JPH0786850A - 完全差動演算増幅器、および差動演算増幅器における同相再構築の方法 - Google Patents

完全差動演算増幅器、および差動演算増幅器における同相再構築の方法

Info

Publication number
JPH0786850A
JPH0786850A JP6194071A JP19407194A JPH0786850A JP H0786850 A JPH0786850 A JP H0786850A JP 6194071 A JP6194071 A JP 6194071A JP 19407194 A JP19407194 A JP 19407194A JP H0786850 A JPH0786850 A JP H0786850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
voltage
bias
transistor
channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6194071A
Other languages
English (en)
Inventor
Geoffrey E Brehmer
ジェフェリー・イー・ブレマー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Devices Inc
Original Assignee
Advanced Micro Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Devices Inc filed Critical Advanced Micro Devices Inc
Publication of JPH0786850A publication Critical patent/JPH0786850A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • H03F3/45192Folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45636Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H03F3/45641Measuring at the loading circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45654Controlling the active amplifying circuit of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/331Sigma delta modulation being used in an amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45028Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are folded cascode coupled transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45036Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are single transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45074A comparator circuit compares the common mode signal to a reference before controlling the differential amplifier or related stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45134Indexing scheme relating to differential amplifiers the whole differential amplifier together with other coupled stages being fully differential realised
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45182Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier contains one or more cascode current mirrors in the load
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45244Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier contains one or more explicit bias circuits, e.g. to bias the tail current sources, to bias the load transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45272Indexing scheme relating to differential amplifiers the output current being increased by a transistor which being controlled by the input signal to source current
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45278Two SEPP stages are added to the differential amplifier, the outputs of the two SEPP stages being the two outputs of the whole amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45424Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a comparator circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45478Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a cascode mirror circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低電源電圧の応用のための改良された同相回
路を備える低電圧完全差動演算増幅器4を提供する。 【構成】 この増幅器は、反転入力112および非反転
入力110とデュアル・エンデッド反転出力114およ
び非反転出力115とを含む。この増幅器はさらに、出
力をプッシュするためのソーストランジスタと出力をプ
ルするためのシンクトランジスタとを含み、特定の出力
電圧スイングを得る。入力と出力との間の接続にはDC
バイアス回路を含む。この増幅器はさらに同相回路を含
み、高いレベルの同相信号再構築を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の分野】この発明は、演算増幅器として用いるた
めの完全差動増幅器に関し、より特定的には、独自のD
Cバイアス機構を有し、新規の同相再構築技術を組込
む、低電源電圧の動作のためのの完全差動演算増幅器に
関する。
【0002】
【発明の背景】完全差動増幅器は、電子装置の一般的な
構成要素である。完全差動増幅器とは、2つの入力と2
つの出力とを備えた増幅器である。出力は、入力が増幅
されたものである。これらの増幅器は、増幅器への2つ
の入力信号を増幅して、二重の増幅された出力をもたら
すように機能する。
【0003】完全差動増幅器は、弱い信号(たとえば低
電源電圧構成において)が「ピックアップ」および他の
雑多な雑音に汚染され得る多くの応用において重要であ
る。電池に電力を供給されるまたは携帯用通信装置等の
低電源電圧動作が多い場合には、シングル・エンデッド
入力(すなわち絶対値を有する単一で個々の入力信号)
が入力され、増幅器がそれを用いると、その信号ととも
に入力される不所望の「ピックアップ」および雑音も捕
捉され、所望の入力信号とともに増幅されるおそれがあ
る。この場合、増幅器からの出力は、特定の「ピックア
ップ」または他の雑音に依存して、所望の出力とは異な
る。逆に、増幅器が完全差動増幅器であり、二重の入力
および二重の出力を有していれば、増幅器への両方の入
力が同じ「ピックアップ」または雑音信号を同時に捕捉
し、これらの「ピックアップ」または雑音信号は、所望
の入力信号とともに増幅され、それぞれの出力を与え
る。2つの出力の差を決定する際に、出力の増幅された
「ピックアップ」/雑音成分は互いに相殺し、これらの
不所望の信号の、またはそれからの差動増幅効果が生じ
ることはない。
【0004】完全差動増幅器は、一般に同相回路を含
む。典型的な完全差動増幅器において、同相回路は基準
アナログ電圧信号を受け、出力の電圧を基準アナログ電
圧信号の電圧に近くもたらすための必要に応じて、完全
差動増幅器の出力をプッシュまたはプルするように機能
する。2つの出力信号電圧を基準アナログ電圧に近くも
たらすためにプッシュするまたはプルするプロセスは、
「同相再構築」と称される。効果的な同相再構築は、完
全差動増幅器の所望の特性である。
【0005】よりよく理解するために、かつ非常に単純
化した形態では、単一段完全差動増幅器は、2つの入力
と2つの出力と、同相再構築のためのある手段とからな
るものとして考えることができる。出力の各々は、接地
に関してトランジスタのコレクタを下げる。増幅器回路
の応答は、同相信号に対しては非同相(または「差
動」)信号とは異なる。同相信号は、同相の各入力を等
しい振幅の電圧で駆動する。一方、差動信号は、入力の
両方ではなく片方に与えられ、それに信号が与えられる
特定の入力のみを駆動する。動作において、完全差動増
幅器は差動信号入力を取込み、差動出力を生成し、各々
の位相および振幅はそれぞれの入力信号およびフィード
バックを考慮することによって決定され、増幅器は同相
信号入力を取込んで、同相でかつ振幅の等しい電圧のこ
れらの同相入力に関して2つの出力を生成する。差動お
よび同相信号の双方が2つの入力に同時に入力されれ
ば、完全差動増幅器の各出力は、それぞれの入力の2つ
の成分、すなわち同相信号成分および差動信号成分によ
って決定される。完全差動増幅器の2つの出力の差を決
定する際に、同相信号に起因すると考えられる各出力の
成分は相殺され得る。
【0006】完全差動増幅器は、あらゆる固体増幅器と
同様に、何らかの形のバイアスを必要とする。最小の点
で、いかなる固体増幅器のベース−ソース接合も逆バイ
アスされなくてはならない。所望の出力電圧スイング等
の所望される増幅器の動作を得るのに、他のバイアス法
が適切であるかもしれない。いずれにせよ、所望される
バイアスは、バイアス網を介して対応するトランジスタ
素子に電圧を印加することによって生成される。バイア
ス網は、典型的には多くの目的に叶い、バイアス網のど
の場合にも、ある目的のためにバイアスすることが、増
幅器回路動作の他の局面に影響を与えるかもしれない。
【0007】整合ベース−エミッタバイアスと称される
こともある、あるバイアス技術が、カレントミラーと呼
ばれるものを形成するのに用いられる。カレントミラー
は、電流源が必要な多数の例において、完全差動増幅器
装置では重要である。カレントミラーの一般的な構成
は、ウィルソンミラーと称されることがある。ウィルソ
ンミラーとは、直列に接続された一対のgm pチャネ
ルまたはnチャネルMOSFET装置である。この構成
において一方の足部は、他方の足部で直列されている2
つのトランジスタによって反射される基準電流を有す
る。この技術はほとんどの場合には電流を十分に反射さ
せるように機能するが、しかしながら、低電力の応用で
は、直列の2つのトランジスタに比較的大きな電圧降下
が起こる。この電圧降下は、増幅器の可能な出力電圧ス
イングのかなりの量を吸収し、したがって実際の出力電
圧スイングは、その電源から得られる動作電圧の範囲よ
りも狭い範囲内であることが多い。
【0008】バイアスに加えて、完全差動増幅器では同
相信号(すなわち「ピックアップ」または他の雑音)の
差信号(出力を生成する)への変換を妨げるのに十分な
動作特性を有することが重要である。上述のように、完
全差動増幅器は、それぞれの二重入力に応答して二重出
力を生成することで動作する。これらの増幅器のリード
線の双方とも、同じ「ピックアップ」および他の雑多な
雑音(すなわち同相信号)を同時に捕捉し、これがそれ
ぞれの出力に増幅されて現れる。次に、典型的には、出
力が差の決定を受け、その際に各出力において増幅して
現れる「ピックアップ」/雑音信号が相殺される。
【0009】完全差動増幅器は、演算増幅器である。こ
れらは、出力を1つではなく2つ有することを除けば、
全く同じ特性を有する。その効果において、完全差動演
算増幅器は、基準電圧を「見て」、出力端子をスイング
させて、出力の電圧がその特定の増幅器の電源電圧と近
くなるように動作する。理想的な構成では、出力の各々
の電圧のスイングは、電源動作電圧の範囲と同じくらい
大きくなり得る。たとえば、0ないし5ボルトの電源電
圧範囲をもたらす電源が完全差動増幅器を動作させれ
ば、各出力の電圧は、理論的には0ないし5ボルトの間
でスイングできる。同様に、完全差動増幅器に関して0
ないし2.7ボルトの電源電圧範囲をもたらす電源の場
合には、各出力について0−2.7ボルトのスイングが
理論的には可能である。そのため、これらはそれぞれ0
−5電源電圧および0−2.7電源電圧の理想的なケー
スである。
【0010】実際には、これらの理想的な条件は完全に
満たされるわけではない、現実には、完全差動演算増幅
器は、電源動作電圧範囲の概ね中間電圧の範囲で動作可
能であり、各出力の電圧スイングは、概ねこの中間電圧
±ΔVとなり、電源から利用可能な電源電圧を考えれ
ば、これは理論的に可能な出力電圧をいくぶん下回る。
実用において、完全差動演算増幅器は、典型的には、最
もよく機能して、コモンレベル電圧と考えられる、2つ
の出力の中間電圧のあたりである。
【0011】この発明は、改良された同相回路を有する
低電圧完全差動演算増幅器である。この増幅器は、低い
電源電圧で動作するように設計されるが、より高い電圧
の応用で見られる出力範囲の性能に関する要件を満た
す。この増幅器は、より効果的な同相再構築を提供す
る、改良された同相回路および改良されたDCバイアス
機構を含む。これらの特徴によって、増幅器の出力は、
低電源電圧の応用においてさえも、実質的により大きな
範囲でスイングすることができ、たとえば、利得帯域
幅、出力スイング、安定性、同相再構築、および製造可
能性といった、先行技術に見られる多岐にわたる多くの
問題を解決することができる。
【0012】
【発明の概要】この発明は、改良された同相回路を備え
る低電圧完全差動演算増幅器である。一実施例におい
て、完全差動演算増幅器は、反転入力と、非反転入力
と、第1の出力と、第2の出力と、基準電圧入力と、反
転入力および非反転入力を増幅して第1の出力および第
2の出力をもたらす手段と、基準電圧入力ならびに第1
の出力および第2の出力を受取り、かつ第1の出力およ
び第2の出力の各々をプッシュまたはプルして、出力の
電圧を増幅器の電源電圧に実質的に近くする同相再構築
のための手段とを含む。
【0013】別の局面において、同相再構築のための手
段は、第1の出力および第2の出力に接続されて、その
出力間の何らかの差を決定するための差決定手段と、出
力間の何らかの差に応答して選択的に動作可能である、
出力をハイにプッシュするための手段と、出力間の何ら
かの差に応答して選択的に動作可能である、出力をロウ
にプルするための手段とを含む。
【0014】さらに別の局面において、同相再構築のた
めの手段は、同相回路を含む。さらに別の局面におい
て、完全差動演算増幅器はさらに、プッシュするための
手段に接続される少なくとも1つのカスコード手段と、
プルするための手段に接続される少なくとも1つのカス
コード手段とを含む。
【0015】さらに別の局面において、同相再構築のた
めの手段は、DCバイアス回路を含む。
【0016】さらに別の局面において、同相再構築のた
めの手段は、電源電圧の範囲の約中間である、外部から
供給されたアナログ接地基準電圧の入力、および、第1
の出力と第2の出力の差として決定される差信号の入力
を含み、この入力の各々はpチャネルトランジスタのゲ
ートに送られ、各pチャネルトランジスタは、直列接続
されたnチャネルトランジスタに接続され、このnチャ
ネルトランジスタの各々は共通のドレインを有し、直列
接続されたpチャネルトランジスタが入力間を接続す
る。
【0017】さらに別の局面において、プッシュするた
めの手段は、少なくとも1つのソーストランジスタであ
り、プルするための手段は少なくとも1つのシンクトラ
ンジスタである。
【0018】さらに別の局面において、DCバイアス回
路は、プルするための手段にバイアス電圧を確立し、こ
れによって実質的に出力の全範囲においてプルするため
の手段を飽和状態に維持する。
【0019】さらに別の局面において、増幅するための
手段はDCバイアス回路を含み、DCバイアス回路は、
4つの同一サイズのnチャネルトランジスタを含み、こ
のnチャネルトランジスタのうちの3つは、第2のバイ
アス電流入力を受取り、nチャネルトランジスタのうち
の1つは、第1のバイアス電流入力を受取り、さらに第
1のバイアス電流入力を受取るnチャネルトランジスタ
と第2のバイアス電流入力を受取る2つのnチャネルト
ランジスタとに接続される3つの同一サイズのnチャネ
ルシンクトランジスタを含み、残りのnチャネルトラン
ジスタは、第2のバイアス電流入力を受取り、かつ選択
トランジスタに接続され、選択トランジスタは、少なく
とも1つのソーストランジスタの各々の間、および少な
くとも1つのシンクトランジスタの各々の間でカレント
ミラー動作を維持するのに所望の特性を有し、それによ
って少なくとも1つのソーストランジスタおよび少なく
とも1つのシンクトランジスタは、出力のスイングの全
範囲にわたって飽和領域に維持されることとなる。
【0020】さらに別の局面において、DCバイアス回
路は、前記プルするための手段にバイアス電圧を確立
し、それによってプルするための手段を実質的に出力の
電圧の全範囲にわたって飽和状態に維持する。
【0021】さらに別の局面において、pチャネルトラ
ンジスタの各々は、少なくとも1つの印加バイアス電圧
によってバイアスされ、直列接続されるnチャネルシン
クトランジスタの各々の少なくとも1つは、少なくとも
1つの異なる印加バイアス電圧によってバイアスされ
る。
【0022】さらに別の局面において、DCバイアス回
路は、プルするための手段にバイアス電圧を選択的に確
立して、それによってプルするための手段を出力の電圧
の実質的に全範囲にわたって飽和状態に維持し、プッシ
ュするための手段にもこれを確立して、それによってプ
ッシュするための手段を出力の電圧の実質的に全範囲に
わたって飽和状態に維持する。
【0023】別の局面において、完全差動演算増幅器は
さらに、プッシュするための手段に接続される少なくと
も1つのカスコード手段と、プルするための手段に接続
される少なくとも1つのカスコード手段とを含み、DC
バイアス回路はまた、プッシュするための手段に接続さ
れる少なくとも1つのカスコード手段に、およびプルす
るための手段に接続される少なくとも1つのカスコード
手段にバイアス電圧を確立する。
【0024】さらに別の局面において、直列接続される
nチャネルトランジスタ各々の少なくとも1つは、DC
バイアス回路によって確立されたバイアス電圧によって
バイアスされる。
【0025】されに別の局面において、同相再構築のた
めの手段は、その電流が増幅手段の電流を実質的に反映
する同相回路を含む。
【0026】さらに別の局面において、第2のバイアス
電流入力を受取るnチャネルトランジスタの残りの1
つ、および選択トランジスタは、各直列接続nチャネル
トランジスタの少なくとも1つに接続されて、DCバイ
アス回路のnチャネルトランジスタの各々、および同相
再構築のための手段の直列接続nチャネルトランジスタ
の間でカレントミラー動作を維持する。
【0027】さらに別の局面において、同相回路は、電
源電圧の範囲の約中間点にある、外部から供給されたア
ナログ接地基準電圧の入力と、増幅器からの同相出力電
圧の入力とを含み、この入力の各々はpチャネルトラン
ジスタのゲートに送られ、各pチャネルトランジスタ
は、直列接続されたnチャネルトランジスタに接続さ
れ、このnチャネルトランジスタの各々は共通のドレイ
ンを有し、直列接続されたpチャネルトランジスタは入
力間を接続する。
【0028】この発明の別の実施例において、この発明
は、二重入力およびデュアル・エンデッド出力を有し、
さらにpチャネルソーストランジスタおよびnチャネル
シンクトランジスタを有する、完全差動演算増幅器の同
相回路およびDCバイアス回路であり、二重入力間の電
圧差が正であれば、出力の電圧レベルを電源電圧の値に
近くもたらすように、出力をハイにプッシュさせ、かつ
二重入力間の電圧差が負であれば、出力の電圧レベルを
接地の値に近づけるようにロウにプルさせるDCバイア
ス回路の改良点と以下のような同相回路の改良点を有す
る、すなわち同相回路は、電源電圧の範囲の約中間点に
ある、外部から供給されたアナログ接地基準電圧の入力
と、増幅器からの出力間の差である入力とを受取り、同
相回路の電流を実質的に反映して、これら入力を介して
増幅器に入力された同相信号に起因すると考えられ、か
つ増幅器内のそれに起因すると考えられる電圧降下によ
る電圧誤差を出力が考慮するように再構築する。
【0029】さらに別の実施例において、この発明は、
二重入力およびデュアル・エンデッド出力を有する差動
演算増幅器における同相再構築の方法であり、この増幅
器は、シンクトランジスタとソーストランジスタと、対
応するバイアストランジスタとを含み、この方法は、増
幅器の電源電圧範囲の約中間にある、外部から供給され
たアナログ接地基準電圧を第1のpチャネルトランジス
タのゲートに入力するステップと、出力の比較に基づく
差信号を増幅器から第2のpチャネルトランジスタのゲ
ートに入力するステップと、第1のpチャネルトランジ
スタおよび第2のpチャネルトランジスタの各々を直列
接続されるpチャネルトランジスタに接続するステップ
と、第1のpチャネルトランジスタを直接接続されるn
チャネルトランジスタに接続するステップとを含み、前
記nチャネルトランジスタの各々は共通のドレインを有
し、さらに第2のpチャネルトランジスタを直列接続さ
れるnチャネルトランジスタに接続するステップを含
み、前記nチャネルトランジスタの各々は共通のドレイ
ンを有し、さらに直列接続されるnチャネルトランジス
タの各々を共通の接地に接続するステップと、増幅器を
pチャネルトランジスタのドレインで接続するステップ
とを含む。
【0030】別の局面において、この方法はさらに、増
幅器をDCバイアス回路と接続するステップを含む。
【0031】さらに別の局面において、DCバイアス回
路は、バイアス回路のバイアストランジスタにかかる二
重バイアス電流の電圧差を考慮し、実質的に同一のバイ
アス電流をすべてのシンクトランジスタにもたらし、か
つ実質的に同一のバイアス電流を増幅器のすべてのソー
ストランジスタおよびすべてのシンクトランジスタにも
たらす。
【0032】別の局面において、この方法はさらに、カ
スコードトランジスタをシンクトランジスタおよびソー
ストランジスタの各々に接続するステップを含む。
【0033】さらに別の局面において、電源電圧は約0
ボルトないし約2.7ボルトの範囲にある。
【0034】さらに別の局面において、電源電圧は約0
ボルトないし約5ボルトの範囲にある。
【0035】この発明、ならびにそのさらなる目的およ
び利点をより完全に理解するために、添付の図面に関連
して以下の詳細な説明を参照する必要があるかもしれな
い。
【0036】
【実施例の詳細な説明】この発明の原理および利点を理
解するために、まず先行技術の単一段差動演算増幅器な
らびにその動作および特性を考慮することが有用であろ
う。まず図1を参照すると、このような先行技術の単一
段差動増幅器2が示される。増幅器2は一般に、単一段
増幅器セクションと、DCバイアス回路網と、同相再構
築回路段とを含む。単一段増幅器への入力は、反転入力
12と非反転入力10とからなる。増幅器2は、デュア
ル・エンデッド非反転および反転出力それぞれ14、1
5を有する。増幅器セクションはまた、pチャネルトラ
ンジスタ20、22、24、26、28、30の構成お
よびnチャネルトランジスタ32、34、36、38の
構成を含む。
【0037】引続き図1を参照すると、増幅器セクショ
ンは、入力段と出力段とを含む。増幅器2の入力段は、
入力10、12と、トランジスタ24、26と、これら
のトランジスタのためのバイアス電圧70a、72aを
有するバイアス電流70、72とを含む。増幅器の出力
段は、出力14、15(それぞれ正および負)、トラン
ジスタ20、22、32、34および28、30、3
6、38と、バイアス電圧66a、68aをそれぞれ有
するバイアス電流66、68とを含む。当業者には明ら
かなように、pチャネルトランジスタ20、28は、カ
スコード装置22、30とともに電流供給源として作用
し、nチャネルトランジスタ32、36は、カスコード
装置34、38とともに電流吸込源として作用する。
【0038】引続き図1を参照して、先行技術の単一段
増幅器2のDCバイアス回路網は、pチャネルトランジ
スタ50、52と、nチャネルトランジスタ54、5
6、58、60、62、64とを含む。DCバイアス回
路のこれらのnチャネルトランジスタ54、56、5
8、60、62、64への電流入力66、68は、nチ
ャネルカスコード装置34、38へのバイアス電圧入力
66a、68aとしても現れるのが認められる。pチャ
ネルトランジスタ50、52への電流入力70、72
は、入力段トランジスタ24、26およびpチャネルト
ランジスタ20、22、28、30へのバイアス電圧入
力70a、72aとして現れるのが認められる。
【0039】引続き図1を参照して、先行技術の増幅器
2はまた、ある同相回路を含むことが認められる。増幅
器2の同相回路は、nチャネルトランジスタ82、80
と、pチャネルトランジスタ84、86、88、90と
を含む。同相回路はまた、典型的には電源電圧範囲の中
間あたりである、外部から供給されたアナログ接地基準
電圧を受入れるように作用する入力92を含む。別の入
力94は、増幅器セクション出力14、15から発生さ
れた同相信号であり、この発生は典型的には、出力14
と15との間の抵抗分割器、または出力14と15との
間のスイッチド・コンデンサ分割技術による。いずれの
場合も、同相回路の目的は、出力14、15の電圧が基
準入力92の電圧にもたらされるように、出力14、1
5をプッシュするまたはプルする信号93を発生するこ
とである。
【0040】引続き図1を参照して、差動または同相回
路を備えた先行技術の増幅器2は以下のように動作す
る。一般に、入力10、12の電圧に差があれば、ソー
スまたはシンクトランジスタの両方の出力段に電流の不
均衡が起こり、その不均衡の極性に依存して、より多く
の電流が吐き出されるまたは吸い込まれることになる。
たとえば、2つの入力10、12が同一の電圧を有する
場合には、差動対が均等に分割され、回路が、電流供給
源と同じ電流を有する電流吸込源を生成する。すると、
一方の電位が上がりかつ他方の電位が下がると、電流の
不均衡が双方の出力段で起こり、不均衡の方向に依存し
てより多くの電流が吐き出される、または吸い込まれる
ことになる。先行技術の増幅器2の増幅器およびバイア
ス回路のこの一般的な動作とともに、増幅器の同相回路
は、同相再構築または補正電圧信号を増幅器の出力に供
給するように作用する。示される先行技術の同相回路
は、上述のように入力94として増幅器の出力14、1
5から発生されるDCレベルを、外部から供給されたア
ナログ接地基準電圧入力92と比較するように動作す
る。同相回路へのこれらの2つの入力92、94に基づ
いて、同相回路は、出力14、15の電圧がアナログ接
地基準電圧入力92の電圧にもたらされるように、出力
14、15をプッシュするまたはプルする信号93を発
生する。
【0041】先行技術の増幅器2のDCバイアスおよび
カレントミラー回路をより具体的に示す図2と関連して
図1を参照すると、この先行技術のバイアス網を寸法決
めする従来の態様は、バイアス網nチャネルトランジス
タ54、56、58、60、62、64のすべてを同一
の寸法に設定し、トランジスタ56に4倍のドレイン電
流を供給するというものである。この技術でトランジス
タ56に、Vt +1.4Vdsatに等しいVdsを生成し、
トランジスタ56および60のVt が類似しているので
(トランジスタ60のVt は実際には基板効果のために
やや高くなっている)、トランジスタ60にかかるゲー
ト−ソース降下によって、トランジスタ58は約1.3
dsatのVdsでバイアスされ、これがトランジスタ58
を飽和状態に保持する。
【0042】図2と関連して引続き図1を参照すると、
先行技術のこのバイアスおよびカレントミラー技術には
基本的に問題がある、というのはカレントミラー回路の
一方の足部におけるミラートランジスタ58は、他方の
足部の単一のトランジスタ54よりも小さい電圧降下V
dsを有するからである。ミラー回路の2つの足部におけ
る電圧降下の差によって、カレントミラー出力に不一致
が起こる。この不一致は、小さいが、装置全体が低電圧
で動作する場合にはかなりのものとなり得て、これらの
場合には、不一致が演算増幅器の動作特性全体を影響し
得る。明らかなように、不一致は、同相回路への電圧に
影響を及ぼす可能性があり、同相回路の動作がより効果
的でなくなる。ミラー回路の足部におけるトランジスタ
にかかる電圧降下の差に加えて、トランジスタVdsおよ
び、先行技術の設計のミラー回路における電流のミスマ
ッチは、プロセス、温度、電源電圧、および基準電流が
変わる結果として、変化し得る。さらに、回路で用いら
れるトランジスタの寸法における変化は、大きな不一致
の問題となり得る、というのは、先行技術の設計におい
てトランジスタの寸法を変え、かつ所望のカレントミラ
ーをもたらす簡単な方法は存在しないからである。明ら
かなように、さまざまな環境で不一致を実質的に低減
し、不一致を減じる利点を生かして同相再構築を改良す
る、改良された同相回路を含むこの発明は、当該分野に
おいて、特に低電源電圧の応用において大きな改良であ
る。
【0043】ここで図3を参照すると、この発明の単一
段完全差動増幅器4の好ましい実施例が示される。この
増幅器4は、改良された同相回路技術を組込む。この増
幅器4はまた、pチャネルソーストランジスタ120、
124、128およびnチャネルシンクトランジスタ1
32、136にかかる電圧降下が最小になるように設計
され、そのため出力114、115がより大きな範囲で
スイングできる。改良された同相回路は、この特定的な
増幅器4の設計とともに用いられれば特に効果的であ
る。改良された同相回路および増幅器4の設計全体は、
その各々の利点とともに、以下の詳細な説明からよりよ
く理解されるであろう。
【0044】引続き図3を参照すると、一般に増幅器4
は多くの点で先行技術の増幅器2(図1に図示される)
に類似して構成される。この発明は、単一段折り返しカ
スコード増幅器セクションとDCバイアス回路網との両
方を含む。単一段折り返しカスコード増幅器セクション
は、反転入力112および非反転入力110の入力を有
する。増幅器4はまた、デュアル・エンデッド非反転お
よび反転出力それぞれ114、115を有する。増幅器
セクションは、pチャネルトランジスタ120、12
2、124、126、128、130の構成と、nチャ
ネルトランジスタ132、134、136、138の構
成とからなる。
【0045】引続き図3を参照すると、増幅器4のDC
バイアス回路は、pチャネルトランジスタ170、17
2、174、176と、nチャネルトランジスタ15
0、152、154、156、158、160、16
2、164とからなるのが認められる。DCバイアス回
路への入力は、同一の電流の二重バイアス回路入力19
6、198を含む。この好ましい実施例におけるDCバ
イアス回路の機能および先行技術と比較したこの増幅器
4の違いは、この発明の増幅器のDCバイアス回路が、
電流供給源であるトランジスタ120、124、128
と、電流吸込源であるトランジスタ132、136と、
カスコード装置であるトランジスタ122、126、1
30、134、138とにバイアス電圧を確立するよう
に作用することである。この態様で、ソーストランジス
タ120、128とシンクトランジスタ132、136
との間のカレントミラー動作は、出力スイングのすべて
の値に関してこれらのトランジスタを飽和領域に維持す
る。
【0046】引続き図3を参照すると、先行技術と比較
したこの増幅器4の、別の非常に大きな違いは、この増
幅器4で用いられる改良された同相回路設計である。こ
の同相回路は、特に、この発明で用いられる特定のバイ
アスの概念を利用すると非常に効果的である。同相回路
は、増幅器セクションのnチャネルトランジスタ13
2、136のゲートへの電圧入力である信号193を生
成する。同相回路は一般にpチャネルトランジスタ21
8、220、222、224と、nチャネルトランジス
タ210、212、214、216とからなる。pチャ
ネルトランジスタ222、224は、バイアス電圧20
2、204によってバイアスされる。同相回路への入力
は、pチャネルトランジスタ218への外部から供給さ
れたアナログ接地基準電圧入力242と、pチャネルト
ランジスタ220への同相信号入力244とを含む。先
行技術に関して上述したように、同相信号入力244
は、増幅器4の出力114、115の間の抵抗分割器、
またはこれらの出力114、115の間のあるスイッチ
ド・コンデンサ分割技術等によって、従来の態様で発生
される。
【0047】引続き図3を参照すると、増幅器は以下の
ように機能する。一般に、入力112、110の電圧が
等しく、かつ増幅器の動作範囲内にあれば、出力段、す
なわちトランジスタ120、122、132、134お
よび128、130、136、138の電流は平衡され
る。入力112、110がその間の差電圧を有する場合
には、出力段は電力不均衡を有し、ハイまたはロウにプ
ルする。外部負荷容量およびフィードバックは、増幅器
4に補償および閉ループ機能性を与えるように作用す
る。低電源電圧の応用に関して増幅器4に有利な特性を
与える、増幅器4の重要な局面の1つは、シンクトラン
ジスタ132、136とソーストランジスタ120、1
24、128と、カスコードトランジスタ122、12
6、130、134、138とに形成されるバイアス回
路の特定の実現法である。この回路によって、増幅器4
は、低電源電圧の応用においてさえも、有利な動作特性
を示すことができる。これらの特定の局面を通して、増
幅器のトランジスタは飽和状態に維持され、カスコード
される負荷の使用により、電源供給拒否を改良する。増
幅器4の同相回路は、これらの特性を有利に活用し、そ
の構成にさらなる好都合な局面を与える。特に、同相回
路は、増幅器4の2つの出力114、115の中間点に
あるDCレベル入力244を受入れる。同相回路は次
に、DCレベル入力244を、電源電圧の中間点レベル
に等しいアナログ基準電圧入力242と比較する。DC
レベル入力244と基準電圧入力242とが異なれば、
その差の補正が同相信号193となり、同相再構築が行
なわれるように、すなわち増幅された出力114、11
5の電圧が基準電圧242に非常に近くなるように、プ
ッシュされる、またはプルされるように、増幅された出
力114、115を調整する。増幅器全体に関して、同
相回路はDCバイアス回路と類似したバイアス機構を用
いることに注目されたい。これは、すべてのVdsおよび
gs電位を等しく設定するように機能し、それによって
主増幅器と同相回路との電流の一致を最大にする。増幅
器4のこれらの特性は、増幅器4の典型的な応用に関す
る特定の回路および変数を考慮することにより、よりよ
く理解される。
【0048】ここで、図4を参照すると、この発明の増
幅器4のDCバイアス回路が図示される。この新しいバ
イアス回路は、トランジスタ150、158にかかる等
しいVds電圧を生成し、その結果、電流の一致がより正
確になり、プロセス、温度、電源電圧、またはIref
流におけるばらつきに対して変化が小さくなる。このD
Cバイアス回路は、トランジスタ152、156、16
0(図3に図示される増幅器回路ではトランジスタ16
4も)が同じ寸法にされるか、またはあるユニットの倍
数であること、かつトランジスタ150、158が同一
の寸法にされるかまたはあるユニットの倍数にされるこ
とを必要とする。トランジスタ154の寸法は、所望の
dsがトランジスタ150、158(および図3におい
てはトランジスタ162)にかかって導出され、これら
が飽和状態(典型的には1.3V dsat)に維持されるよ
うに設定される。この技術の結果として、重要なトラン
ジスタのすべては同じ寸法であるか、または互いのユニ
ットの倍数であり(トランジスタ150、158のVds
を設定するトランジスタ154は除く)(および図3の
162)、カスコードおよびシンク装置は寸法が異なっ
ていてもよく、それでも一致に近く維持する。
【0049】図2と併せて図4を引続き参照すると、効
果において、この発明においてトランジスタ154をD
Cバイアス回路に加えると、トランジスタ150にかか
る電位をトランジスタ158にかかる電位と等しく設定
し、真のカレントミラーを得るように機能する。バイア
ス回路の中間段、すなわちトランジスタ154、156
は、トランジスタ152のゲートからソースへの降下が
トランジスタ150を適切なVds電圧に駆動するよう
に、カスコード装置の電圧を確立する。トランジスタ1
50のゲートが、ドレインに結合されるのではなく、カ
スコード装置の他方の側に接続されて、電位を捕捉し、
そのため電流が正確に反射され、同じドレイン−ソース
電位を有することに注目されたい。
【0050】図3と併わせて図4を引続き参照すると、
増幅器4の単一段増幅器セクションにおいて、この同じ
バイアス技術を用いて、nチャネルトランジスタカスコ
ード装置134、138をバイアスし(196)、かつ
nチャネルシンク装置132、136にバイアス198
を確立する。さらに、同様の態様で、バイアス電圧20
4がpチャネル装置120、124、128をバイアス
し、かつバイアス電圧202がカスコードトランジスタ
122、126、130のバイアス電圧を確立するよう
に、電流が反射されることにも注目されたい。
【0051】引続き図3と併わせて図4を参照すると、
同様のバイアス技術が、同相回路にも用いられている。
同相回路のトランジスタ222、224は、増幅器セク
ションのpチャネルソースおよびカスコードトランジス
タ120、122、124、126、128、130を
バイアスするのと同じ電圧である、それぞれ電圧20
2、204によってバイアスされる。DCバイアス回路
のトランジスタ150と同様に、トランジスタ210、
212のゲートは、それぞれカスコード装置214、2
16の他方側に接続されることにも注目されたい。この
新規の同相回路の設計で、同相回路と増幅器のコアとの
電流の不一致を実質的に低減することができ、したがっ
て同相出力電圧244におけるオフセット誤差を最小に
する。この改良された同相回路と用いられるバイアス機
構は、すべてのVdsおよびVgs電位を同じに設定するこ
とによってこれらの誤差を最小限にし、それによって主
増幅器と同相回路との間の電流の一致を最大にする。
【0052】ここで図5を参照すると、この発明の改良
された同相回路を備えた、低電圧完全差動演算増幅器の
相補的な反転されたものが図示される。この相補的な、
反転されたものは、図3に示された実施例と本質的に同
じ態様で実行するが、図3の回路と全く相補的なもので
ある。
【0053】ここで図6を参照すると、この発明のバイ
アス、カレントミラー動作、および同相再構築回路技術
を組込む2段A級演算増幅器6が示される。この増幅器
6は、単一段増幅器セクション(図3の装置のそれと類
似している)と、DCバイアス回路網(図3および4の
装置のそれと類似している)と、改良された同相再構築
回路(図3の回路のそれと類似している)とからなる。
増幅器6の第2段は、A級出力段である。A級出力段を
単一段増幅器セクションと組込むことで、一般的な2段
A級完全差動演算増幅器を形成する。この実施例におい
て、トランジスタ413、414、415および43
3、434、435と、コンデンサ425および426
とが出力段を形成する。トランジスタ414、415お
よび434、435は、定電流供給源を生成し、一方ト
ランジスタ413および433は、第1段出力314、
315から供給されるそのそれぞれのゲート電位に基づ
いた出力レベルを導出する。この回路は、単一段増幅器
4の設計(図3)と同じバイアス源302、304から
バイアスされる電流供給源を確立する。コンデンサ42
5、426は、標準的なミラー(Miller)補償コンデン
サである。トランジスタ413、433は、効果的には
出力416、418を変調する「スロットル」として作
用する。それぞれのトランジスタ413、433のゲー
トが上昇するにつれ、出力をプルダウンするようにそれ
ぞれのトランジスタにより大きな駆動力を与え、それぞ
れのトランジスタ413、433のゲートが下がれば、
これらはこの装置をオフにして、出力をプルアップさせ
る。
【0054】ここで図7を参照すると、当業者には、こ
の装置の機能およびこれらの機能を達成する態様を逸脱
することなく、その構成および要素において、種々の変
更が可能であることが認められるであろう。代替的な設
計の一例として、上述のポール分割補償ではなくポール
ゼロ補償を用いてもよいが、他にも多くの設計が可能で
あり、この例に制限されるものではない。これは、2段
増幅器6において、コンデンサ425、426を直列抵
抗器500、502およびコンデンサ425、426に
変えることによって達成できる。他の例では、さらに多
くの段、相補的な構成、およびその他の変更、付加およ
び削除が、この発明の説明の意図される範囲を逸脱する
ことなく、設計において可能である。ここで述べた同じ
原理に基づくこれらのおよび他の実施例では、単一段増
幅器は、高周波数切換コンデンサ回路(たとえばシグマ
−デルタ変調器、フィルタ等)で特に応用できると考え
られ、2段増幅器は多くの多岐にわたる応用例があり、
多目的演算増幅器として適切であると考えられる。
【0055】明らかなように、この発明は先行技術の装
置によってもたらされた問題を克服する。この発明は、
ここで述べたように構成され、用いられると特に効果的
であると考えられるが、当業者には実施例、特にここで
明確に述べた好ましい実施例によって達成されるのと実
質的に同じ結果を得るのに、装置ならびにその使用およ
び構成において種々の変更および代替例が可能であるこ
とが容易に認められるであろう。これらの変形の各々
が、この説明に含まれると意図され、この発明の一部を
形成する。したがって、上述の詳細な説明は、単に例と
しておよび例示するために述べたものであって、この発
明の精神および範囲は前掲の特許請求の範囲のみによっ
て制限されることが明確に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】バイアスおよびカレントミラー動作ならびに同
相回路のための従来の方法を用いる、先行技術の単一段
完全差動演算増幅器の概略図である。
【図2】図1の先行技術の単一段増幅器のDCバイアス
およびカレントミラー回路の詳細な図である。
【図3】独自のDCバイアスおよびカレントミラー機構
ならびに改良された同相再構築回路を有する、この発明
の低電圧完全差動演算増幅器回路の好ましい実施例の概
略図である。
【図4】図3におけるこの発明の増幅器回路の好ましい
実施例のDCバイアスおよびカレントミラー回路の詳細
な図である。
【図5】図3に示されるものと相補的な単一段増幅器を
示す概略図である。
【図6】この発明の改良された同相再構築回路ならびに
DCバイアスおよびカレントミラー機構を組入れる、2
段A級差動演算増幅器の概略図である。
【図7】ポールゼロ補償を有する、この発明の改良され
た同相再構築回路ならびにDCバイアスおよびカレント
ミラー機構を組入れる、2段差動演算増幅器の概略図で
ある。
【符号の説明】
4 単一段完全差動増幅器 110 非反転入力 112 反転入力 114 非反転出力 115 反転出力

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 反転入力と、 非反転入力と、 第1の出力と、 第2の出力と、 基準電圧入力と、 前記反転入力および前記非反転入力に接続されて、前記
    第1の出力および前記第2の出力を生成するための増幅
    手段と、 同相再構築のための手段とを含み、前記手段は、前記基
    準電圧入力ならびに前記第1の出力および前記第2の出
    力を受取り、前記第1の出力および前記第2の出力の各
    々を、前記出力の電圧が前記基準電圧入力の電圧に実質
    的に近くなるようにプッシュまたはプルする、完全差動
    演算増幅器。
  2. 【請求項2】 同相再構築のための前記手段が、 前記第1の出力および前記第2の出力に接続されて、前
    記出力間の何らかの差を決定するための差決定手段と、 前記出力間の何らかの前記差に応答して、選択的に動作
    可能である、前記出力をハイにプッシュするための手段
    と、 前記出力間の何らかの前記差に応答して選択的に動作可
    能な、前記出力をロウにプルするための手段とを含む、
    請求項1に記載の完全差動演算増幅器。
  3. 【請求項3】 同相再構築のための前記手段が、同相回
    路を含む、請求項1に記載の完全差動演算増幅器。
  4. 【請求項4】 プッシュするための前記手段に接続され
    る少なくとも1つのカスコード手段と、 プルするための前記手段に接続される少なくとも1つの
    カスコード手段とをさらに含む、請求項2に記載の完全
    差動演算増幅器。
  5. 【請求項5】 同相再構築のための前記手段がDCバイ
    アス回路を含む、請求項2に記載の完全差動演算増幅
    器。
  6. 【請求項6】 同相再構築のための前記手段が、電源電
    圧の範囲の約中間にある、外部から供給されたアナログ
    接地基準電圧の入力と、前記第1の出力および前記第2
    の出力の差として決定された差信号の入力とを含み、前
    記入力の各々はpチャネルトランジスタのゲートに送ら
    れ、前記pチャネルトランジスタの各々は、直列接続さ
    れるnチャネルトランジスタに接続され、前記nチャネ
    ルトランジスタの各々は共通のドレインを有し、直列接
    続されるpチャネルトランジスタが前記入力間を接続す
    る、請求項2に記載の完全差動演算増幅器。
  7. 【請求項7】 プッシュするための前記手段が少なくと
    も1つのソーストランジスタであり、プルするための前
    記手段が少なくとも1つのシンクトランジスタである、
    請求項2に記載の完全差動演算増幅器。
  8. 【請求項8】 前記DCバイアス回路が、プルするため
    の前記手段にバイアス電圧を確立し、それによって実質
    的に出力の全範囲にわたって、プルするための前記手段
    を飽和状態に維持する、請求項5に記載の完全差動演算
    増幅器。
  9. 【請求項9】 前記増幅手段がDCバイアス回路を含
    み、前記DCバイアス回路は、4つの同一寸法のnチャ
    ネルトランジスタを含み、前記nチャネルトランジスタ
    のうちの3つは第2のバイアス電流入力を受取り、前記
    nチャネルトランジスタの1つは第1のバイアス電流入
    力を受取り、さらに、前記DCバイアス回路は、前記第
    1のバイアス電流入力を受取る前記nチャネルトランジ
    スタと前記第2のバイアス電流入力を受取る前記nチャ
    ネルトランジスタのうちの2つとに接続される、3つの
    同一寸法のnチャネルシンクトランジスタを含み、前記
    第2のバイアス電流入力を受取る前記nチャネルトラン
    ジスタの前記残りは、前記少なくとも1つのソーストラ
    ンジスタの各々の間で、および前記少なくとも1つのシ
    ンクトランジスタの各々の間でカレントミラー動作を維
    持するのに所望の特性を有する選択トランジスタに接続
    され、それによって前記少なくとも1つのソーストラン
    ジスタおよび前記少なくとも1つのシンクトランジスタ
    は、前記出力のスイングの全範囲で飽和領域に維持され
    る、請求項6に記載の完全差動演算増幅器。
  10. 【請求項10】 前記DCバイアス回路が、プルするた
    めの前記手段にバイアス電圧を確立し、それによってプ
    ルするための前記手段を前記出力の電圧の実質的に全範
    囲にわたって飽和状態に維持する、請求項9に記載の完
    全差動演算増幅器。
  11. 【請求項11】 前記pチャネルトランジスタの各々
    が、少なくとも1つの印加バイアス電圧によってバイア
    スされ、前記直列接続されるnチャネルトランジスタの
    各々の少なくとも1つは、少なくとも1つの異なる印加
    バイアス電圧によってバイアスされる、請求項6に記載
    の完全差動演算増幅器。
  12. 【請求項12】 前記DCバイアス回路が、プルするた
    めの前記手段に選択的にバイアス電圧を確立し、それに
    よってプルするための前記手段を前記出力の電圧の実質
    的に全範囲にわたって飽和状態に維持し、プッシュする
    ための前記手段にも選択的にバイアス電圧を確立して、
    それによって前記出力の電圧の実質的に全範囲にわたっ
    てプッシュするための前記手段を飽和状態に維持する、
    請求項11に記載の完全差動演算増幅器。
  13. 【請求項13】 プッシュするための前記手段に接続さ
    れる少なくとも1つのカスコード手段と、プルするため
    の前記手段に接続される少なくとも1つのカスコード手
    段とをさらに含み、前記DCバイアス回路は、プッシュ
    するための前記手段に接続される前記少なくとも1つの
    カスコード手段と、プルするための前記手段に接続され
    る前記少なくとも1つのカスコード手段とにバイアス電
    圧を確立する、請求項8に記載の完全差動演算増幅器。
  14. 【請求項14】 前記直列接続されるnチャネルトラン
    ジスタの各々の前記少なくとも1つが、前記DCバイア
    ス回路によって確立された前記バイアス電圧によってバ
    イアスされる、請求項6に記載の完全差動演算増幅器。
  15. 【請求項15】 同相再構築のための前記手段が、その
    電流が前記増幅手段の電流を実質的に反映する同相回路
    を含む、請求項8に記載の完全差動演算増幅器。
  16. 【請求項16】 前記第2のバイアス電流入力を受取る
    前記nチャネルトランジスタの前記残りと、前記選択ト
    ランジスタとが、前記直列接続されるnチャネルトラン
    ジスタの各々の前記少なくとも1つに接続されて、同相
    再構築のための前記手段の前記直列接続されるnチャネ
    ルトランジスタ、および前記DCバイアス回路の前記n
    チャネルトランジスタの各々の間でカレントミラー動作
    を維持する、請求項9に記載の完全差動演算増幅器。
  17. 【請求項17】 前記同相回路が、電源電圧の範囲の約
    中間点の、外部から供給されたアナログ接地基準電圧の
    入力と、前記増幅器からの同相出力電圧の入力とを含
    み、前記入力の各々はpチャネルトランジスタのゲート
    に向けられ、前記pチャネルトランジスタの各々は、直
    列接続されるnチャネルトランジスタに接続され、前記
    nチャネルトランジスタの各々は共通のドレインを有
    し、直列接続されるpチャネルトランジスタは前記入力
    間を接続する、請求項15に記載の完全差動演算増幅
    器。
  18. 【請求項18】 二重入力およびデュアルエンデッド出
    力を有し、さらにpチャネルソーストランジスタおよび
    nチャネルシンクトランジスタを有する完全差動演算増
    幅器のDCバイアス回路および同相回路において、前記
    DCバイアス回路が、前記二重入力間の電圧差が正であ
    れば、前記出力の電圧レベルを電源電圧の値に近くもた
    らすように、前記出力をハイにプッシュさせ、前記二重
    入力間の電圧差が負であれば、前記出力の電圧レベルを
    接地の値に近くもたらすように、ロウにプルし、前記同
    相回路は、電源電圧の範囲の約中間点の、外部から供給
    されたアナログ接地基準電圧の入力と、前記増幅器から
    の前記出力間の差である入力とを受取り、前記同相回路
    の電流を実質的に反映して、前記入力を介して前記増幅
    器に入力される同相信号に起因し、および前記増幅器内
    のそれに起因する電圧降下による、電圧誤差を考慮する
    ように前記出力を再構築する、回路。
  19. 【請求項19】 二重入力およびデュアルエンデッド出
    力を有する差動演算増幅器における同相再構築の方法で
    あって、前記増幅器は、シンクトランジスタとソースト
    ランジスタと、対応するバイアストランジスタとを含
    み、前記方法は、 前記増幅器のための電源電圧の範囲の約中間点の、外部
    から供給されるアナログ接地基準電圧を、第1のpチャ
    ネルトランジスタのゲートに入力するステップと、 前記増幅器から第2のpチャネルトランジスタのゲート
    に、前記出力の比較に基づく差信号を入力するステップ
    と、 前記第1のpチャネルトランジスタおよび前記第2のp
    チャネルトランジスタの各々を直列接続されるpチャネ
    ルトランジスタに接続するステップと、 前記第1のpチャネルトランジスタを直接接続されるn
    チャネルトランジスタに接続するステップとを含み、前
    記nチャネルトランジスタの各々は共通のドレインを有
    し、さらに前記第2のpチャネルトランジスタを直列接
    続されるnチャネルトランジスタに接続するステップを
    含み、前記nチャネルトランジスタの各々は共通のドレ
    インを有し、さらに前記直列接続されるnチャネルトラ
    ンジスタの各々を共通の接地に接続するステップと、 前記増幅器を前記pチャネルトランジスタのドレインで
    接続するステップとを含む、方法。
  20. 【請求項20】 前記増幅器をDCバイアス回路と接続
    するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
  21. 【請求項21】 前記DCバイアス回路が、前記バイア
    ス回路のバイアストランジスタにかかる二重バイアス電
    流間の電圧差を考慮し、前記シンクトランジスタのすべ
    てに実質的に同一のバイアス電流を生成し、かつ前記増
    幅器の前記シンクトランジスタのすべておよび前記ソー
    ストランジスタのすべてに実質的に同一のバイアス電流
    を生成する、請求項20に記載の方法。
  22. 【請求項22】 カスコードトランジスタを前記シンク
    トランジスタおよび前記ソーストランジスタの各々に接
    続するステップをさらに含む、請求項21に記載の方
    法。
  23. 【請求項23】 電源電圧が、約0ボルトないし約2.
    7ボルトの範囲である、請求項22に記載の方法。
  24. 【請求項24】 電源電圧が、約0ボルトないし約5ボ
    ルトの範囲である、請求項23に記載の方法。
JP6194071A 1993-08-19 1994-08-18 完全差動演算増幅器、および差動演算増幅器における同相再構築の方法 Withdrawn JPH0786850A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10932393A 1993-08-19 1993-08-19
US109323 1993-08-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0786850A true JPH0786850A (ja) 1995-03-31

Family

ID=22327050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6194071A Withdrawn JPH0786850A (ja) 1993-08-19 1994-08-18 完全差動演算増幅器、および差動演算増幅器における同相再構築の方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5844442A (ja)
EP (1) EP0639889B1 (ja)
JP (1) JPH0786850A (ja)
DE (1) DE69420649T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7358813B2 (en) 2005-09-12 2008-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Differential operational amplifier
CN101902208A (zh) * 2009-05-28 2010-12-01 阿尔卑斯电气株式会社 运算放大电路
US8072268B2 (en) 2009-01-22 2011-12-06 Oki Semiconductor Co., Ltd. Operational amplifier
JP2011250195A (ja) * 2010-05-27 2011-12-08 Lapis Semiconductor Co Ltd フォールデッドカスコード型の差動アンプ及び半導体装置
JP2013544060A (ja) * 2010-12-16 2013-12-09 ザイリンクス インコーポレイテッド カレントミラーおよび高コンプライアンス単段増幅器
WO2020129184A1 (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 三菱電機株式会社 Ab級アンプおよびオペアンプ

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3537569B2 (ja) * 1995-02-27 2004-06-14 松下電器産業株式会社 差動増幅装置
FI102647B1 (fi) * 1997-04-22 1999-01-15 Nokia Mobile Phones Ltd Ohjelmoitava vahvistin
CA2229737A1 (en) 1998-02-18 1999-08-18 Philsar Electronics Inc. Analog to digital converter for radio applications
US6265929B1 (en) * 1998-07-10 2001-07-24 Linear Technology Corporation Circuits and methods for providing rail-to-rail output with highly linear transconductance performance
GB2344902B (en) 1998-12-18 2003-04-23 Ericsson Telefon Ab L M Level shift circuit
US6507211B1 (en) 1999-07-29 2003-01-14 Xilinx, Inc. Programmable logic device capable of preserving user data during partial or complete reconfiguration
CA2298310C (en) 2000-02-09 2003-07-29 James A. Cherry Low-voltage transconductance amplifier/filters
US6538513B2 (en) * 2000-12-22 2003-03-25 Intersil Americas Inc. Common mode output current control circuit and method
US6486820B1 (en) 2001-03-19 2002-11-26 Cisco Systems Wireless Networking (Australia) Pty Limited Pipeline analog-to-digital converter with common mode following reference generator
US6577185B1 (en) 2001-03-19 2003-06-10 Cisco Systems Wireless Networking (Australia) Pty. Limited Multi-stage operational amplifier for interstage amplification in a pipeline analog-to-digital converter
GB2376819A (en) * 2001-06-21 2002-12-24 Ericsson Telefon Ab L M Electronic circuit having series connected circuit blocks
US6590980B1 (en) * 2001-09-24 2003-07-08 Micrel, Incorporated Low voltage, low power operational amplifier with rail to rail output
US6700445B2 (en) * 2002-04-22 2004-03-02 Texas Instruments Incorporated Filter circuits based on trans-conductor circuits
US8367822B2 (en) * 2003-09-22 2013-02-05 Enzo Therapeutics, Inc. Compositions and methods for bone formation and remodeling
US20100041599A1 (en) * 2006-11-14 2010-02-18 Dakai Liu Compositions and methods for bone formation, bone remodeling and toxin protection
US20120178697A9 (en) * 2003-09-22 2012-07-12 Jie Zheng Compositions and methods for the inhibition of dishevelled proteins
US8461155B2 (en) * 2003-09-22 2013-06-11 University Of Connecticut Sclerostin and the inhibition of WNT signaling and bone formation
US8637506B2 (en) * 2003-09-22 2014-01-28 Enzo Biochem, Inc. Compositions and methods for bone formation and remodeling
US8343922B2 (en) * 2004-05-19 2013-01-01 Enzo Biochem, Inc. Compositions and methods for the stimulation or enhancement of bone formation and the self-renewal of cells
US7859243B2 (en) * 2007-05-17 2010-12-28 National Semiconductor Corporation Enhanced cascode performance by reduced impact ionization
US7605658B2 (en) * 2007-08-31 2009-10-20 Cavium Networks, Inc. Resistively loaded single stage differential amplifier having zero volt common mode input
US7541870B2 (en) * 2007-10-18 2009-06-02 Broadcom Corporation Cross-coupled low noise amplifier for cellular applications
US8350622B2 (en) 2009-11-19 2013-01-08 Stmicroelectronics International N.V. Output common mode voltage stabilizer over large common mode input range in a high speed differential amplifier
TWI528709B (zh) * 2013-06-07 2016-04-01 Nat Univ Chung Cheng Transient Operational Amplifier
TWI533600B (zh) * 2013-07-09 2016-05-11 晨星半導體股份有限公司 差動轉單端轉換器裝置及方法
US9287839B1 (en) * 2013-10-17 2016-03-15 Cirrus Logic, Inc. Feedback loop for direct current (DC) offset removal
CN105991099B (zh) * 2015-01-30 2018-08-14 博通集成电路(上海)股份有限公司 运算放大器及使用该运算放大器进行放大的方法
US11881969B2 (en) * 2022-04-22 2024-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Real-time DC-balance aware AFE offset cancellation

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4284959A (en) * 1979-11-13 1981-08-18 Rca Corporation Folded-cascode amplifier arrangement with cascode load means
JPS6426811A (en) * 1987-04-28 1989-01-30 Minolta Camera Kk Compact photographic lens system with postpositioned stop
US5006817A (en) * 1989-10-13 1991-04-09 Sierra Semiconductor Rail-to-rail CMOS operational amplifier
US5015966A (en) * 1990-05-01 1991-05-14 Xerox Corporation Folded cascode amplifier
FR2667744B1 (fr) * 1990-10-05 1996-08-02 Texas Instruments France Amplificateur operationnel a entrees et sorties differentielles.
IT1247657B (it) * 1990-12-21 1994-12-28 Sgs Thomson Microelectronics Amplificatore operazionale cmos di potenza con uscita differenziale.
US5166635A (en) * 1991-03-27 1992-11-24 Level One Communications, Inc. Digital data line driver
US5117199A (en) * 1991-03-27 1992-05-26 International Business Machines Corporation Fully differential follower using operational amplifier

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7358813B2 (en) 2005-09-12 2008-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Differential operational amplifier
US8072268B2 (en) 2009-01-22 2011-12-06 Oki Semiconductor Co., Ltd. Operational amplifier
CN101902208A (zh) * 2009-05-28 2010-12-01 阿尔卑斯电气株式会社 运算放大电路
JP2010278733A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Alps Electric Co Ltd 演算増幅回路
JP2011250195A (ja) * 2010-05-27 2011-12-08 Lapis Semiconductor Co Ltd フォールデッドカスコード型の差動アンプ及び半導体装置
JP2013544060A (ja) * 2010-12-16 2013-12-09 ザイリンクス インコーポレイテッド カレントミラーおよび高コンプライアンス単段増幅器
WO2020129184A1 (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 三菱電機株式会社 Ab級アンプおよびオペアンプ
US11811373B2 (en) 2018-12-19 2023-11-07 Mitsubishi Electric Corporation Class AB amplifier and operational amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
US5844442A (en) 1998-12-01
EP0639889B1 (en) 1999-09-15
DE69420649T2 (de) 2000-05-04
DE69420649D1 (de) 1999-10-21
EP0639889A1 (en) 1995-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0786850A (ja) 完全差動演算増幅器、および差動演算増幅器における同相再構築の方法
US5933056A (en) Single pole current mode common-mode feedback circuit
US4829266A (en) CMOS power operational amplifier
US5187448A (en) Differential amplifier with common-mode stability enhancement
US4958133A (en) CMOS complementary self-biased differential amplifier with rail-to-rail common-mode input-voltage range
US20060267685A1 (en) Fast settling, low noise, low offset operational amplifier and method
JPH09509019A (ja) 高差動インピーダンスと低共通モード・インピーダンスを有する差動増幅器
US4918399A (en) Common mode sensing and control in balanced amplifier chains
US5789981A (en) High-gain operational transconductance amplifier offering improved bandwidth
US6018268A (en) High speed and high gain operational amplifier
US6580324B2 (en) Apparatus, method and system for common-mode stabilization in circuits having differential operation
US4742308A (en) Balanced output analog differential amplifier circuit
JP3486072B2 (ja) 可変利得増幅器
US6833760B1 (en) Low power differential amplifier powered by multiple unequal power supply voltages
US4884039A (en) Differential amplifier with low noise offset compensation
JPH04233306A (ja) 線形cmos出力段
US7098736B2 (en) Amplifier circuit
US4912427A (en) Power supply noise rejection technique for amplifiers
US7030697B1 (en) Method and apparatus for providing high common-mode rejection ratio in a single-ended CMOS operational transconductance amplifier
US5457426A (en) Operational amplifier for low supply voltage applications
US11658626B2 (en) Split miller compensation in two-stage differential amplifiers
US6937100B2 (en) Amplifier circuit with common mode feedback
US5157349A (en) Differential operational amplifier
US20020005757A1 (en) Fully differential operational amplifier of the folded cascode type
US6462619B1 (en) Input stag of an operational amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20011106