使用されている。
ソース接地回路の入力端子とソースホロワ回路の出力端
子との間に接続した容量素子c1は、演算増幅器の出力
端子OUTから入力端子INI又はIN2に帰還をかけ
て使用する場合、発振するのを防止する為のものであり
、差動増幅回路の出力に対しては交流的に大きな負荷に
みえるミラー回路となり、差動増幅回路の周波数帯域を
制限する要因となっている。
子との間に接続した容量素子c1は、演算増幅器の出力
端子OUTから入力端子INI又はIN2に帰還をかけ
て使用する場合、発振するのを防止する為のものであり
、差動増幅回路の出力に対しては交流的に大きな負荷に
みえるミラー回路となり、差動増幅回路の周波数帯域を
制限する要因となっている。
電圧比較器として使用する場合、その応答速度は、入力
端子INI、IN2に電圧差が与えられてから出力電圧
が所定の大きさになるまでの時間で決るものであり、第
1図の回路構成に於て、入力端子INI、IN2に電圧
差を与えることにより、差動増幅回路の出力電圧Vaが
動作中心電圧から変化し、続いてソース接地回路の出力
である出力端子OUTの出力電圧Voが変化する。電圧
Vaの変化速度は、それぞれのゲートに異なる電圧を加
えられた斗うンジスタM6. M7r電流差の大きさに
比例し、且つ負荷容量の大きさに反比例する。このトラ
ンジスタM6.M7の電流差を大きくするには、相互コ
ンダクタンス9.の大きいトランジスタを用いれば良い
ことになるが、相互コンダクタンスの大きさに比例して
差″勧増幅回路の電圧利得が大きくなり、それに対応し
て帯域。
端子INI、IN2に電圧差が与えられてから出力電圧
が所定の大きさになるまでの時間で決るものであり、第
1図の回路構成に於て、入力端子INI、IN2に電圧
差を与えることにより、差動増幅回路の出力電圧Vaが
動作中心電圧から変化し、続いてソース接地回路の出力
である出力端子OUTの出力電圧Voが変化する。電圧
Vaの変化速度は、それぞれのゲートに異なる電圧を加
えられた斗うンジスタM6. M7r電流差の大きさに
比例し、且つ負荷容量の大きさに反比例する。このトラ
ンジスタM6.M7の電流差を大きくするには、相互コ
ンダクタンス9.の大きいトランジスタを用いれば良い
ことになるが、相互コンダクタンスの大きさに比例して
差″勧増幅回路の電圧利得が大きくなり、それに対応し
て帯域。
位相特性を安定に維持する為の容量素子CIを大きくし
なければならないものとなる。この容量素子C1の容量
を大きくすると、差動増幅器としての周波数帯域を制限
することになり、結果的には電圧比較動作を高速化する
ことができないものとなる。 又演算増幅器の帯域は一
般には1〜lOMHzであり、この演算増幅器を電圧比
較器として動作させると、0.5〜5μ3程度の時間を
要する欠点があった。更に入力電圧差の大きさによって
電圧比較速度が変化し、微小電圧差の入力に対して応答
が遅くなり、且つ比較的大きな低周波雑音によって不安
定動作状態となる欠点もあった。又演算増幅器の電圧利
得が有限である為、極めて微(15) 小な電圧差の場合は、充分な出力電圧が得られないもの
であった。即ち低感度であった。
なければならないものとなる。この容量素子C1の容量
を大きくすると、差動増幅器としての周波数帯域を制限
することになり、結果的には電圧比較動作を高速化する
ことができないものとなる。 又演算増幅器の帯域は一
般には1〜lOMHzであり、この演算増幅器を電圧比
較器として動作させると、0.5〜5μ3程度の時間を
要する欠点があった。更に入力電圧差の大きさによって
電圧比較速度が変化し、微小電圧差の入力に対して応答
が遅くなり、且つ比較的大きな低周波雑音によって不安
定動作状態となる欠点もあった。又演算増幅器の電圧利
得が有限である為、極めて微(15) 小な電圧差の場合は、充分な出力電圧が得られないもの
であった。即ち低感度であった。
発明の目的
本発明は、前述の従来例の欠点を改善し、高速且つ高感
度化することを目的とするものである。
度化することを目的とするものである。
以下実施例について詳細に説明する。
発明の実施例
第2図は本発明の一実施例の回路構成を示すものであり
、第1図と同一符号は同一部分を示し、M13.M14
は正帰還用のソース接地回路を構成するトランジスタ、
M2S、M2Cは動作モード切換用のスイッチ回路を構
成するトランジスタ、C2は正帰還用の容量素子、φ1
.φ2はスイッチ回路を制御する為の制御クロックであ
る。トランジスタMll、M12からなるソース接地回
路を第1の反転形増幅回路とすると、トランジスタM1
3.M14からなるソース接地回路は第2の反転形増幅
回路となる。トランジスタ・M2Cのゲートに加える制
御クロックφ1がVDDのレベルで且つトランジスタM
1’5のゲートに加える制御(5) (4) クロックφ2が■ssのレベルのとき、トランジスタM
15.M16からなるスイッチ回路はオン状態となり、
制御クロックφ1がVj5のレベルで且つml Ifク
ロックφ2がvDt、のレベルのときオフ状態となる。
、第1図と同一符号は同一部分を示し、M13.M14
は正帰還用のソース接地回路を構成するトランジスタ、
M2S、M2Cは動作モード切換用のスイッチ回路を構
成するトランジスタ、C2は正帰還用の容量素子、φ1
.φ2はスイッチ回路を制御する為の制御クロックであ
る。トランジスタMll、M12からなるソース接地回
路を第1の反転形増幅回路とすると、トランジスタM1
3.M14からなるソース接地回路は第2の反転形増幅
回路となる。トランジスタ・M2Cのゲートに加える制
御クロックφ1がVDDのレベルで且つトランジスタM
1’5のゲートに加える制御(5) (4) クロックφ2が■ssのレベルのとき、トランジスタM
15.M16からなるスイッチ回路はオン状態となり、
制御クロックφ1がVj5のレベルで且つml Ifク
ロックφ2がvDt、のレベルのときオフ状態となる。
スイッチ回路がオン状態のとき、ソースホロワ回路のト
ランジスタM9のゲートの電圧vbは、トランジスタM
ll、M12のソース接地回路の出力電圧Voとなり、
又Vcで示す電圧はトランジスタM13.M14のソー
ス接地回路の出力電圧である。容量素子C2は前述の電
圧Vb、Vcの差により充電される。この電圧vbは、
トランジスタMll、M12のソース接地回路の出力イ
ンピーダンスが低いことから、容量素子C2を介した電
圧Vcの変化の影響を殆ど受けないものとなり、差動増
幅回路の出力電圧Vaに応じたトランジスタM11.M
12のソース接地回路の出力電圧Voによって支配され
るものとなる。従って容量素子C2とトランジスタM1
3.M14のソース接地回路は殆ど機能しない状態とな
る。即ち(6) 第113!!lに示す従来の回路構成と同等の演算増幅
器として動作することになる。
ランジスタM9のゲートの電圧vbは、トランジスタM
ll、M12のソース接地回路の出力電圧Voとなり、
又Vcで示す電圧はトランジスタM13.M14のソー
ス接地回路の出力電圧である。容量素子C2は前述の電
圧Vb、Vcの差により充電される。この電圧vbは、
トランジスタMll、M12のソース接地回路の出力イ
ンピーダンスが低いことから、容量素子C2を介した電
圧Vcの変化の影響を殆ど受けないものとなり、差動増
幅回路の出力電圧Vaに応じたトランジスタM11.M
12のソース接地回路の出力電圧Voによって支配され
るものとなる。従って容量素子C2とトランジスタM1
3.M14のソース接地回路は殆ど機能しない状態とな
る。即ち(6) 第113!!lに示す従来の回路構成と同等の演算増幅
器として動作することになる。
又スイッチ回路をオフ状態とすると、vbの電圧は容量
素子C2によって保持されるので、動作中心電圧は変化
しないものとなる。又電圧vbは容量素子C2を介して
電圧Vcの変化の影響を受けるものとなり、スイッチ回
路がオン状態のときに形成されていたトランジスタM1
]、M12のソース接地回路、トランジスタMI5.M
16のスイッチ回路、トランジスタM9..MIOのソ
ースホロワ回路及び位相補償用の容量素子CIによる負
帰還ループは、スイッチ回路がオフ状態となることによ
り、トランジスタMll、M12のソース接地回路、ト
ランジスタM13.M14のソース接地回路、容量素子
C2,トランジスタM9MIOのソースホロワ回路及び
容量素子C1の径路の正帰還ループに切換えられ、この
正帰還ループにより電圧Vaの変化は容量素子CIを介
して助長されることになる。
素子C2によって保持されるので、動作中心電圧は変化
しないものとなる。又電圧vbは容量素子C2を介して
電圧Vcの変化の影響を受けるものとなり、スイッチ回
路がオン状態のときに形成されていたトランジスタM1
]、M12のソース接地回路、トランジスタMI5.M
16のスイッチ回路、トランジスタM9..MIOのソ
ースホロワ回路及び位相補償用の容量素子CIによる負
帰還ループは、スイッチ回路がオフ状態となることによ
り、トランジスタMll、M12のソース接地回路、ト
ランジスタM13.M14のソース接地回路、容量素子
C2,トランジスタM9MIOのソースホロワ回路及び
容量素子C1の径路の正帰還ループに切換えられ、この
正帰還ループにより電圧Vaの変化は容量素子CIを介
して助長されることになる。
従って、極めて微小な電圧Vaの変化でも出力電圧Vo
は最大出力電圧まで変化する七共に、その出力電圧Vo
はスイッチ回路がオフ状態で正帰還ループが形成されて
いる期間保持されることになる。又トランジスタM4〜
M8からなる差動増幅回路の周波数帯域を制限していた
容量素子C1を含む負帰還ループが、スイッチ回路のオ
フにより正帰還ループに切換えられることになるから、
差動増幅回路の負荷が軽減されて広帯域化することがで
きる。これによって電圧Vaの変化速度は非常に速くな
る。又制御クロックφ1.φ2は相互に反対位相のもの
であり、スイッチ回路を制御して負帰還回路と正帰還回
路との切換えを行うものであって、高速動作を必要とし
、出力信号を一時保持する場合に、正帰還回路を形成す
るように切換えを行えば良いことになり、任意のタイミ
ングの切換えが可能のものである。
は最大出力電圧まで変化する七共に、その出力電圧Vo
はスイッチ回路がオフ状態で正帰還ループが形成されて
いる期間保持されることになる。又トランジスタM4〜
M8からなる差動増幅回路の周波数帯域を制限していた
容量素子C1を含む負帰還ループが、スイッチ回路のオ
フにより正帰還ループに切換えられることになるから、
差動増幅回路の負荷が軽減されて広帯域化することがで
きる。これによって電圧Vaの変化速度は非常に速くな
る。又制御クロックφ1.φ2は相互に反対位相のもの
であり、スイッチ回路を制御して負帰還回路と正帰還回
路との切換えを行うものであって、高速動作を必要とし
、出力信号を一時保持する場合に、正帰還回路を形成す
るように切換えを行えば良いことになり、任意のタイミ
ングの切換えが可能のものである。
第3図は本発明の他の実施例の回路構成を示すもので、
第2図と同一符号は同一部分を示す。この実施例は、制
御クロックφ1がゲートに加えられるトランジスタM1
7によりスイッチ回路を構成し、トランジスタMIOの
ゲートの電圧Veをバイアス回路による電圧とするか、
出力電圧V。
第2図と同一符号は同一部分を示す。この実施例は、制
御クロックφ1がゲートに加えられるトランジスタM1
7によりスイッチ回路を構成し、トランジスタMIOの
ゲートの電圧Veをバイアス回路による電圧とするか、
出力電圧V。
を容量素子C2を介したものとするかをスイッチ回路で
切換えるものである。このスイッチ回路がオン状態のと
きは、電圧Veはバイアス回路からの電圧に固定される
為、出力電圧Voの変化が容量素子C2を介して電圧V
eに影響を及ぼすことは殆どないものとなる。従ってス
イッチ回路をオン状態とすると、第1図に示す従来例の
回路構成と同様に動作することになる。
切換えるものである。このスイッチ回路がオン状態のと
きは、電圧Veはバイアス回路からの電圧に固定される
為、出力電圧Voの変化が容量素子C2を介して電圧V
eに影響を及ぼすことは殆どないものとなる。従ってス
イッチ回路をオン状態とすると、第1図に示す従来例の
回路構成と同様に動作することになる。
又制御クロックφ1によりトランジスタM17からなる
スイッチ回路をオフ状態とすると、トランジスタMIO
のゲートへの直流電圧は容量素子C2により保持され、
月つ出力電圧Voは容量素子C2を介してトランジスタ
MIOのゲートへ伝達される。この場合トランジスタM
9.MIOのゲートには同一の出力電圧Voの変化が加
えられることになるが、トランジスタMIOの相互コン
ダクタンス&をトランジスタM9の相互コンダクタンス
91より大きく設定しておくことにより、電(9) (8) 圧Vdは出力型−圧Voの変化に対して逆相の変化とな
り、トランジスタM9.MIOの回路は第2の反転形増
m回路として動作することになる。それによって、トラ
ンジスタMll、M12のソース接地回路、容量素子C
2,トランジスタM9゜MIOの回路及び容量素子C1
の径路の正帰還ループが形成されることになり、第2図
に示す実施例のスイッチ回路のオフ状態の場合と同様に
動作することになる。
スイッチ回路をオフ状態とすると、トランジスタMIO
のゲートへの直流電圧は容量素子C2により保持され、
月つ出力電圧Voは容量素子C2を介してトランジスタ
MIOのゲートへ伝達される。この場合トランジスタM
9.MIOのゲートには同一の出力電圧Voの変化が加
えられることになるが、トランジスタMIOの相互コン
ダクタンス&をトランジスタM9の相互コンダクタンス
91より大きく設定しておくことにより、電(9) (8) 圧Vdは出力型−圧Voの変化に対して逆相の変化とな
り、トランジスタM9.MIOの回路は第2の反転形増
m回路として動作することになる。それによって、トラ
ンジスタMll、M12のソース接地回路、容量素子C
2,トランジスタM9゜MIOの回路及び容量素子C1
の径路の正帰還ループが形成されることになり、第2図
に示す実施例のスイッチ回路のオフ状態の場合と同様に
動作することになる。
第4図は本発明の更に他の実施例の回路構成を示すもの
で、第2図及び第3図と同一符号は同一部分を示す。こ
の実施例では、制御クロックφ2がゲートに加えられる
トランジスタM18がスイッチ回路を構成し、トランジ
スタM13のゲートに容量素子C3を介して出力電圧v
Oの変化を伝達するか、バイアス回路からの電圧を加え
るかをスイッチ回路で切換えるものである。スイッチ回
路をオン状態とすると、トランジスタM13のゲートの
電圧Vfは、トランジスタM1〜M3からなるバイアス
回路の電圧に固定されるから、容量(10) 素子C3を介した出力電圧Voの変化の伝達は殆どない
ものとなり、従って容量素子c2を介した正帰還ループ
が形成されない状態となるから、第1図に示す従来例の
回路構成と同様な動作状態となる。
で、第2図及び第3図と同一符号は同一部分を示す。こ
の実施例では、制御クロックφ2がゲートに加えられる
トランジスタM18がスイッチ回路を構成し、トランジ
スタM13のゲートに容量素子C3を介して出力電圧v
Oの変化を伝達するか、バイアス回路からの電圧を加え
るかをスイッチ回路で切換えるものである。スイッチ回
路をオン状態とすると、トランジスタM13のゲートの
電圧Vfは、トランジスタM1〜M3からなるバイアス
回路の電圧に固定されるから、容量(10) 素子C3を介した出力電圧Voの変化の伝達は殆どない
ものとなり、従って容量素子c2を介した正帰還ループ
が形成されない状態となるから、第1図に示す従来例の
回路構成と同様な動作状態となる。
又制御クロックφ2によりスイッチ回路をオフ状態とす
ると、トランジスタM18のゲートの電圧V「は、容量
素子C3を介して出力電圧Voの変化による影響を受け
るものとなり、電圧Vcの変化が容量素子C2を介して
帰還される。この場合容量素子C1を介して負帰還がか
けられているので、 1G131 ・C2>IC91・CI(なお、G13
はトランジスタM13.M14の利得、C9はトランジ
スタM9.MIOの利得である。)の条件で設定するか
、或いはトランジスタM9.MIOのソースホロワ回路
の出力端子と容量素子C1との間にスイッチ回路を設け
て、負帰還ループを切り離すことが必要である。
ると、トランジスタM18のゲートの電圧V「は、容量
素子C3を介して出力電圧Voの変化による影響を受け
るものとなり、電圧Vcの変化が容量素子C2を介して
帰還される。この場合容量素子C1を介して負帰還がか
けられているので、 1G131 ・C2>IC91・CI(なお、G13
はトランジスタM13.M14の利得、C9はトランジ
スタM9.MIOの利得である。)の条件で設定するか
、或いはトランジスタM9.MIOのソースホロワ回路
の出力端子と容量素子C1との間にスイッチ回路を設け
て、負帰還ループを切り離すことが必要である。
前述の各実施例に於ては、CMO3)ランジスC11)
夕により構成し−た場合を示すものであるが、pチャネ
ルMO3又はnヂャネルMO3I−ランジスタにより構
成することもできる。又差動増幅回路の代りに1入力端
子の通常の増幅回路とすることもできる。即ち前置増幅
回路としては差動増幅回路にのみ限定されないものであ
る。
ルMO3又はnヂャネルMO3I−ランジスタにより構
成することもできる。又差動増幅回路の代りに1入力端
子の通常の増幅回路とすることもできる。即ち前置増幅
回路としては差動増幅回路にのみ限定されないものであ
る。
発明の詳細
な説明したように、本発明は、入力信号を増幅する差動
増幅回路等の前置増幅回路の出力信号を、第1の反転形
増幅回路(例えばトランジスタMll、M12からなる
ソース接地回路)により反転増幅して出力端子OUTか
ら出力し、この出力端子OUTからの出力信号と同相の
信号を容量素子CIを介して第1の反転形増幅回路の入
力端子に伝達する負帰還回路と、第1の反転形増幅回路
の出力信号を第2の反転形増幅回路(例えばトランジス
タM13.M14からなるソース接地回路)により反転
増幅した信号を容量素子C2を介して第1の反転形増幅
回路の入力端子に伝達する正帰還回路とを、制御クロッ
クよりスイッチ回路11 り蒐 を動作させて切換えるものであり、正帰還回路に切換え
ることにより、高感度の高速動作を実現することができ
る。特に電圧比較器として動作させる場合には、安定な
動作を行わせる上で必要とする出力電圧保持機能も同時
に実現することができるものとなる。従って各種の信号
の増幅や比較増幅を行う増幅器に通用することができる
。例えばアナログ・ディジタル変換器の従来例は、演算
増幅器と電圧比較器とを、専用の高性能のものを使用し
て構成していたが、本発明の増幅器を適用すれば、高感
度であることにより電圧比較と増幅とを行う構成とする
ことができ、小形化、低電力化、経済化を図ることがで
きるものとなる。
増幅回路等の前置増幅回路の出力信号を、第1の反転形
増幅回路(例えばトランジスタMll、M12からなる
ソース接地回路)により反転増幅して出力端子OUTか
ら出力し、この出力端子OUTからの出力信号と同相の
信号を容量素子CIを介して第1の反転形増幅回路の入
力端子に伝達する負帰還回路と、第1の反転形増幅回路
の出力信号を第2の反転形増幅回路(例えばトランジス
タM13.M14からなるソース接地回路)により反転
増幅した信号を容量素子C2を介して第1の反転形増幅
回路の入力端子に伝達する正帰還回路とを、制御クロッ
クよりスイッチ回路11 り蒐 を動作させて切換えるものであり、正帰還回路に切換え
ることにより、高感度の高速動作を実現することができ
る。特に電圧比較器として動作させる場合には、安定な
動作を行わせる上で必要とする出力電圧保持機能も同時
に実現することができるものとなる。従って各種の信号
の増幅や比較増幅を行う増幅器に通用することができる
。例えばアナログ・ディジタル変換器の従来例は、演算
増幅器と電圧比較器とを、専用の高性能のものを使用し
て構成していたが、本発明の増幅器を適用すれば、高感
度であることにより電圧比較と増幅とを行う構成とする
ことができ、小形化、低電力化、経済化を図ることがで
きるものとなる。
第1図は従来の演算増幅器の回路、第2図乃至第4図は
本発明のそれぞれ異なる実施例の回路を示すものである
。 M1〜M3はバイアス回路を構成するトランジスタ、M
4〜M8は差動増幅回路を構成するトランジスタ、M9
.MIOはソースホロワ回路を構(13) (IZ7 成するトランジスタ、Mll、M12はソース接地回路
で第1の反転形増幅回路を構成するトランジスタ、M1
3.M14はソース接地回路で第2の反転形増幅回路を
構成するトランジスタ、M15〜M1Bはスイッチ回路
を構成するトランジスタ、φ1.φ2は制御クロック、
INI、IN2は入力端子、OUTは出力端子、C1は
位相補償用の容量素子、C2は正帰還用の容量素子、C
3は容量素子である。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 玉蟲久五部 外3名 (14)
本発明のそれぞれ異なる実施例の回路を示すものである
。 M1〜M3はバイアス回路を構成するトランジスタ、M
4〜M8は差動増幅回路を構成するトランジスタ、M9
.MIOはソースホロワ回路を構(13) (IZ7 成するトランジスタ、Mll、M12はソース接地回路
で第1の反転形増幅回路を構成するトランジスタ、M1
3.M14はソース接地回路で第2の反転形増幅回路を
構成するトランジスタ、M15〜M1Bはスイッチ回路
を構成するトランジスタ、φ1.φ2は制御クロック、
INI、IN2は入力端子、OUTは出力端子、C1は
位相補償用の容量素子、C2は正帰還用の容量素子、C
3は容量素子である。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 玉蟲久五部 外3名 (14)
Claims (1)
- 入力信号を増幅する前置増幅回路と、該前置増幅回路の
出力信号を増幅する第1の反転形増幅回路と、該第1の
反転形増幅回路の出力信号と同相の信号を該第1の反転
形増幅回路の入力端子に容量素子を介して伝達する負帰
還回路と、前記第1の反転形増幅回路の出力信号を反転
して出力する第2の反転形増幅回路と、該第2の反転形
増幅回路の出力信号を容量素子を介して前記第1の反転
形増幅回路の入力端子に伝達する正帰還回路と、前記負
帰還回路と前記正帰還回路とを制御クロックで切換える
回路とを備えたことを特徴とする増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57101663A JPS58219816A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57101663A JPS58219816A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58219816A true JPS58219816A (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=14306607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57101663A Pending JPS58219816A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58219816A (ja) |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57101663A patent/JPS58219816A/ja active Pending
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